JP2709310B2 - 単結晶引上げ装置 - Google Patents
単結晶引上げ装置Info
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- JP2709310B2 JP2709310B2 JP1293705A JP29370589A JP2709310B2 JP 2709310 B2 JP2709310 B2 JP 2709310B2 JP 1293705 A JP1293705 A JP 1293705A JP 29370589 A JP29370589 A JP 29370589A JP 2709310 B2 JP2709310 B2 JP 2709310B2
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- single crystal
- radiation screen
- radiation
- screen
- pulled
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、輻射スクリーン配設したCZ単結晶引上げ
装置に関する。
装置に関する。
（従来の技術） チョクラルスキー法（CZ法）では、種結晶をルツボ内
のSi融液に浸し、これを回転させながら上方へ引上げ
て、種結晶下に単結晶を成長させる。この場合、ルツボ
内のSi融液は、当初ルツボ内に収容したSi原料をルツボ
周囲に配した円筒形の発熱体により加熱溶融せしめると
ともに、単結晶の引上げ中においても加熱せしめるよう
になっている。
のSi融液に浸し、これを回転させながら上方へ引上げ
て、種結晶下に単結晶を成長させる。この場合、ルツボ
内のSi融液は、当初ルツボ内に収容したSi原料をルツボ
周囲に配した円筒形の発熱体により加熱溶融せしめると
ともに、単結晶の引上げ中においても加熱せしめるよう
になっている。
また、単結晶は通常0.5〜1.0mm/minの速度で引上げら
れるが、その引上げ中の冷却速度は単結晶の品質と密接
な関係がある。
れるが、その引上げ中の冷却速度は単結晶の品質と密接
な関係がある。
一般に単結晶中の酸素誘起に起因する積層欠陥たる面
状格子欠陥（OSF）は、冷却時における900℃〜800℃の
間の保持時間が長くなると多発し、単結晶の品質を著し
く低下させる。
状格子欠陥（OSF）は、冷却時における900℃〜800℃の
間の保持時間が長くなると多発し、単結晶の品質を著し
く低下させる。
ここで保持時間について説明すると、第３図はSi融液
面からの引上げ距離を縦軸に、そして引上げ単結晶の温
度を横軸に表わすグラフであるが、例えば６″φ単結晶
では、液面330mm〜460mmの位置にある引上げ単結晶部分
が、900℃〜800℃の温度を有していることを示してい
る。したがって、単結晶の引上げ速度を、今仮に1.0mm/
minとすると、単結晶は（460mm−330mm）/1.0mm/min＝1
30minの間、900℃〜800℃の温度を保持していることに
なる。そして上記面状格子欠陥（OSF）を防止するため
には、単結晶の冷却速度を上げ、上記900℃〜800℃の温
度保持時間を可及的に短くする必要がある。ところが、
上記したCZ法では、引上げ単結晶の周囲には、発熱体、
ルツボ及びSi融液等の輻射熱源があって、これから受け
る輻射熱量が極めて大きく、必然的に当該温度域におけ
る保持時間を短くできないという問題点があった。
面からの引上げ距離を縦軸に、そして引上げ単結晶の温
度を横軸に表わすグラフであるが、例えば６″φ単結晶
では、液面330mm〜460mmの位置にある引上げ単結晶部分
が、900℃〜800℃の温度を有していることを示してい
る。したがって、単結晶の引上げ速度を、今仮に1.0mm/
minとすると、単結晶は（460mm−330mm）/1.0mm/min＝1
30minの間、900℃〜800℃の温度を保持していることに
なる。そして上記面状格子欠陥（OSF）を防止するため
には、単結晶の冷却速度を上げ、上記900℃〜800℃の温
度保持時間を可及的に短くする必要がある。ところが、
上記したCZ法では、引上げ単結晶の周囲には、発熱体、
ルツボ及びSi融液等の輻射熱源があって、これから受け
る輻射熱量が極めて大きく、必然的に当該温度域におけ
る保持時間を短くできないという問題点があった。
