KR910003936A - 스위칭 매트릭스 개폐소자 - Google Patents

스위칭 매트릭스 개폐소자 Download PDF

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KR910003936A
KR910003936A KR1019900011087A KR900011087A KR910003936A KR 910003936 A KR910003936 A KR 910003936A KR 1019900011087 A KR1019900011087 A KR 1019900011087A KR 900011087 A KR900011087 A KR 900011087A KR 910003936 A KR910003936 A KR 910003936A
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KR
South Korea
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channel
switching element
transistors
channel transistor
differential
Prior art date
Application number
KR1019900011087A
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English (en)
Inventor
하랑드 미셀
Original Assignee
삐에르 올리비에
에스지에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스 에스. 에이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삐에르 올리비에, 에스지에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스 에스. 에이. filed Critical 삐에르 올리비에
Publication of KR910003936A publication Critical patent/KR910003936A/ko

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

스위칭 매트릭스 개폐소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 개폐소자를 보인 도면,
제4도는 본 발명의 변형예를 보인 도면.

Claims (5)

  1. n개의 입력라인(로우)과 m개의 출력라인(컬럼)을 구비하고, 각 라인은 한쌍의 차동콘덕터로 이루어지며, P채널 및 N채널로 향상된 MOS 트랜지스터에 의해 구성되는 스위칭 매트릭스 개폐소자로서,-각각의 입력라인 콘덕텨(Ii1,Ii2)는, 각각의 레그가 개폐소자의 선택입력부(Sij)에 의해 동작되는 제 1 전류소오스(M9,M10,M11)에 전류미러회로를 통해 연합되는 제 1 차동증폭기(M3,M4)의 입력부에 연결되고, -제 1차동증폭기의 출력부는 동일컬컴에 모든 개폐소자에 공통되는 제 2전류소오스(I)에 의해 공급되는 한쌍의 차동MOS 트랜지스터(N1,N2)에 연결되며, -차동쌍의 출력부는, 그 말단부가 저항기를 통해 고전압 소오스(Vdd)에 연결되는 출력컬럼의 콘덕터쌍(Oj1,Oj2)에 연결됨을 특징으로 하는 스위칭 매트릭스 개폐소자.
  2. 제 1항에 있어서, 메모리 포인트가 설정되지 않을 때 차동증폭기의 출력부에서의 전압을 설정하는 수단(M8,Sij)을 또한 구성함을 특징으로 하는 스위치형 매트릭스 개폐소자.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 차동증폭기는 제 1P채널 트랜지스터(M5)와 제 1N채널 트랜지스터(M3) 및 제 2P채널 트랜지스터(M6)와 제 2N채널 트랜지스터(M4)로 각각 구성되고 병렬 배치되는 두개의 레그로 이루어지며, P채널 트랜지스터의 드레인 고전원 소오스(Vdd)에 연결되고 제 1 및 제 2의 트랜지스터의 소오스는 제 3N채널 MOS트랜지스터(M7)를 통해 저전원단자(Vss)에 연결되며, 상기 전류소오스는, 고전원소오스와 저전원소오스 간에, 드레인이 게이트에 연결되는 제 3P채널 트랜지스터(M11)와, 게이트가 개폐소자 선택신호(Sij)를 수용하는 제 4N채널 트랜지스터 (M10)와, 드레인이 게이트에 연결되는 제 5N채널 트랜지스터(M9)로 직렬 구성되는 구조로 이루어지고, 전류미러회로는 제1 제2 및 제3P채널 트랜지스터의 게이트를 상호연결하고 제3 및 제5채널 트랜지스터의 게이트를 상호연결 함으로써 형성되며, 제1 및 제 2N채널 트랜지스터의 게이트는 각각의 입력채널 콘덕터에 각각 연결되고, 이들 트랜지스터의 드레인은 차동쌍(M1,M2)의 제어 게이트에 각각 연결됨을 특징으로 하는 스위칭 매트릭스 개폐소자.
  4. 제 2항 또는 제 3항에 있어서, 전압설정수단이 제 3N채널 트랜지스터(M7)에 병렬 연결되고 역선택신호(Sij)를 수용하는 제6N채널 트랜지스터(M8)로 구성됨을 특징으로 하는 스위칭 매트릭스 개폐소자.
  5. 제 1항에 있어서, 각각의 컬럼은, 각각의 저항기(R)와 직렬 연결되며, 콜렉터가 저항기에 연결되고 에미터는 컬럼에 연결되며 베이스는 고전원 소오스에 연결되는 양극 트랜지스터(Q)로 구성되며, 컬름은, 제 3전류소오스(i)에 연결됨을 특징으로 하는 스위칭 매트릭스 개폐소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900011087A 1989-07-27 1990-07-20 스위칭 매트릭스 개폐소자 KR910003936A (ko)

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FR8910384A FR2650452B1 (fr) 1989-07-27 1989-07-27 Point de croisement pour matrice de commutation
FR89/10384 1989-07-27

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KR910003936A true KR910003936A (ko) 1991-02-28

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KR1019900011087A KR910003936A (ko) 1989-07-27 1990-07-20 스위칭 매트릭스 개폐소자

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EP (1) EP0410908B1 (ko)
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DE (1) DE69007570T2 (ko)
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