JPH06232186A - 電子部品の接着方法 - Google Patents

電子部品の接着方法

Info

Publication number
JPH06232186A
JPH06232186A JP5340733A JP34073393A JPH06232186A JP H06232186 A JPH06232186 A JP H06232186A JP 5340733 A JP5340733 A JP 5340733A JP 34073393 A JP34073393 A JP 34073393A JP H06232186 A JPH06232186 A JP H06232186A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
circuit board
integrated circuit
substrate
bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5340733A
Other languages
English (en)
Inventor
Jacques Leibovitz
ライボビッツ ジャックェス
Hilmar W Spieth
ダブリュ スピース ヒルマー
Peter F Dawson
エフ ドーソン ピーター
Voddarahalli K Nagesh
ケイ ナゲシュ ボダラハリ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HP Inc
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of JPH06232186A publication Critical patent/JPH06232186A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/98—Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/8388—Hardening the adhesive by cooling, e.g. for thermoplastics or hot-melt adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1032—III-V
    • H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1089—Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 集積回路あるいはその他の関連デバイスを、
基板上に、手直し可能に（取り外し可能に）接着する方
法を提供する。 【構成】 部品１０と基板１４との間に切り離し可能な
コンプライアントな接合部を形成する方法であって、
（１）熱可塑性接着剤１６を用いて部品の接着面をコー
ティングするステップ、（２）熱可塑性接着剤を乾燥す
るステップ、（３）熱可塑性接着剤を硬化させるステッ
プ、（４）部品接着面と基板接着面のうちの少なくとも
一方を熱硬化性接着剤１８でコーティングし、その後、
部品接着面と基板接着面とを合わせることにより、部品
を基板に接着するステップ、および（５）熱硬化性接着
剤を硬化させるステップからなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子アッセンブリーに
関し、より詳細には集積回路あるいはその他の関連デバ
イスを、基板上に、手直し可能に接着する方法に関す
る。
【０００２】
【従来背景】半導体技術は、設計者が集積回路ダイ（ｄ
ｉｅ）を電子アッセンブリーの一部として取り付ける際
に、さまざまな選択肢を持つところまで進歩している。
例えば、集積回路ダイは、通常、パッケージング、回路
基板、フレキシブルフィルム等のさまざまな基板に直接
取り付けられる。
【０００３】回路基板は、集積回路と関連部品を有する
電子アッセンブリーを形成する現在最も有力な手段であ
る。回路基板の利点の１つは、集積回路を例えば接着剤
を用いて機械的に取り付けられる基板が提供されること
に加えて、回路基板はその電子アッセンブリー中の集積
回路と他の電子部品の端子との間に電気的接続を提供す
ることがある。ボールボンディング（ｂａｌｌ ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）、バンピング（ｂｕｍｐｉｎｇ）、ワイヤボ
ンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）など、集積回
路の端子と回路基板の端子との間に電気的接続を行うた
めのさまざまな技術が知られている。
【０００４】電子アッセンブリー、から不良あるいは旧
式な集積回路を、かかるアッセンブリーを手直しできる
ように、取り除くことが望ましく、また必要であること
が多い。このようにすると、多数の集積回路や他の部品
を含む高価な回路基板を、廃棄せずに、修理したり、再
使用することができる。また、再利用するために、集積
回路を回路基板から取り除くことが望ましい。例えば、
高価なマイクロプロセッサを、他の用途に用いるため
に、あるいは基板が修理不能なほどの損傷を受けている
ときに、回路基板から取り除くことが望ましい場合が多
い。
【０００５】ダイを回路基板に取り付けるのに、通常使
用されるほとんどの接着剤は、集積回路と回路基板との
間に永久的な接合を形成する。接着剤が硬化すると、不
可逆重合が発生する。回路基板への接着がこのように行
われると、ダイは、ダイを破壊することなく、また基板
に損傷を与えることなく、基板上に取り付けられた他の
電子部品とともに回路基板から取り除くことができな
い。
【０００６】熱可塑性接着剤は、熱によって軟化させる
ことができ、それによって手直し可能な接着材料を提供
することは周知である。しかし、かかる接着剤の軟化温
度と硬化温度の選択には大きな制約がある。低いガラス
転移温度（“Ｔｇ”）を有するＦＲ４材料でできたもの
のような通常の回路基板と、それに隣接する電子部品の
取り付けあるいは手直し中の損傷を防止するのに十分な
低さの温度で硬化および軟化させることのできる熱可塑
性接着剤は、通常の回路操作条件では、満足な接着状態
を維持できない。したがって、熱可塑性の接着部は、通
電された集積回路において典型的に見られるような重大
な熱応力を受けると不良となる。さらに、熱応力に起因
する接着不良の可能性は、シリコン集積回路（約２．３
ｃｍ／ｃｍ−℃）と回路基板材料（約１７ｃｍ／ｃｍ−
℃）との間の熱膨張係数（ＴＣＥ）の不一致によってさ
らに高くなる。
【０００７】したがって、集積回路ダイを通常の回路基
板に取り付けるための手直し可能な安定した接着方法を
提供する接着剤は、まだ知られていない。ダイを回路基
板に手直し可能に取り付けるプロセスは、修理可能な回
路基板や他の部品の廃棄を防止することによって、電子
モジュールの生産をより効率的に行うことを可能にす
る。
【０００８】
【発明の目的】本発明は、集積回路ダイを通常の回路基
板に取り付けるための、強度が高く、コンプライアンス
（ｃｏｍｐｌｉａｎｃｅ）が高く、また手直し可能な接
着方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【発明の概要】本発明によって提供される接着方法は、
高熱応力条件下で安定しており、また例えばＴｇが低い
および／または熱膨張係数の不一致が大きい材料のよう
に、熱特性の異なる材料に特に適している。
【００１０】本発明の１つの例では、熱可塑性接着剤が
集積回路に塗布される。次に、この接着剤が、乾燥、硬
化される。このように熱可塑性接着剤でコーティングし
た後、この集積回路が、コンプライアンスが高く、硬化
温度の低い熱硬化性エポキシ樹脂接着剤を用いて、プリ
ント回路基板に接着される。
【００１１】熱可塑性接着剤は、集積回路が通電され操
作しているときの温度条件下で安定した接着状態が維持
されるような高い温度であって、しかも可能な限り低い
硬化温度を有する接着剤の中から選択される。熱硬化性
エポキシ樹脂は、接着剤が硬化することによってＴｇの
低いプリント回路基板が損傷を受けないように、硬化温
度の低いものが選ばれる。
【００１２】手直し中、高熱が集積回路に加えられ、先
ず、熱可塑性接着剤に流れてその接着剤を軟化させる。
接着剤が軟化することによって回路基板から集積回路が
はずれ、それによって集積回路を介した回路基板への熱
の流れが停止し、プリント回路基板の損傷が防止され
る。
【００１３】本発明の他の例では、集積回路が熱硬化性
接着剤を用いて接着される銅板が提供される。この銅板
／集積回路アッセンブリーは、次に、面実装技術などの
任意の周知の方法で、プリント回路基板にはんだ付けさ
れる。
【００１４】
【実施例】本発明は、コンプライアンスの高い、安定し
た、手直し可能な接着部を提供し、シリコンと、低いＴ
ｇおよび／または膨張係数の大きな不一致を有する材料
等のさまざまな基板材料との間の熱特性の優れた調整を
提示する。
【００１５】図１は、本発明にしたがってプリント回路
基板１４に接着された集積回路１０の概略斜視図であ
る。本発明は、熱応力と熱膨張係数の不一致の条件下で
高いコンプライアンスを提供し、またより重要なことと
して、プリント回路基板に損傷を与えないような低い温
度で硬化する熱硬化性接着剤層１８と、集積回路１０を
熱を加えることによってプリント回路１４から簡単に取
り外しできるような手直し可能な接着部を提供するため
の熱可塑性接着剤層１６を含む複合接合部１６／１８を
提供する。
【００１６】ここで説明する本発明は、シリコン集積回
路等の部品のプリント回路基板への接着部に関する。当
業者には、本発明は、例えばＧａＡｓ等のその他の部品
組成、集積回路、モジュール等、またリードのないチッ
プキャリア、およびセラミック、シリコン、ガラス、ガ
ラス／セラミック、ＦＲ４等のさまざまな回路基板組成