（発明が解決しようとする課題） 上述した所定温度域における保持時間短縮の問題は、
引上げ単結晶の回りに輻射スクリーンを配設することに
よって解決する。しかし、面状格子欠陥（OSF）の発生
防止は、引上げ単結晶の寸法に応じた形状・寸法を有す
る輻射スクリーンの配設によらなければ達成の図れない
ことが判明した。
引上げ単結晶の回りに輻射スクリーンを配設することに
よって解決する。しかし、面状格子欠陥（OSF）の発生
防止は、引上げ単結晶の寸法に応じた形状・寸法を有す
る輻射スクリーンの配設によらなければ達成の図れない
ことが判明した。
例えば第４図は第３図と同一の単結晶引上げ条件のも
とで、充分な輻射遮断長さを有しない輻射スクリーン
（第４図においてはb/a＝1.25、b/c＝1.75）を配設した
場合におけるSi融液面からの引上げ距離と単結晶の温度
との関係を示すグラフである。尚、ここで、ａは輻射ス
クリーンの裁頭部の直径、ｂは同輻射スクリーンの高
さ、ｃは引上げ単結晶の直径である。かかる場合に、第
３図と比較して明らかなように、不具合な輻射遮断長さ
の輻射スクリーンにおいては、1000℃乃至1100℃以上の
初期の冷却速度の向上には寄与するものの、900℃〜800
℃間の保持時間は輻射スクリーンの有無に関係なく同じ
である。したがって、900℃〜800℃の温度域における保
持時間に依存する面状格子欠陥（OSF）を防止するため
には、引上げ単結晶の寸法に応じた適切な輻射スクリー
ンを配設する必要があることが分かる。
とで、充分な輻射遮断長さを有しない輻射スクリーン
（第４図においてはb/a＝1.25、b/c＝1.75）を配設した
場合におけるSi融液面からの引上げ距離と単結晶の温度
との関係を示すグラフである。尚、ここで、ａは輻射ス
クリーンの裁頭部の直径、ｂは同輻射スクリーンの高
さ、ｃは引上げ単結晶の直径である。かかる場合に、第
３図と比較して明らかなように、不具合な輻射遮断長さ
の輻射スクリーンにおいては、1000℃乃至1100℃以上の
初期の冷却速度の向上には寄与するものの、900℃〜800
℃間の保持時間は輻射スクリーンの有無に関係なく同じ
である。したがって、900℃〜800℃の温度域における保
持時間に依存する面状格子欠陥（OSF）を防止するため
には、引上げ単結晶の寸法に応じた適切な輻射スクリー
ンを配設する必要があることが分かる。
本発明は、上記実情下において、面状格子欠陥（OS
F）の発生防止を達成すべく、引上げ単結晶の直径
（ｃ）と、逆裁頭円錐計輻射スクリーンの形状・寸法
（ａ及びｂ）との関係において、引上げ単結晶の冷却曲
線がどのように変化してくるかを実験し、該実験で得ら
れた知見により完成されたものである。
F）の発生防止を達成すべく、引上げ単結晶の直径
（ｃ）と、逆裁頭円錐計輻射スクリーンの形状・寸法
（ａ及びｂ）との関係において、引上げ単結晶の冷却曲
線がどのように変化してくるかを実験し、該実験で得ら
れた知見により完成されたものである。
（課題を解決するための手段） 本発明は、引上げ単結晶の回りに位置せしめられる輻
射スクリーンを具備した単結晶引上げ装置において、前
記輻射スクリーンは、その上端と炉内天井部との間に間
隔を持った逆裁頭円錐形のものであり、更に、前記輻射
スクリーンの裁頭部の直径をａ、同輻射スクリーンの高
さをｂ、引上げ単結晶の直径をｃとしたときに、a/c＝
1.1〜2.0であり、且つb/c≧2.0である構成の単結晶引上
げ装置である。
射スクリーンを具備した単結晶引上げ装置において、前
記輻射スクリーンは、その上端と炉内天井部との間に間
隔を持った逆裁頭円錐形のものであり、更に、前記輻射
スクリーンの裁頭部の直径をａ、同輻射スクリーンの高
さをｂ、引上げ単結晶の直径をｃとしたときに、a/c＝
1.1〜2.0であり、且つb/c≧2.0である構成の単結晶引上
げ装置である。
ここでa/c＝1.1〜2.0である理由は、1.1より小の場合
には、操業上支障を生ずるおそれがあるためであり、例
えば輻射スクリーンの配設に多大な調整を要することが
あげられる。更に、2.0以上の場合には、融液及びルツ
ボからの輻射熱を遮断することが図れないためである。
には、操業上支障を生ずるおそれがあるためであり、例
えば輻射スクリーンの配設に多大な調整を要することが
あげられる。更に、2.0以上の場合には、融液及びルツ
ボからの輻射熱を遮断することが図れないためである。
また、b/c≧2.0の関係は、引上げ単結晶の冷却速度と
輻射スクリーンの輻射熱遮断効果、とりわけ、輻射スク
リーンの放散熱量に起因するものであり、後述する実験
結果からの知見に基く。
輻射スクリーンの輻射熱遮断効果、とりわけ、輻射スク
リーンの放散熱量に起因するものであり、後述する実験
結果からの知見に基く。
（作 用） 上記構成によれば、引上げ単結晶の900℃〜800℃の保
持温度が可及的に短くされ、面状格子欠陥（OSF）の発
生は防止される。
持温度が可及的に短くされ、面状格子欠陥（OSF）の発
生は防止される。
（実施例） 以下、本発明を添付図面に基いて説明する。
第１図は本発明装置の断面図を示し、同図中、１は反
応容器、２はルツボ、３はヒータ、４はSi融液、５は引
上げ単結晶である。上記反応容器１の内壁には張り出し
支材６が固着され、該張り出し支材６上に略々逆裁頭円
錐形の輻射スクリーン７が取付けられている。この輻射
スクリーンの上方には、図示を省略した炉内天井部が存
在している。そして、上記輻射スクリーンの裁頭部の直
径ａは引上げ単結晶５の裁頭部の直径をａ、同輻射スク
リーンの高さをｂ、引上げ単結晶の直径をｃとしたとき
a/c＝1.1〜2.0の関係を充足するように設定され、また
輻射スクリーン７の高さはb/c≧2.0の関係を充足するよ
うに設定されている。
応容器、２はルツボ、３はヒータ、４はSi融液、５は引
上げ単結晶である。上記反応容器１の内壁には張り出し
支材６が固着され、該張り出し支材６上に略々逆裁頭円
錐形の輻射スクリーン７が取付けられている。この輻射
スクリーンの上方には、図示を省略した炉内天井部が存
在している。そして、上記輻射スクリーンの裁頭部の直
径ａは引上げ単結晶５の裁頭部の直径をａ、同輻射スク
リーンの高さをｂ、引上げ単結晶の直径をｃとしたとき
a/c＝1.1〜2.0の関係を充足するように設定され、また
輻射スクリーン７の高さはb/c≧2.0の関係を充足するよ
うに設定されている。
８は冷却効果を増すために輻射スクリーン７の上部外
周部に取付けた断熱材、Ａは同じく冷却効果を増すため
に輻射スクリーン７の下部外周部に取付けた断熱材であ
って、黒煙フェルト又は石英フェルトから成り、下部に
取付けられた断熱材は、断熱効果を微調整できるよう
に、各層取付け取外し可能な積層構造とされている。実
施例においては、当該断熱材は輻射スクリーンの下端か
ら高さ250mmの範囲の外周部に取付けられている。第２
図は、ルツボ内のSi原料を溶融せしめた状態での輻射ス
クリーン７の内壁温度分布を示すグラフであり、縦軸は
融液面からの高さ（mm）を、横軸は内壁温度（℃）を表
わしている。輻射スクリーンの内壁温度は、引上げ単結
晶の冷却勾配に大きな影響を与えるものであるが、第２
図より明らかな如く、b/aが所定寸法以下の輻射スクリ
ーンでは充分な輻射熱遮断効果を引上げ単結晶に及ぼし
得ないことが解る。すなわち、例えば、b/a＝1.25（b/c
＝1.75に相当）と、b/a＝1.75（b/c＝2.3に相当）の輻
射スクリーンでは、融液面から250mm付近の位置で約100
℃以上の温度差を生じており、b/a（b/c）が所定寸法以
下の輻射スクリーンでは充分な輻射熱遮断効果を引上げ
単結晶に及ぼし得ないことが解る。これは輻射スクリー
ンの輻射受熱の放熱作用に基づくものであり、所定寸法
以上の輻射スクリーンであれば、輻射スクリーン面から
の放熱量により所期の輻射熱遮断効果が発揮されること
となる。
周部に取付けた断熱材、Ａは同じく冷却効果を増すため
に輻射スクリーン７の下部外周部に取付けた断熱材であ
って、黒煙フェルト又は石英フェルトから成り、下部に
取付けられた断熱材は、断熱効果を微調整できるよう
に、各層取付け取外し可能な積層構造とされている。実
施例においては、当該断熱材は輻射スクリーンの下端か
ら高さ250mmの範囲の外周部に取付けられている。第２
図は、ルツボ内のSi原料を溶融せしめた状態での輻射ス
クリーン７の内壁温度分布を示すグラフであり、縦軸は
融液面からの高さ（mm）を、横軸は内壁温度（℃）を表
わしている。輻射スクリーンの内壁温度は、引上げ単結
晶の冷却勾配に大きな影響を与えるものであるが、第２
図より明らかな如く、b/aが所定寸法以下の輻射スクリ
