KR900016508A - 실리콘단결정의 제조방법 및 장치 - Google Patents

실리콘단결정의 제조방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

실리콘단결정의 제조방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 실시예를 모식적으로 나타낸 종단면도,
제2도는 그 I - I 단면도,
제3도는 분할부재의 실시예의 측면도.

Claims (12)

  1. 용융실리콘이 들어있는 도가니(1)를 그 용융실리콘이 조용히 이동할 수 있도록 안쪽의 단결정육성부(A)와 바깥쪽의 원료공급부(B)로 분할하고, 동원료공급부에 실리콘원료를 연속적으로 공급하면서 전술한 단결정육성부로 루터 실리콘단결정으로 인양하는 방법에 있어서, 원료공급부(B)와 용융실리콘의 온도를 실리콘의 융점보다 적어도 12℃이상 높게 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 전술한바 분할의 용융액면으로 부터의 노출부 및 그 분할의 원료공급부(B)측을 덮도록 보온한 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 원료공급부(B)와 간막이벽 상방에 양자를 덮도록 배설된 대략 링형상의 발열수단을 가열하여 간막이벽 및 원료공급부의 용융실 리콘의 온도를 단결정육성부(A)의 용융실리콘의 온도보다 높게 유지한 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 도가니(1)의 바깥쪽에 배치한 가열수단에 의하여 도가니내의 용융실리콘을 가열함과 동시에 원료공급부(B)에 배치되어 일부가 그 원료공급부의 용융실리콘에 침지된 가열수단에 의하여 원료공급부(B)의 용융실리콘을 가열하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
  5. 제1항-제4항중의 어느 항에서, 도가니(1)의 외주에 배치된 가열수단과, 도가니의 하방에 배치된 가열수단에 의하여 도가니내의 용융실리콘을 가열하는 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조방법.
  6. 제1항-제5항중의 어느 항에서, 원료공급부(B)에 있어서의 용융실리콘과 도가니가 접하는 부분의 면적을 도가니전체에 있어서의 용융실리콘과 도가니가 접하는 부분의 면적의 30-75%에 설정함과 동시에, 원료공급부(B)의 용융실리콘의 자유표면적을 도가니전체의 용융실리콘의 자유표면적의 17-77%에 설정한 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조방법.
  7. 도가니(1)에 들어있는 용융실리콘을 인양하여 실리콘단결정(5)을 제조하는 장치에 있어서, 적어도 하나의 작은구멍(12)이 관통설치되어 인양되는 실리콘단결정(5)을 둘러싸도록 도가니 안에 배설되어서 그 도가니를 단결정육성부(A)와 원료공급부(B)로 구분하는 간막이수단과, 원료공급부의 상방에 배설된 입상실리콘(16)의 공급수단과, 간막이수단의 용융액면으로부터의 노출분진 원료공급부를 피복하는 보온수단과, 도가니의 측별과 저부를 각기 독립하여 가열하는 가열수단을 구비한 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조방법.
  8. 도가니(1)에 들어있는 용융실리콘을 인양하여 실리콘단결정을 재조하는 장치에 있어서, 적어도 하나의 작은구멍(12)이 관통설치되어 도가니안에 배설되어 그 도가니(1)를 단결정육성부(A)와 원료공급부(B)로 구분하는 간막이수단과, 원료공급부(B)의 상방에 배설된 입상실리콘(16)의 공급수단과. 원료공급부와 간막이수단의 상방에 양자를 덮도록 배설된 대략 링형상의 발열수단과 도가니의 측벽과 저부를 각기 독립하여 가열하는 가열수단을 구비한 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조장치.
  9. 도가니(1)에 들어 있는 용융실리콘을 인양하여 실리콘단결정을 제조하는 장치에 있어서, 적 어도 하나의 작은구멍(12)이 관통설치되어, 인양되는 실리콘단결정(5)을 둘러싸도록 도가니(1) 안에 배설되어 그 도가니를 단결정육성부(A)와 원료공급부(B)로 구분하는 간막이수단과, 원료공급부의 상방에 배선된 입상실리콘의 공급수단과, 원료공급부에 일부가 그 원료공급부의 용융실리콘에 침지되고 또한 도가니와 상대적으로 상하에 이동할 수 있도록 배설된 가열수단과, 도가니의 측벽을 가열하는 가열수단을 구비한 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조장치.
  10. 도가니(1)에 들어있는 용융실리콘을 인양하여 실리콘단결정을 제조하는 방법에 있어서, 도가니안의 용융실리콘을 인양화는 실리콘단결정(5)을 둘러싸서 통상의 가열수단으로 분할하고, 도가니의 바깥쪽에 배치한 가열수단으로 도가니 안의 용융실리콘을 가열함과 동시에 통상의 가열수단으로 주로 그 가열수단의 바깥쪽의 용융실리콘을 가열하여, 그 가열수단의 바깥쪽의 용융실리콘의 용융액면의 온도를 실리콘의 융점보다 적어도 12℃이상 높게 유지하고, 통상의 가열수단의 안쪽으로부터 실리콘단결정(5)을 인양함과 동시에, 그 가열수단의 바깥쪽에 입상실리콘(16)을 공급하여 통상의 가열수단의 바깥쪽의 실리콘을 그 가열수단의 하부로부터 안쪽으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조방법.
