JP2004083301A - 単結晶製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】成長容器内に形成すべき温度勾配に影響を与えることなく、その成長容器の周方向の熱の不均一性を抑制し、単結晶の生産効率の低下を防止できる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】底部に種結晶7が設置され内部に結晶原料が収容される成長容器13と、この成長容器13を覆うと共に種結晶7が下側に配置されるように鉛直に起立させて保持する有底無蓋のほぼ筒状のサセプタと、このサセプタを取り囲むように設けられた発熱体5,6とを有する単結晶製造装置において、発熱体5,6と成長容器13との間のサセプタの筒部20を、鉛直方向よりも周方向の熱伝導率が高くなるように、所定の熱伝導率を有する第1の層11a〜11eとこの第1の層11a〜11eよりも低い熱伝導率を有する第2の層12a〜12eとが鉛直方向に交互に積層された構造にする。
【選択図】 図1
【解決手段】底部に種結晶7が設置され内部に結晶原料が収容される成長容器13と、この成長容器13を覆うと共に種結晶7が下側に配置されるように鉛直に起立させて保持する有底無蓋のほぼ筒状のサセプタと、このサセプタを取り囲むように設けられた発熱体5,6とを有する単結晶製造装置において、発熱体5,6と成長容器13との間のサセプタの筒部20を、鉛直方向よりも周方向の熱伝導率が高くなるように、所定の熱伝導率を有する第1の層11a〜11eとこの第1の層11a〜11eよりも低い熱伝導率を有する第2の層12a〜12eとが鉛直方向に交互に積層された構造にする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直ブリッジマン法や垂直温度傾斜法により単結晶を成長させるための単結晶製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、低転位密度の化合物半導体結晶を成長させる方法として、垂直ブリッジマン法(VB法)や垂直温度傾斜法(VGF法)が注目されている。
【0003】
これらの方法は、従来の液体封止引上法(LEC法)に比べて、緩い温度勾配下で結晶を成長させることができるので、転移等の結晶欠陥が少ない単結晶を得ることができる。
【0004】
図3にVB法やVGF法を適用できる従来の単結晶製造装置の概略図を示す。
【0005】
図3に示すように、従来の単結晶製造装置は、成長炉内に設けられ、底部に種結晶7が設置される漏斗状の設置部を有すると共に内部にGaAs単結晶8の原料及び封止剤4が収容される円筒状の収容部を有する成長容器3と、下側に種結晶7が配置されるように成長容器3を鉛直に起立させて外周から保持する円筒状の保持体10と、これら成長容器3及び保持体10を支持する支持体1と、保持体10の外周を取り囲むように設けられ、成長容器3の鉛直方向に所定の温度勾配を形成する発熱体(ヒータ)5,6と、GaAs単結晶8が成長するに連れて成長容器3を鉛直方向下方に移動可能な下軸2とで構成されている。
【0006】
VB法・VGF法は、この成長容器3に種結晶7、GaAs原料及び封止剤4を入れて成長炉内に収容し、発熱体5,6によって鉛直方向に所定の温度勾配を形成すると共に、下軸2を下方に移動して種結晶7より上方に向けて結晶成長させることによってGaAs融液9からGaAs単結晶8を製造する方法であり、結晶欠陥の少ない直径76mmを超える大径の単結晶を容易に成長させることができる方法として知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の単結晶製造装置は、通常、発熱体5,6が発する周方向の輻射熱の強度分布は完全には均一でないため、一般には成長容器3の外周を覆う保持体10をグラファイトなどの熱伝導率の高い材料で構成して、熱の不均一性の緩和が図られているが、熱は保持体10の周方向に加え、垂直方向にも伝導するために温度勾配が緩くなる傾向がある。この結果、GaAs単結晶8の成長速度が低下して成長期間が長くなり、生産効率が低下するという問題があった。
【0008】
そこで、本発明の目的は、成長容器内に形成すべき温度勾配に影響を与えることなく、その成長容器の周方向の熱の不均一性を抑制し、単結晶の生産効率の低下を防止できる単結晶製造装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項1の発明は、底部に種結晶が設置され内部に結晶原料が収容される成長容器と、この成長容器を覆うと共に種結晶が下側に配置されるように鉛直に起立させて保持する有底無蓋のほぼ筒状のサセプタと、このサセプタの外周を取り囲むように設けられた発熱体とを有する単結晶製造装置において、発熱体と成長容器との間のサセプタの筒部は、鉛直方向よりも周方向の熱伝導率が高くなるように、所定の熱伝導率を有する第1の層とこの第1の層よりも低い熱伝導率を有する第2の層とが鉛直方向に交互に積層された構造を有するものである。
【0010】
