JPS61168925A - 窒化膜のエツチング方法 - Google Patents
窒化膜のエツチング方法Info
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- JPS61168925A JPS61168925A JP1061585A JP1061585A JPS61168925A JP S61168925 A JPS61168925 A JP S61168925A JP 1061585 A JP1061585 A JP 1061585A JP 1061585 A JP1061585 A JP 1061585A JP S61168925 A JPS61168925 A JP S61168925A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置のパッシベーション膜、ゲート材
料、あるいは半導体装置の製造工程での選択酸化膜用マ
スクとして用いられる窒化シリコン膜のエツチング方法
に関する。
料、あるいは半導体装置の製造工程での選択酸化膜用マ
スクとして用いられる窒化シリコン膜のエツチング方法
に関する。
窒化膜（シリコン基板半導体では窒化シリコン膜、Ｓｉ
３Ｎ、として用いられる）のエツチングには、ドライエ
ツチング法とウェットエツチング法がある。
３Ｎ、として用いられる）のエツチングには、ドライエ
ツチング法とウェットエツチング法がある。
ウェットエツチング法は、エツチング速度の材料選択性
が大きく、処理能力が大で、且つ装置が安価であるため
多用されている。
が大きく、処理能力が大で、且つ装置が安価であるため
多用されている。
然し、ウェットエツチングは煮沸燐酸を用いるためコン
トロールに困難性があり、改善が要望されている。
トロールに困難性があり、改善が要望されている。
窒化シリコン膜のエツチングに用いられる燐酸は、オル
ＩＩＡ酸（ＨｉＰＯｎ）と呼ばれているもので、この水
溶液を煮沸しつつ用いる。Ｈ３Ｐ Ｏａは一般に８５〜
８８％の水溶液として市販されているので、通常これを
エツチング液として用いる。
ＩＩＡ酸（ＨｉＰＯｎ）と呼ばれているもので、この水
溶液を煮沸しつつ用いる。Ｈ３Ｐ Ｏａは一般に８５〜
８８％の水溶液として市販されているので、通常これを
エツチング液として用いる。
上記エツチング液を用いて、窒化シリコン膜のエツチン
グを行う場合、ヒーターによって溶液は約１４０℃に加
熱される。これは、加熱によりエツチングレートを高く
するためである。
グを行う場合、ヒーターによって溶液は約１４０℃に加
熱される。これは、加熱によりエツチングレートを高く
するためである。
エツチング装置には燐酸溶液の水分の蒸発を防ぐため、
溶液槽の上部に水冷の装置を設け、水分の蒸発を防いで
いるがコントロールはかなり難しい。従ってエツチング
液は作業の使用時間と共に燐酸の濃度は上昇してくる。
溶液槽の上部に水冷の装置を設け、水分の蒸発を防いで
いるがコントロールはかなり難しい。従ってエツチング
液は作業の使用時間と共に燐酸の濃度は上昇してくる。
一方、窒化シリコン膜のエツチングレートは、燐酸の濃
度の上昇と共に低下してくる。これを第４図に示す、従
って、窒化シリコン膜のエツチングを正確にコントロー
ルするためには、絶えず燐酸の濃度を監視すると共に、
これに応じてエツチング時間の管理が必要である。
度の上昇と共に低下してくる。これを第４図に示す、従
って、窒化シリコン膜のエツチングを正確にコントロー
ルするためには、絶えず燐酸の濃度を監視すると共に、
これに応じてエツチング時間の管理が必要である。
上記に述べた、従来の技術による方法では、常に、燐酸
の濃度とエツチング時間の管理が必要で、そのための人
手を必要とするのみならず、コントロールが難しいため
エツチングの品質をも低下させる。
の濃度とエツチング時間の管理が必要で、そのための人
手を必要とするのみならず、コントロールが難しいため
エツチングの品質をも低下させる。
上記問題点は、ウェット窒素ガスを燐酸溶液中でバブリ
ングさせる手段を付加することよりなる本発明の方法に
よフて解決される。
ングさせる手段を付加することよりなる本発明の方法に
よフて解決される。
即ち、窒素ガスを先ず密閉された水槽に導き、水中で窒
素ガスをバブリングさせる。水槽の上部より別のパイプ
を通して、水分を含んだ窒素ガスを燐酸溶液槽に導き、
燐酸溶液中でバブリングさせることによってエツチング
レートの変化を著しく少なくすることが出来る。
素ガスをバブリングさせる。水槽の上部より別のパイプ
を通して、水分を含んだ窒素ガスを燐酸溶液槽に導き、
燐酸溶液中でバブリングさせることによってエツチング
レートの変化を著しく少なくすることが出来る。
窒素ガスに含まれた水分の供給量と、燐酸水溶液の水分
の蒸発量をバランスさせることにより、燐酸の濃度が一
定となり工・ノチングレートがほぼコンスタントとなる
。
の蒸発量をバランスさせることにより、燐酸の濃度が一
定となり工・ノチングレートがほぼコンスタントとなる
。
第１図に本発明の一実施例を基本的な構成図として示す
。図面において、ｌはエツチング槽、２は燐酸の水溶液
よりなるエツチング液、３はエツチング液を１４０℃に
保つためのヒーターを示す。
。図面において、ｌはエツチング槽、２は燐酸の水溶液
よりなるエツチング液、３はエツチング液を１４０℃に
保つためのヒーターを示す。
４はエツチング槽の上部で、蒸発した水分を冷却して再
びエツチング液に戻すための冷却パイプである。５は燐
酸の濃度を監視するための濃度計を示す。
びエツチング液に戻すための冷却パイプである。５は燐
酸の濃度を監視するための濃度計を示す。
６は窒素ガスの供給源でパイプ７により水槽８に導かれ
る。水槽中でバブリングされ水分を含んだ、ウェット窒
素ガスは水槽よりパイプ９を通してエツチング槽１には
導かれ、燐酸溶液中でバブリングされる。
る。水槽中でバブリングされ水分を含んだ、ウェット窒
