KR910006966B1 - 접착제수지를 이용한 리드프레임에 대한 반도체 다이의 접착방법과 그 장치 - Google Patents
접착제수지를 이용한 리드프레임에 대한 반도체 다이의 접착방법과 그 장치 Download PDFInfo
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- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
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- H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
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- H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/29376—Ruthenium [Ru] as principal constituent
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- H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/29378—Iridium [Ir] as principal constituent
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/75264—Means for applying energy, e.g. heating means by induction heating, i.e. coils
- H01L2224/75265—Means for applying energy, e.g. heating means by induction heating, i.e. coils in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
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Abstract
내용 없음.
Description
[발명의 명칭]
접착제수지를 이용한 리드프레임에 대한 반도체 다이의 접착방법과 그 장치
[도면의 간단한 설명]
제1도는 접착제 페이스트를 이용하는 본 발명의 한 실시형태에서 몇가지 단계를 보인 사시도.
제2도는 접착리본을 이용하는 본 발명의 다른 실시형태를 보인 사시도.
[발명의 상세한 설명]
[기술분야]
본 발명은 반도체 장치의 조립에 관한 것으로, 특히 중합체 기재의 다이부착용 접착제를 이용하여 리드프레임에 다이를 부착하기 위한 방법과 장치에 관한 것이다.
[배경기술]
중합체 기재의 하이브리드 회로, 칩-온-보드 및 다른 반도체 장치에 관련한 조립방법은 다음과 같은 일반적인 과정으로 수행된다.
(1) 실온에서 기판(예를 들어, 리드프레임)에 대한 접착제의 공급단계, (2) 접착제상에 다이의 배치단계, (3) 접착제 경화를 위한 상기 조립체의 135℃-250℃의 가열단계, (4) 전기적인 접촉이 이루어지도록 다이와 기판 사이의 배선결합단계, (5) 완벽한 패키지구성을 위한 다이의 피복단계(예를 들어, 에폭시내에 다이를 성형하는 단계)
순금, 금합금 또는 알루미늄배선이 다음 방법중의 하나에 의하여 다이 패드와 리이드에 용착된다.
(1) 실온으로부터 약 300℃의 온도범위에서 열음파 접합방법, (2) 300℃ 이상의 온도에서 압력을 가하는 열압축 접합방법.
다른 계통작업과정의 경우와 마찬가지로 각 단계에 요구되는 제도속도와 공간은 중요한 것이다.
리드프레임에 대하여 다이를 접합하기 위하여 사용된 접착제는 다음과 같은 특성을 갖는다.
(1) 전기적전도성, (2) 열전도성, 또는 (3) 비전도성
만약 반도체 패키지의 설계에 있어서 다이의 배면부가 접지부로서 이용되는 경우 리드 프레임으로부터 전류가 흐르도록 전기적인 전도성의 접착제가 필요하다.
또한 하나 이상의 패드가, 리드를 통하여 전류가 흐르도록 하는 접지부로서 작용할 수 있다. 이와 같은 경우에는 다이 접합물질로서 열전도성 또는 비전도성접착제가 사용된다.
본 발명의 기술분야에서 현재 사용되고 있는 중합체기재의 접착제로서는 폴리이미드로 경화되는 에폭시수지류와 폴리아믹산류가 있다.
본 발명의 목적은 반도체장치를 제조하기 위한 개선된 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 하나 이상의 반도체장치 제조단계를 줄일 수 있는 방법을 제공하는데 있다. 본 발명의 또다른 목적은 반도체장치를 제조하는데 요구되는 총시간을 줄일 수 있는 방법을 제공하는 데 있다. 또한 본 발명의 목적은 이 개선된 방법을 수행하기 위한 장치를 제공하는 데 있다. 다른 목적들은 본 발명의 명세서로부터 본 발명의 기술분야에 숙련된 자에게 명백할 것이다.
[발명의 개시]
다음 단계로 구성되는 반도체장치의 제조를 개선하기 위한 방법이 밝혀졌다.
(a) 기판에 접합량의 중합체 기재 접착제조성물을 공급하는 단계, (b) 이후에 접착제를 활성화시키도록 접착제조성물을 가열하는 단계와, (c) 접착제를 다이와 접촉시켜 다이가 기판에 부착되는 단계.
