JPS61148698A - 紫外線消去型半導体不揮発性メモリ - Google Patents
紫外線消去型半導体不揮発性メモリInfo
- Publication number
- JPS61148698A JPS61148698A JP59269813A JP26981384A JPS61148698A JP S61148698 A JPS61148698 A JP S61148698A JP 59269813 A JP59269813 A JP 59269813A JP 26981384 A JP26981384 A JP 26981384A JP S61148698 A JPS61148698 A JP S61148698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- cell array
- inspection
- access time
- volatile memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は紫外線消去型半導体不揮発性メモリ（以下ＵＶ
−ＫＦＲＯＭと略す）に関するものである。
−ＫＦＲＯＭと略す）に関するものである。
従来の技術
ＵＶ−ＥＦＲＯＭの製造上の検査工程の代表的なフロー
を第３図に示す。「フェノ・・テスト」ではＤＣ試験、
書き込み、読み出し試験を行う。「組立て」、「消去」
の後、「検査１」では全ビット消去されているかをチェ
ックする。「バーン・イン」ではバイアスを印加した状
態で高温下にさらし、「検査２」で誤書き込みされてい
ないかをチェックし、さらに再び全ピットを書き込む。
を第３図に示す。「フェノ・・テスト」ではＤＣ試験、
書き込み、読み出し試験を行う。「組立て」、「消去」
の後、「検査１」では全ビット消去されているかをチェ
ックする。「バーン・イン」ではバイアスを印加した状
態で高温下にさらし、「検査２」で誤書き込みされてい
ないかをチェックし、さらに再び全ピットを書き込む。
次に「ベーク」で高温放置した後、「検査３」でデータ
の消失がないかをチェックする。再び「消去」した後、
「検査４」で特定のパターンを書き込み、アクセス時間
の測定、その他の特性を測定し、さらに「消去」し、「
検査６」で全ビット消去されているかをチェックする。
の消失がないかをチェックする。再び「消去」した後、
「検査４」で特定のパターンを書き込み、アクセス時間
の測定、その他の特性を測定し、さらに「消去」し、「
検査６」で全ビット消去されているかをチェックする。
発明が解決しようとする問題点
以上のようにＵＶ−ＩＣＰＲＯＭの検査の工程数が多い
ので、この技術的検討項目をおとすことなく、検査工程
数−を少しでも減少させることは製造技術上の強い要望
である。
ので、この技術的検討項目をおとすことなく、検査工程
数−を少しでも減少させることは製造技術上の強い要望
である。
本発明は、ＵＶ−１１：ＦＲＯＭの検査工程を短縮する
紫外線消去型半導体不揮発性メモリを提供するものであ
る。
紫外線消去型半導体不揮発性メモリを提供するものであ
る。
問題点を解決するための手段
本発明は、外部からの信号を蓄積、または消去すること
のできる多数個の不揮発性メモリセルアレイ構成に、ア
クセス時間を測定するためのメモリ要素を付加した紫外
線消去型半導体不揮発性メモリである。
のできる多数個の不揮発性メモリセルアレイ構成に、ア
クセス時間を測定するためのメモリ要素を付加した紫外
線消去型半導体不揮発性メモリである。
作用
本発明のＵＶ−ＥＦＲＯＭは、アクセス時間の測定のた
めに、１個ないし複数の余分なメモリセルを設け、これ
によって、構成要素中のメモリセル全体のアクセス特性
を代表させ、同メモリセルのアクセス時間を適時に測定
して、検査に要する全工程所要時間の短縮が可能である
。
めに、１個ないし複数の余分なメモリセルを設け、これ
によって、構成要素中のメモリセル全体のアクセス特性
を代表させ、同メモリセルのアクセス時間を適時に測定
して、検査に要する全工程所要時間の短縮が可能である
。
実施例
第１図に本発明実施例装置の概略構成図を示す。
Ｑが構成ＵＶ−ＩＣＰＲＯＭ中のメモリ・セル・アレイ
、Ｑｌがアクセスタイムを測定するために付加されたメ
モリ・セル・トランジスタである。
、Ｑｌがアクセスタイムを測定するために付加されたメ
モリ・セル・トランジスタである。
このように余分なメモリ・セルＱｌを設けることによっ
て、本体のメモリ・セル・アレイＱのすべてのトランジ
スタが書き込まれていても、付加メモリセルＱｌが書き
込まれていなければ、メモリ・セル・アレイＱの中の１
つのトランジスタと同等な付加メモリセルＱｌをアクセ
スしてアクセス時間を測定することが可能となる。
て、本体のメモリ・セル・アレイＱのすべてのトランジ
スタが書き込まれていても、付加メモリセルＱｌが書き
込まれていなければ、メモリ・セル・アレイＱの中の１
つのトランジスタと同等な付加メモリセルＱｌをアクセ
スしてアクセス時間を測定することが可能となる。
従って本発明を用いた場合、検査工程は第２図のように
なる。第２図で、「検査３」の状態ではすべてのメモリ
・セルは書き込まれているが、本発明のアクセス時間測
定のためのメモリ・セルを′設けることにより、アクセ
ス時間が測定可能となる。従って、従来の場合の検査７
０一工程の第３図に比べ、消去と検査を１工程づつ省略
できる。
なる。第２図で、「検査３」の状態ではすべてのメモリ
・セルは書き込まれているが、本発明のアクセス時間測
定のためのメモリ・セルを′設けることにより、アクセ
ス時間が測定可能となる。従って、従来の場合の検査７
０一工程の第３図に比べ、消去と検査を１工程づつ省略
できる。
発明の効果
本発明によると技術上の効果をそこなうことな（ＵＶ−
１！：ＦＲＯＭの検査工程を短縮できる紫外線消去型半
導体不揮発性メモリを提供することができる０
１！：ＦＲＯＭの検査工程を短縮できる紫外線消去型半
導体不揮発性メモリを提供することができる０
第１図は本発明の概略構成図、第２図は本発明を用いた
場合のＵＶ−ＥＦＲＯＭの検査フロ一工程図、第３図は
従来のＵＶ−ＫＦＲＯＭの検査フロ一工程図である。 Ｑ・・・・・本体メモリセルアレイ、Ｑｌ・・・・・検
査用付加メモリセル。
場合のＵＶ−ＥＦＲＯＭの検査フロ一工程図、第３図は
従来のＵＶ−ＫＦＲＯＭの検査フロ一工程図である。 Ｑ・・・・・本体メモリセルアレイ、Ｑｌ・・・・・検
査用付加メモリセル。
Claims (1)
- 外部からの信号を蓄積、又は消去することのできる多
数個の不揮発性メモリセルアレイ構成に、アクセス時間
を測定するためのメモリ要素を付加したことを特徴とす
る紫外線消去型半導体不揮発性メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269813A JPS61148698A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 紫外線消去型半導体不揮発性メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59269813A JPS61148698A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 紫外線消去型半導体不揮発性メモリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148698A true JPS61148698A (ja) | 1986-07-07 |
Family
ID=17477526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59269813A Pending JPS61148698A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 紫外線消去型半導体不揮発性メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148698A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63276794A (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| JPH02299039A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-11 | Toshiba Corp | 半導体メモリ装置 |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP59269813A patent/JPS61148698A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63276794A (ja) * | 1987-05-07 | 1988-11-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
| JPH02299039A (ja) * | 1989-05-12 | 1990-12-11 | Toshiba Corp | 半導体メモリ装置 |
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