素ガスは水槽よりパイプ９を通してエツチング槽１には
導かれ、燐酸溶液中でバブリングされる。
図では、エツチング処理を施すべきウェハー１０を、複
数枚エツチング液に浸した状態を示す。
数枚エツチング液に浸した状態を示す。
以上説明せるエツチング装置を用いて窒化シリコン膜の
エツチングを行った結果を第２図に示す。
エツチングを行った結果を第２図に示す。
これに用いたエツチング槽は、縦横それぞれ約５０１、
エツチング液の深さは約２０ｃｍの場合について測定を
行った結果を示す。
エツチング液の深さは約２０ｃｍの場合について測定を
行った結果を示す。
窒素ガスの流量は’ｌ １／ｗｉｎで、窒化シリコン膜
のエツチングレートは約８００人／ｎ＋ｉｎで、運転開
始当初を除いて、安定した値を示している。
のエツチングレートは約８００人／ｎ＋ｉｎで、運転開
始当初を除いて、安定した値を示している。
第４図で説明した水分のコントロールをしていない従来
の方法と比較して、５〜６時間後のデータではエツチン
グレートは約３倍の相違がある。
の方法と比較して、５〜６時間後のデータではエツチン
グレートは約３倍の相違がある。
猶、燐酸水溶液の濃度と、その電気伝導度の関硲は第３
図に示すごとく、濃度変化に対して伝導度は大きく変わ
るので、装置の初期運転時に、この関係より必要な窒素
ガス流量の設定を行えば、比較的容易に安定なる作業を
実施することが可能である。
図に示すごとく、濃度変化に対して伝導度は大きく変わ
るので、装置の初期運転時に、この関係より必要な窒素
ガス流量の設定を行えば、比較的容易に安定なる作業を
実施することが可能である。
本実施例で説明せるごとく、ウェット窒素ガスを燐酸水
溶液にバブリングさせることにより、窒化シリコン膜の
エツチングレートはほぼ一定に保つことが可能となる。
溶液にバブリングさせることにより、窒化シリコン膜の
エツチングレートはほぼ一定に保つことが可能となる。
特にエツチング量を正確にコントロールする必要のある
コントロールエッチ工程には有効である。
コントロールエッチ工程には有効である。
第１図は本発明にかかわるエツチングに用いる装置の概
要図、 第２図はウェット窒素ガスをバブリングした時のエツチ
ングレートの変化、 第３図は燐酸水溶液の濃度と電気伝導度との関係図、 第４図は従来の方法によるエツチングレートの変化、 を示す。 図面において、 １はエツチング槽、 ２は燐酸水溶液、３はヒーター
、 ４は冷却パイプ、５は濃度計、
６は窒素ガスソース、、７はパイプ、 ８
は水槽、９はパイプ、 １０はウェハー、を
それぞれ示す。 第１閏 第２５６ １４用（ｈ「）
要図、 第２図はウェット窒素ガスをバブリングした時のエツチ
ングレートの変化、 第３図は燐酸水溶液の濃度と電気伝導度との関係図、 第４図は従来の方法によるエツチングレートの変化、 を示す。 図面において、 １はエツチング槽、 ２は燐酸水溶液、３はヒーター
、 ４は冷却パイプ、５は濃度計、
６は窒素ガスソース、、７はパイプ、 ８
は水槽、９はパイプ、 １０はウェハー、を
それぞれ示す。 第１閏 第２５６ １４用（ｈ「）
Claims (1)
- 煮沸燐酸水溶液を用いて窒化シリコン膜をエッチングす
るに当たり、水分を多く含んだ窒素ガスを該燐酸水溶液
中にバブリングすることを特徴とする窒化膜のエッチン
グ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061585A JPS61168925A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 窒化膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1061585A JPS61168925A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 窒化膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168925A true JPS61168925A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11755139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1061585A Pending JPS61168925A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 窒化膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168925A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279705A (en) * | 1990-11-28 | 1994-01-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Gaseous process for selectively removing silicon nitride film |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP1061585A patent/JPS61168925A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5279705A (en) * | 1990-11-28 | 1994-01-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Gaseous process for selectively removing silicon nitride film |
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