KR910007127A - 반도체 입력패드 정전기 보호장치 - Google Patents

반도체 입력패드 정전기 보호장치 Download PDF

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KR910007127A
KR910007127A KR1019890013707A KR890013707A KR910007127A KR 910007127 A KR910007127 A KR 910007127A KR 1019890013707 A KR1019890013707 A KR 1019890013707A KR 890013707 A KR890013707 A KR 890013707A KR 910007127 A KR910007127 A KR 910007127A
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정몽헌
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 입력패드 정전기 보호장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 관련된 정전기 보호회로.
제 3 도는 본 발명에 의해 형성되는 반도체 입력패드 정전기 보호장치의 평면도.
제 4 도는 제 3 도의 X-X'축을 따라 절단한 반도체 입력패드 정전기 보호장치의 단면도.

Claims (6)

  1. 실리콘 기판(12)내에 N+확산영역을 형성한 후 N+확산영역에 입력패드에 접속된 금속층을 접속시켜서 형성된 반도체 입력패드 정전기 보호장치에 있어서, 상기 실리콘 기판(12)이 P형인 경우 그 상부의 소정부분에 형성된 필드 산화막(9, 9', 9" 및 9"')과 상기 각 필드 산화막(9, 9', 9" 및 9"')간에 형성된 N+확산영역(1, 1' 및 1")와, 상기 N+확산영역(1, 1' 및 1")상부 일부에 형성된 다결정 실리콘(3, 3' 및 3")와 상기 전체영역 상부에 전체적으로 형성하되, 상기 다결정 실리콘(3, 3' 및 3")상부 일부에서 제1개구(13, 13' 및 13")가 형성되는 절연층(10)와, 상기 개구(13, 13' 및 13")내에서 채워져 형성되는 금속1층(4, 4' 및 4")과, 상기 금속1층(4, 4' 및 4") 및 그외 부분의 절연층 상부에 전체적으로 형성되되, 상기 금속1층(4)상부 일부에서 제2개구(14)가 형성되는 절연층(11)과, 입력패드에 접속된 상기 금속2층(7)이 제2개구(14)를 통하여 금속1층(4)에 접속되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 입력패드 정전기 보호장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 금속1층(4")은 VCC에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체입력패드 정전기 보호장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 금속1층(4')은 VCC에 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 입력패드 정전기 보호장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 금속1층(4)은 제1개구(13)에서부터 필드 산화막(9)상부에 형성된 절연층(10)상부까지 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체입력패드 정전기 보호장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 N+확산영역(1, 1' 및 1")의 사이에 베리드콘택 확산영역(2, 2' 및 2")이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체입력패드 정전기 보호장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 기판(12)이 N향인 경우 그상부에 P웰영역이 형성되어 P웰영역상에 제 1 항의 구조가 이루어진 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체입력패드 정전기 보호장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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