KR900019045A - 반도체 메모리장치 - Google Patents

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KR900019045A
KR900019045A KR1019900006774A KR900006774A KR900019045A KR 900019045 A KR900019045 A KR 900019045A KR 1019900006774 A KR1019900006774 A KR 1019900006774A KR 900006774 A KR900006774 A KR 900006774A KR 900019045 A KR900019045 A KR 900019045A
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KR
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memory cell
memory device
semiconductor memory
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KR1019900006774A
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KR940000898B1 (ko
Inventor
오사무 마츠모토
히로요시 무라타
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26Sensing or reading circuits; Data output circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories

Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 구성을 나타낸 회로도.

Claims (4)

  1. 프로그램가능한 메모리셀을 매트릭스형태로 배열하여 이루어진 메모리셀어레이(2)를 갖춘 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 메모리셀어레이(2)는 통상의 리드모드로 독출되는 메모리셀(1)과 통상의 리드모드 이외의 모드로 독출되는 메모리셀(9)이 함께 섞여 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 통상의 리드모드로 독출되는 메모리셀(1)과 통상의 리드모드 이외의 모드로 독출되는 메모리셀(9)에 대해 겸용하여 사용되는 기록회로(6-2) 및 독출회로(7)를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  3. 제2항에 있어서, 통상의 리드모드 이외의 모드신호를 발생시키는 수단(11)과, 상기 발생수단(11)에 응답하여 통상의 리드모드 이외의 모드로 독출되는 메모리셀(9)을 선택하는 신호를 발생시키는 선택수단(6-1), 상기 독출수단(7)의 출력을 래치시키는 래치수단(8)을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 발생수단(11)은 전원투입 직후에 상기 모드신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900006774A 1989-05-12 1990-05-12 반도체 메모리장치 KR940000898B1 (ko)

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JP1119506A JPH02299039A (ja) 1989-05-12 1989-05-12 半導体メモリ装置
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JP1-119506 1989-05-12

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KR900019045A true KR900019045A (ko) 1990-12-22
KR940000898B1 KR940000898B1 (ko) 1994-02-04

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EP (1) EP0397194A3 (ko)
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KR940000898B1 (ko) 1994-02-04
JPH02299039A (ja) 1990-12-11
EP0397194A3 (en) 1992-02-26
EP0397194A2 (en) 1990-11-14

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