JPS6110246A - 半導体装置の製造法 - Google Patents
半導体装置の製造法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、支持部材に半導体素子を固定する半導体装置
の製造法に関する。
の製造法に関する。
(従来技術)
従来、半導体素子(ペレット)を支持部材に固定する場
合、具体的には、リードフレームのタブ上にベレットを
ボンディングする場合、銀ペースト等を用いている。こ
の場合、まずタブ上に銀ペースト層ヲデイスベンス法又
はスクリーン印刷法で形成する。次に、銀ペースト層上
に半導体ペレットを載せ、銀ペースト層を硬化させてい
る。このようにしてペレット付けを終えた後、ワイヤボ
ンディングを行って、レジンモールド法等で封止する。
合、具体的には、リードフレームのタブ上にベレットを
ボンディングする場合、銀ペースト等を用いている。こ
の場合、まずタブ上に銀ペースト層ヲデイスベンス法又
はスクリーン印刷法で形成する。次に、銀ペースト層上
に半導体ペレットを載せ、銀ペースト層を硬化させてい
る。このようにしてペレット付けを終えた後、ワイヤボ
ンディングを行って、レジンモールド法等で封止する。
しかし、 1ill記従来法の場合、銀ペーストの粘度
のばらつきや劣化等に起因して、ディスペンス又はスク
リーン印刷により形成されるペースト層の厚さや形状等
にばらつきが生じてしまい、その結果、ペレット付は強
度の信頼性が低下する。従って、最悪の場合には、ペー
スト量が不足する時には、ペレット付は強度の不足によ
りワイヤボンディング時にベレットの剥離を生じたり、
或いはペーストの量が多すぎる場合には、ペーストがペ
レット上にまで回り込んで特性不良を生じ1歩留りや信
頼性を低下させてしまう。そのため、ペレット付けの自
動化が困難となり、ペースト量の制御を相当の頻度で行
わなければならず1作業性も低下してしまう。
のばらつきや劣化等に起因して、ディスペンス又はスク
リーン印刷により形成されるペースト層の厚さや形状等
にばらつきが生じてしまい、その結果、ペレット付は強
度の信頼性が低下する。従って、最悪の場合には、ペー
スト量が不足する時には、ペレット付は強度の不足によ
りワイヤボンディング時にベレットの剥離を生じたり、
或いはペーストの量が多すぎる場合には、ペーストがペ
レット上にまで回り込んで特性不良を生じ1歩留りや信
頼性を低下させてしまう。そのため、ペレット付けの自
動化が困難となり、ペースト量の制御を相当の頻度で行
わなければならず1作業性も低下してしまう。
そこで、特開昭57−128933号公報には熱可塑性
樹脂材料を所定の大きさに加工した小片を介して支持部
材と半導体素子を被着させる方法が開示されている。
樹脂材料を所定の大きさに加工した小片を介して支持部
材と半導体素子を被着させる方法が開示されている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、前記の方法では、ペーストを使用した場合の欠
点を解決することができたが、支持部材の半導体素子接
合面上と樹脂材料の間に介在した空気が、加熱接着時に
樹脂材料に巻き込まれてボイドが発生し、このため素子
の特性不良が生じたり、信頼性が低Fするという問題点
が新たに生じた。
点を解決することができたが、支持部材の半導体素子接
合面上と樹脂材料の間に介在した空気が、加熱接着時に
樹脂材料に巻き込まれてボイドが発生し、このため素子
の特性不良が生じたり、信頼性が低Fするという問題点
が新たに生じた。
従って1本発明は、半導体素子を加熱接着させる時に、
ボイドを発生せず、耐熱性及び信頼性に優れている接合
部材を用いた半導体装置の製造法を提供することを目的
とする。
ボイドを発生せず、耐熱性及び信頼性に優れている接合
部材を用いた半導体装置の製造法を提供することを目的
とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、ガラス転移点が160℃以上で、熱分解開始
温度が350℃以上の熱可塑性樹脂材料を構成成分とし
、1ケ所以上に穴があけられてなる接合部材を介して支
持部材に半導体素子を被着させることを特徴とする半導
体装置の製造法に関する。
温度が350℃以上の熱可塑性樹脂材料を構成成分とし
、1ケ所以上に穴があけられてなる接合部材を介して支
持部材に半導体素子を被着させることを特徴とする半導
体装置の製造法に関する。
ガラス転移点が160℃未満、熱分解開始温度が350
℃未満の樹脂を使用すると、封止工程で樹脂が劣化し、
ペレットがはがれや腐食の問題を惹起する。例えばポリ
エチレン、ポリプロピレン。
℃未満の樹脂を使用すると、封止工程で樹脂が劣化し、
ペレットがはがれや腐食の問題を惹起する。例えばポリ
エチレン、ポリプロピレン。
ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリスチ
レン、ABS樹脂では耐熱性や接着性に問題があり、使
用し難い。
レン、ABS樹脂では耐熱性や接着性に問題があり、使
用し難い。
本発明に使用する。ガラス転移点が160℃以上で、熱
分解開始温度が350℃以上、好ましくはガラス転移点
が180℃以上で、熱分解開始温度が390℃以上(セ
ラミック封止の場合)の熱可塑性樹脂の例としては9次
の一般式(1)又は一般式(II)で表わされる繰り返
し単位を有する熱可塑性樹脂がある。
分解開始温度が350℃以上、好ましくはガラス転移点
が180℃以上で、熱分解開始温度が390℃以上(セ
ラミック封止の場合)の熱可塑性樹脂の例としては9次
の一般式(1)又は一般式(II)で表わされる繰り返
し単位を有する熱可塑性樹脂がある。
一般式(1)
一般式(It)
上記一般式(1)中、XU結合、−0、8(h−。
自
−C−(式中、Ra及びR4は同−又鉱異なってい藪
てよく、それぞれ水素原子、低級アルキル基又はハロゲ
ン原子で置換された低級アルキル基である)を表し+
R1+几2.R3及び凡4は同−又は異なっていてよく
、それぞれ水素原子、低級アルキル基。
ン原子で置換された低級アルキル基である)を表し+
R1+几2.R3及び凡4は同−又は異なっていてよく
、それぞれ水素原子、低級アルキル基。
低級アルコキシ基又はハロゲン原子を表す。更に。
本発明に使用する樹脂は、上記繰り返し単位を適宜9組
み合わせて成るものであってもよい。
み合わせて成るものであってもよい。
上記樹脂の具体例としては9次のようなものが挙げられ
る。
る。
89式:
〔式中、R1,几* + R3、R4+ル及び島は前記
のものを表し、 Arはp−フェニレン基、メタフェニ
レン基、ジフェニレンエーテル基、 ジフェニレンスル
ホン基、ジフェニレン基又はナフチレン基ヲ表す〕の繰
り返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミド、例えば
日立化成工業株式会社から「スタウテス」の商品名で市
販されているガラス転移点235℃のポリエーテルアミ
ド。
のものを表し、 Arはp−フェニレン基、メタフェニ
レン基、ジフェニレンエーテル基、 ジフェニレンスル
ホン基、ジフェニレン基又はナフチレン基ヲ表す〕の繰
り返し単位を有する芳香族ポリエーテルアミド、例えば
日立化成工業株式会社から「スタウテス」の商品名で市
販されているガラス転移点235℃のポリエーテルアミ
ド。
51式:
の繰夛返し単位を有するポリカーボネート、例えば帝人
化成株式会社から「パンライト」の商品名で市販されて
いるガラス転移点164℃のポリカ−ボネート。
化成株式会社から「パンライト」の商品名で市販されて
いるガラス転移点164℃のポリカ−ボネート。
C0式:
の繰り返し単位を有する芳香族ポリエステル、例えdユ
ニチカ株式会社から「Uポリマー」の商品名で市販され
ているガラス転移点198℃のポリエステル。
ニチカ株式会社から「Uポリマー」の商品名で市販され
ているガラス転移点198℃のポリエステル。
63式:
の繰シ返し単位を有するポリスルホン、例えばU、 C
,0社から「ニーデル」の商品名で市販されているガラ
ス転移点210’Cのポリスルポン。
,0社から「ニーデル」の商品名で市販されているガラ
ス転移点210’Cのポリスルポン。
00式:
の繰り返し単位を有するポリエーテルスルホン。
例えば1.C,I社から1ピクトレツクス」の商品名で
市販されているガラス転移点238℃のポリスルホン。
市販されているガラス転移点238℃のポリスルホン。
の繰り返し単位を有するポリフェニレンスルフィド、例
えばフィリップス・ペトロリウム社から「ライト/」の
商品名で市販されているガラス転移点171℃のポリフ
ェニレンスルフィド。
えばフィリップス・ペトロリウム社から「ライト/」の
商品名で市販されているガラス転移点171℃のポリフ
ェニレンスルフィド。
29式:
の繰り返し単位を有するポリエーテルイミド、例えばG
、E、社から「ウルテム」の商品名で市販されているガ
ラス転移点235℃のポリエーテルイミド。
、E、社から「ウルテム」の商品名で市販されているガ
ラス転移点235℃のポリエーテルイミド。
69式:
の繰り返し単位を有するポリニーデルエーテルケトン、
例えば1.C,I社から「ピーク」の商品名で市販され
ているカラス転移点170℃のポリエーテルエーテルケ
トン。
例えば1.C,I社から「ピーク」の商品名で市販され
ているカラス転移点170℃のポリエーテルエーテルケ
トン。
本発明においては、前記のような熱可塑性樹脂を、必要
に応じて充填剤と一緒に、溶媒中に溶解させ9周知の方
法でフィルムに成形した後、所定の大きさに切断する。
に応じて充填剤と一緒に、溶媒中に溶解させ9周知の方
法でフィルムに成形した後、所定の大きさに切断する。
熱可塑性樹脂を溶かすのに用いられる溶媒としては、樹
脂の種類によって異なるが、トルエン。
脂の種類によって異なるが、トルエン。
キシレン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒。
トン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒。
エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のエーテルグリ
コール系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、N−メチルピロリドン等の窒素原子を含む極性
溶媒が挙げられる。これらの溶媒の沸点は低すぎると、
フィルム製造時に、溶媒がすぐに揮散し、フィルムの厚
さが不均一になる。また、溶媒の沸点が高すぎると、熱
処理した後も溶媒が残留する等の問題が発生する。この
観点から溶媒としては沸点が120〜180℃のものが
望ましく、ジメチルホルムアミド等の窒素原子を含む極
性溶媒が特に有用である。また、溶媒の除去条件の調節
等を目的として、いくつかの溶媒を併用することもでき
る。
コール系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、N−メチルピロリドン等の窒素原子を含む極性
溶媒が挙げられる。これらの溶媒の沸点は低すぎると、
フィルム製造時に、溶媒がすぐに揮散し、フィルムの厚
さが不均一になる。また、溶媒の沸点が高すぎると、熱
処理した後も溶媒が残留する等の問題が発生する。この
観点から溶媒としては沸点が120〜180℃のものが
望ましく、ジメチルホルムアミド等の窒素原子を含む極
性溶媒が特に有用である。また、溶媒の除去条件の調節
等を目的として、いくつかの溶媒を併用することもでき
る。
溶媒の量は、樹脂1重量部に対して5〜20重量部であ
るのが好ましい。5重量部未満では、粘を 度が高くなり、充填物の分散させる場合は、その分散が
不均一になシ、フィルムの厚さが不均一になる。また、
溶媒の量が20重量部を越えると。
るのが好ましい。5重量部未満では、粘を 度が高くなり、充填物の分散させる場合は、その分散が
不均一になシ、フィルムの厚さが不均一になる。また、
溶媒の量が20重量部を越えると。
溶媒を除去するための熱量及び時間が多く必要となる。
前記の溶媒を除去する時の温度は溶媒の種類によって異
なるが、ジメチルホルムアミドを溶媒として使用した時
は、150〜250’Cの温度範囲で除去するのが好ま
しい。
なるが、ジメチルホルムアミドを溶媒として使用した時
は、150〜250’Cの温度範囲で除去するのが好ま
しい。
充填剤と1−では、導電性又は絶縁性の粉末状充填剤が
例示されるが、半導体素子から発生する熱を特に支持部
材に放散させる必要がある場合には。
例示されるが、半導体素子から発生する熱を特に支持部
材に放散させる必要がある場合には。
充填剤として銀粉、グラファイトやカーボンブラック等
の炭素粉末、又は炭素粉末と銀粉末との混合物を使用す
ることにより接合部材の熱伝導率を向上させることがで
きる。更に、接着力の向上。
の炭素粉末、又は炭素粉末と銀粉末との混合物を使用す
ることにより接合部材の熱伝導率を向上させることがで
きる。更に、接着力の向上。
揺変性の付与等を目的として、必要に応じてンリカ、酸
化アルミニウム等の金属酸化物9石英ガラス粉末、シラ
ン系、アルミ系又はチタン系のカップリング剤を使用す
ることも可能である。
化アルミニウム等の金属酸化物9石英ガラス粉末、シラ
ン系、アルミ系又はチタン系のカップリング剤を使用す
ることも可能である。
本発明方法においては、前記のようにして製造したフィ
ルム切断片に1個以上の穴をあけて本発明の接合部材と
することができる。穴は直径1mm以下、特に1μm〜
100μmのものが好ましい。
ルム切断片に1個以上の穴をあけて本発明の接合部材と
することができる。穴は直径1mm以下、特に1μm〜
100μmのものが好ましい。
穴の径が1圓を越えると、出来上がった接合部材の非接
着面が大きくなり、接着強度が低下する原因となる。穴
の数は、穴の径に応じて適切に選択される1例えば直径
50μmの穴をあける場合には。
着面が大きくなり、接着強度が低下する原因となる。穴
の数は、穴の径に応じて適切に選択される1例えば直径
50μmの穴をあける場合には。
5ffll11角あたり5〜10ケ所であるのが好まし
い。穴の数が多すぎると、接着強度が低下し、また、穴
の数が少なすぎると、支持部材と接合部材との間に介在
する空気によるボイドの発生をなくす効果が小さくなる
。穴の位置は、穴の数によって決定されるが。
い。穴の数が多すぎると、接着強度が低下し、また、穴
の数が少なすぎると、支持部材と接合部材との間に介在
する空気によるボイドの発生をなくす効果が小さくなる
。穴の位置は、穴の数によって決定されるが。
均一に分散させた位置に穴をあけるこ・とが好ましい。
半導体素子を支持部材に接合するには、上記接合部材を
支持部材の半導体素子接合面上に載せ。
支持部材の半導体素子接合面上に載せ。
該接合部拐上に半導体素子を載せ、接合部材を構成する
樹脂の軟化点以−ヒで分解温度以下に加熱し。
樹脂の軟化点以−ヒで分解温度以下に加熱し。
半導体素子に適当な荷重を負荷して又は負荷せずに被着
させる方法により行なうことができる。ここで、半導体
素子を接合部材に載置する前に上記加熱を行なってもよ
い。その他、公知の方法によっても行なうことができる
。
させる方法により行なうことができる。ここで、半導体
素子を接合部材に載置する前に上記加熱を行なってもよ
い。その他、公知の方法によっても行なうことができる
。
(作用)
上記のように1本発明方法においては、特定の接合材料
を用いること罠より耐熱性を向上させ。
を用いること罠より耐熱性を向上させ。
その材料をフィルム片の形で用いることにより常に一定
量の接合材料を供給することを可能にし。
量の接合材料を供給することを可能にし。
更に接合材料であるフィルム片に穴をあけて接合部材と
して用いることにより、支持部材と接合部材との間に空
気が介在しても、加熱接着時に空気はその穴から逃散す
ることができ、従ってボイドの発生が防止される。
して用いることにより、支持部材と接合部材との間に空
気が介在しても、加熱接着時に空気はその穴から逃散す
ることができ、従ってボイドの発生が防止される。
(実施例)
次に1本発明を実施例に基づいて詳述するが。
これらは例示的なものであり9本発明の範囲を限定する
ものではない。
ものではない。
先ず、はじめに1本発明に従って完成された半導体装置
の一例を示す。
の一例を示す。
第ダ1図は該装置の模式図(断面図)である。
第1図において、1は、半導体素子のアルミニウム電極
に対応して設けられた複数の外部引出しリード線、2は
、半導体素子を載置、固着するための支持部材(リード
フレーム)の半導体素子接合部(リードフレームのタブ
)、3は、半導体素子で9例えばブレーナ技術によって
シリコン半導体基板(ベレット)に回路が形成された集
積回路(IC)から成る。この素子の表土面には、アル
ミニウム等の配線(図示せず)が施され、その出力電極
(図示せず)が設けられている。4は、半導体素子3の
裏面を支持部材2に接着させる接合部材である。この接
合部材は1本発明に従って。
に対応して設けられた複数の外部引出しリード線、2は
、半導体素子を載置、固着するための支持部材(リード
フレーム)の半導体素子接合部(リードフレームのタブ
)、3は、半導体素子で9例えばブレーナ技術によって
シリコン半導体基板(ベレット)に回路が形成された集
積回路(IC)から成る。この素子の表土面には、アル
ミニウム等の配線(図示せず)が施され、その出力電極
(図示せず)が設けられている。4は、半導体素子3の
裏面を支持部材2に接着させる接合部材である。この接
合部材は1本発明に従って。
特殊な組成及び構造を有する。
5Vi、半導体素子の表面に設けられた出力電極を、対
応する外部引出しリード線1に電気的に接続するための
リード細線で1例えばAI!線から成り9周知のワイヤ
ボンティング技術によって、半導体素子3の主面上の電
極と、外部引出しリード線lとにそれぞれボンディング
されている。6は。
応する外部引出しリード線1に電気的に接続するための
リード細線で1例えばAI!線から成り9周知のワイヤ
ボンティング技術によって、半導体素子3の主面上の電
極と、外部引出しリード線lとにそれぞれボンディング
されている。6は。
封止部材(エポキシ樹脂等)であり、第1図は。
いわゆるレジンモールド型半導体装置を示す模式なお、
ここで述べた例はレジンモールド型半導体装置の例であ
るが、積層セラミック型半導体装置及びガラス封止型半
導体装置等にも適用することができる。
ここで述べた例はレジンモールド型半導体装置の例であ
るが、積層セラミック型半導体装置及びガラス封止型半
導体装置等にも適用することができる。
第2図は1本発明に用いる接合部材の平面図でおる。こ
の接合部材7は、5個の穴8を有する。
の接合部材7は、5個の穴8を有する。
次に、この実施例において使用した接合部材の組成及び
その製造方法について具体例を参照して説明する。
その製造方法について具体例を参照して説明する。
接合部材の作製例1
テレフタル酸ジクロリドとインテレフタル酸ジクロリド
との混合比が1:1(重量比)からなる酸クロリド混合
物の10%シクロヘキサノン溶液と、2,2−ビス−(
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンの2
0%シクロヘキサノン溶液とを10%苛性ソーダ水溶液
の存在下に接触させて反応させることにより、芳香族ポ
リエーテルアミド樹脂溶液を製造した。但し、酸クロリ
ド混合物と芳香族ジアミンとの配合比は等モルとした。
との混合比が1:1(重量比)からなる酸クロリド混合
物の10%シクロヘキサノン溶液と、2,2−ビス−(
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパンの2
0%シクロヘキサノン溶液とを10%苛性ソーダ水溶液
の存在下に接触させて反応させることにより、芳香族ポ
リエーテルアミド樹脂溶液を製造した。但し、酸クロリ
ド混合物と芳香族ジアミンとの配合比は等モルとした。
芳香族ポリエーテルアミド樹脂溶液にメタノールを加え
て、ポリマーを沈殿させ、′F1遇し、洗浄し、乾燥し
て芳香族ポリエーテルアミド樹脂粉末を得た。この樹脂
粉末のジメチルホルムアミド中(0,2g/di )の
還元粘度(30℃)は1.62dl!/gであった。
て、ポリマーを沈殿させ、′F1遇し、洗浄し、乾燥し
て芳香族ポリエーテルアミド樹脂粉末を得た。この樹脂
粉末のジメチルホルムアミド中(0,2g/di )の
還元粘度(30℃)は1.62dl!/gであった。
次に、前記の芳香族樹脂粉末10重量部、銀粉末(平均
粒子径1.2μm )及びN−メチルピロリドン100
重量部を均一に混合した。この組成物をガラス板の上に
塗布し、200℃で3時間加熱して溶媒を除去し、厚さ
30μmのフィルムを得た。得られたフィルムを5−角
の大きさに切断してフィルム片A−1を得た。このフィ
ルム片A−1第2図に示した位置に5ケ所(中央に1ケ
所と近い二辺から0.8anの距離に4ケ所)、直径5
0μmの穴をあけて接合部材(フィルム片A−2)とし
た。
粒子径1.2μm )及びN−メチルピロリドン100
重量部を均一に混合した。この組成物をガラス板の上に
塗布し、200℃で3時間加熱して溶媒を除去し、厚さ
30μmのフィルムを得た。得られたフィルムを5−角
の大きさに切断してフィルム片A−1を得た。このフィ
ルム片A−1第2図に示した位置に5ケ所(中央に1ケ
所と近い二辺から0.8anの距離に4ケ所)、直径5
0μmの穴をあけて接合部材(フィルム片A−2)とし
た。
この接合部材を用いて、400℃でベレット付けを行う
ことができた。
ことができた。
接合部側の作製例2
ポリエーテルスルホン(商品名「ピクトレックスJ、1
.C,I社製)15重量部、銀粉末(平均粒子径1.2
μm)15重量部及びN−メチルピロリドン100重量
部を均一に混合し9作製例1と同様にして厚さ30μm
のフィルムを作った。更にフィルムを5alI11角の
大きさに切断し、フィルム片B−1を得た。このフィル
ム片B−1に第2図に示した位置に5ケ所、直径50μ
mの穴をあけて接合部材(フィルム片B−2)を得た。
.C,I社製)15重量部、銀粉末(平均粒子径1.2
μm)15重量部及びN−メチルピロリドン100重量
部を均一に混合し9作製例1と同様にして厚さ30μm
のフィルムを作った。更にフィルムを5alI11角の
大きさに切断し、フィルム片B−1を得た。このフィル
ム片B−1に第2図に示した位置に5ケ所、直径50μ
mの穴をあけて接合部材(フィルム片B−2)を得た。
接合部材の作製例3
ポリスルホン(商品名[ニーチルJ、U、C,C社製)
15重量部、銀粉末(平均粒子径1.2μm)15重量
部及びN−メチルピロリドン100・tit部を均一に
混合し9作製例1と同様にして厚さ30μm17)、5
fi角のフィルム切断片(フィルム片C−1)を作夛、
このフィルム片C−IK第2図に示した位置に5ケ所、
直径50μmの穴をあけて接合部材(フィルム片C−2
)を得た。
15重量部、銀粉末(平均粒子径1.2μm)15重量
部及びN−メチルピロリドン100・tit部を均一に
混合し9作製例1と同様にして厚さ30μm17)、5
fi角のフィルム切断片(フィルム片C−1)を作夛、
このフィルム片C−IK第2図に示した位置に5ケ所、
直径50μmの穴をあけて接合部材(フィルム片C−2
)を得た。
実施例及び比較例
接合部材の作製例1〜3で得られたフィルム片A−1〜
2.B−1〜2及びC−1〜2を各々。
2.B−1〜2及びC−1〜2を各々。
リードフレームのタブ上に載置して350℃で10秒間
熱溶着させた後、半導体素子(シリコンチップ51m1
角)を載置して、400℃で5秒間。
熱溶着させた後、半導体素子(シリコンチップ51m1
角)を載置して、400℃で5秒間。
荷重100 gW/an’をかけて被着し、冷却した。
なお、半導体素子の被着前に接合部材に発生しているボ
イドの数を調べた。
イドの数を調べた。
半導体素子が被着された支持部材を接着強度試験に供し
た。
た。
同様の方法で、別に半導体装置を作成し、アルミニウム
でワイヤボンディングした後、これをエポキシ樹脂で封
止し、第1図に示すような半導体装置を得た。この装置
について、配線腐蝕率を諷べた。
でワイヤボンディングした後、これをエポキシ樹脂で封
止し、第1図に示すような半導体装置を得た。この装置
について、配線腐蝕率を諷べた。
これらの結果を表1に示す。
以下余白
*1)接着強度試験
半導体素子が被着された支持部材を水平に固定し、プッ
シュプルゲージのロッドがリードフレームのタブ上を水
平に移動するようにしてタブ上に接合されたベレットを
側面から押圧し、ベレットがはがれた時のプッシュプル
ゲージの目盛りを読んだ。
シュプルゲージのロッドがリードフレームのタブ上を水
平に移動するようにしてタブ上に接合されたベレットを
側面から押圧し、ベレットがはがれた時のプッシュプル
ゲージの目盛りを読んだ。
*2)50個の半導体装置のうち、ベレット上のアルミ
配線又はアルミワイヤが腐蝕しているもの個数を調べ、
その割合を配線腐蝕率とした。
配線又はアルミワイヤが腐蝕しているもの個数を調べ、
その割合を配線腐蝕率とした。
(発明の効果)
以上説明したように1本発明方法によれば、熱可塑性樹
脂フィルムの切断片に空気を逃出させる穴をあけて接合
部材として用いるので、加熱接着時にボイドを形成せず
、従って半導体素子の信頼性を向上することができる。
脂フィルムの切断片に空気を逃出させる穴をあけて接合
部材として用いるので、加熱接着時にボイドを形成せず
、従って半導体素子の信頼性を向上することができる。
更に9本発明方法によれば、高耐熱性熱可塑性樹脂を接
合材料として半導体素子を接合固着させるので、高耐熱
性樹脂の耐熱性を活かして高温封止型の半導体装置への
半導体素子の接着が可能になり、これによシ高価な金を
不要にして、コストの低減をはかることができるという
効果も得られる。
合材料として半導体素子を接合固着させるので、高耐熱
性樹脂の耐熱性を活かして高温封止型の半導体装置への
半導体素子の接着が可能になり、これによシ高価な金を
不要にして、コストの低減をはかることができるという
効果も得られる。
また1本発明方法は、ガラス転移点が160℃以上で、