に、簡単に適用できることは明らかであろう。
【００１７】本発明の一実施例において、カリフォルニ
ア州、サンタ・アナのＳｔａｙｓｔｉｋ，Ｉｎｃ．が製
造する“Ｓｔａｙｓｔｉｋ １８１ＴＭ”等の熱可塑性
接着剤が、集積回路１０の接着面１１に塗布される。こ
の接着剤が、乾燥、硬化される。硬化は、通常、この接
着剤を、２２０℃に約３０分間加熱することによって達
成される。かかる接着剤は、ＦＲ４等のＴｇの低いプリ
ント回路基板には用いることはできない。これは、接着
剤の硬化に要する熱量が基板を破壊するためである。
【００１８】上記の熱可塑性接着剤が硬化した後、集積
回路１０のコーティングされた面が、カリフォルニア
州、ランコ・ドミングのＡｂｌｅｓｔｉｋ研究所が製造
する“ＡｂｌｅｂｏｎｄＴＭ ８４−１Ａ”等の硬化温
度の低い熱硬化性接着剤を用いて、プリント回路基板１
４の接着面１５に接着される。この熱硬化性接着剤の低
い硬化温度は、一般的な回路基板材料の低いＴｇに調和
するものであり、この性質を有する任意の熱硬化性接着
剤を、本発明の精神と範囲から逸脱することなく、この
例示した接着剤に替えて用いることができる。
【００１９】集積回路と回路基板との間にこのように形
成された複合接合部は、簡単に手直しすることができ
る。例えば、不良の集積回路を取り替えたり、高価な集
積回路を他の用途に用いるために回収することができ
る。このように手直しを加えることができることは、プ
リント回路基板が多数の高価な部品を通常含んでいる最
近のアプリケーションにおいては、特に重要である。本
発明のように、不良の部品を取り除いたり、交換したり
できれば、機能しているデバイスやその他の使用可能な
回路基板を廃棄しないですむ。したがって、生産コスト
が大幅に低減される。
【００２０】手直しの場合には、集積回路が加熱され、
それによって熱可塑性接着剤が軟化される（通常、約１
８０℃で１〜５分間の加熱によって軟化する）。接着剤
が軟化することによって、集積回路が、プリント回路基
板から取り外し可能になる。集積回路が取り外される
と、ただちに回路基板への熱の流れが止まり、それによ
ってプリント回路基板への損傷が防止される。すなわ
ち、接着剤は、プリント回路基板に損傷が加わるような
熱が伝達される前に、軟化し始める。したがって、集積
回路をプリント回路基板から迅速に取り外し、回路基板
が熱にさらされることを制限することができる。
【００２１】プリント回路基板から不良の集積回路が取
り外された後、同じ技術を用いて、代替の集積回路を、
このプリント基板に取り付けることができる。すなわ
ち、熱可塑性接着剤が代替集積回路に塗布され、接着剤
が乾燥、硬化され、集積回路のコーティングされた面
が、熱硬化性接着剤を用いてプリント回路基板に接着さ
れる。もとの熱硬化性層はプリント回路の表面に残るた
め、追加の熱硬化性接着剤層を用いて代替集積回路をプ
リント回路に接着する必要がある。
【００２２】本発明の代替実施例は、ＴＣＥの不一致を
調整する熱硬化性接着剤を用いて集積回路が接着された
銅板のようなインターフェース基板を提供する。このよ
うに形成されたアッセンブリーが、当業界で現在用いら
れている周知の技術の任意のものを用いて、回路基板に
接着される。
【００２３】したがって、本発明によれば、回路基板／
熱硬化性接着剤／熱可塑性接着剤／Ｓｉ、および回路基
板／はんだ／Ｃｕ／熱硬化性接着剤／Ｓｉという２つの
構造の接着構成が提供される。
【００２４】以上、本発明を実施例を参照して説明した
が、当業者には本発明の精神と範囲から逸脱することな
くこれに代わる態様を取り得ることは明らかであろう。
したがって、本発明は特許請求の範囲によってのみ限定
される。
【００２５】
【発明の効果】集積回路と回路基板との間にこのように
形成された複合接合部は、簡単に手直しすることができ
る。例えば、不良の集積回路を取り替えたり、高価な集
積回路を他の用途に用いるために回収することができ
る。このように手直しを加えることができることは、プ
リント回路基板が多数の高価な部品を含んでいる最近の
アプリケーションにおいては、特に重要である。本発明
のように不良の部品を取り除いたり、交換したりできれ
ば、機能しているデバイスや使用可能な回路基板を廃棄
しないですむ。したがって、生産コストが大幅に低減さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にしたがって形成された集積回路／回路
基板接合部の概略斜視図である。
【符号の説明】
１０：集積回路 １４：プリント回路基板 １６：熱可塑性接着剤層 １８：熱硬化接着剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ピーター エフ ドーソン アメリカ合衆国カリフォルニア州ポート ラ・バレー ティンターン・レイン 25 (72)発明者 ボダラハリ ケイ ナゲシュ アメリカ合衆国カリフォルニア州カパルチ ノ ピンテイジ・パークウェイ 20276

