KR900018734A - 감광성조성물, 그것을 사용한 패턴형성방법 및 고분자화합물 - Google Patents

감광성조성물, 그것을 사용한 패턴형성방법 및 고분자화합물 Download PDF

Info

Publication number
KR900018734A
KR900018734A KR1019890007171A KR890007171A KR900018734A KR 900018734 A KR900018734 A KR 900018734A KR 1019890007171 A KR1019890007171 A KR 1019890007171A KR 890007171 A KR890007171 A KR 890007171A KR 900018734 A KR900018734 A KR 900018734A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
monomer unit
water
photosensitive
copolymer
vinyl
Prior art date
Application number
KR1019890007171A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910006196B1 (ko
Inventor
하지메 모리시다
노브아끼 하야시
사브로오 노노가끼
미찌아끼 하시모도
마사도 이도오
마사히로 니시자와
기요시 미우라
요시유끼 오다까
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미다 가쓰시게, 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 filed Critical 미다 가쓰시게
Publication of KR900018734A publication Critical patent/KR900018734A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910006196B1 publication Critical patent/KR910006196B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/008—Azides
    • G03F7/012—Macromolecular azides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/04—Chromates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

감광성조성물, 그것을 사용한 패턴형성방법 및 고분자화합물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 아지드폴리머공중합체에 있어서의 데이온의 크기와 감도와의 관계를 표시한 도면.

Claims (4)

  1. (1)수용성비감광모노머단위 및 아지드기 및 전해성관능기를 가진 모너머단위를 적어도 함유한 공중합체 및 (2) 이 공중합체와 반응해서 상반칙불궤특성을 표시하는 수용성고분자 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 감광성 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수용성 비감광성모노머단위의 양은 공중합체속의 10∼40%의 범위이고, 상기 아지드기 및 전해성관능기를 가진 모노머단위의 양은 공중합체속의 90%미만, 10%이상인 감광성조성물.
  3. 소망의 패턴을 형성코저하는 면위에 , 수용성 비감광성모노머단위 및 아지드기 및 전해성관능 기를 가진 모노머단위를 적어도 함유한 공중합체와, 상기 공중합체와 반응해서 상반칙불궤특성을 표시한 수용성 고분자 화합물로 이루어진 감광성조성물의 도막을 형성하는 공정, 이 감광성조성물의 도막에 산소가 존재하는 조건에 있어서 소망의 패턴의 노광을 행하는 공정, 상기 도막을 현상해서 광조사구역보다 실질적으로 작은 면적의 패턴을 형성하는 공정을 가진 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  4. 수용성 비감광성모노머단위 및 비닐아지드벤질리덴아세토네페논술폰산, 비닐아지드벤질리덴 아세토페논 카르복실산, 비닐아지드나밀리덴아세토페논술폰산, 비닐아지드신나밀덴사에소페톤카르복시산 및 이들의 염으로부터 선택된 적어도 1종의 모노머 단위를 적어도 함유하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890007171A 1988-05-31 1989-05-29 감광성조성물, 그것을 사용한 패턴형성방법 및 고분자화합물 KR910006196B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63-134177 1988-05-31
JP134177 1988-05-31
JP63134177A JP2628692B2 (ja) 1988-05-31 1988-05-31 パターン形成方法及びカラーブラウン管の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900018734A true KR900018734A (ko) 1990-12-22
KR910006196B1 KR910006196B1 (ko) 1991-08-16

Family

ID=15122245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890007171A KR910006196B1 (ko) 1988-05-31 1989-05-29 감광성조성물, 그것을 사용한 패턴형성방법 및 고분자화합물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5024920A (ko)
JP (1) JP2628692B2 (ko)
KR (1) KR910006196B1 (ko)
CN (1) CN1032030C (ko)
IT (1) IT1230793B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6027849A (en) * 1992-03-23 2000-02-22 Imation Corp. Ablative imageable element
JPH06258823A (ja) * 1993-03-05 1994-09-16 Sanyo Chem Ind Ltd 感光性樹脂
US5725978A (en) * 1995-01-31 1998-03-10 Basf Aktiengesellschaft Water-soluble photosensitive resin composition and a method of forming black matrix patterns using the same
US5866296A (en) * 1996-01-25 1999-02-02 Toyo Gosei Co., Ltd. Photosensitive resin composition
KR19980020614A (ko) * 1996-09-10 1998-06-25 손욱 감광성 수지 조성물, 그 제조방법 및 그 감광성 수지 조성물을 이용한 패턴의 형성방법
KR100428614B1 (ko) * 1997-07-29 2004-07-16 삼성에스디아이 주식회사 형광체 슬러리 조성물
KR100458566B1 (ko) * 1997-07-29 2005-04-20 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스또는형광막형성용수용성고분자및그제조방법
KR100450214B1 (ko) * 1997-07-29 2004-12-03 삼성에스디아이 주식회사 접착력보강포토레지스트조성물
KR100450215B1 (ko) * 1997-07-29 2004-12-03 삼성에스디아이 주식회사 접착력보강형광막용슬러리및형광막패턴형성방법
US6342330B2 (en) 1998-09-24 2002-01-29 Toyo Gosei Kogyo Co., Ltd. Photosensitive compositions and pattern formation method
KR20020077948A (ko) 2001-04-03 2002-10-18 삼성에스디아이 주식회사 칼라음극선관용 포토레지스트 제조용 단량체,칼라음극선관용 포토레지스트 중합체, 칼라음극선관용포토레지스트 조성물 및 칼라음극선관용 형광막 조성물

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE549814A (ko) * 1955-07-29
JPS5137138B2 (ko) * 1972-01-26 1976-10-14
US4086090A (en) * 1973-07-25 1978-04-25 Hitachi, Ltd. Formation of pattern using acrylamide-diacetoneacrylamide copolymer
JPS5239289B2 (ko) * 1974-07-01 1977-10-04
JPS5660431A (en) * 1979-10-24 1981-05-25 Hitachi Ltd Photosensitive composition and pattern forming method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2628692B2 (ja) 1997-07-09
IT8920689A0 (it) 1989-05-30
CN1038356A (zh) 1989-12-27
JPH01302348A (ja) 1989-12-06
IT1230793B (it) 1991-10-29
US5024920A (en) 1991-06-18
CN1032030C (zh) 1996-06-12
KR910006196B1 (ko) 1991-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870011507A (ko) 카르복시 벤조트리아졸을 함유한 감광성 조성물
KR900018734A (ko) 감광성조성물, 그것을 사용한 패턴형성방법 및 고분자화합물
KR850001792A (ko) 2-히드록시-5-아크릴일옥시페닐-2h-벤조트리아졸-함유 자외선 흡수 중합체 조성물
KR900009723A (ko) 소공을 가지는 합성수지 에멀션 입자의 제조방법
JPS5666841A (en) Photographic material
CA1164261A (en) PROCESS FOR FORMING RESIST PATTERNS BY DEVELOPING A POLYMER CONTAINING TRIFLUOROETHYL-.alpha.- CHLOROCRYLATE UNITS WITH SPECIFIC KETONE COMPOUNDS
JPS57157240A (en) Support for photographic paper
KR920702395A (ko) 수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 광학제품
US3841874A (en) Method for improving the photographic characteristics of vesicular photographic materials
KR860000413A (ko) 동 또는 동합금 기재표면에의 내부식성 피막 형성방법
KR900001738A (ko) 요부를 갖는 편평상 에멀션 입자, 및 그의 제조방법
EP0080241B1 (en) Diazotype material
JPS5782091A (en) Pressure sensitive developing sheet for reproduction
GB1517843A (en) Photosensitive vesicular materials
US4266004A (en) Photoimageable material of polymeric material having organic sulfide and photo-oxidation sensitizer
CA1093886A (en) Method of preventing the formation of contact spots on photographic materials
US3306745A (en) Photopolymerizable compositions, elements and processes
JPS56130747A (en) Improving method for shelf life of color image
KR830003543A (ko) 감광성 조성물 및 패턴형성방법
KR920701261A (ko) 수성 에멀션
US4339520A (en) Light-sensitive vesicular material
JPS5667848A (en) Photosensitive resin composition
JPS5321224A (en) Coating compositions
US3585037A (en) Light sensitive element for preparing etching resist for gravure purposes
KR890015072A (ko) 네가티브형 감광성 조성물 및 패턴형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030801

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee