JPS61134027A - 湿式処理装置 - Google Patents
湿式処理装置Info
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- JPS61134027A JPS61134027A JP25679984A JP25679984A JPS61134027A JP S61134027 A JPS61134027 A JP S61134027A JP 25679984 A JP25679984 A JP 25679984A JP 25679984 A JP25679984 A JP 25679984A JP S61134027 A JPS61134027 A JP S61134027A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、湿式処理装置に関し、蒸発性を有する溶液
を用いたエツチングあ・ｂいは洗浄、前処理装置に関す
るものである。
を用いたエツチングあ・ｂいは洗浄、前処理装置に関す
るものである。
第２図は従来のエツチング装置を示し、これは二酸化シ
リコン膜上に形成された窒化シリコン膜の工・ノチング
の例でムる。第２図において、１はエツチング槽、２は
エツチング槽１内に設けられた熱リン酸加熱用ヒータ、
３はエツチング槽１の蓋、４は窒化シリコン膜（以下窒
化膜と記す）の付着した試料である。
リコン膜上に形成された窒化シリコン膜の工・ノチング
の例でムる。第２図において、１はエツチング槽、２は
エツチング槽１内に設けられた熱リン酸加熱用ヒータ、
３はエツチング槽１の蓋、４は窒化シリコン膜（以下窒
化膜と記す）の付着した試料である。
次にこの従来例の動作について説明する。
エツチング槽１内のリン酸は、ヒータ２により加熱され
る。エツチング槽１内には試料４が例えば図のように設
置されている。槽ｌの開閉は蓋３による。工・ノチング
としては、試料である窒化膜の膜厚が所望の値となるよ
う予め測定された窒化シリコンのエツチングレートから
求めた一定のオーバーエッチ（通＄２０〜５０％）を含
めたエツチングを行なう。このエツチング時間終了後、
蓋３を開けて試料４を取り出す。
る。エツチング槽１内には試料４が例えば図のように設
置されている。槽ｌの開閉は蓋３による。工・ノチング
としては、試料である窒化膜の膜厚が所望の値となるよ
う予め測定された窒化シリコンのエツチングレートから
求めた一定のオーバーエッチ（通＄２０〜５０％）を含
めたエツチングを行なう。このエツチング時間終了後、
蓋３を開けて試料４を取り出す。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかるにこの従来の装置では、熱リン酸中の水分の蒸発
により、リン酸の化学構造に経時変化が生じ、窒化膜の
エツチングレートの低下と、二酸化シリコン膜のエツチ
ングレートの上昇が起こる。
により、リン酸の化学構造に経時変化が生じ、窒化膜の
エツチングレートの低下と、二酸化シリコン膜のエツチ
ングレートの上昇が起こる。
従って、経時的に窒化膜が残ったり、二酸化シリコン膜
が著しくエツチングされて下地が露出し、デバイス作成
が困難となる欠点があった。そしてこれは他の従来の湿
式処理装置においても同様である。
が著しくエツチングされて下地が露出し、デバイス作成
が困難となる欠点があった。そしてこれは他の従来の湿
式処理装置においても同様である。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、安定にエツチング又は洗浄処理が行なえる湿式
処理装置を提供することを目的としている。
もので、安定にエツチング又は洗浄処理が行なえる湿式
処理装置を提供することを目的としている。
この発明に係る湿式処理装置は、蒸発性を有する溶液を
収容する容器と、該容器に設けられた上。
収容する容器と、該容器に設けられた上。
下限のレベルセンサと、該レベルセンサの出力に応じて
液面が上記上、下限間に位置するよう前記溶液又は該溶
液中の液面低下の際に消失した成分を供給する溶液補充
手段とを設けたものである。
液面が上記上、下限間に位置するよう前記溶液又は該溶
液中の液面低下の際に消失した成分を供給する溶液補充
手段とを設けたものである。
この発明においては、蒸発性を有する溶液を用いてエツ
チングあるいは洗浄、前処理を行なう場合、該溶液の減
少に伴い消失したのと同一の成分が随時添加され、該溶
液の組成分量が一定に保たれる。
チングあるいは洗浄、前処理を行なう場合、該溶液の減
少に伴い消失したのと同一の成分が随時添加され、該溶
液の組成分量が一定に保たれる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による湿式処理装置の構成を
示す図である。これは熱リン酸と純水によるエツチング
の例であるが、簡略化のため一種類のみの溶液の添加に
ついて示したものである。
示す図である。これは熱リン酸と純水によるエツチング
の例であるが、簡略化のため一種類のみの溶液の添加に
ついて示したものである。
第１図において、５はエツチング槽、１４はエツチング
槽５内の熱リン酸の液面レベル、６は上記液面レベル１
４を検出する上限レベルセンサ、１５は下限レベルセン
サ、７は熱リン酸を加熱するヒータ、８は純水を供給す
るためのエアオペレートバルブ、９は純水の流量調整の
ためのニードルバルブ、１０は純水の供給源、１１は純
水を貯めるタンク、１２は供給源１０からの純水の流量
調整のためのニードルバルブ、１３はタンクｌｌ内に設
けられたオーバーフロードレインである。
槽５内の熱リン酸の液面レベル、６は上記液面レベル１
４を検出する上限レベルセンサ、１５は下限レベルセン
サ、７は熱リン酸を加熱するヒータ、８は純水を供給す
るためのエアオペレートバルブ、９は純水の流量調整の
ためのニードルバルブ、１０は純水の供給源、１１は純
