KR880008414A - 실리콘 단결정 성장(Pulling-up)장치 - Google Patents

실리콘 단결정 성장(Pulling-up)장치 Download PDF

Info

Publication number
KR880008414A
KR880008414A KR1019870015147A KR870015147A KR880008414A KR 880008414 A KR880008414 A KR 880008414A KR 1019870015147 A KR1019870015147 A KR 1019870015147A KR 870015147 A KR870015147 A KR 870015147A KR 880008414 A KR880008414 A KR 880008414A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
crucible
heat insulating
single crystal
surround
cylindrical
Prior art date
Application number
KR1019870015147A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910009131B1 (ko
Inventor
스이쯔 마쯔오
가즈오 이또
다쯔오 노자와
마사유끼 사이또
Original Assignee
히요시 준이찌
도시바 세라믹스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP31557986A external-priority patent/JPH0751472B2/ja
Priority claimed from JP61315600A external-priority patent/JPH0751475B2/ja
Priority claimed from JP61315581A external-priority patent/JPH0751474B2/ja
Application filed by 히요시 준이찌, 도시바 세라믹스 가부시끼가이샤 filed Critical 히요시 준이찌
Publication of KR880008414A publication Critical patent/KR880008414A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910009131B1 publication Critical patent/KR910009131B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14Heating of the melt or the crystallised materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20Controlling or regulating

Abstract

내용 없음.

Description

실리콘 단결정 성장(Pulling-up)장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 열절연 실린더의 한 실시예를 구비한 실리콘 단결정 성장 장치에 대한 수직 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 제1열절연실린더에 대한 한 실시예의 횡단면도.
제3도는 본 발명에 따른 제1열절연 실린더에 대한 실시예의 횡단면도.

Claims (6)

  1. 용융 실리콘 물질이 담기는 석영제 도가니; 상기 도가니 내의 실리콘 물질을 가열시키기 위해 상기 도가니를 둘러싸도록 배치된 탄소제 환상 가열기; 얇은 실린더 형상으로 권취한 탄소섬유를 성형시켜 제조되고 상기 도가니와 가열기 사이에서 도가니를 둘러싸도록 배치된 가스차폐 실린더가 포함되는 실리콘 단결정성장장치.
  2. 용융 실리콘 물질이 담기는 석영제 도가니; 상기 도가니 내의 실리콘 물질을 가열시키기 위해 상기 도가니를 둘러싸도록 배치된 탄소제 환상 가열기; 얇은 실린더 형상으로 권치한 탄소섬유를 성형시켜 제조되고 상기 도가니와 가열기 사이에서 도가니를 둘러싸도록 배치된 가스차폐 실린더; 상기 가열기를 둘러싸도록 배치된 열절연 물질로 만든 실린더형 열절연 실린더가 포함되는 실리콘 단결정 성장장치.
  3. 제2항에 있어서, 측면 모서리에서 서로 연결되어 실린더 형상으로 조립된 다수의 판상부재로 상기 열절연 실린더가 구성되는 실리콘 단결정 성장장치.
  4. 제2항에 있어서, 그 원주면에서 서로 접촉되어 실린더 형상으로 조립되는 다수의 관상부재로 상기 열절연 실린더가 구성되는 실리콘 단결정 성장장치.
  5. 제2항에 있어서, 실린더 형상으로 귄취한 탄소 섬유를 성형시켜서 제조된 복합 탄소재로 상기 열절연 실린더가 구성되는 실리콘 단결정 성장장치.
  6. 제2항에 있어서, 탄소섬유로 제조된 직물로 다중층의 실린더형으로 귄취한 실린더형 부재와 이 실린더형 부재의 내측표면과 밀착시킨 권취 탄소섬유로 제조한 하나 이상의 실린더형 복합 탄소재로 상기 열절연 실린더가 구성되는 실리콘 단결정 성장장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870015147A 1986-12-26 1987-12-26 실리콘 단결정 성장(Pull-up)장치 KR910009131B1 (ko)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP?61-315581 1986-12-26
JP315600 1986-12-26
JP?61-315579 1986-12-26
JP31557986A JPH0751472B2 (ja) 1986-12-26 1986-12-26 シリコン単結晶引上装置
JP61315600A JPH0751475B2 (ja) 1986-12-26 1986-12-26 シリコン単結晶引上装置
JP?61-315600 1986-12-26
JP315581 1986-12-26
JP315579 1986-12-26
JP61315581A JPH0751474B2 (ja) 1986-12-26 1986-12-26 シリコン単結晶引上装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880008414A true KR880008414A (ko) 1988-08-31
KR910009131B1 KR910009131B1 (ko) 1991-10-31

Family

ID=27339483

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870015147A KR910009131B1 (ko) 1986-12-26 1987-12-26 실리콘 단결정 성장(Pull-up)장치

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR910009131B1 (ko)
DE (1) DE3743952A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4130253C2 (de) * 1991-09-12 2001-10-04 Sgl Carbon Ag Mehrteiliger Stütztiegel und Verfahren zu seiner Herstellung
JP3444178B2 (ja) * 1998-02-13 2003-09-08 信越半導体株式会社 単結晶製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2817822B2 (ja) * 1992-05-14 1998-10-30 富士電機株式会社 電子写真用感光体

Also Published As

Publication number Publication date
KR910009131B1 (ko) 1991-10-31
DE3743952A1 (de) 1988-07-07
DE3743952C2 (ko) 1991-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900017933A (ko) 고온로의 단열방법
ES285102Y (es) Dispositivo de camuflaje o enmascaramiento termico
KR970074987A (ko) 실리콘 단결정 추출 장치
SE7910022L (sv) Cylinderformad langstreckt ugn for behandling av material vid hog temperatur och hogt tryck
KR880008413A (ko) 실리콘 단결정 성장(Pulling-up)장치
IT1189212B (it) Perfezionamento nei moduli di isolamento per forni elettrici
KR880008414A (ko) 실리콘 단결정 성장(Pulling-up)장치
KR980002310A (ko) 단결정의 제조방법 및 그 장치
KR890012915A (ko) 세라믹체상에 보호막을 생성시키는 방법 및 세라믹체의 사용방법
KR900014644A (ko) 실리콘 단결정(單結晶)의 제조장치
KR910018581A (ko) 디렉트 모니터링 전기로를 이용한 수직온도 구배냉각 화합물 반도체 단결정 성장장치
KR910019152A (ko) 실리콘 웨이퍼
JPS566202A (en) Multicore fiber and its production
IT7909466A0 (it) Circuito d accensione per tubi fluorescenti e simili con riscaldamento preliminare dei filamenti
KR880008412A (ko) 실리콘 단결정 성장(Pulling-up)장치
JPS5643423A (en) Device for making carbon fiber
ES2085420T3 (es) Mejoras introducidas en rodillos de calandria o estampado.
IT8247791A0 (it) Procedimento per la produzione dicorpi formati dotati di elevata sta bilita' meccanica ad alta temperatura, ad esempio corpi di fibre ceramiche termoisolanti, e prodotto ottenuto
JPH0439636Y2 (ko)
KR880007196A (ko) 웨브성장용 서스셉터의 리드
JPS5582129A (en) Polyphenylene sulfide composite material reinforced with carbon fiber
KR920701530A (ko) 실리콘 단결정의 제조장치
JPS5552951A (en) Radiation tube for black body furnace
KR840004356A (ko) 섬유-보강 매트릭스 몸체
DE69033101D1 (de) Material für Wärme- und elektrische Isolierung mit selektiver Absorptionskapazität für das Spektrum elektromagnetischer Strahlung und für Schwingungen, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Anwendung

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19981013

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee