KR100458566B1 - 블랙매트릭스또는형광막형성용수용성고분자및그제조방법 - Google Patents

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Abstract

아크릴아미드 또는 디아세톤아크릴아미드의 단량체, 비닐계 실란 및 순수 그리고 개시제를 반응시켜 하기의 화학식 1로 나타내어지는 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드 공중합체를 얻을 수 있으며, 이 공중합체는 고분자 사슬에 비닐계 실란을 도입함으로써 주로 칼라 음극선관에서 블랙매트릭스 또는 형광막 형성시 유리패널과 강한 접착력을 가진다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서 m:n=3.5:1이고, 상기 R은 메톡시기, 에톡시기, 메틸기 및 2-메톡시에톡시기로 이루어진 군에서 선택된다.

Description

블랙매트릭스 또는 형광막 형성용 수용성 고분자 및 그 제조방법
[산업상 이용 분야]
본 발명은 블랙매트릭스 또는 형광막 형성용 수용성 고분자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 칼라 음극선관의 내면의 막인 블랙매트릭스 및 형광면의 형성시 유기 패널과의 접착력이 우수한 수용성 고분자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
[종래 기술]
음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)의 형광면은 전자빔의 에너지를 광에너지로 변환시키는 곳으로서, 전자가 관찰자의 반대쪽에서 패널에 형성된 형광면의 형광체에 충돌함으로써 발광된다. 음극선관의 형광면의 제조공정은 다음과 같다. 우선 세정을 끝낸 패널 내면에 포토레지스트를 도포하고 노광한 후에 현상, 흑연(graphite) 도포, 식각(etching)의 공정을 거쳐 흑연 스트립(stripe)을 형성하여 블랙매트릭스를 형성한다. 블랙매트릭스를 형성한 후에 블랙매트릭스 사이로 형광체 층을 도포하고, 유기 피막을 형성하는 필르밍(firming)을 행하고 나서 알루미늄 증착(deposition)으로 알루미늄 막을 형성한다. 열처리를 행하여 형광면에 남아 있는 유기물질을 분해하여 제거한다. 여기서 형광면을 형성하는 과정은 주로 슬러리(slurry)법이 사용된다. 형광체 슬러리는 폴리비닐알코올(polyvinylalcohol: PVA)과 중크롬산 나트륨(sodium dichromate: SDC) 또는 중크롬산암모늄(ammonium dichromate: ADC)의 용액에 형광체를 현탁시켜 사용하는 것이 일반적이며, 이 밖에도 폴리비닐알코올 및 디아조(diazo) 화합물의 혼합용액을 사용하거나 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone: PVP) 및 디아조 화합물의 혼합용액을 사용하고 있다.
상기한 형광체 슬러리를 노즐을 통해 패널 내면에 회전 도포하고 적외선 히터에서 건조한 후 새도우 마스크(shadow mask)를 장착하여 패널 내면에 형성된 감광성 막을 자외선으로 감광하여 경화되게 한 후, 물로 현상하여 형광체 패턴(pattern)을 형성한다. 이와 같은 과정을 적색, 녹색 및 청색(R.G.B) 형광체로 반복하여 3색의 형광체 패턴을 형성한다.
한편, 미국특허 제3,917,794호 및 미국특허 제4,086,090호에서는 상반측 불궤특성을 갖는 포토레지스트 조성물을 이용하여 패턴을 형성하는 방법으로서, 폴리비닐피롤리돈과 비닐피롤리돈의 공중합체 또는 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드의 공중합체 등의 수용성 고분자와 감광제로서 수용성 비스아지드를 함유한 포토레지스트 조성물을 제조하는 방법이 개시되어 있다. 상기에서 수용성 비스아지드 화합물은 4,4'-디아지드벤잘아세토페논-2-설포네이트(4,4'-diazidobenzalacetophenone-2-sulfonate), 4,4'-디아지도스틸벤-2,2'-디설포네이트(4,4'-diazidostilbene-2,2'-disulphonate), 4,4'-디아지도스틸벤-γ-카르복실산(4,4'-diazidostilbene-γ-carboxylic acid)이 사용되며, 접착력 보강제로는 수용성 알콕시실란, 예를 들면 비닐트리스(β-메톡시에톡시)실란(vinyltris (β-methoxyethoxy)silane), N-β(아미노에틸)-아미노프로필메틸-디메톡시실란(N-β(aminoethyl)-aminopropylmethyl-dimethoxysilane) 및 N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란(N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltrimethoxysilane)이 개시되어 있다.
주로 음극선관 내면의 막인 블랙 매트릭스 및 형광면의 형성시 수용성 고분자로 사용되는 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체는 상반측 불궤특성(reciprocity-law failure)을 가지고 있는 고분자로서 음극선관 내면의 도트 형성시 근접한 도트가 겹치지 않는 범위 내에서 최대 크기의 도트를 형성시켜 전자빔의 랜딩 허용(landing allowance)을 높일 수 있고, 또한 노광 후 암반응에 의해서 교차결합 범위(crosslinkage region)가 증가되는 반응이 일어나지 않아서 일정한 크기의 도트가 형성되게 한다.
그리하여 기존의 블랙매트릭스용 포토레지스트 조성물은 수용성 고분자인 폴리비닐피롤리돈 또는 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드의 공중합체와 비스아지드(bisazide)계 감광제인 DAS(4,4-diazidostilbene-2,2-disulfonic acid), 접착력 보강제인 실란(silane)계 화합물 N-아미노에틸-3-아미노프로필-트리메톡시실란(N-aminoethyl-3-aminopropyl-trimethoxysilane), 계면활성제 등으로 이루어져 있다.
그런데, 상기의 조성물 성분 중에서 접착력 보강을 위해 첨가하는 실란계 화합물 N-아미노에틸-3-아미노프로필-트리메톡시실란은 다른 첨가제와의 반응성이 있어 첨가제 선정시 제약이 따르며 염기성에서 안정한 물질이므로 전체 포토레지스트 조성액을 암모니아수 등으로 pH 7~10정도로 조절해 주어야 하므로 포토레지스트 용액 제조시 많은 불편이 따르며 작업성이 떨어진다. 또한 고분자 대비 5~15% 정도 첨가되므로 양을 무시할 수 없고 감광제를 제외하고 블랙매트릭스막용 감광성 수지 조성물의 성분들 중에서 ㎏당 단가도 제일 비싸다는 문제점을 가지고 있다.
상기와 같은 접착력 보강제의 문제점을 해결하기 위하여 미국특허 제4,469,629호에서는 수용성 고분자로서 하기의 화학식 2와 같은 폴리아미노실란을 사용하고 있다.
[화학식 2]
H2N(CH2CH2NH)nCH2CH2CH2Si(OR')3
상기 화학식 2에서 R'는 메틸기 또는 에틸기이고 2 내지 10의 정수이다.
이 접착력 보강제를 포함하는 포토레지스트 조성물은 유리 패널에 대한 높은 접착력, 고민감성, 높은 해상도를 갖고 내부식성 포토레지스트막을 형성할 수 있으며 공해오염의 우려가 없는 장점을 가지고 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 첫째, 다른 첨가물과 반응성이 있어 첨가제 선정이 어렵고 pH 조절로 인하여 용액의 제조시 작업성이 떨어지며 단가가 비싼 실란계 접착력 보강재의 단점을 해결하고, 둘째, 동시에 기존 수용성 고분자의 상반측 불궤특성의 장점을 살리며, 셋째, 고분자 자체의 유리 패널에 대한 접착력을 보강한 수용성 고분자 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하기의 화학식 1로 나타내어지는 블랙매트릭스 또는 형광막 형성용 수용성 고분자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서 m:n=3.5:1이고, 상기 R은 메톡시기, 에톡시기, 메틸기 및 2-메톡시에톡시기로 이루어진 군에서 선택된다.
또한 본 발명에 있어서, 아크릴아미드의 단량체, 비닐계 실란 및 순수를 혼합하는 공정과 상기 혼합물의 온도를 25℃에서 55℃로 상승시키고 55℃에 도달하였을 때에 상기 혼합물에 개시제를 3시간동안 첨가하여 반응시키는 공정과 상기 혼합물을 냉각시키는 공정을 포함하는 블랙매트릭스 또는 형광막 형성용 수용성 고분자의 제조방법을 제공한다.
상기의 제조방법에서 비닐계 실란은 비닐트리메톡시 실란(vinyltrimethoxy silane), 비닐트리에톡시 실란(vinylethoxy silane), 비닐트리메틸 실란(vinyltrimethyl silane) 및 비닐트리스(2-메톡시에톡시) 실란(vinyltris(2-methoxyethoxy) silane)으로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
또한 상기 아크릴아미드를 기준으로 디아세톤아크릴아미드의 몰비가 0~50이 되도록 디아세톤아크릴아미드를 더욱 포함하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1~10이 되도록 디아세톤아크릴아미드를 더욱 포함한다. 그런데, 상기 몰비가 50을 초과하였을 때에는 접착력이 현저히 저하되어 막이 형성되지 않는다.
또한 상기 아크릴아미드를 기준으로 비닐계 실란의 몰비가 0.001~20이 되도록 비닐계 실란을 더욱 포함하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.01~5가 되도록 비닐계 실란을 더욱 포함한다. 상기 몰비가 20을 초과하였을 때에는 합성시 점도가 너무 높아 겔이 형성된다.
상기에 사용된 개시제로는 O-O 라디칼을 갖는 퍼옥사이드계 개시제인 Na2S2O8, (NH4)2S2O8, K2S2O8 및 N-N 라디칼을 갖는 아조비스이소부티로니트릴(azobisisobutylronitrile, AIBN)계 개시제로 이루어진 군에서 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 주로 음극선관 내면의 막인 블랙매트릭스 및 형광면의 형성시 사용되는 수용성 고분자인 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체의 합성시 단량체에 비닐계 실란을 첨가하여 중합함으로써 고분자 사슬에 비닐실란을 삽입시켜 상반측 불궤특성의 장점을 살리면서도 고분자 자체의 유리 패널에 대한 접착력을 보강된 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체를 합성하였다. 이 합성방법의 반응식은 다음과 같다.
[반응식 1]
Figure pat00008
상기 반응식에서 m은 m:n=3.5:1이고, 상기 R은 메톡시기, 에톡시기, 메틸기 및 2-메톡시에톡시기로 이루어진 군에서 선택된다.
상기의 반응식에서 나타난 바와 같이 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드 단량체를 공중합시킬 때 비닐 실란을 단량체로서 첨가하여 합성하여 접착력이 보강된 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체가 얻는다.
