KR910005410A - 웨이퍼의 전방표면으로 부터의 재료들의 제거를 방지하면서 반도체 웨이퍼의 후방측면과 단부테두리로 부터 증착부를 제거하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

웨이퍼의 전방표면으로 부터의 재료들의 제거를 방지하면서 반도체 웨이퍼의 후방측면과 단부테두리로 부터 증착부를 제거하기 위한 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 반도체 웨이퍼의 후방 표면으로 부터 증착부를 제거하기 위해 사용된 장치의 부분 수직 단면도,
제3도는 상기 면판에 마주해 있어서 재촉(urging)되어 도시된 반도체 웨이퍼에 의해 제2도에 도시한 수정된 면판의 평면도,
제4도는 상기 면판이 웨이퍼의 테두리를 지지하지 않은 경우에 오목영역에 있는 면판과 웨이퍼 단부,
제5도는 웨이퍼의 테두리가 지지되는 경우에 면판의 비오목부를 나타내기 위해 선V-V을 따라 취해진 제3도에 따른 면판과 웨이퍼의 수직 단면도:

Claims (10)

  1. (a) 면판에 마주해 있는 웨이퍼의 전방측면을 재촉하는 단계;(b) 상기 웨이퍼의 후방측면 및 단부테두리에 증착된 하나 이상의 재료와 반응할 수 있는 하나 이상의 기체를 웨이퍼의 전방표면과 면판 사이에 유지된 공간을 통해 챔버에 흐르게 하는 단계; 및 (c) 상기 웨이퍼의 후방측면과 단부 테두리에 증착된 재료들을 제거하기 위해 웨이퍼의 후방측면과 서셉터 사이에 유지된 틈에 플라즈마를 형성시키는 단계로 구성되고 웨이퍼의 전방측면과 면판 사이의 공간에서의 기체 흐름이 플라즈마가 웨이퍼의 전방측면에 있는 재료를 제거하는 것을 막는 것을 특징으로 하는 진공 챔버내에서 반도체 웨이퍼의 후방측면 및 단부테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 전방표면으로부터 재료들의 제거를 억제하기 위해 기체들이 면판과 웨이퍼의 전방 표면 사이에 창조된 공간에 들어가도록 개구부를 갖는 면판부로 부터 웨이퍼의 전방 표면 까지 공간을 가지게하는 공간 수단을 제공하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 진공 챔버내에서 반도체 웨이퍼의 후방측면 및 단부 테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기 위한 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 웨이퍼의 전방표면으로 부터의 재료제거를 억제하기 위해 흐르는 하나 이상의 기체를 통해 면판과 웨이퍼의 전방표면 사이의 공간을 창조하는 공간수단과 더불어 기체통로 개구부를 갖는 면판에 있는 오목중앙부를 형성하는 부가적인 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 진공 챔버내에서 반도체 웨이퍼의 후방측면 및 단부테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기위한 방법.
  4. (a) 상기 진공챔버에 있는 면판에 마주해 있는 웨이퍼의 전방표면을 재촉하는 단계; (b) 기체들이 챔버에 들어가 상기 공간에 들어가도록 개구부를 갖는 면판부와 웨이퍼의 전방표면 사이에 공간을 형성하기 위한 공간수단을 제공하는 단계; (c) 상기 웨이퍼의 후방표면과 단부테두리에 증착된 하나이상의 재료와 반응할 수 있는 기체를 웨이퍼의 전방 표면과 면판 사이에 유지된 공간을 통해 흐르게 하는 단계; 및 (d) 상기 웨이퍼의 후방표면과 단부 테두리에 증착된 재료들을 제거하기 위해 챔버내 웨이퍼의 후방표면과 서셉터 사이에 유지된 틈에 플라즈마를 형성하는 단계를 구성하고 웨이퍼의 전방표면과 면판 사이에 유지된 공간을 통한 이 기체의 흐름은 상기 플라즈마가 웨이퍼의 전방표면에 있는 재료들을 제거하지 못하도록 작용하는 것을 특징으로 하는 진공챔버내에서 반도체의 후방표면과 단부 테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기 위한 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼의 전방표면과 면판 사이에 공간을 형성하는 단계를 웨이퍼의 전방표면이 면판으로부터 약 0.127 내지 0.508㎜ 범위의 거리로 간격을 두는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 진공챔버내에서 반도체의 후방 표면과 단부 