KR930003241A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930003241A
KR930003241A KR1019910011198A KR910011198A KR930003241A KR 930003241 A KR930003241 A KR 930003241A KR 1019910011198 A KR1019910011198 A KR 1019910011198A KR 910011198 A KR910011198 A KR 910011198A KR 930003241 A KR930003241 A KR 930003241A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
manufacturing
semiconductor device
solution
growing
Prior art date
Application number
KR1019910011198A
Other languages
English (en)
Inventor
김재원
Original Assignee
이헌조
주식회사 금성사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 주식회사 금성사 filed Critical 이헌조
Priority to KR1019910011198A priority Critical patent/KR930003241A/ko
Publication of KR930003241A publication Critical patent/KR930003241A/ko

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 방법에 의한 슈퍼 쿨링에 의한 온도 제어도.

Claims (1)

  1. 반도체 기판위에 두꺼운 에피텍시 층을 성장하는 공정에서 온도가 용액의 평형온도보다 많이 낮아지게 되면 다시 온도를 용액의 평형온도 이상으로 높혀주어 석출된 결정을 완전히 용해시키고 다시 온도를 낮추어서 용액을 과포하 상태로 만들어 에피층을 성장하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910011198A 1991-07-02 1991-07-02 반도체 소자의 제조방법 KR930003241A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910011198A KR930003241A (ko) 1991-07-02 1991-07-02 반도체 소자의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910011198A KR930003241A (ko) 1991-07-02 1991-07-02 반도체 소자의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR930003241A true KR930003241A (ko) 1993-02-24

Family

ID=67440824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910011198A KR930003241A (ko) 1991-07-02 1991-07-02 반도체 소자의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930003241A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100380089B1 (ko) * 2000-12-29 2003-04-11 현대자동차주식회사 알루미늄 부재용 접착제 조성물

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100380089B1 (ko) * 2000-12-29 2003-04-11 현대자동차주식회사 알루미늄 부재용 접착제 조성물

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930020727A (ko) 박막트랜지스터 및 그 제조방법
TW350143B (en) Method for producing semiconductor device
BR9806136A (pt) Substrato de carbureto de silìco e método para a produção do substrato, e dispositivo semicondutor utilizand o substrato.
KR910001971A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR920018894A (ko) 화합물 반도체 웨이퍼의 다이싱방법
KR850000789A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR900017110A (ko) 반도체장치의 제조방법
JPS6433973A (en) Method of evaporating amorphous silicon for forming intermediate level dielectric of semiconductor memory device
KR930003241A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR900000985A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR850700085A (ko) 액상 에피택셜 성장 방법
KR910016051A (ko) 금속박막의 관리방법
SE9504150D0 (sv) Förfarande vid tillverkning av en halvledaranordning
JPS5577706A (en) Stabilizing method of color polarizing film
KR900002404A (ko) 반도체 웨이퍼
KR910009968A (ko) 단결정 제조장치
KR920015455A (ko) 반도체 소자의 에피택셜 성장공정
KR940003097A (ko) 박막트랜지스터의 제조방법
JPS56112761A (en) Manufacture of 3-5 group element semiconductor device
KR900013635A (ko) 반도체 장치
KR890001160A (ko) 반도체 웨이퍼의 초기 산소농도
KR860003652A (ko) GaAs 단결정 및 그의 제조방법 및 그 GaAs 단결정을 이용한 반도체 장치
KR920017213A (ko) 반도체 장치의 소자격리 방법
KR940002948A (ko) 반도체 장치의 워드라인 형성 방법
JPS5329082A (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination