SU116849A1 - Способ получени чистого кремни и устройство дл его осуществлени - Google Patents

Description

Известен способ получени  чистого кремни -нутем термической диссоциации четырехиодистого кремни  на поверхности кремниевого нагревател : - ..,- ,.

Описываемый способ позвол ет получить более длинныекремниевые стержни е меньшим содержанием примесей.

С этой целью диссоциацию четырехиодистого кремни  осуществл ют на расплавленной вершине кремниевой затравки.

Дл  осуществлени  способа предлагаетс  устройство, особенность которого заключаетс  в том, что рабоча  камера дл  диссоциации выполнена в виде кварцевой трубы, в которую снизу вставлен кварцевый шток с запа нным внутрь железным сердечником, поддерживающий кремниевую затравку, нагреваемую генератором токов высокой частоты, и опускающийс  но мере роста образующегос  слитка.

На чертеже изображена схема устройства.

Рабоча  камера 1 устройства представл ет собою кварцевую трубу, имеющую ввод дл  поступлени  в нее четырехиодистого кремни  и смотровое стекло 2 из оптического кварца.

В нижней части камеры / имеетс  отверстие, закрывающеес  пришлифованной пробкой. Через это отверстие в камеру вставл етс  кварцевый шток 3 с запа нным внутри него железным сердечником 4.

Обогрев ампулы 5 с четырехиодистым кремнием до темиературы пор дка 150° осуществл етс  печью 6 сопротивлени . Камера / сообщаегс  е ампулой 7, помещенной в сосуд 8. Дюара с жидким азотом. В ампулу 7 вставлена трубка 9, присоединенна  к форвакуумному насосу. Внутри камеры / находитс  горизонтально расположенный отражатель W. Позицией П обозначен посто нный магнит, а позицией 12-индуктор.

Вначале аппаратура вакуумируетс , затем разогреваетс  ампула 5 с четырехиодистым кремнием до его плавлепи  и включаетс  высокочастотный нагрев кремниевой затравки. Пары четырехиодистого кремни  поступают на расплавленную вершину затравки, где происходит диссо№ 116849

циаци  его на кремний и йод. Пары йода отвод тс  в ампулу 7. По мере роста образующегос  слитка 13 кремни  кварцевый шток 3, поддерживающий кремниевую затравку, опускаетс .

Полученный слиток кремни  может быть переработан на монокристалл путем бестигельной зонной плавки, а также известным методом выт гивани .

При скорости подачи паров четырехиодистого кремни  около 80 на кремниевую затравку с площадью расплава 1,5 слг скорость разложени  четырехиодистого кремни  составл ет 2,7 г/час. Степень разложени  -67 %.

При увеличении скорости подачи паров четырехиодистого кремни  степень разложени  уменьшаетс , а скорость его увеличиваетс .

Получение длинных стержней кремни  способствует удалению примеси при кристаллизации, причем устран етс  контакт кремни  с кварцем ,  вл ющийс  причиной диффузии примесей из футеровки в кремний.

Предмет изобретени 

Claims (2)

1.Способ получени  чистого кремни  путем термической диссоциации четырехиодистого кремни  на поверхности кремниевого нагревател , отличающийс  тем, что, с целью Снижени  содержани  примесей и получени  длинных кремниевых стержней, диссоциаци  четырехиодистого кремни  осуществл етс  на расплавленной вершине кремниевой затравки .

2.Устройство дл  осуществлени  способа по п. 1, о т л и ч а ю щ е е с   тем, что рабоча  камера дл  диссоциации выполнена в виде кварцевой трубы, в которую снизу вставлен кварцевый щток с запа нным внутрь железным сердечником, поддерживающий кремниевую затравку, нагреваемую генератором токов высокой частоты, и опускающийс  вниз по мере роста образующегос  слитка.