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 部品と基板との間に、切り離し可能な、
    コンプライアントな接合部を形成する方法であって、 熱可塑性接着剤を用いて前記部品の接着面をコーティン
    グするステップ、 前記熱可塑性接着剤を乾燥するステップ、 前記熱可塑性接着剤を硬化させるステップ、 前記部品接着面と基板接着面のうちの少なくとも一方を
    熱硬化性接着剤でコーティングし、その後前記部品接着
    面と前記基板接着面とを合わせることにより、前記部品
    を前記基板に接着するステップ、および前記熱硬化性接
    着剤を硬化させるステップからなることを特徴とする電
    子部品の接着方法。
JP5340733A 1992-12-10 1993-12-09 電子部品の接着方法 Pending JPH06232186A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/988,638 US5268048A (en) 1992-12-10 1992-12-10 Reworkable die attachment
US988638 1992-12-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06232186A true JPH06232186A (ja) 1994-08-19

Family

ID=25534348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5340733A Pending JPH06232186A (ja) 1992-12-10 1993-12-09 電子部品の接着方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5268048A (ja)
JP (1) JPH06232186A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243223A (ja) * 2007-06-08 2007-09-20 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品実装構造体

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07302868A (ja) * 1992-12-10 1995-11-14 Hewlett Packard Co <Hp> 電子部品の接着法
US5601675A (en) * 1994-12-06 1997-02-11 International Business Machines Corporation Reworkable electronic apparatus having a fusible layer for adhesively attached components, and method therefor
US5607538A (en) * 1995-09-07 1997-03-04 Ford Motor Company Method of manufacturing a circuit assembly
US5769989A (en) * 1995-09-19 1998-06-23 International Business Machines Corporation Method and system for reworkable direct chip attach (DCA) structure with thermal enhancement
US5739586A (en) * 1996-08-30 1998-04-14 Scientific-Atlanta, Inc. Heat sink assembly including a printed wiring board and a metal case
US5757073A (en) * 1996-12-13 1998-05-26 International Business Machines Corporation Heatsink and package structure for wirebond chip rework and replacement
US5953210A (en) * 1997-07-08 1999-09-14 Hughes Electronics Corporation Reworkable circuit board assembly including a reworkable flip chip
US6238223B1 (en) * 1997-08-20 2001-05-29 Micro Technology, Inc. Method of depositing a thermoplastic polymer in semiconductor fabrication
US6029730A (en) * 1997-12-30 2000-02-29 Intel Corporation Hot shear apparatus and method for removing a semiconductor chip from an existing package
US6380322B1 (en) 1998-06-19 2002-04-30 Georgia Tech Research Corporation Reworkable high temperature adhesives
US6409859B1 (en) * 1998-06-30 2002-06-25 Amerasia International Technology, Inc. Method of making a laminated adhesive lid, as for an Electronic device
US20040055152A1 (en) * 1999-01-05 2004-03-25 James Fraivillig Bonding of a multi-layer circuit to a heat sink
