JPH07221069A - 酸化シリコン上の窒化膜の除去方法 - Google Patents

酸化シリコン上の窒化膜の除去方法

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JPH07221069A
JPH07221069A JP796894A JP796894A JPH07221069A JP H07221069 A JPH07221069 A JP H07221069A JP 796894 A JP796894 A JP 796894A JP 796894 A JP796894 A JP 796894A JP H07221069 A JPH07221069 A JP H07221069A
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JP
Japan
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nitride film
silicon oxide
chamber
silicon
eliminating
Prior art date
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Application number
JP796894A
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English (en)
Inventor
Chitoshi Nogami
千俊 野上
Toshiki Manabe
俊樹 真鍋
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Iwatani International Corp
Original Assignee
Iwatani International Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ドライ方式でかつノンプラズマの状態で酸化
シリコン上の窒化膜を除去する新規の窒化膜除去方法を
提供する。 【構成】 チャンバー内に三フッ化塩素ガスを流して、
酸化シリコン上に形成した窒化シリコン膜をノンプラズ
マの状態で除去する。三フッ化塩素ガスでの窒化膜除去
後、チャンバー内に水素ガスを流して酸化シリコン上に
残留した塩素成分を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化シリコンの上にマ
スクとして形成した窒化シリコン膜を除去する方法に関
する。
【０００２】
【従来技術】従来、酸化シリコンの上にマスクとして形
成した窒化シリコン膜を除去する方式として、リン酸液
を使ったウエットエッチングによる方式と、プラズマで
エッチングするドライエッチングの方式とが知られてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ウエットエ
ッチングの方式では、リン酸液でのエッチング作業の
後、純水でリン酸成分を洗い流す洗浄工程と、洗浄後の
基板を乾燥させる乾燥工程とを必要とし、工程数が増加
して作業が面倒であるうえ、リン酸液が劣化しやすくエ
ッチング溶液の管理が面倒であるという問題があった。
【０００４】また、プラズマエッチングによる窒化膜除
去方式では、プラズマエッチングがオーバーになるとパ
タンエッジ部のパッドＳｉＯ2膜までが局所的にエッチ
ングされてシリコン基板までエッチングされてしまい、
シリコン基板がダメージを受けることがあるという問題
があった。
【０００５】本発明は、このような点に着目し、ドライ
方式でかつノンプラズマの状態で酸化シリコン上の窒化
膜を除去する新規の窒化膜除去方法を提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、処理するシリコン基板を配置したチャン
バー内に三フッ化塩素ガスを流して、窒化シリコン膜を
ノンプラズマで除去した後、チャンバー内に水素ガスを
流して酸化シリコン上に残留した塩素成分を除去するよ
うにしたことを特徴としている。
【０００７】
【作用】本発明では、処理するシリコン基板を配置した
チャンバー内に三フッ化塩素ガスを流して、窒化シリコ
ン膜をノンプラズマで除去した後、チャンバー内に水素
ガスを流して酸化シリコン上に残留した塩素成分を除去
するようにしているので、ドライエッチングでありなが
らシリコン基板にダメージを与えることがなくなる。
【０００８】
【実施例】図は本発明方法の実験装置を示し、図中符号
(１)は石英チャンバー、(２)は石英チャンバー(１)内に
配置した試料、(３)は石英チャンバー(１)の外側に配置
したハロゲンランプ、(４)は石英チャンバー(１)へのエ
ッチングガス導入路、(５)はエッチングガス排出路、
(６)はハロゲン除害筒である。なお、試料(２)は酸化シ
リコンの上面の一部を厚さ８００Åの窒化シリコン膜で
マスキングしたものである。
【０００９】ハロゲンランプ(３)で石英チャンバー(１)
内を２００℃の温度雰囲気に維持した状態で窒素バラン
スの１０％三フッ化塩素を２リットル／min で石英チャ
ンバー(１)内に２０分間流し、その後、石英チャンバー
(１)内を１００℃以上の温度雰囲気に維持した状態で水
素ガスを２リットル／min で石英チャンバー(１)内に１
０分間流す。
【００１０】水素ガスを流さなかった場合には試料(２)
の表面からフッ素イオンは検出されなかったが、塩素イ
オンは０.０７〜０.０８μｇ／cm2 程度検出された。一
方、エッチングガスを流した後に水素ガスを流した後に
は、試料(２)の表面からフッ素イオンも塩素イオンの検
出されなかった。
【００１１】
【発明の効果】本発明では、処理するシリコン基板を配
置したチャンバー内に三フッ化塩素ガスを流して、窒化
シリコン膜をノンプラズマで除去した後、チャンバー内
に水素ガスを流して酸化シリコン上に残留した塩素成分
を除去するようにしているので、ドライエッチングであ
りながらシリコン基板にダメージを与えることなく酸化
シリコン上の窒化膜を効率よく除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実施する実験装置の概略構成図で
ある。
【符号の説明】
１…石英チャンバー、２…試料(処理対象物)、３…ハロ
ンゲンランプ、４…エッチングガス導入路、５…エッチ
ングガス排出路、６…ハロゲン除害筒。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 選択酸化工程でのマスクとして酸化シリ
    コンの上に形成した窒化シリコン膜を除去するに当た
    り、チャンバー内に三フッ化塩素ガスを流して、窒化シ
    リコン膜をノンプラズマで除去した後、チャンバー内に
    水素ガスを流して酸化シリコン上に残留した塩素成分を
    除去するようにしたことを特徴とする酸化シリコン上の
    窒化膜の除去方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1139398A4 (en) * 1998-10-14 2005-08-03 Tokyo Electron Ltd METHOD AND DEVICE FOR SURFACE TREATMENT

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0410621A (ja) * 1990-04-27 1992-01-14 Kawasaki Steel Corp 窒化シリコン膜のエッチング処理方法、及びその装置
JPH05129263A (ja) * 1991-11-01 1993-05-25 Kawasaki Steel Corp 半導体基板の処理方法

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