KR900019149A - 침착 반도체의 rta방법 및 장치 - Google Patents

침착 반도체의 rta방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

침착 반도체의 RTA방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 RTA수행에 사용하는 몇몇 부품을 도시하는 대표적 소둔장치의 가열실의 부분 사시도, 제2도는 본 발명에 따라 반도체 웨이퍼를 소둔하는데 사용되는 블랙 박스 소둔 수단의 부품의 분해도, 제3도는 Si침착 GaAs웨이퍼를 소둔하는 3단계 소둔 사이클을 도시한 그래프.

Claims (54)

  1. 반도체 장치 제조 방법에 있어서, 적어도 한 표면의 적어도 하나의 선택된 영역에 침착된 도판트 이온과 상기 표면을 거쳐 캡술로 싸인 재료의 층을 가지며, RTA가 웨이퍼를 온도에 영향받기 쉽게 침착에 의한 상기 표면에 기인한 손상을 제거하고 웨이퍼의 상기 표면의 상기 적어도 하나의 선택된 지역으로 도판트 이온을 활성화하도록 충분한 주기를 위한 적어도 하나의 주 소둔 단계를 구비하는 반도체 재료의 웨이퍼가 신속 열 소둔(RTA)에 영향받기 쉬운 것을 포함하며, 상기 RTA전에 베이스, 환형 안내링 및 뚜껑을 구비하며, 상기 베이스 안내링 및 뚜껑이 소둔 조건하의 안정한 흑체 재료를 구비하는 컨테이너(이후 "블랙 박스"로 언급)의 캐비티내의 웨이퍼를 둘러싸는 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 RTA는 상기 주 소둔 단계점에 예비 소둔 단계를 포함하며, 상기 예비 소둔 단계가 온도에서 주소둔 단계로부터 생길 수 있는 반도체 재료에 대한 어떤 열 충격을 감축하기에 충분한 기간동안 수행되고, 주 소둔 단계에 이어 최종 소둔 단계가 온도에서 주 소둔 단계로부터 생길 수 있는 응력을 완화하는데 충분한 주기동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 합성 반도체 재료는 GaAs를 포함하며, 상기 RTA는20내지 40초 동안 625 내지 675℃의 온도에서의 예비 소둔과 5 내지 20초 동안 900 내지 1000℃내의 최고 온도에서의 주 소둔 단계와 25 내지 35초 동안 825 내기 875℃의 온도에서의 최종 소둔을 계속하여 웨이퍼를 가지는 블랙 박스에 노출시키고 초당 5 내지 50℃의 비율로 냉각되는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 합성 반도체는 GaAs이며 상기 RTA는 약 30초 동안 약 650℃의 온도에서의 예비 소둔과, 약 10초 동안 약 950℃의 최고 온도에서의 주 소둔과, 약 30초 동안 약 850℃의 온도에서 최종소둔을 계속하여 웨이퍼를 가지는 블랙 박스에 노출시키고 초당 5내지 50℃의 비율로 냉각되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 냉각은 초당 30℃까지 이르는 비율인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 냉각은 초당 약 10℃의 비율인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 캡슐로 싸인 재료는 인규산 유리, 붕규산 유리 및 바이코르(상품명)로 구성된 그룹으로부터 선택된 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 캡슐로 싸인 재료는 2내지 10몰 퍼센트 P2O5를 함유하는 인규산 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서, 베이스, 안내링 및 박스 뚜껑을 구비하는 블랙 박스 재료는 흑연 및 실리콘으로부터 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 안내링의 재료는 흑연을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  11. 제9항에 있어서, 안내링과 뚜껑의 재료는 흑연을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 안내링의 재료는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 안내링과 뚜껑의 재료는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 베이스의 재료는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 블랙 박스의 내부 표면은 웨이퍼의 적어도 하나의 표면상의 캡슐로 둘러싸인 재료와 유사하거나 유사할지도 모르는 캡슐로 둘러싸인 재료의 층을 가지는 캡슐로 둘러싸인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 캡슐로 둘러싸인 재료는 인규산 유리, 붕규산 유리, 바이코르(상품명) 및 SiO₂로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서, 캡슐로 둘러싸인 재료는 2내지 10몰퍼센트 P2O5를 함유하는 인규산 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 반도체 재료는 Ⅲ 내지 Ⅴ 및 Ⅱ내지 Ⅵ족의 합성 반도체 재료로부터 선택된 합성 반도체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  19. 