  11. 도가니(1)에 들어있는 용융실리콘을 인양하여 실리콘단결정을 제조하는 장치에 있어서, 인양되는 실리콘단결정(5)을 둘러싸고 또한 도가니의 저부와의 사이에 간극이 발생하도록 그 도가니안에 배설되어, 그 도가니를 단결정육성부(A)와 원료공급부(B)로 구분하는 통상의 가열수단과, 원료공급부 (B)외 상방에 배설된 입상실리콘(16)의 공급수단을 구비한 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조방법.
  12. 제7항-제10항중의 어느항에서, 원료공급부에 있어서의 용융실리콘과 도가니(1)가 접하는 부분의 면적을 도가니전체에 있어서의 용융실리콘과 도가니가 접하는 부분의 면적의 30-75%에 설치함과 동시에, 원료공급부(B)의 용융실리콘의 자유표면적을 도가니 전체의 용융실리콘의 자유표면적의 10-70%에 설정한 것을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5363795A (en) * 1991-09-04 1994-11-15 Kawasaki Steel Corporation Czochralski crystal pulling process and an apparatus for carrying out the same
EP0530397A1 (en) * 1991-09-04 1993-03-10 Kawasaki Steel Corporation Czochralski crystal pulling process and an apparatus for carrying out the same
US5288366A (en) * 1992-04-24 1994-02-22 Memc Electronic Materials, Inc. Method for growing multiple single crystals and apparatus for use therein
JP2807609B2 (ja) * 1993-01-28 1998-10-08 三菱マテリアルシリコン株式会社 単結晶の引上装置
US5488924A (en) * 1993-12-06 1996-02-06 Memc Electronic Materials Hopper for use in charging semiconductor source material
DE4442829A1 (de) * 1994-12-01 1996-06-05 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls
IL128827A0 (en) * 1999-03-04 2000-01-31 Solmecs Israel Ltd Apparatus for growing single crystals
US6537372B1 (en) 1999-06-29 2003-03-25 American Crystal Technologies, Inc. Heater arrangement for crystal growth furnace
US6602345B1 (en) 1999-06-29 2003-08-05 American Crystal Technologies, Inc., Heater arrangement for crystal growth furnace
US20030101924A1 (en) * 2001-11-15 2003-06-05 Memc Electronic Materials, Inc. Intermittent feeding technique for increasing the melting rate of polycrystalline silicon
US7635414B2 (en) * 2003-11-03 2009-12-22 Solaicx, Inc. System for continuous growing of monocrystalline silicon
JP3987065B2 (ja) * 2004-10-19 2007-10-03 シャープ株式会社 2成分現像剤および画像形成方法
US7959732B1 (en) * 2005-06-17 2011-06-14 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Apparatus and method for monitoring and controlling crystal growth
JP5131170B2 (ja) 2008-12-05 2013-01-30 信越半導体株式会社 単結晶製造用上部ヒーターおよび単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法
US8652257B2 (en) 2010-02-22 2014-02-18 Lev George Eidelman Controlled gravity feeding czochralski apparatus with on the way melting raw material
KR20150106204A (ko) 2014-03-11 2015-09-21 (주)기술과가치 잉곳 제조 장치
KR20150107540A (ko) 2014-03-14 2015-09-23 (주)기술과가치 잉곳 제조 장치
US10415151B1 (en) * 2014-03-27 2019-09-17 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc Apparatus for controlling heat flow within a silicon melt
US10358740B2 (en) * 2014-07-25 2019-07-23 Corner Star Limited Crystal growing systems and methods including a passive heater
CN110735180A (zh) * 2018-07-20 2020-01-31 上海新昇半导体科技有限公司 一种拉晶炉
CN114717644B (zh) * 2022-03-10 2023-03-21 连城凯克斯科技有限公司 一种连续加料硅单晶炉