이 방법은 다음의 단계를 이용하여 리드프레임에 다이를 부착하는데 유용하다.
(1) 리드프레임의 사전에 결정된 영역에 접합량의 중합체 기재 접착제 조성물의 공급단계, (2) 상기 접착제가 활성화되는 레벨까지 중합체 기재 접착제 조성물의 온도를 상승시키는 단계, (3) 상기 활성화된 접착제에 적어도 하나의 접합패드를 갖는 다이를 접촉시키는 단계, (4) 배선을 접합하고 피복하여 조립체를 완성하는 단계.
이와 같은 방법을 수행하기 위한 장치는 다음과 같이 구성된다.
(A) 이동 인-라인조립과정을 통하여 패들(paddle)과 같은 특정한 다이 배치영역을 갖는 리드프레임과 같은 기판을 이송하는 이송수단. (B) 기판이 조립과정을 통하여 이동될 때에 상기 다이배치영역상에 접착제를 공급하는 수단, (C) 이동기판을 선택적으로 가열하는 선택예열수단, (D) 기판상의 접착제를 가열하는 가열수단, (E) 기판상의 가열된 접착제상에 다이를 선택배치하는 수단과, (F) 기판이 조립라인의 하류측으로 이동될때에 다이-접착제-기판조립체를 선택적으로 가열하는 선택후 가열수단.
기판의 재질은 제한적인 것은 아니다. 따라서 기판은 금속 리드 프레임, 세라믹 또는 세라믹 패키지, 세라믹하이브리드 등일 수 있다.
접착제를 가열하는 가열수단은 예를 들어 가열플래튼(platen), 가열공기 또는 질소의 스트림, 레이저 광선, 적외선램프등과 같이 본 기술분야의 숙련된 자에게 잘 알려진 적당한 가열장치일 수 있다. 마찬가지로, 후가열수단도 특정한 것으로 제한되지 않고 가열플래튼, 적외선가열수단, 가열공기 또는 질소, 마이크로웨이브 또는 유도가열기 등일 수도 있다.
[발명의 최신실시 형태]
통상적인 조립과정을 수행하기에 유용한 인-라인장치는 상업적으로 입수가능한 것이며, 이 분야의 전문가에게는 잘 알려진 것이다. 이러한 장치가 본 발명을 충족시키기 위하여 변경될 수 있다.
본 발명에 있어서, 접착제는 중합체 기재의 조성물이다. 따라서, 이 접착제는 경화가능한 열경화성수지와 열가소성수지를 기초로 제조될 수 있다. 접착제는 페이스트, 필름, 테이프 포일 또는 리본의 형태일 수 있다.
본 발명에서 선택하여 사용된 접착제수지는 가열중에 화학반응을 받게되는 열경화성 제품보다 칩 또는 다이상에서 잔류응력을 적게하므로 열가소성 페이스트 또는 리본 수지조성물이 선택되었다.
페이스트는 액상현탁매체 또는 용매내에 분산된 고체입자의 고점성 비-고체 혼합물이다.
필름, 테이프, 포일 및 리본은 이들이 점성이 아니란 점에서 유동학적으로 페이스트로부터는 구별된다. 테이프, 포일 및 리본은 보강되거나 보강되지 않을 수 있으며, 공급기로부터 풀리어 공급될 때에 막히지 않도록 하는 방출제와 함께 사용될 수 있다.
본 발명에 유용한 열가소성 수지성분은 실온에서 안정하여야 하고 유연성을 가져야하며, 열활성 및 내열성을 가져야 한다. 이들은 저온에서도 이들의 유동특성을 잃지 않아야하며, 노화하여도 부스러지지 않아야 한다. 또한 이들은 수지에 접착되거나 혼합된 용매의 흔적을 남김 없이 용이하게 제거할 수 있는 유기용매에 용해될 수 있어야 한다. 또한 이들은 방수성이어야 하고 금속과 다이에 대하여 탁월한 접착성을 보여야 하며 전도성이 큰 충전물을 혼합할 수 있어야 하고 낮은 체적저항률치를 가져야 한다.
적당한 열가소성 수지류로서는 미국특허제3,177,090호 및 제3,395,118호에 기술된 열가소성 폴리하이드록시에테르(페녹시 수지류), 미국특허 제3,410,875호 및 제3,615,913호에 기술된 폴리이미드 미국특허 제3,933,764호에 기술된 폴리아릴렌 폴리에테르 폴리술폰수지와, 산화폴리페닐렌과 구조성 또는 고성능 접착제 수지로 일컬어지는 저스트레스 고온 열가소성 폴리아릴레이트 수지가 있다.
반도체 패키지에 일반적으로 사용되는 금속에 대하여 부식성을 보이지 않는 중합체화된 α,β-에틸렌계 불포화탄화수소기를 포함하는 열가소성 수지가, 이들의 2차 전이온도가 기판에 대한 접착 접합후에 다이의 이동을 충분히 방지할 수 있을 정도로 높다면 역시 사용될 수 있다.
부식은 반도체 패키지에서 매우 임계적인 요인이므로 일반적으로 널리 사용되는 열가소성 수지는 사용될 수 없다. 예를 들어 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 염화비닐-알파-올레핀 공중합체, 아크릴산 또는 메타크릴산공중합체, 클로로프렌, 아크릴로니트릴 중합체등과 같은 할조겐화 비닐류는 만족스럽지 않다.
본 발명의 접착제조성물에 사용되는 열가소성수지로서 선택된 것은 이후 참고로 설명되는 바와 같은 미국특허 제3,440,527호, 제3,575,923호, 제3,875,116호 및 제4,395,527호에 기술된 바와 같은 실록산-변성폴리이미드제재이다.
접착제 페이스트조성물은 다음과 같이 조성된다.
(a) 약 5중량%-약 75중량%, 바람직하게는 5중량%-85중량%의 열가소성수지, (b) 약 25중량%-약 95중량%, 바람직하게는 5중량%-75중량%의 열 또는 전기적 전도성 충전물, (c) 약 0중량%-약 50중량%, 바람직하게는 20중량%-50중량%의 유기용매
필요한 경우 습성페이스트 또는 건성접착제의 점성, 유동성, 접착성 또는 다른 물리적 특성을 조절하기 위한 다른 첨가제가 상기 조성물내에 포함될 수 있다.
전기적 전도성 충전물은 은, 금, 백금, 팔라듐, 이리듐, 수은, 루테늄과 오스뮴과 같이 본 기술분야에 사용되는 금속일 수 있다. 이들 금속의 합금도 이용될 수 있다.
그러나, 우선적으로 선택되는 금속으로서는 은 자체 또는 백금이나 팔라듐과의 합금이 있다. 또한 전기적 전도성 충전물은 비용을 줄이거나 접착제의 특성을 변화시키기 위하여 유리 또는 세라믹기재상에 코팅될 수 있다.
열전도성 충전물은 산화베릴륨, 알루미나. 실리카, 안티몬이나 마그네슘 또는 산화아연등일 수 있다.
만약 중합체기재의 접착제로서 열경화성 수지를 이용하는 것이 요구되는 경우 에폭시수지, 폴리아미산, 말레 이미드등과 같이 상업적으로 입수가능한 물질로부터 선택할 수 있다.
이들 접착제 조성물에 사용되는 유기용매는 수지를 용해할 수 있어야 하며, 수지에 남지않고 용이하게 제거될 수 있을 정도로 충분한 휘발성을 가져야 한다. 적당한 용매로서는 에틸렌 글리콜과 농축 폴리에틸렌글리콜의 모노알킬과/또는 디알킬에테르의 유도체, 또는 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(트리글림). 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(디글림)과 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(모노글림)과 같은 5원환 이하인 싸이클릭 에테르의 유도체 : 그리고 N-메틸-2-피롤리돈, α-부트릴로락톤, 2-(2-에톡시)에틸 아세테이트(카르비톨 아세테이트), 2-부톡시에틸 아세테이트(부틸셀로솔브)등을 포함한다. 우선적으로 선택된 용매는 특히 수지가 실록산-변성 폴리이미드일때에 디글림이다. 용매의 증발후에 접착제 자체는 약 5-50중량%, 좋기로는 8-30중량%의 수지와 40-95중량%, 좋기로는 65-90중량%의 금속으로 구성된다.
필요한 경우 유동조절제, 불활성 충전물, 착색제와 콜로이드상 실리카를 포함하는 다른 물질이 접착제 조성물에 부가될 수 있다.
접착제 조성물의 조성에 유용한 열가소성수지는 또한 그 2차 유리 전이온도에 의하여 특정지워질 수 있다. 이러한 조성물은 최소치로서 100℃, 최고치로서 250℃, 바람직하게는 150-250℃의 범위를 가져야 한다.
실록산 변성 폴리이미드수지의 분자량(평균분자량)은 약 50,000-약 200,000의 범위이다.
이들 열가소성수지는 본 발명의 실시에 있어서, 다이의 스트레스에 의한 균열의 위험없이 리드프레임에 다이를 접합하도록 하는 높은 탄성과 유연특성을 갖는다. 스트레스는 칩에 스트레스를 전달하여 체적 수축을 일으키는 교차결합이 일으키는 것으로 생각된다. 크리이프구성은 열가소성 물질을 이완시켜 스트레스를 분산시킨다. 이는 종래 사용된 수지, 예를 들어 에폭시수지, 비스-말레이미드수지, 폴리아믹산수지 등과 같이 경화시에 일어나는 수축으로 스트레스가 발생하는 수지에 비하여 현저히 개선된 것이다.
리드프레임의 사전에 지정된 영역에 접착제조성물을 도포하는 것은 스크린 프린트를 이용하여 행하여지거나 또는 주사장치를 이용하거나, 아암이 공급통으로부터 접착제를 덜어내어 이를 리드 프레임상에 스탬핑하도록 되어 있는 스탬핑 장치(오프-셋트 프린팅장치와 유사함)을 이용하여 행하여질 수 있다. 접착제의 과소 또는 과다등과 같은 기계적인 문제점은 프로그램된 자동공급기술에 의하여 해결된다.
종래기술의 방법에 대한 본 발명 제1실시형태의 예기치 않은 잇점은 냉각 상태의 리드프레임에 냉각상태의 접착제를 공급하므로서 시간을 절약할 수 있다는 점이다.
가열수단은 0.5-2.5초 사이에 접착제 페이스트의 온도를 상승시켜 용매를 증발시키고 다이가 놓여 접합될 위치에 점착성의 열가소성 접착제만이 남도록 한다. 짧은 예열은 용매를 제거하는데 적합하다. 그리고 다이가 접합된 리드 프레임은 배선용접, 피복 및 반도체패키지로의분리등과 같은 완성단계를 위하여 준비된다.
본문에 사용된 "활성화"라는 용어는 접착제조성의 수지가 리드프레임에 다이를 접착토록하는 기능을 갖게 되는 것을 의미한다. 이와 같이 열가소성 수지를 포함하거나 이를 기초로한 접착제수지 페이스트조성물의 경우, 충분한 유기용매가 제거될 만큼의 온도가 되면 점착성이 충분한 고온의 열가소성수지가 리드프레임에 다이를 접합하는데 충분한 접착특성을 나타낸다. 활성화후에는 이들 페이스트는 고체가 된다. 용매가 디글림인 경우에 유효활성화 온도는 약 200℃이다.
열경화성수지의 경우, 본 발명에 있어서 이들이 활성화되는 것은, 이들이 경화되거나 교차 결합되어 폴리아믹산의 경화중에 발생되는 물과 같은 용매 또는 증발액체의 분리와 함께 또는 이러한 분리없이 다이의 접합을 위한 접착제로써 작용하는 상태로 되는 때이다. 활성화 온도는 약 175℃-약 350℃이다.
상기 언급된 정의는 열가소성수지를 기초로 한 것이든 열경화성 수지를 기초로 한 것이든 간에 리본접착제에도 적용할 수 있다.
본 발명은 하이브리드나 칩-온-보드 조립체와 같이 조립라인이 최대속도로 운전되는 "젤리 빈(jelly bean)" IC 기술에 결합하는 것이 적합하다.