제 1항에 있어서, 상기 Ⅲ 내지 Ⅴ족 반도체 재료는 GaAs, InP, InGaAs, InGaAsP, AllnAs 및 AllnAsP으로 구성되는 합성 반도체의 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  20. 제 1항에 있어서, 상기 Ⅲ 내지 Ⅴ족 반도체 재료는 GaAs를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  21. 제 1항에 있어서, 상기 반도체 장치는 애버랜치 광전 다이오우드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  22. 반도체, 재료 소둔 방법에 있어서, 베이스 안내링 및 뚜껑을 구비하는 부품과 상기 안내링이 베이스에 얹혀있고 상기 뚜껑이 안내링에 얹혀있고 블랙 박스 부품이 소둔 조건하의 안정한 흑체 재료를 가지는 블랙 박스내의 반도체 재료의 웨이퍼를 둘러싸는 것을 포함하며, 블랙 박스내의 반도체 재료가 소둔절차를 받는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서, 베이스, 안내링, 박스 뚜껑의 블랙 박스 재료는 흑연 및 실리콘으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 안내링의 재료는 흑연을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
  25. 제23항에 있어서,상기 안내링과 뚜껑의 재료는 흑연을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  26. 제23항에 있어서, 상기 안내링의 재료는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  27. 제23항에 있어서, 상기 안내링과 뚜껑의 재료는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  28. 제23항에 있어서, 상기 베이스의 재료는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  29. 제23항에 있어서, 상기 박스의 내부 표면은 캡슐로 둘러싸인 재료의 층을 가지고 캡슐로 둘러싸인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 캡슐로 둘러싸인 재료는 인규산 유리, 붕규산 유리, 바이코르(상품명) 및 SiO₂ 로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  31. 제29항에 있어서, 캡슐로 둘러싸인 재료는 2 내지 10을 퍼센트 P2O5를 함유하는 인규산 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  32. 제22항에 있어서, 상기 반도체 재료는 적어도 한 표면의 선택된 적어도 한 영역내로 침착되는 이온을 가진 반도체 재료의 웨이퍼이고, 상기 소둔은 이온 침착에 의해 표면에서 발생하는 손상을 제거하고 반도체의 적어도 한 표면의 적어도 선택된 한 영역내의 도판트 이온을 활성화 시키기에 충분한 기간 및 온도로 생성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  33. 제22항에 있어서, 상기 소둔은 연속적 예비 소둔 단계, 주 소둔 단계 및 최종 소둔 단계를 포함하는 신속열 소둔(RTA)이며, 주 소둔 단계로부터 발생가능한 반도체 재료에 대한 열충격을 감소시키기에 충분한 기간 및 온도로 예비 소둔 단계가 수행되고, 이온 침착으로 상기 표면에 발생되는 손상을 제거하고 웨이퍼 표면의 적어도 하나의 선택된 영역내의 도판트 이온을 활성화시키기에 충분한 기간 및 온도로 웨이퍼를 받으므로서 주 소둔 단계가 수행되고, 주 소둔 단계로부터 발생가능한 응력을 완화시키는데 충분한 기간 및 온도로 최종 소둔 단계가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  34. 제33항에 있어서, 상기 반도체 재료는 GaAs를 포함하며, 상기 RTA는 20내지 40초 동안 625내지 675℃의 온도범위에서의 예비 소둔과, 5내지 20초 동안 900내지 1000℃범위내의 최고 온도에서의 주 소둔 단계와, 25내지 35초 동안 825내지 875℃의 온도범위에서의 최종 소둔이 연속되는 웨이퍼를 가지는 블랙 박스에 노출시키고 초당 5내지 50℃의 비율로 냉각되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  35. 제33항에 있어서, 상기 합성 반도체는 GaAs이며, 상기 RTA는 약 30초 동안 약 650℃의 온도에서의 예비 소둔과, 약 10초 동안 950℃의 최고 온도에서의 주 소둔과, 약 30초 동안 약 850℃이 온도에서의 최종 소둔이 연속되는 웨이퍼를 가지는 블랙 박스에 노출시키고 초당 5내지 50℃의 비율로 냉각되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  36. 제35항에 있어서, 상기 냉각은 초당 30℃까지 이르는 이르는 비율인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  37. 제35항에 있어서, 상기 냉각은 초당 약 10℃의 비율인 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조 방법.