ーンでは充分な輻射熱遮断効果を引上げ単結晶に及ぼし
得ないことが解る。すなわち、例えば、b/a＝1.25（b/c
＝1.75に相当）と、b/a＝1.75（b/c＝2.3に相当）の輻
射スクリーンでは、融液面から250mm付近の位置で約100
℃以上の温度差を生じており、b/a（b/c）が所定寸法以
下の輻射スクリーンでは充分な輻射熱遮断効果を引上げ
単結晶に及ぼし得ないことが解る。これは輻射スクリー
ンの輻射受熱の放熱作用に基づくものであり、所定寸法
以上の輻射スクリーンであれば、輻射スクリーン面から
の放熱量により所期の輻射熱遮断効果が発揮されること
となる。
更に、輻射スクリーンの下部外周部に取付けられた断
熱材は、輻射スクリーンの内壁面に対し、断熱効果を示
す。このような効果は、単に下部外周部に限定されるも
のでなく、断熱材を取付ける位置に対応し、輻射スクリ
ーンの全長にわたり発揮されることとなる。そこで本発
明者等は、b/cというパラメータに着目し、引上げ単結
晶の縦方向における温度分布を調べた。その結果を第５
図（６″φ単結晶の場合）、第６図（５″φ単結晶の場
合）に示す。
熱材は、輻射スクリーンの内壁面に対し、断熱効果を示
す。このような効果は、単に下部外周部に限定されるも
のでなく、断熱材を取付ける位置に対応し、輻射スクリ
ーンの全長にわたり発揮されることとなる。そこで本発
明者等は、b/cというパラメータに着目し、引上げ単結
晶の縦方向における温度分布を調べた。その結果を第５
図（６″φ単結晶の場合）、第６図（５″φ単結晶の場
合）に示す。
上記第５図、第６図から明らかな如く、単結晶が６″
φの場合は、b/c＝1.7の輻射スクリーンにおいては、引
上げ初期の冷却勾配は確保できるものの、面状格子欠陥
（OSF）の発生に大きな要因を持つ、900℃〜800℃の温
度域での冷却は充分でなく、面状格子欠陥の発生防止に
必要な保持時間の短縮は図れていない。しかし、輻射ス
クリーンをb/c≧2.0とすることにより、900℃〜800℃に
至るまでの冷却勾配の確保ができ、900℃〜800℃の保持
時間を短くできる。単結晶が５″φの場合においても、
同様にb/c≧2.0の輻射スクリーンを用いることにより、
900℃〜800℃における保持時間の短縮ができることが解
る。
φの場合は、b/c＝1.7の輻射スクリーンにおいては、引
上げ初期の冷却勾配は確保できるものの、面状格子欠陥
（OSF）の発生に大きな要因を持つ、900℃〜800℃の温
度域での冷却は充分でなく、面状格子欠陥の発生防止に
必要な保持時間の短縮は図れていない。しかし、輻射ス
クリーンをb/c≧2.0とすることにより、900℃〜800℃に
至るまでの冷却勾配の確保ができ、900℃〜800℃の保持
時間を短くできる。単結晶が５″φの場合においても、
同様にb/c≧2.0の輻射スクリーンを用いることにより、
900℃〜800℃における保持時間の短縮ができることが解
る。
したがって、引上げ単結晶の寸法に対し、一定の比率
の遮断長さを有する輻射スクリーンによって面状格子欠
陥（OSF）の発生防止に必要な輻射熱遮断効果を得るこ
とができる。
の遮断長さを有する輻射スクリーンによって面状格子欠
陥（OSF）の発生防止に必要な輻射熱遮断効果を得るこ
とができる。
ここで、単結晶の引上げ速度（mm/min）に関して、第
５図及び第６図は引上げ速度1.0mm/minの実施例を示す
ものである。
５図及び第６図は引上げ速度1.0mm/minの実施例を示す
ものである。
前記の如く、輻射スクリーンの輻射熱遮断効果は輻射
スクリーンの放熱作用に起因するものであり、引上げ単
結晶の寸法に対し、輻射スクリーンを所定寸法以上の維
持するものとすれば、引上げ単結晶の冷却勾配は引上げ
速度に影響されるものでない。
スクリーンの放熱作用に起因するものであり、引上げ単
結晶の寸法に対し、輻射スクリーンを所定寸法以上の維
持するものとすれば、引上げ単結晶の冷却勾配は引上げ
速度に影響されるものでない。
なお、これによって得た単結晶の面状格子欠陥発生数
（個/cm2）と輻射スクリーンのb/cとの関係を第７図に
示す。図より明らかなように、６″φ引上げ単結晶、若
しくは５″φ引上げ単結晶のいずれかにおいても、b/c
≧2.0において面状格子欠陥（OSF）の発生がなくなって
いる。ところで、各炉において全て同じ冷却勾配を作る