본 발명의 실시예는 다음과 같다. 다른 언급이 없는 한 모든 부나 퍼센트는 중량부와 중량 %를 나타낸다.
[실시예 1]
제1도에서, 리드프레임(2)은 벨트공급장치(3)를 통하여 접착제조성물 공급장치(4)로 보내어진다. 이 접착제 조성물 공급장치(4)는 리드프레임(2)의 패들(8)에 실온에서 사전에 측정된 소량의 중합체기재의 접착제페이스트 조성물(6)을 공급하는 스크린 프린팅, 주사장치 또는 프린트 스탬퍼일 수 있다. 페이스트 조성물(6)이 공급된 리드프레임은 선택적인 예열장치(10)를 통과하여 가열플래튼(12)으로 가고, 여기에서 페이스트 조성물(6)의 온도는 접착제를 활성화시키는데 충분한 높은 온도로 신속히 상승된다. 용매가 디글림인 경우 이 온도는 약 50℃-약 200℃이다. 이 시점에서 다이공급장치(14)로부터의 이송아암은 다이(16)를 리드프레임 패들(8)에 점착되어 있는 가열된 페이스트 조성물(6)상에 공급한다. 리드 프레임(2)의 패들(8)에 접합된 다이(16)의 합성물은 선택적인 가열수단(18)을 통하여 또는 이 가열수단(18)없이 직접 배선접합단계로 들어가는 도중에 매거진(20)과 같은 적당한 수집장치로 보내어진다.
이러한 방법으로 충전물이 충전된 열가소성 폴리이미드 조성물(본문에 참고로 인용된 바 있는 미국특허 제4,395,527호에 기술되어 있음)을 이용하여 접합된 다이의 전단강도는 다음과 같으며, MIL-STD-883C의 규정에 요구된 것을 능가한다.
이 방법으로 접합된 다이의 열특성은 다음과 같다.
이 다이접합의 전기적 특성은 다음과 같다.
제2도에서, 리드프레임(22)은 벨트공급장치(24)를 따라서 선택적인 가열장치(26)를 통해 가열 플래튼(28)과 접촉하는 위치로 이송된다. 여기에서 패들(30)의 온도는 사용된 특정 접착제를 충분히 활성화 할 수 있는 높은 온도까지 신속히 상승된다. 열가소성수지재의 접착제인 경우 이 온도는 약 250℃-350℃가 될 것이다.
절단기와 도포기(34)가 구비된 리본접착제 공급장치(32)는 가열된 패들(30)상에 접착제 탭(35)을 절단하여 공급한다. 그 직후에 다이공급장치(36)의 이송아암은 패들(30)에 점착되어 있는 가열되고 활성화된 접착제의 탭상에 다이(37)를 얹어놓는다.
리드프레임(22)의 패들(30)상에 접합된 다이(37)의 합성물은 벨트공급장치(34)를 따라서 선택적인 가열장치(38)를 통과하거나 가열차이(38)를 우회하여 배선접합단계에 대비하여 수집기 또는 매거진(40)으로 보내어진다.
이상과 같이 설명된 본 발명은 연속적인 방법으로 수행되는 것으로 설명되었으나 필요하다면 단속적인 방법으로 수행될 수 있다.
비록 본 발명이 어느 정도 특정한 형태로만 설명되었으나 본 발명은 그 기술사상이나 범위를 벗어남이 없이 수정이나 변경이 가능하다.
Claims (37)
- 기판에 다이를 접착하는 방법에 있어서, 이 방법이 기판상에 접합량의 중합체기재의 접착제조성을 공급하는 단계, 접착제를 활성화하기 위하여 접착제조성물을 가열하는 단계와, 활성화된 접착제를 다이에 접촉시켜 기판상에 다이가 접착되게 하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 접착제조성물이 페이스트의 형태임을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 접착제조성물이 약 175℃-약 350℃의 온도로 가열됨을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 접착제 페이스트가 열경화성 중합체 조성물로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 접착제 페이스트 조성물-열경화성 중합체조성물이 에폭시 또는 말레이미드 수지로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 접착제 페이스트가 열가소성 중합체 조성물로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 접착제 페이스트 열가소성 중합체가 열가소성 폴리이미드임을 특징으로 하는 방법.
- 제6항 또는 7항에 있어서, 상기 접착제 페이스트가 활성화를 위하여 약 50℃-약 200℃로 가열됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 접착제조성물이 필름 또는 리본의 형태임을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 접착제 조성물이 약 175℃-약 350℃의 온도로 가열됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판이 금속 리이드프레임으로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판의 세라믹으로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 기판이 세라믹 하이브리드 기판으로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 기판이 세라믹 패키지로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판이 회로 기판으로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 조성물이 5-75%의 수지, 25-95%의 충전물과, 0-50%의 용매로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 조성물이 5-85%의 열가소성수지, 25-75%의 충전물과, 20-50%의 용매로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 충전물이 전기전도성 충전물로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서, 상기 전기전도성충전물이 은, 금, 백금, 이리듐, 수은, 루테늄, 오스뮴과, 이들의 혼합물 또는 이들의 합금으로부터 선택된 금속임을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 충전물이 열전도성 충전물로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 열전도성 충전물이 산화베리륨임을 특징으로 하는 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 열전도성 충전물이 알루미나임을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 기판, 접착제와 다이의 조립체가 추가로 가열됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 이 방법이 연속적으로 수행됨을 특징으로 하는 방법.
- 금속 리드프레임에 다이를 접착하는 방법에 있어서, 이 방법이 리드프레임의 패들영역에 접합량의 페이스트상 열가소성 중합체기재의 접착제조성물을 공급하는 단계, 접착제를 활성화하기 위하여 약 50℃-약 200℃의 온도로 상기 접착제 조성물을 가열하는 단계, 활성화된 접착제상에 다이를 배치하는 단계와, 리드프레임, 접착제 및 다이의 조립체를 선택적으로 추가가열하여 다이가 리드프레임에 접합되게하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제25항에 있어서, 이 방법이 연속적으로 수행됨을 특징으로 하는 방법.
- 금속리드프레임에 다이를 접착하는 방법에 있어서, 이 방법이 리드프레임의 패들영역에 접합량의 리본 또는 필름형태의 열가소성 중합체 기재 접착제 조성물을 공급하는 단계, 접착제를 활성화하기 위하여 약 250℃-350℃의 온도로 상기 접착제 조성물을 가열하는 단계, 활성화된 접착제 상에 다이를 배치하는 단계와, 리드프레임, 접착제 및 다이의 조립체를 선택적으로 추가가열하여 다이가 리드프레임에 접합되게 하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제27항에 있어서, 이 방법이 연속적으로 수행됨을 특징으로 하는 방법.
- 기판에 중합체기재의 접착제로 다이를 접착하는 장치에 있어서, 이 장치가 이 장치를 통하여 기판을 이동시키는 이송장치, 접착제공급전에 기판을 가열하는 선택적인 가열장치, 기판의 선택된 영역에 접착제조성물을 공급하는 장치, 다이의 배치전에 접착제를 가열하는 가열장치, 가열된 접착제상에 다이를 선택배치하기 위한 장치와, 기판, 접착제 및 다이의 조립체를 후가열하기 위한 선택적인 가열장치로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
- 제29항에 있어서, 상기 접착제가 페이스트 형태임을 특징으로 하는 장치.
- 제29항에 있어서, 상기 접착제가 필름 또는 리본의 형태임을 특징으로 하는 장치.
- 제29항에 있어서, 접착제를 가열하는 상기 가열장치가 가열플래튼으로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
- 제29항에 있어서, 접착제를 가열하는 상기 가열장치가 가열공기의 흐름으로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
- 제29항에 있어서, 접착제를 상기 가열장치가 레이저로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
- 제29항에 있어서, 접착제를 가열하는 상기 가열장치가 적외선램프로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
- 제29항에 있어서, 상기 후 가열장치가 하나이상의 가열 플래튼으로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
- 제29항에 있어서, 상기 후 가열장치가 적외선가열장치로 구성됨을 특징으로 하는 장치.
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