  38. 제22항에 있어서, 반도체의 적어도 한 표면이 캡슐로 둘러싸인 재료의 필름으로 캡슐로 둘러싸여지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  39. 제38항에 있어서, 상기 캡슐로 싸인 재료는 인규산 유리, 붕규산 유리 및 바이코르(상품명)로 구성된 그룹으로부터 선택된 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  40. 제38항에 있어서, 상기 캡슐로 싸인 재료는 2내지 10몰 퍼센트 P2O5를 함유하는 인규산 유리를 포함하는 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조 방법.
  41. 제22항에 있어서, 상기 반도체 재료는 Ⅲ 내지 Ⅴ, 및 Ⅱ 내지 Ⅵ족의 합성 반도체 재료로부터 선택된 합성 반도체 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  42. 제22항에 있어서, 상기 Ⅲ 내지 Ⅴ족 반도체 재료는 GaAs, InP, InGaAs, InGaAsP, AllnAs 및 AllnAsP으로 구성되는 합성 반도체의 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  43. 제22항에 있어서, 상기 Ⅲ 내지 Ⅴ족 반도체는 GaAs를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
  44. 신속 열 소둔(RTA)의 소둔 공정용 블랙 박스에 있어서, 소둔 상태하에서 적정한 블랙-바디 재료의 부품을 포함하며, 그 부품은 베이스와, 캐비티를 형성하는 상기 베이스상의 환형 안내링과, 상기 캐비티를 폐소시키는 안내링상의 뚜껑을 포함하여 캐비티내에 놓여져 소둔 되어지는 웨이퍼가 그 안에서 완전히 폐쇄되는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  45. 제44항에 있어서, 안내링의 치수가 웨이퍼 및 뚜껑과 안내링의 내벽사이의 충분한 간극을 허락하므로 RTA동안에 웨이퍼의 팽창이 허용되는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  46. 제44항에 있어서, 상기 블랙 박스 재료는 흑연과 실리콘으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  47. 제44항에 있어서, 상기 안내링의 재료는 흑연을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  48. 제44항에 있어서, 안내링과 뚜껑의 재료는 흑연을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  49. 제44항에 있어서, 상기 안내링의 재료는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  50. 제44항에 있어서, 안내링과 뚜껑의 재료는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  51. 제44항에 있어서, 상기 베이스의 재료는 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  52. 제44항에 있어서, 상기 블랙 박스 성분의 내부 표면이 캡슐을 싸는 재료층으로 캡슐을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  53. 제52항에 있어서, 상기 캡슐을 싸는 재료는 인규산 유리, 붕규산 유리, 바이코르(상품명), 및 SiO2로 구성된 그룹으로 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
  54. 제52항에 있어서, 캡슐을 싸는 재료는 2 내지 10몰 퍼센트 P2O5를 함유한 인규산 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 박스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0645131B2 (ja) * 1990-03-28 1994-06-15 日本碍子株式会社 セラミック長尺成形体乾燥用治具
JPH04198095A (ja) * 1990-11-28 1992-07-17 Fujitsu Ltd 化合物半導体薄膜成長方法
DE4140387C2 (de) * 1991-12-07 1998-10-15 Inst Halbleiterphysik Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur verformungsfreien Bearbeitung von Halbleitermaterialscheiben in schnellen thermischen Prozessen
US5820686A (en) * 1993-01-21 1998-10-13 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5444217A (en) 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5580388A (en) * 1993-01-21 1996-12-03 Moore Epitaxial, Inc. Multi-layer susceptor for rapid thermal process reactors
US5680502A (en) * 1995-04-03 1997-10-21 Varian Associates, Inc. Thin film heat treatment apparatus with conductively heated table and surrounding radiation shield
US5830277A (en) * 1995-05-26 1998-11-03 Mattson Technology, Inc. Thermal processing system with supplemental resistive heater and shielded optical pyrometry
US6002109A (en) * 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US5861609A (en) * 1995-10-02 1999-01-19 Kaltenbrunner; Guenter Method and apparatus for rapid thermal processing
US6133550A (en) * 1996-03-22 2000-10-17 Sandia Corporation Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates
JP3563224B2 (ja) * 1996-03-25 2004-09-08 住友電気工業株式会社 半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置
US5837555A (en) * 1996-04-12 1998-11-17 Ast Electronik Apparatus and method for rapid thermal processing
US6046439A (en) * 1996-06-17 2000-04-04 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US6198074B1 (en) 1996-09-06 2001-03-06 Mattson Technology, Inc. System and method for rapid thermal processing with transitional heater
US7470142B2 (en) * 2004-06-21 2008-12-30 Sang-Yun Lee Wafer bonding method
JPH10154713A (ja) * 1996-11-22 1998-06-09 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンウエーハの熱処理方法およびシリコンウエーハ
US5960158A (en) 1997-07-11 1999-09-28 Ag Associates Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber
US6207591B1 (en) * 1997-11-14 2001-03-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Method and equipment for manufacturing semiconductor device
DE19808246B4 (de) * 1998-02-27 2004-05-13 Daimlerchrysler Ag Verfahren zur Herstellung eines mikroelektronischen Halbleiterbauelements mittels Ionenimplatation
US5930456A (en) * 1998-05-14 1999-07-27 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US5970214A (en) * 1998-05-14 1999-10-19 Ag Associates Heating device for semiconductor wafers
US6210484B1 (en) 1998-09-09 2001-04-03 Steag Rtp Systems, Inc. Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers
US6771895B2 (en) 1999-01-06 2004-08-03 Mattson Technology, Inc. Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers
US6303411B1 (en) 1999-05-03 2001-10-16 Vortek Industries Ltd. Spatially resolved temperature measurement and irradiance control
DE19920871B4 (de) * 1999-05-06 2004-07-01 Steag Rtp Systems Gmbh Verfahren zum Aktivieren von Ladungsträgern durch strahlungsunterstützte Wärmebehandlung
US6416318B1 (en) * 1999-06-16 2002-07-09 Silicon Valley Group, Inc. Process chamber assembly with reflective hot plate and pivoting lid
JP2001007039A (ja) 1999-06-18 2001-01-12 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
DE19936081A1 (de) 1999-07-30 2001-02-08 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Temperieren eines Mehrschichtkörpers, sowie ein unter Anwendung des Verfahrens hergestellter Mehrschichtkörper
ATE481741T1 (de) * 1999-10-20 2010-10-15 Saint Gobain Vorrichtung und verfahren zum gleichzeitigen temperieren mehrerer prozessiergüter
WO2001029901A2 (de) * 1999-10-20 2001-04-26 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung und verfahren zum temperieren mindestens eines prozessierguts
JP4577462B2 (ja) * 1999-11-05 2010-11-10 住友電気工業株式会社 半導体の熱処理方法
US6342691B1 (en) 1999-11-12 2002-01-29 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for thermal processing of semiconductor substrates
AU2001252071A1 (en) * 2000-05-19 2001-11-26 Mcmaster University A method for locally modifying the effective bandgap energy in indium gallium arsenide phosphide (ingaasp) quantum well structures
US6797533B2 (en) * 2000-05-19 2004-09-28 Mcmaster University Quantum well intermixing in InGaAsP structures induced by low temperature grown InP
US6599815B1 (en) * 2000-06-30 2003-07-29 Memc Electronic Materials, Inc. Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone
US6594446B2 (en) 2000-12-04 2003-07-15 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
AU2002221405A1 (en) * 2000-12-04 2002-06-18 Vortek Industries Ltd. Heat-treating methods and systems
TW480677B (en) * 2001-04-04 2002-03-21 Macronix Int Co Ltd Method of fabricating a nitride read only memory cell
US7231141B2 (en) * 2001-04-23 2007-06-12 Asm America, Inc. High temperature drop-off of a substrate
US6521503B2 (en) 2001-04-23 2003-02-18 Asm America, Inc. High temperature drop-off of a substrate
KR100431657B1 (ko) * 2001-09-25 2004-05-17 삼성전자주식회사 웨이퍼의 처리 방법 및 처리 장치, 그리고 웨이퍼의 식각방법 및 식각 장치
US7026229B2 (en) * 2001-11-28 2006-04-11 Vartan Semiconductor Equipment Associates, Inc. Athermal annealing with rapid thermal annealing system and method
CN100416243C (zh) * 2001-12-26 2008-09-03 加拿大马特森技术有限公司 测量温度和热处理的方法及系统
US7013091B2 (en) * 2002-01-16 2006-03-14 Pts Corporation Synchronization of pulse and data sources
US20030170583A1 (en) * 2002-03-01 2003-09-11 Hitachi Kokusai Electric Inc. Heat treatment apparatus and a method for fabricating substrates
US6776849B2 (en) * 2002-03-15 2004-08-17 Asm America, Inc. Wafer holder with peripheral lift ring
US6861321B2 (en) 2002-04-05 2005-03-01 Asm America, Inc. Method of loading a wafer onto a wafer holder to reduce thermal shock
DE10234694A1 (de) * 2002-07-30 2004-02-12 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Oxidieren einer Schicht und zugehörige Aufnamevorrichtung für ein Substrat
US6933158B1 (en) * 2002-10-31 2005-08-23 Advanced Micro Devices, Inc. Method of monitoring anneal processes using scatterometry, and system for performing same
