KR970001619A - 결정결함이 균일한 분포를 갖는 실리콘 단결정의 제조방법 및 그 제조장치 - Google Patents

결정결함이 균일한 분포를 갖는 실리콘 단결정의 제조방법 및 그 제조장치 Download PDF

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Abstract

제안된 것은 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉을 제조하기 위한 방법과 단결정성장 챔버에서의 개선인데, 이것에 따라서 도가니에 포함된 실리콘 용융액 표면과 결정성장 챔버의 상부벽의 내면 사이의 거리가 상기 도가니의 직경과 동일하거나 더 크고 실리콘 용액을 포함하고 있는 도가니와 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더가 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 지님으로써 성장중에 있는 단결정봉가 챔버의 상부벽 내면에 도달할 때까지 700℃ 이하가 되지 않도록 온도를 유지하여 성장시켜서 있는 단결정봉의 종측에서의 BMD 형태의 결정결손의 밀도를 감소시킴으로써 BMD 밀도 분포의 균일성을 단결정봉 전체를 통해 증가시킨다.

Description

결정결함이 균일한 분포를 갖는 실리콘 단결정의 제조방법 및 그 제조장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 단결정 성장의 방향에 따라 실리콘 단결정봉 안에 있는 BMD 밀도의 분포를 나타내는 그래프, 제2A도는 종래의 단결정성장 장치의 내부 구조의 개략적인 수직 단면도, 제2B도는 본 발명의 단결정성장 장치의 내부 구조의 개략적인 수직 단면도, 제3A도는 성장중에 있는 실리콘 단결정봉의 온도를 실리콘 용융액 표면으로부터의 거리의 함수로써 나타내고 있는 그래프이며 제3B도는 성장중의 실리콘 단결정이 50℃의 폭의 온도영역 각각을 통과하는데 걸린 시간 길이를 나타내는 그래프, 제4도는 도가니 직경과 용융액 표면에서 챔버의 상부벽까지의 높이의 상이한 비율을 갖는 두 개의 결정성장 장치 내에서 얻어진 실리콘 단결정봉에서 결정성장의 방향에 따른 BMD의 밀도 분포를 나타내는 그래프, 제5도는 실시예 및 비교예에서 얻어진 실리콘 단결정봉에서 결정성장의 방향에 따른 BMD 밀도 분포를 나타내는 그래프.

Claims (7)

  1. 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉을 제조 방법에 있어서, 성장 공정중에 있는 실리콘 단결정봉이 600℃ 내지 700℃ 범위 내의 온도 영역을 통과하는데 걸리는 시간이 80분 이하로 유지하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법.
  2. 결정성장 챔버 내에 유지된 도가니 내에 포함된 실리콘의 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법에 있어서, 상기 용융액 표면에서부터 성장중인 상기 단결정봉이 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달할 때까지 700℃ 이상의 온도로 유지하는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법.
  3. 결정성장 챔버 내에 유지된 도가니 내에 포함된 실리콘의 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법에 있어서, 상기 도가니에 포함된 상기 실리콘 용융액 표면과 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면 사이의 거리가 상기 도가니의 직경과 동일하거나 혹은 더 크며, 상기 실리콘 용융액 표면에서부터 성장중인 단결정봉이 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내부에 도달할 때까지 700℃ 이상의 온도로 유지하는 것으로 구성된 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조 방법.
  4. 히터에 의해서 가열된 도가니 내에 포함된 실리콘 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조를 위한 단결정성장 챔버에 있어서, 상기 실리콘 융액을 포함하는 상기 도가니와 상기 도가니 내에 있는 상기 실리콘을 용해시키기 위한 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더가 설치되고, 상기 단열 실린더가 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 단결정성장 챔버.
  5. 히터에 의해서 가열된 도가니 내에 포함된 실리콘 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의하면 실리콘 단결정봉의 제조를 위한 단결정성장 챔버에 있어서, 상기 도가니 내에 포함된 상기 실리콘 용융액 표면과 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면 사이의 거리가 상기 도가니의 직경과 동일하거나 혹은 더 크고 상기 실리콘 융액을 포함하는 도가니와 상기 도가니 내의 실리콘을 용해시키기 위한 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더가 설치되고, 상기 단열 실린더가 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 단결정성장 챔버.
  6. 히터를 이용하여 가열된 도가니 내에 포함된 실리콘 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의한 실리콘 단결정봉의 제조를 위한 단결정성장 챔버에 있어서, 상기 실리콘 융액을 포함하는 상기 도가니와 상기 도가니 내의 상기 실리콘을 용융시키기 위한 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더를 설치하고, 상기 단열 실리더가 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 지님으로써, 상기 도가니 내에 포함된 실리콘 융액의 표면과 상기 챔버의 상부벽의 내면 사이의 영역이 700℃ 이상의 온도로 유지되는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 단결정성장 챔버.
  7. 히터에 의해서 가열된 도가니 내에 포함된 실리콘 융액으로부터 쵸크랄스키 방법에 의하여 실리콘 단결정봉의 제조를 위한 단결정성장 챔버에 있어서, 상기 도가니 내에 포함된 상기 실리콘 융액 표면과 상기 결정성장 챔버의 상부벽 내면 사이의 거리가 상기 도가니의 직경과 동일하거나 더 크며, 상기 실리콘 융액을 포함하는도가니와 상기 도가니 내의 실리콘을 용융시키기 위한 히터를 둘러싸고 있는 단열 실린더가 설치되고, 상기단열 실린더가 결정성장 챔버의 상부벽 내면에 도달하는 높이를 지님으로써, 상기 도가니 내에 포함된 실리콘 용융액 표면과 상기 챔버의 상부벽 내면 사이의 영역이 700℃ 이상의 온도를 유지되는 것으로 구성되는 것을 특징으로 하는 쵸크랄스키 방법에 의한 단결정성장 챔버.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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