JPS61164233A - ダイボンデイング方法 - Google Patents

ダイボンデイング方法

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JPS61164233A
JPS61164233A JP502185A JP502185A JPS61164233A JP S61164233 A JPS61164233 A JP S61164233A JP 502185 A JP502185 A JP 502185A JP 502185 A JP502185 A JP 502185A JP S61164233 A JPS61164233 A JP S61164233A
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JP
Japan
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substrate
epoxy resin
die
bonding
pellet
Prior art date
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Pending
Application number
JP502185A
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English (en)
Inventor
Takao Kazama
風間　孝雄
Yutaka Hojo
北城　豊
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication of JPS61164233A publication Critical patent/JPS61164233A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は基板に塗布したエポキシ樹脂にダイペレット
を結合するダイボンディング方法に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体素子のダイペレットをリードフレームや基板に搭
載するダイボンディング方法は文献（超ＬＳＩ製造試験
装置、１９８４年版、゛成子材料別冊「ダイｙＫンダ」
　）に記載され、接合方法としてはＡｕ−８ｔ共共晶台
、　Ａｆペースト接合、エポキシ樹脂接合等があるが、
それ程信頼性を要求されないＩＣにおいては安価である
ことからエポキシ樹脂による接合が行なわれてきた。
第４図にエポキシ樹脂によるダイボンディング方法を示
し、この方法は樹脂塗布工程とダイボンディング工程と
よりなり、まず、搬送路ｌにより送られてきた基板２上
にディスペンサ３によりエポキシ樹脂４を塗布し、次の
工程でボンディングヘッド５の下降によシダイベレット
６を常温で基板２に接合していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら上記のがンディング方法では、常温ではエ
ポキシ樹脂の粘性が高いので、グイベレット６の接合面
積にエポキシ樹脂が十分に拡がることが困難で、この結
果、第５図のようにグイベレット６が十分に結合されず
に傾いたり、あるいはグイベレットが剥れやすくなる問
題点があった。
この発明は、以上述べたようにグイベレットの結合不良
を解消して確実なダイボンドの行なえるボンディング方
法を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕
この発明はダイボンディング方法において、基板上にエ
ポキシ樹脂を塗布する工程と、基板にグイベレットを結
合する工程の間にエポキシ樹脂を加熱する工程を有する
ものである。
〔作用〕
この発明におけるダイボンディング方法では、加熱工程
によりエポキシ樹脂を加熱することにより、エポキシ樹
脂の拡がりがよくなり、この結果、グイベレットとの面
接合が増して結合を向上することができる。
〔実施例〕
第１図はこの発明の一実施例を示す工程図であり、基板
上にエポキシ樹脂を塗布する工程では、搬送路１によっ
て送られてきた基板２の上方に配置されたディスベンザ
３からエポキシ樹脂４を約ｌ　Ｘ　１０−’ＣＣ基板２
上に塗布する。そしてこの基板２はグイベレットを結合
する工程に送られる。ここで基板２に塗布されたエポキ
シ樹脂４は搬送路１内に埋込まねたワーク加熱工程とな
るヒータ７によって基板２と共に５０〜１００℃に加熱
された後、ボンディングヘッド５の下降によりグイベレ
ット６（厚み０．４．ｍＸ長さ３　［Ｘ幅４」）が基板
２上に接合される。すなわち、エポキシ樹脂４はヒータ
７の加熱により粘度が低下するのでエポキシ樹脂４とグ
イベレット６とは良好な面接合が可能となる。なお、上
記ヒータ７は４００Ｗの容量のものが使用され、熱電対
として温度調節機能を構成している。
第２図はワーク加熱工程の他の実施例を示すもので、エ
アーヒータ８　（５ＡＨ−１型、３５０Ｗ、インフリツ
ヂ工業■製）によってエポキシ樹脂４を熱風により吹き
付けて加熱し、加熱後にボンディングヘッド５を下降さ
せてグイベレット６を基板２に接合させるものである。
また第３図は加熱工程として赤外線ヒータ９（アーガス
インターナショナル、モデル４４　１ｋＷｍａｘハロゲ
ン灯）によって加熱する方法であっても上記と同様の作
用が得られる。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明によれば、基板上にエポキ
シ樹脂を塗布する工程と、基板にグイベレットを結合す
る工程の間にエポキシ樹脂を加熱する工程を有するので
、エポキシ樹脂とグイベレットとの確実な面接合が行な
えると共にグイベレットの傾きも解消することができる
。また、エポキシ樹脂は熱硬化性であるので、加熱する
とエポキシ反応が進み一旦熱を加えその後冷却すると樹
脂は加熱する前より硬化が進む。この結果、グイベレッ
トは基板に熱を加えないものより強く結合されるためそ
の後の工程であるエポキシ樹脂キユアまでの間の取扱い
が有利となる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示すダイボンディング方
法の工程図、第２図および第３図は加熱゛手段の他の例
を示すそれぞれの工程図、第４図と第５図は従来のダイ
ボンディング方法の工程図である。 １・・・搬送路、２・・・基板、３・・・ディスペンサ
、４・・・エポキシ樹脂、５・・・ポンデインダヘッド
、６・・・グイベレット、７・・・ヒータ、８・・・エ
アーヒータ、９・・・赤外線ヒータ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）エポキシ樹脂を用いたダイボンディング方法にお
    いて、基板上にエポキシ樹脂を塗布する工程と、基板に
    ダイペレットを結合する工程の間にワーク加熱工程を有
    することを特徴とするダイボンディング方法。
  2. （２）ワーク加熱工程は搬送路に埋込んだヒータにより
    基板上の樹脂を加熱することを特徴とする特許請求の範
    囲第１項記載のダイボンディング方法。
  3. （３）ワーク加熱工程はエアーヒータにより樹脂に熱風
    を吹き付けて加熱することを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載のダイボンディング方法。
  4. （４）ワーク加熱工程は赤外線ヒータにより樹脂を加熱
    することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のダイ
    ボンディング方法。
JP502185A 1985-01-17 1985-01-17 ダイボンデイング方法 Pending JPS61164233A (ja)

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JPS61164233A true JPS61164233A (ja) 1986-07-24

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01502868A (ja) * 1986-11-13 1989-09-28 エム　アンド　ティ　ケミカルズ，インコーポレーテッド 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01502868A (ja) * 1986-11-13 1989-09-28 エム　アンド　ティ　ケミカルズ，インコーポレーテッド 半導体装置の製造方法

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