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2892739A (en) * 1954-10-01 1959-06-30 Honeywell Regulator Co Crystal growing procedure
US3265469A (en) * 1964-09-21 1966-08-09 Gen Electric Crystal growing apparatus
DE2526072C3 (de) * 1975-06-11 1980-07-03 Schweizerische Aluminium Ag, Chippis (Schweiz) Tiegel zum Kristallziehen aus der Schmelze
CH632300A5 (en) * 1978-01-04 1982-09-30 Vnii Monokristallov System for growing single crystals from a melt
DE2821481C2 (de) * 1978-05-17 1985-12-05 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Vorrichtung zum Ziehen von hochreinen Halbleiterstäben aus der Schmelze
US4238274A (en) * 1978-07-17 1980-12-09 Western Electric Company, Inc. Method for avoiding undesirable deposits in crystal growing operations
JPS5611675A (en) * 1979-07-04 1981-02-05 Marantz Japan Inc Key-touch strength changing circuit for automatic playing piano
JPS6030996B2 (ja) * 1979-07-31 1985-07-19 富士電機株式会社 冷,温運転切換式自動販売機
JPS5684397A (en) * 1979-12-05 1981-07-09 Nec Corp Single crystal growing method
JPS5688896A (en) * 1979-12-22 1981-07-18 Fujitsu Ltd Growth of single crystal
JPS56164097A (en) * 1980-05-23 1981-12-16 Ricoh Co Ltd Device for pulling up single crystal
US4389377A (en) * 1981-07-10 1983-06-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus for growing a dendritic web
JPS5836997A (ja) * 1981-08-28 1983-03-04 Fujitsu Ltd 単結晶製造装置
US4659421A (en) * 1981-10-02 1987-04-21 Energy Materials Corporation System for growth of single crystal materials with extreme uniformity in their structural and electrical properties
JPS58130195A (ja) * 1982-01-27 1983-08-03 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶シリコン引上装置
JPS5933553B2 (ja) * 1982-03-31 1984-08-16 株式会社東芝 結晶成長装置
CA1261715A (en) * 1984-07-06 1989-09-26 General Signal Corporation Apparatus and process for growing monocrystals of semiconductor materials from shallow crucibles by czochralski technique
IN161924B (ko) * 1984-10-29 1988-02-27 Westinghouse Electric Corp
JPS62138384A (ja) * 1985-12-11 1987-06-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶の引上方法
JPH07110798B2 (ja) * 1986-04-12 1995-11-29 三菱マテリアル株式会社 単結晶製造装置
JPS62278188A (ja) * 1986-05-24 1987-12-03 Mitsubishi Metal Corp 単結晶製造用ルツボ
JPS6395195A (ja) * 1986-10-08 1988-04-26 Toshiba Corp 結晶引上げ方法及び装置
US4786479A (en) * 1987-09-02 1988-11-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus for dendritic web growth systems

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