KR900019045A - 반도체 메모리장치 - Google Patents
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
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- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 구성을 나타낸 회로도.
Claims (4)
- 프로그램가능한 메모리셀을 매트릭스형태로 배열하여 이루어진 메모리셀어레이(2)를 갖춘 반도체 메모리장치에 있어서, 상기 메모리셀어레이(2)는 통상의 리드모드로 독출되는 메모리셀(1)과 통상의 리드모드 이외의 모드로 독출되는 메모리셀(9)이 함께 섞여 있는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 제1항에 있어서, 상기 통상의 리드모드로 독출되는 메모리셀(1)과 통상의 리드모드 이외의 모드로 독출되는 메모리셀(9)에 대해 겸용하여 사용되는 기록회로(6-2) 및 독출회로(7)를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 제2항에 있어서, 통상의 리드모드 이외의 모드신호를 발생시키는 수단(11)과, 상기 발생수단(11)에 응답하여 통상의 리드모드 이외의 모드로 독출되는 메모리셀(9)을 선택하는 신호를 발생시키는 선택수단(6-1), 상기 독출수단(7)의 출력을 래치시키는 래치수단(8)을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 제3항에 있어서, 상기 발생수단(11)은 전원투입 직후에 상기 모드신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
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JP1119506A JPH02299039A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体メモリ装置 |
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Family
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
KR1019900006774A KR940000898B1 (ko) | 1989-05-12 | 1990-05-12 | 반도체 메모리장치 |
Country Status (3)
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- 1989-05-12 JP JP1119506A patent/JPH02299039A/ja active Pending
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1990
- 1990-05-11 EP EP19900108913 patent/EP0397194A3/en not_active Withdrawn
- 1990-05-12 KR KR1019900006774A patent/KR940000898B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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