ことは難しく、炉の相違による品質のバラツキが生じ易
い。しかし、上記実施例によれば下部の断熱材Ａが積層
構造であり、且つ層毎に取付け取外し可能であるため、
層数を調整し、冷却勾配を微調整できる。
（個/cm2）と輻射スクリーンのb/cとの関係を第７図に
示す。図より明らかなように、６″φ引上げ単結晶、若
しくは５″φ引上げ単結晶のいずれかにおいても、b/c
≧2.0において面状格子欠陥（OSF）の発生がなくなって
いる。ところで、各炉において全て同じ冷却勾配を作る
ことは難しく、炉の相違による品質のバラツキが生じ易
い。しかし、上記実施例によれば下部の断熱材Ａが積層
構造であり、且つ層毎に取付け取外し可能であるため、
層数を調整し、冷却勾配を微調整できる。
（発明の効果） 以上の如く、本発明は、引上げ単結晶の回りに位置せ
しめられる輻射スクリーンを具備した単結晶引上げ装置
において、前記輻射スクリーンは、その上端と炉内天井
部との間に間隔を持った逆裁頭円錐形のものであり、更
に、前記輻射スクリーンの裁頭部の直径をａ、同輻射ス
クリーンの高さをｂ、引上げ単結晶の直径をｃとしたと
きに、a/c＝1.1〜2.0であり、且つb/c≧2.0である構成
の単結晶引上げ装置であり、したがって、本発明におい
ては、所定のb/cの寸法を備えた輻射スクリーンによっ
て、加熱体、融液及びルツボの輻射熱源からの輻射熱を
遮蔽し、引上げ単結晶の冷却勾配を適正に維持し得て、
面状格子欠陥（OSF）の発生に大きな影響を及ぼす、900
℃〜800℃の温度域における保持時間を短くできること
により、引上げ単結晶中の面状格子欠陥の発生を無くす
ことができ、高品質の単結晶を安定して成長育成できる
という優れた効果を有する。
しめられる輻射スクリーンを具備した単結晶引上げ装置
において、前記輻射スクリーンは、その上端と炉内天井
部との間に間隔を持った逆裁頭円錐形のものであり、更
に、前記輻射スクリーンの裁頭部の直径をａ、同輻射ス
クリーンの高さをｂ、引上げ単結晶の直径をｃとしたと
きに、a/c＝1.1〜2.0であり、且つb/c≧2.0である構成
の単結晶引上げ装置であり、したがって、本発明におい
ては、所定のb/cの寸法を備えた輻射スクリーンによっ
て、加熱体、融液及びルツボの輻射熱源からの輻射熱を
遮蔽し、引上げ単結晶の冷却勾配を適正に維持し得て、
面状格子欠陥（OSF）の発生に大きな影響を及ぼす、900
℃〜800℃の温度域における保持時間を短くできること
により、引上げ単結晶中の面状格子欠陥の発生を無くす
ことができ、高品質の単結晶を安定して成長育成できる
という優れた効果を有する。
第１図は本発明装置の一実施例を示す断面図、第２図は
輻射スクリーン内壁の温度分布を示すグラフ、第３図は
縦方向における結晶中心の温度分布図、第４図は引上げ
単結晶が900℃〜800℃である保有時間を説明するための
グラフ、第５図は、６″φ単結晶の900℃〜800℃の保有
時間がb/cに依って変化することを示すグラフ、第６図
は５″φ単結晶の900℃〜800℃の保有時間がb/a（b/c）
に依って変化することを示すグラフ、第７図は５″φ及
び６″φ単結晶におけるb/cと面状格子欠陥の発生数と
の関係を示すグラフである。 ５……引上げ単結晶、７……輻射スクリーン ａ……輻射スクリーンの裁頭部の直径 ｂ……輻射スクリーンの高さ ｃ……引上げ単結晶の直径
輻射スクリーン内壁の温度分布を示すグラフ、第３図は
縦方向における結晶中心の温度分布図、第４図は引上げ
単結晶が900℃〜800℃である保有時間を説明するための
グラフ、第５図は、６″φ単結晶の900℃〜800℃の保有
時間がb/cに依って変化することを示すグラフ、第６図
は５″φ単結晶の900℃〜800℃の保有時間がb/a（b/c）
に依って変化することを示すグラフ、第７図は５″φ及
び６″φ単結晶におけるb/cと面状格子欠陥の発生数と
の関係を示すグラフである。 ５……引上げ単結晶、７……輻射スクリーン ａ……輻射スクリーンの裁頭部の直径 ｂ……輻射スクリーンの高さ ｃ……引上げ単結晶の直径
Claims (2)
- 【請求項１】引上げ単結晶の回りに位置せしめられる輻
射スクリーンを具備した単結晶引上げ装置において、 前記輻射スクリーンは、その上端と炉内天井部との間に
間隔を持った逆裁頭円錐形のものであり、更に、前記輻
射スクリーンの裁頭部の直径をａ、同輻射スクリーンの
