KR970052695A - 반도체 소자의 세정방법 - Google Patents

반도체 소자의 세정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 세정방법을 제공하는 것으로, 실리콘기판의 표면에 잔류하는 불순물을 핫 순수내의 미세 산소기포를 이용하므로써 빠른 시간에 불순물을 완전히 제거할 수 있어서 소자의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 세정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 세정방법을 설명하기 위한 세정조의 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 세정방법에 있어서, 실리콘기판의 유기물 및 중금속을 제거하기 위해 혼합액을 이용한 제1차 세정공정으로 상기 실리콘기판의 표면을 세정하는 단계와, 상기 단계로부터 제2차 세정공정으로 상기 실리콘기판의 표면에 잔류하는 불순물을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1차 세정공정은 H2SO4+H2O2용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1차 세정공정은 H3PO4용액을 사용하여 질화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2차 세정공정은 70내지 90℃의 핫 순수를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 순수는 25내지 40ppb의 용존산소를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  6. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 제2차 세정공정은 5 내지 7분간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제2차 세정공정은 순수의 용존산소에 의해 생성된 핫 미세 산소기포를 이용하여 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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