FR2846786B1 (fr) * 2002-11-05 2005-06-17 Procede de recuit thermique rapide de tranches a couronne
WO2004057650A1 (en) 2002-12-20 2004-07-08 Mattson Technology Canada, Inc. Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece
WO2004072323A2 (en) * 2003-02-07 2004-08-26 Solaicx High reflectivity atmospheric pressure furnace for preventing contamination of a work piece
JP3929939B2 (ja) * 2003-06-25 2007-06-13 株式会社東芝 処理装置、製造装置、処理方法及び電子装置の製造方法
JP5630935B2 (ja) * 2003-12-19 2014-11-26 マトソン テクノロジー、インコーポレイテッド 工作物の熱誘起運動を抑制する機器及び装置
DE102005030851A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-04 Freiberger Compound Materials Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von III-V-Wafern sowie getemperte III-V-Halbleitereinkristallwafer
EP1739213B1 (de) * 2005-07-01 2011-04-13 Freiberger Compound Materials GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Tempern von III-V-Wafern sowie getemperte III-V-Halbleitereinkristallwafer
TWI327761B (en) * 2005-10-07 2010-07-21 Rohm & Haas Elect Mat Method for making semiconductor wafer and wafer holding article
JP4907222B2 (ja) * 2006-05-01 2012-03-28 三菱電機株式会社 半導体ウエハの加熱装置
JP2008053521A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコンウェーハの熱処理方法
WO2008058397A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-22 Mattson Technology Canada, Inc. Systems and methods for supporting a workpiece during heat-treating
US20080160731A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Dongbu Hitek Co., Ltd. Method for fabricating cmos image sensor
KR101610269B1 (ko) 2008-05-16 2016-04-07 맷슨 테크놀로지, 인크. 워크피스 파손 방지 방법 및 장치
US7943527B2 (en) * 2008-05-30 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Surface preparation for thin film growth by enhanced nucleation
US8912083B2 (en) 2011-01-31 2014-12-16 Nanogram Corporation Silicon substrates with doped surface contacts formed from doped silicon inks and corresponding processes
JP6482180B2 (ja) 2014-03-25 2019-03-13 住友重機械工業株式会社 半導体装置の製造方法
EP3690962A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-05 (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Anordnung, vorrichtung und verfahren zum wärmebehandeln eines mehrschichtkörpers
US11340400B2 (en) 2019-03-06 2022-05-24 Massachusetts Institute Of Technology Hybrid integration for photonic integrated circuits
US11710656B2 (en) 2019-09-30 2023-07-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of forming semiconductor-on-insulator (SOI) substrate
DE102022130610A1 (de) * 2022-11-18 2024-05-23 Ams-Osram International Gmbh Herstellung eines substrats

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58143520A (ja) * 1982-02-22 1983-08-26 Toshiba Corp 半導体結晶の熱処理方法
JPS59136925A (ja) * 1983-01-25 1984-08-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体の熱処理方法
US4698486A (en) * 1984-02-28 1987-10-06 Tamarack Scientific Co., Inc. Method of heating semiconductor wafers in order to achieve annealing, silicide formation, reflow of glass passivation layers, etc.
JPS60239400A (ja) * 1984-05-11 1985-11-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体のアニ−ル法
US4794217A (en) * 1985-04-01 1988-12-27 Qing Hua University Induction system for rapid heat treatment of semiconductor wafers
US4731293A (en) * 1986-06-20 1988-03-15 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Fabrication of devices using phosphorus glasses
US4725565A (en) * 1986-06-26 1988-02-16 Gte Laboratories Incorporated Method of diffusing conductivity type imparting material into III-V compound semiconductor material
JPS648616A (en) * 1987-06-30 1989-01-12 Sharp Kk Lamp annealing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US5011794A (en) 1991-04-30
EP0399662A3 (en) 1992-03-04
KR950014610B1 (ko) 1995-12-11
DE69020802D1 (de) 1995-08-17
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CA2015411A1 (en) 1990-11-01
DE69020802T2 (de) 1995-12-07
CA2015411C (en) 1994-03-15
EP0399662A2 (en) 1990-11-28
ES2074536T3 (es) 1995-09-16
EP0399662B1 (en) 1995-07-12
JPH02303121A (ja) 1990-12-17
JPH0750691B2 (ja) 1995-05-31

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