JPS61148698A - 紫外線消去型半導体不揮発性メモリ - Google Patents

紫外線消去型半導体不揮発性メモリ

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Publication number
JPS61148698A
JPS61148698A JP59269813A JP26981384A JPS61148698A JP S61148698 A JPS61148698 A JP S61148698A JP 59269813 A JP59269813 A JP 59269813A JP 26981384 A JP26981384 A JP 26981384A JP S61148698 A JPS61148698 A JP S61148698A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory cell
cell array
inspection
access time
volatile memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59269813A
Other languages
English (en)
Inventor
Shinichi Hatakeyama
畠山 伸一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP59269813A priority Critical patent/JPS61148698A/ja
Publication of JPS61148698A publication Critical patent/JPS61148698A/ja
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は紫外線消去型半導体不揮発性メモリ(以下UV
−KFROMと略す)に関するものである。
従来の技術 UV−EFROMの製造上の検査工程の代表的なフロー
を第3図に示す。「フェノ・・テスト」ではDC試験、
書き込み、読み出し試験を行う。「組立て」、「消去」
の後、「検査1」では全ビット消去されているかをチェ
ックする。「バーン・イン」ではバイアスを印加した状
態で高温下にさらし、「検査2」で誤書き込みされてい
ないかをチェックし、さらに再び全ピットを書き込む。
次に「ベーク」で高温放置した後、「検査3」でデータ
の消失がないかをチェックする。再び「消去」した後、
「検査4」で特定のパターンを書き込み、アクセス時間
の測定、その他の特性を測定し、さらに「消去」し、「
検査6」で全ビット消去されているかをチェックする。
発明が解決しようとする問題点 以上のようにUV−ICPROMの検査の工程数が多い
ので、この技術的検討項目をおとすことなく、検査工程
数−を少しでも減少させることは製造技術上の強い要望
である。
本発明は、UV−11:FROMの検査工程を短縮する
紫外線消去型半導体不揮発性メモリを提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段 本発明は、外部からの信号を蓄積、または消去すること
のできる多数個の不揮発性メモリセルアレイ構成に、ア
クセス時間を測定するためのメモリ要素を付加した紫外
線消去型半導体不揮発性メモリである。
作用 本発明のUV−EFROMは、アクセス時間の測定のた
めに、1個ないし複数の余分なメモリセルを設け、これ
によって、構成要素中のメモリセル全体のアクセス特性
を代表させ、同メモリセルのアクセス時間を適時に測定
して、検査に要する全工程所要時間の短縮が可能である
実施例 第1図に本発明実施例装置の概略構成図を示す。
Qが構成UV−ICPROM中のメモリ・セル・アレイ
、Qlがアクセスタイムを測定するために付加されたメ
モリ・セル・トランジスタである。
このように余分なメモリ・セルQlを設けることによっ
て、本体のメモリ・セル・アレイQのすべてのトランジ
スタが書き込まれていても、付加メモリセルQlが書き
込まれていなければ、メモリ・セル・アレイQの中の1
つのトランジスタと同等な付加メモリセルQlをアクセ
スしてアクセス時間を測定することが可能となる。
従って本発明を用いた場合、検査工程は第2図のように
なる。第2図で、「検査3」の状態ではすべてのメモリ
・セルは書き込まれているが、本発明のアクセス時間測
定のためのメモリ・セルを′設けることにより、アクセ
ス時間が測定可能となる。従って、従来の場合の検査7
0一工程の第3図に比べ、消去と検査を1工程づつ省略
できる。
発明の効果 本発明によると技術上の効果をそこなうことな(UV−
1!:FROMの検査工程を短縮できる紫外線消去型半
導体不揮発性メモリを提供することができる0
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の概略構成図、第2図は本発明を用いた
場合のUV−EFROMの検査フロ一工程図、第3図は
従来のUV−KFROMの検査フロ一工程図である。 Q・・・・・本体メモリセルアレイ、Ql・・・・・検
査用付加メモリセル。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  外部からの信号を蓄積、又は消去することのできる多
    数個の不揮発性メモリセルアレイ構成に、アクセス時間
    を測定するためのメモリ要素を付加したことを特徴とす
    る紫外線消去型半導体不揮発性メモリ。
JP59269813A 1984-12-20 1984-12-20 紫外線消去型半導体不揮発性メモリ Pending JPS61148698A (ja)

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JPS61148698A true JPS61148698A (ja) 1986-07-07

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63276794A (ja) * 1987-05-07 1988-11-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JPH02299039A (ja) * 1989-05-12 1990-12-11 Toshiba Corp 半導体メモリ装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63276794A (ja) * 1987-05-07 1988-11-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
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