테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기 위한 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 면판과 웨이퍼의 전방표면 사이에 공간을 형성하는 단계는 기체가 흐르는 공간을 제공하는 동시에 웨이퍼의 전방표면부를 이용하기에 충분한 거리로 오목부에 측면으로 오목하게 돌출하지 않는 면판의 단편부에 의해 웨이퍼의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 면판의 전방표면에 원형 중앙 오목부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공챔버내에서 반도체의 후방표면과 단부 테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기 위한 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 웨이퍼가 면판에 있는 오목부로 부터 공간을 가지는 단계는 웨이퍼의 직경보다 더 큰 직경을 갖는 면판의 전방표면에 원형 중앙 오목부를 형성단계 웨이퍼가 면판의 오목부로 부터 공간을 가지도록 웨이퍼의 전방 표면을 이용하기 위해 면판의 전방표면 비오목부의 레벨과 동일한 레벨을 갖는 오목부에 공간수단을 형성하는 단계와 동시에 기체가 상기 오목부에 의해 창조된 면판의 전방표면과 웨이퍼의 전방측면 사이의 공간에 흘러 360°의 웨이퍼의 단부 테두리 주위에 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 진공챔버내에서 반도체의 후방표면과 단부 테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기 위한 방법.
  8. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼의 전방표면과 면판 사이에 유지된 공간을 통해 하나 이상의 기체를 흐르게 하는 단계는 NF₃, SF6, CF₄ 및 C₂F6를 구성하는 그룹에서 선택한 하나 이상의 기체를 흐르게 하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 진공챔버내에서 반도체의 후방표면과 단부 테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기 위한 방법.
  9. (a) 상기 챔버내 면판에 마주해 있는 웨이퍼의 전방 표면을 재촉하기 위한 수단; (b) 기체들이 챔버에 들어가도록 개구부를 갖는 면판부와 웨이퍼의 전방표면 사이에 공간을 형성하기 위한 공간수단; (c) 웨이퍼의 전방표면과 면판 사이에 형성된 공간을 통해 하나 이상의 기체를 흐르게 하기 위한 수단; 및 (d) 웨이퍼의 후방표면과 단부 테두리에 증착된 재료들을 제거하기 위해 상기 챔버내 웨이퍼의 후방표면과 서셉터 사이에 유지된 틈에 플라즈마를 형성하는 수단을 구성하고 상기 웨이퍼의 전방표면과 면판사이의 공간을 통해 흐르는 기체는 플라즈마가 웨이퍼의 전방 표면에 있는 재료들을 제거하지 못하도록 하는 것을 특징으로하는, 반도체 웨이퍼의 후방표면과 단부 테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기 위한 진공챔버를 포함하고 있는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 기체들이 챔버에 들어가도록 개구부를 갖는 면판부와 웨이퍼의 전방표면 사이의 공간을 형성하기 위한 공간 수단(a) 웨이퍼 보다 더 큰 직경을 갖는 웨이퍼의 전방표면에 면해 있는 면판의 표면에 형성된 원형오목부, 및 (b) 웨이퍼의 전방 표면을 이용하여 면판의 비오목부의 평면에 웨이퍼의 전방표면을 유지하여 기체들이 흐르는 웨이퍼의 전방 표면과 오목부의 하부사이에 공간을 창조하기 위한 오목부내에 공간부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 후방표면과 단부 테두리에 증착된 하나 이상의 재료를 제거하기 위한 진공챔버를 포함하고 있는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900013072A 1989-08-25 1990-08-24 웨이퍼의 전방표면으로부터의 재료들의 제거를 방지하면서 반도체 웨이퍼의 후방측면과 단부테두리로부터 증착부를 제거하기 위한 방법 및 장치 KR0159097B1 (ko)

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