KR980002310A - 단결정의 제조방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소정의 온도범위에서 소정의 드웰시간(dwell time)동안 생장 단결정을 유지하는 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서, 그 온도범위를 850∼1100℃로 선택하여, 그 선택온도범위에서 생장단결정의 드웰시간이 250분 이상 또는 80분 이하로 함을 특징으로 하는 제조방법이다.
또, 본 발명은 하부림(lowerrim)과 상부림(upperrim) 사이에서 환상영역(annular zones) 으로 분리시켜, 인접영역이 열방사에 대한 열전도도 및 열투과도를 서로 달리하는 열실드(heat shield)에 의해 그 생장 단결정의 냉각속도가 조정되는 방법 및 장치에 관한 것이다.

Description

단결정의 제조방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (9)

  1. 생장 단결정(growing monocrystal)을 소정의 온도범위에서 소정의 드웰시간(dwell time)동안 유지시키는 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서, 그 온도범위를 850∼1100℃로 선택하여, 그 선택온도범위에서 생장단결정의드웰시간을 250분 이상 또는 80분 이하로 함을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
  2. 생장단결정의 냉각속도가 그 생장단결정을 둘러싼 열실드(heat shield)에 의해 조정되고, 그 열실드는 하부림(lower rim)과 상부림(upper rim) 사이에서 환상영역(annular zones)으로 분리시키며, 인접영역은 방열(heat radiation)에 의한 열 전도도와 열투과도를 달리함을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 그 열실드의 하부림에 있는 영역은 열방사계수 0.3∼0.9과 열전도도 0.02∼5Wm-1K-1을 가짐을 특징으로 하는 실리콘단결정의 제조방법.
  4. 생장 단결정을 둘러싼 열실드를 가진 실리콘 단결정의 제조장치에 있어서, 그 열실드는 하부림(lowerrim)과 상부림(upper rim) 사이에 적어도 2개의 환상영역으로 분리시키며, 인접영역은 방열에 대한 열전도도와 열투과도를 서로 달리함을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조장치.
  5. 제4항에 있어서, 그 열실드의 하부림에 있는 영역은 열방사계수 0.3∼0.9과 열전도도 0.02∼5Wm-1K-1을 가짐을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 이들의 영역 중 적어도 하나는 냉각장치에 의해 냉각시킬 수 있도록 함을 특징으로 하는실리콘 단결정의 제조장치.
  7. 제4항에 있어서, 이들의 영역 중 적어도 하나는 가열장치에 의해 가열시킬 수 있도록 함을 특징으로 하는실리콘 단결정의 제조장치.
  8. 제4항에 있어서, 이들 영역의 총수는 2∼5개임을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조장치,
  9. 제4항에 있어서, 그 열실드는 그라파이트(graphite), 그라파이트펠트(graphite felt), 석영, 실리콘, CFC, 몰리브덴, 은 및 위 재료 2종이상으로 된 적층 복합체구조물(laminated composite structures)로 구성되는 재료의 그룹에서 선택한 적어도 하나의 재료로부터 제조함을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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