熱分解温度が350℃以上の熱可塑性樹脂を接合材料と
して用いて半導体素子と支持部材とを接合するので、エ
ポキシ樹脂等の従来のベーストを使用した場合とは異な
り、ガラス封止やセラミック封止やレジン封止等の際に
樹脂劣化が起こらず、ベレットの剥離や半導体素子の配
線あるいは電極部又はボンディング部の腐蝕がなく、更
に耐湿性や寸法精度にも優れた。長寿命の半導体装置を
提供することができるという効果が得られる。
熱分解温度が350℃以上の熱可塑性樹脂を接合材料と
して用いて半導体素子と支持部材とを接合するので、エ
ポキシ樹脂等の従来のベーストを使用した場合とは異な
り、ガラス封止やセラミック封止やレジン封止等の際に
樹脂劣化が起こらず、ベレットの剥離や半導体素子の配
線あるいは電極部又はボンディング部の腐蝕がなく、更
に耐湿性や寸法精度にも優れた。長寿命の半導体装置を
提供することができるという効果が得られる。
第1図は本発明方法を適用して製造した半導体装置の一
実施例を示す(模式図)断面図、第2図は本発明方法に
使用する接合部材である切断片の一実施例を示す平面図
である。 符号の説明 2・・・支持部材の半導体素子接合部(リードフレーム
のタブ) 3・・・半導体素子 4・・・接合部材6・・・
制止部材(エポキシ樹脂) 7・・・接合部材 8・・・穴第1 図 第20
実施例を示す(模式図)断面図、第2図は本発明方法に
使用する接合部材である切断片の一実施例を示す平面図
である。 符号の説明 2・・・支持部材の半導体素子接合部(リードフレーム
のタブ) 3・・・半導体素子 4・・・接合部材6・・・
制止部材(エポキシ樹脂) 7・・・接合部材 8・・・穴第1 図 第20
Claims (1)
- 1、ガラス転移点が160℃以上で、熱分解開始温度が
350℃以上の熱可塑性樹脂を構成成分とし、1ケ所以
上に穴があけられてなる接合部材を介して、支持部材に
半導体素子を被着させることを特徴とする半導体装置の
製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13153284A JPS6110246A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13153284A JPS6110246A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 半導体装置の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6110246A true JPS6110246A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15060271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13153284A Pending JPS6110246A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6110246A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63136807U (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-08 | ||
JPH01502868A (ja) * | 1986-11-13 | 1989-09-28 | エム アンド ティ ケミカルズ,インコーポレーテッド | 半導体装置の製造方法 |
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1984
- 1984-06-26 JP JP13153284A patent/JPS6110246A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01502868A (ja) * | 1986-11-13 | 1989-09-28 | エム アンド ティ ケミカルズ,インコーポレーテッド | 半導体装置の製造方法 |
JPS63136807U (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-08 |
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