水を貯めるタンク、１２は供給源１０からの純水の流量
調整のためのニードルバルブ、１３はタンクｌｌ内に設
けられたオーバーフロードレインである。
次に動作について説明する。
エツチング槽５は熱リン酸がその液面レベル１４が上限
レベルセンサ６の位置になるまで加えられ、この熱リン
酸はヒータ７で一定温度まで加熱される。熱リン酸の加
熱が完了した時点では、液面は上限レベルより低下して
いるので、純水の添加を開始するために、その時点でエ
アオペレートバルブ８が開かれる。純水の流量はニード
ルバルブ９で調整されるが、水分の蒸発量と等価的に等
しくされる。純水は供給源１０よりタンク１１に供給さ
れるが、その流量はニードルバルブ１２により調整され
る。またタンク１１内にはオーバーフロードレイン１３
が設けられており、純水が一定レベル以上になれば底面
から純水が流出するようになっている。熱リン酸のレベ
ル１４は純水の添加により徐々に上昇していき、上限レ
ベルセンサ６位置まで達した時点で、エアオペ−レート
バルブ８は閉じ、下限レベルセンサ１５位置まで液面が
降下した時点で開く。純水の添加レー・トの調整はニー
ドルバルブ９で、また添加周期はしベルセンサ１５，６
間のレベル差で決定される。
レベルセンサ６の位置になるまで加えられ、この熱リン
酸はヒータ７で一定温度まで加熱される。熱リン酸の加
熱が完了した時点では、液面は上限レベルより低下して
いるので、純水の添加を開始するために、その時点でエ
アオペレートバルブ８が開かれる。純水の流量はニード
ルバルブ９で調整されるが、水分の蒸発量と等価的に等
しくされる。純水は供給源１０よりタンク１１に供給さ
れるが、その流量はニードルバルブ１２により調整され
る。またタンク１１内にはオーバーフロードレイン１３
が設けられており、純水が一定レベル以上になれば底面
から純水が流出するようになっている。熱リン酸のレベ
ル１４は純水の添加により徐々に上昇していき、上限レ
ベルセンサ６位置まで達した時点で、エアオペ−レート
バルブ８は閉じ、下限レベルセンサ１５位置まで液面が
降下した時点で開く。純水の添加レー・トの調整はニー
ドルバルブ９で、また添加周期はしベルセンサ１５，６
間のレベル差で決定される。
なお上記実施例では、純水のみを添加する場合を説明し
たが、同様な添加系をもう一系統追加してリン酸を上記
と同様の方法で添加してもよい。
たが、同様な添加系をもう一系統追加してリン酸を上記
と同様の方法で添加してもよい。
この場合、純水の添加レートはその蒸発したレートに等
しくし、またリン酸の添加レートは試料によるリン酸の
持ち出し量と等しくすれば、該リン酸の組成と分量の経
時変化を防ぐことが可能である。
しくし、またリン酸の添加レートは試料によるリン酸の
持ち出し量と等しくすれば、該リン酸の組成と分量の経
時変化を防ぐことが可能である。
また、第１図では下限センサ１５を用いた場合を示した
が、エアオペレートバルブ８の開のトリガをタイマでと
り所定時間後にバルブ８を閉じるようにすれば下限セン
サ１５を用いなくてもよ（、上記と同様の効果を奏する
。
が、エアオペレートバルブ８の開のトリガをタイマでと
り所定時間後にバルブ８を閉じるようにすれば下限セン
サ１５を用いなくてもよ（、上記と同様の効果を奏する
。
さらに上記実施例では熱リン酸による窒化膜エツチング
装置の場合について説明したが゛、硫酸と硝酸の混合液
を、消失し添加する成分として硝酸もしくは硫酸を用い
たレジスト除去又は洗浄・前処理装置である場合とか、
過酸化水素水と硫酸の混合液を、消失し添加する成分と
して過酸水素水もしくは過酸化水素水と硝酸を用いた場
合、あるいは硫酸と塩酸と純水の混合液を、消失し添加
する成分として前記３溶液の少なくとも１つを含むもの
を用いた場合、あるいはアンモニアと過酸化水素水と純
水の混合液を、消失し添加する成分として前記３溶液の
うちの少なくとも１つを含むものを用いた場合であって
もよく、上記実施例と同様の効果が得られる。
装置の場合について説明したが゛、硫酸と硝酸の混合液
を、消失し添加する成分として硝酸もしくは硫酸を用い
たレジスト除去又は洗浄・前処理装置である場合とか、
過酸化水素水と硫酸の混合液を、消失し添加する成分と
して過酸水素水もしくは過酸化水素水と硝酸を用いた場
合、あるいは硫酸と塩酸と純水の混合液を、消失し添加
する成分として前記３溶液の少なくとも１つを含むもの
を用いた場合、あるいはアンモニアと過酸化水素水と純
水の混合液を、消失し添加する成分として前記３溶液の
うちの少なくとも１つを含むものを用いた場合であって
もよく、上記実施例と同様の効果が得られる。
以上のように、この発明によれば、エツチング装置又は
洗浄・前処理装置等の湿式処理装置において、溶液の減
少量に伴い蒸発し、消失した成分と同一の成分を添加レ
ートを等しくして添加するようにしたので、エツチング
、レートや洗浄特性の経時変化の少ない装置が得られる
効果がある。
洗浄・前処理装置等の湿式処理装置において、溶液の減
少量に伴い蒸発し、消失した成分と同一の成分を添加レ
ートを等しくして添加するようにしたので、エツチング
、レートや洗浄特性の経時変化の少ない装置が得られる
効果がある。
第１図は本発明の一実施例による湿式処理装置を示す図
、第２図は従来例による湿式処理装置を示す図である。 ５・・−エツチング槽（容器）、６・・・上限レベルセ
ンサ、１０・・・純水供給源（溶液添加手段）、１５・
・・下限レベルセンサ。
、第２図は従来例による湿式処理装置を示す図である。 ５・・−エツチング槽（容器）、６・・・上限レベルセ
ンサ、１０・・・純水供給源（溶液添加手段）、１５・
・・下限レベルセンサ。
Claims (6)
- （１）蒸発性を有する溶液を用いてエッチング又は洗浄
・前処理を行なう湿式処理装置において、蒸発性を有す
る溶液を収容する容器と、該容器に設けられ該容器の液
面の上、下限を検出するレベルセンサと、該レベルセン
サの出力に応じて液面が上記上限、下限間に位置するよ
う前記溶液又は該溶液中の液面低下の際に消失した成分
を添加する溶液添加手段とを備えたことを特徴とする湿
式処理装置。 - （２）上記溶液が、硫酸と硝酸の混合液であり、上記消
失し添加する成分が硝酸もしくは硫酸と硝酸であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の湿式処理装置
。 - （３）上記溶液が、リン酸であり、上記消失し添加する
成分が純水もしくは純水とリン酸であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の湿式処理装置。 - （４）上記溶液が、硫酸と過酸化水素水の混合液であり
、上記消失し添加する成分が過酸化水素水もしくは過酸
化水素水と硫酸であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の湿式処理装置。 - （５）上記溶液が、硫酸と塩酸と純水の混合液であり、
上記消失し添加する成分が上記３溶液の少なくとも１つ
を含むものであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の湿式処理装置。 - （６）上記溶液が、アンモニアと過酸化水素水と純水の
混合液であり、上記消失し添加する成分が上記３溶液の
少なくとも１つを含むものであることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の湿式処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25679984A JPS61134027A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 湿式処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25679984A JPS61134027A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 湿式処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134027A true JPS61134027A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17297601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25679984A Pending JPS61134027A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 湿式処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134027A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0332419U (ja) * | 1989-08-09 | 1991-03-29 | ||
| JPH04115530A (ja) * | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| EP0563625A2 (en) * | 1992-04-03 | 1993-10-06 | International Business Machines Corporation | Immersion scanning system for fabricating porous silicon films and devices |
| US5804473A (en) * | 1995-09-26 | 1998-09-08 | Fujitsu Limited | Thin film semiconductor device having a polycrystal active region and a fabrication process thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58147125A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエツト処理装置 |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25679984A patent/JPS61134027A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58147125A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-01 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエツト処理装置 |
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| US5188701A (en) * | 1990-09-05 | 1993-02-23 | Fujitsu Limited | Method of fabricating semiconductor device |
| EP0563625A2 (en) * | 1992-04-03 | 1993-10-06 | International Business Machines Corporation | Immersion scanning system for fabricating porous silicon films and devices |
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