KR920701530A - 실리콘 단결정의 제조장치 - Google Patents
실리콘 단결정의 제조장치Info
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- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 실리콘 단결정 제조장치의 한 실시예를 나타낸 종단면도, 제2도는 제1도에 있어서의 실리콘 단결정 제조장치의 온도커버의 한실시예를 나타낸 사시도, 제3도는 제1도에 있어서의 보온 커버의 다른 실시예의 사시도.
Claims (7)
- 실리콘 용융액을 내장하는 회전형 석영도가니와 전술한 석영도가니를 측면으로 부터 가열하는 전기저항 가열체와 석영도가니내에서 용융실리콘을 단결정 육성부와 원료 용해부로 분할하고, 또한 용융액이 일방방향적으로 유통할수 있는 작은 구멍을 구비한 석영제 분할부재와 전술한 분할부재와 원료용해부를 가리는 보온커버와 전술한 원료 용해부에 원료실리콘을 연속공급하는 원료 공급장치와 도가니안의 압력을 0.1기압이하로 감압하는 감압장치등을 구비하는 실리콘 단결정 제조장치에 있어서, 보온커버는 가열체의 상단부 보다 높은 위치에 개구부를 설치하고 이 개구부의 합계의 면적이 보온커버 하단과 실리콘 용융액의 액면과의 사이에 형성되는 간극의 면적보다도 커지도록 하고 또한 보온커버의 재료를 금속판으로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조장치.
- 제1항에 있어서, 개구부가 여러개 분할되어 있음을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조장치.
- 제1항에 있어서, 개구부의 상방 그렇지 않으며 하방에 금속판으로 구성한 열차폐부재를 설치한 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정이 제조장치.
- 제3항에 있어서, 열차폐부재가 보온커버의 개구부의 상방에 보온 커버에 재치하여 설치되었고, 보온커버의 도가니안 둘레쪽에서는 보온커버와 이 열차폐부재와 2㎝이상이고 또한 8㎝이하의 떨어져 있음을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조장치.
- 제3항에 있어서, 열차폐부재가 보온커버의 개구부의 하방에 이 개구부로 부터 현수지지하여 설치되었고 보온커버의 도가니 외주측에서는 보온 커버와 열차폐부재가 2㎝이상이고 또한 8㎝이하 떨어져 있음을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조장치.
- 제1항에 있어서, 개구부 면적의 합계 면적이 50㎠-1000㎠임을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조장치.
- 제3항에 있어서, 열차폐부재가 보온커버의 개구부의 상방으로 보온 커버에 재치하여 설치되었고 비스듬한 2개이상의 층상부재로 구성되어 있으며, 낱낱의 층상부재가 수직방향으로 직통하는 간극이 없도록 배설되어 있음을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP90-70054 | 1990-03-20 | ||
JP2070054A JP2547352B2 (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | シリコン単結晶の製造装置 |
JP90-102417 | 1990-04-18 | ||
JP10241790 | 1990-04-18 | ||
PCT/JP1991/000366 WO1991014809A1 (en) | 1990-03-20 | 1991-03-19 | Apparatus for making silicon single crystal |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920701530A true KR920701530A (ko) | 1992-08-11 |
KR960006262B1 KR960006262B1 (ko) | 1996-05-13 |
Family
ID=26411218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910701616A KR960006262B1 (ko) | 1990-03-20 | 1991-03-19 | 실리콘 단결정의 제조장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0494307A4 (ko) |
KR (1) | KR960006262B1 (ko) |
CN (1) | CN1055965A (ko) |
WO (1) | WO1991014809A1 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5749096A (en) * | 1994-07-01 | 1998-05-12 | Ilixco, Inc. | Helmet with high performance head and face protection utilizing complementary materials |
MY131022A (en) * | 2000-09-29 | 2007-07-31 | Samsung Electronics Co Ltd | Silicon wafers having controlled distribution of defects, and methods of preparing the same |
CN100415945C (zh) * | 2005-12-26 | 2008-09-03 | 北京有色金属研究总院 | 一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉 |
CN101519802B (zh) * | 2008-02-29 | 2011-07-20 | 绿能科技股份有限公司 | 具有紧急泄压配置的长晶炉体结构 |
CN101914808A (zh) * | 2010-07-19 | 2010-12-15 | 常州天合光能有限公司 | 可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场 |
CN105112992B (zh) * | 2015-10-13 | 2018-06-26 | 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 | 一种带有自动出料功能的单晶炉炉体 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0639352B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1994-05-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の製造装置 |
JPH01317188A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Nkk Corp | 半導体単結晶の製造方法及び装置 |
JPH01317189A (ja) * | 1988-06-17 | 1989-12-21 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造方法及び装置 |
JPH02172885A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-04 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
FI901415A0 (fi) * | 1989-10-26 | 1990-03-21 | Nippon Kokan Kk | Anordning foer framstaellning av kiselenkristaller. |
-
1991
- 1991-03-19 KR KR1019910701616A patent/KR960006262B1/ko active IP Right Grant
- 1991-03-19 EP EP19910906197 patent/EP0494307A4/en not_active Withdrawn
- 1991-03-19 WO PCT/JP1991/000366 patent/WO1991014809A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1991-03-20 CN CN91102343A patent/CN1055965A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1055965A (zh) | 1991-11-06 |
WO1991014809A1 (en) | 1991-10-03 |
EP0494307A1 (en) | 1992-07-15 |
KR960006262B1 (ko) | 1996-05-13 |
EP0494307A4 (en) | 1992-10-14 |
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