高さをｂ、引上げ単結晶の直径をｃとしたときに、a/c
＝1.1〜2.0であり、且つb/c≧2.0であることを特徴とす
る単結晶引上げ装置。 - 【請求項２】引上げ単結晶の回りに位置せしめられる逆
裁頭円錐形の輻射スクリーンであって、当該輻射スクリ
ーンの外周部を積層構造としたことを特徴とする第１項
記載の単結晶引上げ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1293705A JP2709310B2 (ja) | 1989-11-11 | 1989-11-11 | 単結晶引上げ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1293705A JP2709310B2 (ja) | 1989-11-11 | 1989-11-11 | 単結晶引上げ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03153595A JPH03153595A (ja) | 1991-07-01 |
| JP2709310B2 true JP2709310B2 (ja) | 1998-02-04 |
Family
ID=17798170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1293705A Expired - Lifetime JP2709310B2 (ja) | 1989-11-11 | 1989-11-11 | 単結晶引上げ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2709310B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197111B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-03-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly for crystal puller |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415860B1 (ko) * | 1995-12-08 | 2004-06-04 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 단결정제조장치및제조방법 |
| JPH09183686A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶引き上げ方法及び装置 |
| DE19622664A1 (de) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen |
| SG64470A1 (en) | 1997-02-13 | 1999-04-27 | Samsung Electronics Co Ltd | Methods of manufacturing monocrystalline silicon ingots and wafers by controlling pull rate profiles in a hot zone furnace and ingots and wafers manufactured thereby |
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1989
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| US6197111B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-03-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly for crystal puller |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03153595A (ja) | 1991-07-01 |
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