US6319846B1 (en) * 2001-01-05 2001-11-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Method for removing solder bodies from a semiconductor wafer
DE60234473D1 (de) * 2001-12-18 2009-12-31 Denso Corp Leiterplattenrecyclingverfahren und vorrichtung dafür
US7743963B1 (en) 2005-03-01 2010-06-29 Amerasia International Technology, Inc. Solderable lid or cover for an electronic circuit
JP2009105276A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Omron Corp 半導体チップの実装方法及び半導体搭載用配線基板
CN110064871B (zh) * 2019-05-31 2021-02-19 苏州经贸职业技术学院 焊接重工治具

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4012832A (en) * 1976-03-12 1977-03-22 Sperry Rand Corporation Method for non-destructive removal of semiconductor devices
EP0051165A1 (en) * 1980-11-03 1982-05-12 BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation) Repairable IC package with thermoplastic chip attach
JPS5944834A (ja) * 1982-09-07 1984-03-13 Toshiba Corp 電子回路素子のダイボンデイング方法
DE4028556C1 (ja) * 1990-09-08 1992-04-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart, De
US5137836A (en) * 1991-05-23 1992-08-11 Atmel Corporation Method of manufacturing a repairable multi-chip module

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243223A (ja) * 2007-06-08 2007-09-20 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品実装構造体

Also Published As

Publication number Publication date
US5268048A (en) 1993-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06232186A (ja) 電子部品の接着方法
US6821878B2 (en) Area-array device assembly with pre-applied underfill layers on printed wiring board
US7268059B2 (en) Methods for securing components of semiconductor device assemblies to each other with adhesive materials that include pressure-sensitive and curable components
US5002818A (en) Reworkable epoxy die-attach adhesive
US7122389B2 (en) Method for processing semiconductor devices in a singulated form
JP3744927B2 (ja) カプセル化電子部品、特に集積回路の製造方法
JP3219793B2 (ja) 基板にｓｍｄ構成要素を実装する方法
JPH1022334A (ja) 半導体装置
US6369450B1 (en) Method of producing mounting structure and mounting structure produced by the same
JP2731383B2 (ja) 部品実装構造及び部品実装方法
JPH07302868A (ja) 電子部品の接着法
JP4223581B2 (ja) マルチチップ実装法
JPH05109838A (ja) ベアチツプのリペア方法
JP2003209346A (ja) 部品の実装方法及び電子装置
JP3430096B2 (ja) 半導体装置の実装方法
JP3255796B2 (ja) 半導体装置の実装方法
JPH0837278A (ja) ピングリッドアレイの製造方法
JP2602389B2 (ja) 部品実装方法
JP3041980B2 (ja) 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法
JPH04326747A (ja) 部品実装方法
JPH04252093A (ja) パッド修復方法
JP3284890B2 (ja) バンプ付きワークのボンディング方法
JPH04117477A (ja) 異方性導電材料及びこれを用いた集積回路素子の接続方法
JPS63211655A (ja) 半田埋め込みレジストシ−ト
JPH0964070A (ja) Ｉｃパッケージ構造