상기에서 얻은 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체는 음극선관 내면의 막인 블랙매트릭스 막 형성공정뿐만 아니라 형광막 제조공정에 응용할 수 있다. 상기한 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체를 사용함으로써 유리에 대한 접착력을 높일 수 있으며 접착력 보강제인 실란계 물질 N-아미노에틸-3-아미노프로필-트리메톡시실란을 소량만 사용하거나 또는 사용하지 않아도 블랙매트릭스막 형성이 가능하게 된다. 또한 크롬이 없는 슬러리 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체-디아조 레진 시스템은 기존의 PVA-SDC 시스템에 비해 접착력이 약한 결점이 있었으나 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체 대신 접착력이 보강된 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체를 사용하여 접착력을 보강시킬 수 있다.
다음은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나 하기의 실시예들은 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐 본 발명이 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예
단량체인 아크릴아미이드 및 디아세톤아크릴아미드 (몰비=1:3.58) 50g과 비닐실란계 물질인 비닐트리스 (2-메톡시에톡시)-실란 2g, 순수 923g을 넣고 질소를 용액 중에 불어 넣어주면서 교반한 뒤 온도를 서서히 올려 55℃에 이르게 하였다. 그 뒤 퍼옥사이드계 또는 AIBN 계통의 개시제 0.8g/25㎖를 첨가하여 반응이 급격히 진행되게 하고 3시간동안 55℃로 유지한 뒤 계속 교반하면서 상온까지 냉각하여 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드 공중합체를 얻었다.
상기와 같이 얻은 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드 공중합체를 확인하기 위하여 GPC와 EDS 분석을 하였다. GPC의 결과는 표 1 및 도 1에 나타내었다.
[표 1]
Figure pat00004
상기 표에서 Mp는 피크치에서의 분자량, Mn은 수-평균(number-average) 분자량, Mw는 중량-평균(weight-average) 분자량 및 Mz는 Z-평균(Z-average) 분자량을 나타내며, 이들은 고분자의 분자량을 나타낸다. 아크릴아미이드의 분자량은 71.08g/mol이고, 디아세톤아크릴아미드의 분자량 169.22g/mol 그리고 비닐트리스(2-메톡시에톡시)-실란의 분자량 280.39g/mol이며 상기의 표 1에서 중량-평균 분자량이 1,430,352이므로 중합도는 대략 5952정도이다.
도 2는 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체의 EDS 분석한 결과의 그래프이다. EDS는 시료의 표면에 전자빔을 조사시키게 되면 시료 내부에 존재하고 있는 에너지를 받아서 엑스선을 방출하게 되고 이 엑스선의 위치와 세기로부터 구성원소와 함량을 분석할 수 있다. 합성한 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체 고분자를 아세톤 및 알코올류로 세척한 뒤 건조하여 EDS를 실시한 결과 고분자 사슬 안에 실리콘이 검출됨으로써 비닐 실란이 단량체로서 사슬 안에 삽입되었음을 알 수 있었다.
상기와 같은 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드의 공중합체는 전체 조성물에 대하여 2.7중량% 그리고 감광제 DAS는 상기 고분자 고형분에 대비하여 15중량% 및 계면활성제는 상기 고분자 고형분에 대비하여 2중량%을 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하였다. 패널을 세정하고 상기의 포토레지스트 조성물을 도포한 후에 건조하고 노광하였다. 그리고 나서 저압현상 및 건조시켰다. 포토레지스트 조성물가 도포되어 있는 패널의 상부에 흑연을 도포하고 건조시킨 후에 에칭액을 도포, 고압현상 및 건조시켜 블랙매트릭스막을 형성하였다.
비교예
수용성 고분자 폴리비닐피롤리돈 또는 PAD는 전체 조성물에 대하여 2.7중량% 그리고 감광제 DAS는 상기 고분자 고형분에 대비하여 15중량%, 접착력 보강제 N-아미노에틸-3-아미노프로필-트리메톡시실란인 A1120은 상기 고분자 고형분에 대비하여 10중량% 및 계면활성제는 상기 고분자 고형분에 대비하여 2중량%을 혼합하여 포토레지스트 조성물을 제조하여 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예와 동일하게 실시하였다.
상기의 실시예 및 비교예에서 제조한 블랙매트릭스막을 현미경을 이용하여 육안으로 관찰한 결과 유리패널과 강한 접착성을 나타내었다.
수용성 고분자인 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드 공중합체 합성시 단량체에 비닐계 실란을 첨가하여 중합함으로써 접착력이 강화된 고분자를 얻을 수 있다. 또한 이 아크릴아미드와 디아세톤아크릴아미드 공중합체는 음극선관 제조시 브라운관 내면의 막인 블랙매트릭스막과 형광막의 형성 공정에 사용할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체(copolymer of acrylamide with diacetoneacrylamide: PAD)의 가스 플라즈마 크로마토그래피(Gas Plasma Chromatography: GPC)에 의한 분석 결과를 나타낸 그래프.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 아크릴아미드와 아세톤아크릴아미드 공중합체의 에너지분산 엑스선 스펙트로메터(Energy Dispersive X-ray Spectrometer: EDS)에 의한 분석 결과를 나타낸 그래프.

Claims (5)

  1. 하기 화학식 3의 아크릴아미드 단량체에 대하여, 0.1~50 몰비의 화학식 4의 디아세톤아크릴아미드 단량체와, 0.001~20 몰비의 화학식 5의 비닐계 실란을 물에 혼합 및 분산시키고;
    얻어진 혼합물을 55 ℃로 가열 후, 개시제를 첨가하여 3 시간동안 반응시킨 후, 냉각시켜 제조되는 화학식 1로 표시되는 블랙매트릭스 또는 형광막 형성용 수용성 고분자의 제조방법:
    [반응식 1]
    Figure pat00005
    (상기 반응식 1에서, m:n=3.5:1이고, 상기 R은 메톡시, 에톡시기, 메틸기, 및 2-메톡시에톡시기로 이루어진 그룹 중에서 선택된 것이다.)
  2. 제 1항에 있어서, 상기 비닐계 실란은 비닐트리메톡시 실란, 비닐트리에톡시 실란, 비닐트리메틸 실란 및 비닐트리스(2-메톡시에톡시) 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 블랙매트릭스 또는 형광막 형성용 수용성 고분자의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 아크릴아미드를 기준으로 디아세톤아크릴아미드의 몰비가 0.1~10이 되도록 디아세톤아크릴아미드를 더욱 포함하여 반응하는 블랙매트릭스 또는 형광막 형성용 수용성 고분자의 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 아크릴아미드를 기준으로 비닐계 실란의 몰비가 0.01~5가 되도록 비닐계 실란을 더욱 포함하여 반응하는 블랙매트릭스 또는 형광막 형성용 수용성 고분자의 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 개시제는 퍼옥사이드계 개시제인 Na2S2O8, (NH4)2S2O8, K2S2O8 및 아조비스이스부티로니트릴(Azobisisobutyronitrile, AIBN)계 개시제로 이루어진 군에서 선택되는 블랙매트릭스 또는 형광막 형성용 수용성 고분자의 제조방법..
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5660431A (en) * 1979-10-24 1981-05-25 Hitachi Ltd Photosensitive composition and pattern forming method
KR830003543A (ko) * 1980-09-11 1983-06-21 요시야마 히로기찌 감광성 조성물 및 패턴형성방법
US5024920A (en) * 1988-05-31 1991-06-18 Hitachi, Ltd. Process for forming a pattern using a photosensitive azide and a high-molecular weight copolymer or polymer
KR960015077U (ko) * 1994-10-27 1996-05-17 전자렌지용 마이크로 스위치 절연구조

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5660431A (en) * 1979-10-24 1981-05-25 Hitachi Ltd Photosensitive composition and pattern forming method
KR830003543A (ko) * 1980-09-11 1983-06-21 요시야마 히로기찌 감광성 조성물 및 패턴형성방법
US5024920A (en) * 1988-05-31 1991-06-18 Hitachi, Ltd. Process for forming a pattern using a photosensitive azide and a high-molecular weight copolymer or polymer
KR960015077U (ko) * 1994-10-27 1996-05-17 전자렌지용 마이크로 스위치 절연구조

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