請求項2の発明は、請求項1に記載の構成に加え、第1の層の厚さと第2の層の厚さとが共に10mm以下で形成されたものである。
【0011】
請求項3の発明は、請求項1又は2に記載の構成に加え、第1の層はグラファイト或いは窒化ボロンからなり、第2の層は石英、カーボンフェルト或いはアルミナからなるものである。
【0012】
このように、VB法或いはVGF法が適用される単結晶製造装置において、保持体を熱伝導率の高い材料と熱伝導率の低い材料とを垂直方向に交互に積層することにより、熱伝導率の高い材料を熱が伝わり、周方向の輻射熱強度分布の不均一性が緩和される。これに対し垂直方向については、熱伝導率の低い材料により熱伝導が抑制されるため、温度勾配が緩くなるのを防ぐことができる。従って、成長速度低下による成長期間の長期化が防止され、単結晶の生産効率の低下を防止することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【0014】
図1に本発明にかかる単結晶製造装置の概略図を示す。
【0015】
図1に示すように、本発明にかかる単結晶製造装置は、成長炉内に設けられ、底部に種結晶7が設置される漏斗状の設置部を有すると共に内部にGaAs単結晶18の原料及び封止剤14が収容される円筒状の収容部を有する成長容器13と、成長容器13を覆うと共に下側に種結晶7が配置されるように成長容器13を鉛直に起立させて保持する有底無蓋のほぼ円筒状のサセプタと、サセプタの外周を取り囲むように設けられ、成長容器13の鉛直方向に所定の温度勾配を形成する発熱体(ヒータ)5,6と、GaAs単結晶18が成長するに連れて成長容器13を鉛直方向下方に移動可能な下軸2とで構成されている。
【0016】
サセプタは、成長容器13と発熱体5,6との間に位置する筒部を形成する保持体20と、この保持体20を成長容器13と共に支持する支持体1とで構成されている。
【0017】
図2に保持体20の断面図を示す。
【0018】
図2に示すように、保持体20は、円環状に形成された熱伝導率の高い材料11a〜11eと熱伝導率の低い材料12a〜12eとを垂直方向に交互に積層した構造である。
【0019】
保持体20は、温度勾配を変えることなく周方向の熱分布だけを均一化することが目的であるから、垂直(鉛直)方向については熱伝導率の高い材料11a〜11eからなる層と熱伝導率の低い材料12a〜12eからなる層とで温度勾配が大きく異なることがないように、熱伝導率の高い材料11a〜11eからなる層の厚さと熱伝導率の低い材料12a〜12eからなる層の厚さは共に10mm以下とし、極力薄く形成することが望ましい。
【0020】
熱伝導率の高い材料11a〜11eは、グラファイト(熱伝導率80〜120W/m・K)、窒化ボロン(熱伝導率40W/m・K)等のように熱伝導率が40W/m・K以上のものである。
【0021】
熱伝導率の低い材料12a〜12eは、石英ガラス(熱伝導率1.4W/m・K)、アルミナ(熱伝導率2.0W/m・K)、カーボンフェルト(熱伝導率0.9W/m・K)等のように熱伝導率が2.0W/m・K以下のものである。
【0022】
次に、この単結晶製造装置を用いた単結晶製造方法を作用と共に図1を用いて説明する。
【0023】
まず、図1に示したように、成長容器13の設置部に種結晶7を設置し、収容部にGaAs原料及び封止剤14を入れて成長炉内に収容する。そして、発熱体5,6によって、この成長容器13に、鉛直方向上方から下方に向かって徐々に所定の割合で温度が低下する温度勾配を形成し、GaAs原料を融解させる。
【0024】
この時、発熱体5,6からの輻射熱は、周方向については、熱伝導率の高い材料11a〜11e(図2参照)中を伝わり、輻射熱強度分布の不均一性が緩和され、また垂直方向については、熱伝導率の低い材料12a〜12e(図2参照)中を伝わり、熱伝導が抑制されるため、鉛直方向の温度勾配が緩くなるのが防止され、所望の温度勾配が保たれることになる。
【0025】
そして、このように鉛直方向の温度勾配を緩和することなく、発熱体5,6の周方向の温度分布が均一化された状態で、下軸2を、例えば1〜3mm/時の速度で下方に移動させる。
【0026】
これにより、GaAs融液19が種結晶7上から徐々に固化し、GaAs単結晶18が製造される。
【0027】
このように、単結晶製造装置において、保持体20を熱伝導率の高い材料11a〜11eと熱伝導率の低い材料12a〜12eとを垂直(鉛直)方向に交互に積層した構造とすることにより、鉛直方向の温度勾配を緩和することなく、発熱体5,6の周方向の温度分布を均一化できるため、成長速度の低下による単結晶成長に要する期間の長期化が防止され、結晶性に優れたGaAs単結晶18を効率良く生産することができる。
【0028】
【実施例】
次に、本発明のより具体的な実施例について、GaAs結晶製造装置を例として説明する。
【0029】
成長容器の中に種結晶とGaAs原料11kgと封止剤800gとを入れ、その成長容器の周囲を保持体で覆い、支持体を介して下軸の上に載せる。そして、発熱体により所定の温度勾配を形成し、原料を収容した成長容器、保持体及び支持体を載せた下軸を1〜3mm/時の速度で下降させることにより結晶成長を行った。
【0030】
この方法によってGaAs単結晶を成長させたところ、直径101.6mm(約4インチ)、長さ180mmの単結晶となり、成長に要した期間は9日間だった。
【0031】
この数値は、グラファイトだけで構成された保持体を使用した従来技術の12日間と比較して、大幅に向上している。
【0032】
このことから、本発明は、従来技術よりも単結晶の成長期間を短縮でき、工業生産において多大な経済効果が期待できるといえる。
【0033】
尚、本実施の形態では、GaAs単結晶製造装置について述べたが、InP、GaP等のVB法、VGF法で結晶成長を行う化合物半導体結晶の製造装置に本発明を適用しても同様の効果が得られる。
【0034】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、成長容器内に形成すべき温度勾配に影響を与えることなく、その成長容器の周方向の熱の不均一性を抑制し、単結晶の生産効率の低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる単結晶製造装置の概略図である。
【図2】図1の保持体の断面図である。
【図3】従来の単結晶製造装置の概略図である。
【符号の説明】
5, 6 発熱体(ヒータ)
7 種結晶
11a〜11e 熱伝導率の高い層(第1の層)
12a〜12e 熱伝導率の低い層(第2の層)
13 成長容器
20 保持体(筒部)
【発明の属する技術分野】
本発明は、垂直ブリッジマン法や垂直温度傾斜法により単結晶を成長させるための単結晶製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、低転位密度の化合物半導体結晶を成長させる方法として、垂直ブリッジマン法(VB法)や垂直温度傾斜法(VGF法)が注目されている。
【0003】
これらの方法は、従来の液体封止引上法(LEC法)に比べて、緩い温度勾配下で結晶を成長させることができるので、転移等の結晶欠陥が少ない単結晶を得ることができる。
【0004】
図3にVB法やVGF法を適用できる従来の単結晶製造装置の概略図を示す。
【0005】
図3に示すように、従来の単結晶製造装置は、成長炉内に設けられ、底部に種結晶7が設置される漏斗状の設置部を有すると共に内部にGaAs単結晶8の原料及び封止剤4が収容される円筒状の収容部を有する成長容器3と、下側に種結晶7が配置されるように成長容器3を鉛直に起立させて外周から保持する円筒状の保持体10と、これら成長容器3及び保持体10を支持する支持体1と、保持体10の外周を取り囲むように設けられ、成長容器3の鉛直方向に所定の温度勾配を形成する発熱体(ヒータ)5,6と、GaAs単結晶8が成長するに連れて成長容器3を鉛直方向下方に移動可能な下軸2とで構成されている。
【0006】
VB法・VGF法は、この成長容器3に種結晶7、GaAs原料及び封止剤4を入れて成長炉内に収容し、発熱体5,6によって鉛直方向に所定の温度勾配を形成すると共に、下軸2を下方に移動して種結晶7より上方に向けて結晶成長させることによってGaAs融液9からGaAs単結晶8を製造する方法であり、結晶欠陥の少ない直径76mmを超える大径の単結晶を容易に成長させることができる方法として知られている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の単結晶製造装置は、通常、発熱体5,6が発する周方向の輻射熱の強度分布は完全には均一でないため、一般には成長容器3の外周を覆う保持体10をグラファイトなどの熱伝導率の高い材料で構成して、熱の不均一性の緩和が図られているが、熱は保持体10の周方向に加え、垂直方向にも伝導するために温度勾配が緩くなる傾向がある。この結果、GaAs単結晶8の成長速度が低下して成長期間が長くなり、生産効率が低下するという問題があった。
【0008】
そこで、本発明の目的は、成長容器内に形成すべき温度勾配に影響を与えることなく、その成長容器の周方向の熱の不均一性を抑制し、単結晶の生産効率の低下を防止できる単結晶製造装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項1の発明は、底部に種結晶が設置され内部に結晶原料が収容される成長容器と、この成長容器を覆うと共に種結晶が下側に配置されるように鉛直に起立させて保持する有底無蓋のほぼ筒状のサセプタと、このサセプタの外周を取り囲むように設けられた発熱体とを有する単結晶製造装置において、発熱体と成長容器との間のサセプタの筒部は、鉛直方向よりも周方向の熱伝導率が高くなるように、所定の熱伝導率を有する第1の層とこの第1の層よりも低い熱伝導率を有する第2の層とが鉛直方向に交互に積層された構造を有するものである。
【0010】
請求項2の発明は、請求項1に記載の構成に加え、第1の層の厚さと第2の層の厚さとが共に10mm以下で形成されたものである。
【0011】
請求項3の発明は、請求項1又は2に記載の構成に加え、第1の層はグラファイト或いは窒化ボロンからなり、第2の層は石英、カーボンフェルト或いはアルミナからなるものである。
【0012】
このように、VB法或いはVGF法が適用される単結晶製造装置において、保持体を熱伝導率の高い材料と熱伝導率の低い材料とを垂直方向に交互に積層することにより、熱伝導率の高い材料を熱が伝わり、周方向の輻射熱強度分布の不均一性が緩和される。これに対し垂直方向については、熱伝導率の低い材料により熱伝導が抑制されるため、温度勾配が緩くなるのを防ぐことができる。従って、成長速度低下による成長期間の長期化が防止され、単結晶の生産効率の低下を防止することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【0014】
図1に本発明にかかる単結晶製造装置の概略図を示す。
【0015】
図1に示すように、本発明にかかる単結晶製造装置は、成長炉内に設けられ、底部に種結晶7が設置される漏斗状の設置部を有すると共に内部にGaAs単結晶18の原料及び封止剤14が収容される円筒状の収容部を有する成長容器13と、成長容器13を覆うと共に下側に種結晶7が配置されるように成長容器13を鉛直に起立させて保持する有底無蓋のほぼ円筒状のサセプタと、サセプタの外周を取り囲むように設けられ、成長容器13の鉛直方向に所定の温度勾配を形成する発熱体(ヒータ)5,6と、GaAs単結晶18が成長するに連れて成長容器13を鉛直方向下方に移動可能な下軸2とで構成されている。
【0016】
サセプタは、成長容器13と発熱体5,6との間に位置する筒部を形成する保持体20と、この保持体20を成長容器13と共に支持する支持体1とで構成されている。
【0017】
図2に保持体20の断面図を示す。
【0018】
図2に示すように、保持体20は、円環状に形成された熱伝導率の高い材料11a〜11eと熱伝導率の低い材料12a〜12eとを垂直方向に交互に積層した構造である。
【0019】
保持体20は、温度勾配を変えることなく周方向の熱分布だけを均一化することが目的であるから、垂直(鉛直)方向については熱伝導率の高い材料11a〜11eからなる層と熱伝導率の低い材料12a〜12eからなる層とで温度勾配が大きく異なることがないように、熱伝導率の高い材料11a〜11eからなる層の厚さと熱伝導率の低い材料12a〜12eからなる層の厚さは共に10mm以下とし、極力薄く形成することが望ましい。
【0020】
熱伝導率の高い材料11a〜11eは、グラファイト(熱伝導率80〜120W/m・K)、窒化ボロン(熱伝導率40W/m・K)等のように熱伝導率が40W/m・K以上のものである。
【0021】
熱伝導率の低い材料12a〜12eは、石英ガラス(熱伝導率1.4W/m・K)、アルミナ(熱伝導率2.0W/m・K)、カーボンフェルト(熱伝導率0.9W/m・K)等のように熱伝導率が2.0W/m・K以下のものである。
【0022】
次に、この単結晶製造装置を用いた単結晶製造方法を作用と共に図1を用いて説明する。
【0023】
まず、図1に示したように、成長容器13の設置部に種結晶7を設置し、収容部にGaAs原料及び封止剤14を入れて成長炉内に収容する。そして、発熱体5,6によって、この成長容器13に、鉛直方向上方から下方に向かって徐々に所定の割合で温度が低下する温度勾配を形成し、GaAs原料を融解させる。
【0024】
この時、発熱体5,6からの輻射熱は、周方向については、熱伝導率の高い材料11a〜11e(図2参照)中を伝わり、輻射熱強度分布の不均一性が緩和され、また垂直方向については、熱伝導率の低い材料12a〜12e(図2参照)中を伝わり、熱伝導が抑制されるため、鉛直方向の温度勾配が緩くなるのが防止され、所望の温度勾配が保たれることになる。
【0025】
そして、このように鉛直方向の温度勾配を緩和することなく、発熱体5,6の周方向の温度分布が均一化された状態で、下軸2を、例えば1〜3mm/時の速度で下方に移動させる。
【0026】
これにより、GaAs融液19が種結晶7上から徐々に固化し、GaAs単結晶18が製造される。
【0027】
このように、単結晶製造装置において、保持体20を熱伝導率の高い材料11a〜11eと熱伝導率の低い材料12a〜12eとを垂直(鉛直)方向に交互に積層した構造とすることにより、鉛直方向の温度勾配を緩和することなく、発熱体5,6の周方向の温度分布を均一化できるため、成長速度の低下による単結晶成長に要する期間の長期化が防止され、結晶性に優れたGaAs単結晶18を効率良く生産することができる。
【0028】
【実施例】
次に、本発明のより具体的な実施例について、GaAs結晶製造装置を例として説明する。
【0029】
成長容器の中に種結晶とGaAs原料11kgと封止剤800gとを入れ、その成長容器の周囲を保持体で覆い、支持体を介して下軸の上に載せる。そして、発熱体により所定の温度勾配を形成し、原料を収容した成長容器、保持体及び支持体を載せた下軸を1〜3mm/時の速度で下降させることにより結晶成長を行った。
【0030】
この方法によってGaAs単結晶を成長させたところ、直径101.6mm(約4インチ)、長さ180mmの単結晶となり、成長に要した期間は9日間だった。
【0031】
この数値は、グラファイトだけで構成された保持体を使用した従来技術の12日間と比較して、大幅に向上している。
【0032】
このことから、本発明は、従来技術よりも単結晶の成長期間を短縮でき、工業生産において多大な経済効果が期待できるといえる。
【0033】
尚、本実施の形態では、GaAs単結晶製造装置について述べたが、InP、GaP等のVB法、VGF法で結晶成長を行う化合物半導体結晶の製造装置に本発明を適用しても同様の効果が得られる。
【0034】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、成長容器内に形成すべき温度勾配に影響を与えることなく、その成長容器の周方向の熱の不均一性を抑制し、単結晶の生産効率の低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる単結晶製造装置の概略図である。
【図2】図1の保持体の断面図である。
【図3】従来の単結晶製造装置の概略図である。
【符号の説明】
5, 6 発熱体(ヒータ)
7 種結晶
11a〜11e 熱伝導率の高い層(第1の層)
12a〜12e 熱伝導率の低い層(第2の層)
13 成長容器
20 保持体(筒部)
Claims (3)
- 底部に種結晶が設置され内部に結晶原料が収容される成長容器と、該成長容器を覆うと共に上記種結晶が下側に配置されるように鉛直に起立させて保持する有底無蓋の略筒状のサセプタと、該サセプタの外周を取り囲むように設けられた発熱体とを有する単結晶製造装置において、上記発熱体と上記成長容器との間の上記サセプタの筒部は、鉛直方向よりも周方向の熱伝導率が高くなるように、所定の熱伝導率を有する第1の層と該第1の層よりも低い熱伝導率を有する第2の層とが鉛直方向に交互に積層された構造を有することを特徴とする単結晶製造装置。
- 上記第1の層の厚さと上記第2の層の厚さとが、共に10mm以下である請求項1に記載の単結晶製造装置。
- 上記第1の層は、グラファイト或いは窒化ボロンからなり、上記第2の層は、石英、カーボンフェルト或いはアルミナからなる請求項1又は2に記載の単結晶製造装置。
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JP2002243383A JP2004083301A (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 単結晶製造装置 |
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JP2002243383A JP2004083301A (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 単結晶製造装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2435261A (en) * | 2005-03-04 | 2007-08-22 | Morgan Crucible Co | A material treatment heater tube with anisotropic thermal conduction properties |
CN102140689A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-08-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种生长蓝宝石晶体的方法 |
WO2020121526A1 (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 住友電気工業株式会社 | 半絶縁性GaAs基板およびGaAs基板の製造方法 |
-
2002
- 2002-08-23 JP JP2002243383A patent/JP2004083301A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2435261A (en) * | 2005-03-04 | 2007-08-22 | Morgan Crucible Co | A material treatment heater tube with anisotropic thermal conduction properties |
CN102140689A (zh) * | 2011-03-08 | 2011-08-03 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种生长蓝宝石晶体的方法 |
WO2020121526A1 (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 住友電気工業株式会社 | 半絶縁性GaAs基板およびGaAs基板の製造方法 |
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