JP2827789B2 - 単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置 - Google Patents
単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶引上げ装置に用
いられ、育成される単結晶と同心に配置された整流筒で
不活性ガスの流れを整え、かつ、冷却不活性ガスを単結
晶下部に吹付ける単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・
吹付け装置に関する。
いられ、育成される単結晶と同心に配置された整流筒で
不活性ガスの流れを整え、かつ、冷却不活性ガスを単結
晶下部に吹付ける単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・
吹付け装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】石英坩堝内のＳｉ融液からＳｉ単結晶を
引き上げて育成する際、石英坩堝とＳｉ融液との反応に
より、揮発性ＳｉＯが生成され、これが坩堝の縁部、Ｓ
ｉ単結晶、引上軸及びチャンバ内壁に析出する。回転し
ながら上昇する引上軸に析出したＳｉＯは、上方蓋部の
気密用シールリングにより掻き落とされ、下方の融液に
落込み、育成中の単結晶に欠陥が生ずる原因となる。そ
こで、融液面上方において、引上軸と同心に整流筒を垂
下させ、上方から整流筒内にＡｒガスを流下させ、融液
面から蒸発したＳｉＯをＡｒガスとともにチャンバ下部
から排出させる方法が提案されている（特公昭５４−６
５１１号公報）。
引き上げて育成する際、石英坩堝とＳｉ融液との反応に
より、揮発性ＳｉＯが生成され、これが坩堝の縁部、Ｓ
ｉ単結晶、引上軸及びチャンバ内壁に析出する。回転し
ながら上昇する引上軸に析出したＳｉＯは、上方蓋部の
気密用シールリングにより掻き落とされ、下方の融液に
落込み、育成中の単結晶に欠陥が生ずる原因となる。そ
こで、融液面上方において、引上軸と同心に整流筒を垂
下させ、上方から整流筒内にＡｒガスを流下させ、融液
面から蒸発したＳｉＯをＡｒガスとともにチャンバ下部
から排出させる方法が提案されている（特公昭５４−６
５１１号公報）。
【０００３】これに対し、整流筒を備えずに一方ではＡ
ｒガスを流下させ、他方では、環状管の半径方向外側に
多数の孔を穿設したものを融液面上方において単結晶３
６と同心に配置し、この環状管にＡｒガスを供給してそ
の孔からＡｒガスを半径方向外側へ噴出させることによ
り、整流筒と同様の効果を得ようとする方法が提案され
ている（特開平４−４６０８８号公報）。
ｒガスを流下させ、他方では、環状管の半径方向外側に
多数の孔を穿設したものを融液面上方において単結晶３
６と同心に配置し、この環状管にＡｒガスを供給してそ
の孔からＡｒガスを半径方向外側へ噴出させることによ
り、整流筒と同様の効果を得ようとする方法が提案され
ている（特開平４−４６０８８号公報）。
【０００４】他方、この整流筒の下端を外側上方に折り
返した形状のカラーを付設することにより、固液界面付
近の単結晶の上下方向温度勾配を大きくして、結晶成長
速度を向上させる方法が提案されている（特開昭６４−
６５０８６号公報）。
返した形状のカラーを付設することにより、固液界面付
近の単結晶の上下方向温度勾配を大きくして、結晶成長
速度を向上させる方法が提案されている（特開昭６４−
６５０８６号公報）。
【０００５】これに対し、整流筒の下端にカラーを付設
する代わりに、液体窒素で冷却したＡｒガスを整流筒内
に導入して流下させたり（特開昭５３−８３７４号公
報）、整流筒を水冷したりする（特開昭６１−６８３８
９号公報）ことにより、結晶成長速度を向上させる方法
が提案されている。
する代わりに、液体窒素で冷却したＡｒガスを整流筒内
に導入して流下させたり（特開昭５３−８３７４号公
報）、整流筒を水冷したりする（特開昭６１−６８３８
９号公報）ことにより、結晶成長速度を向上させる方法
が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、環状管を用い
る方法では、結晶育成部が輻射熱で加熱され、かつ、Ａ
ｒガスで結晶育成部を冷却することができないので、結
晶成長速度を向上させることができない。
る方法では、結晶育成部が輻射熱で加熱され、かつ、Ａ
ｒガスで結晶育成部を冷却することができないので、結
晶成長速度を向上させることができない。
【０００７】また、整流筒の下端にカラーを付設する方
法は、構成が簡単である点で優れているが、結晶成長速
度向上には限界がある。最近の単結晶の大径化に伴っ
て、単結晶引上速度が低下しており、この速度を向上さ
せて単結晶製造コストを低減させることが要求されてい
る。
法は、構成が簡単である点で優れているが、結晶成長速
度向上には限界がある。最近の単結晶の大径化に伴っ
て、単結晶引上速度が低下しており、この速度を向上さ
せて単結晶製造コストを低減させることが要求されてい
る。
【０００８】また、冷却Ａｒガスを用いる方法又は整流
筒を水冷する方法では、Ａｒガスが整流筒内で流下する
際に、原料融液からの輻射熱等によりＡｒガスが加熱さ
れるので、単結晶３６の下端部を冷却して結晶成長速度
を向上させる効率が良くない。このような方法で結晶成
長速度を向上させるには、大流量のＡｒガスを必要と
し、不経済である。Ａｒガス流量を大きくすると、原料
融液に波が生じ、特に、種結晶に続く直径３〜５ｍｍ程
度の結晶絞り部育成の成功率が低下する。また、整流筒
を水冷した場合、不活性ガスを冷却する効率が悪く、し
かも、水冷管が破損して水が原料融液中に入ると爆発す
るので、安全性に欠ける。
筒を水冷する方法では、Ａｒガスが整流筒内で流下する
際に、原料融液からの輻射熱等によりＡｒガスが加熱さ
れるので、単結晶３６の下端部を冷却して結晶成長速度
を向上させる効率が良くない。このような方法で結晶成
長速度を向上させるには、大流量のＡｒガスを必要と
し、不経済である。Ａｒガス流量を大きくすると、原料
融液に波が生じ、特に、種結晶に続く直径３〜５ｍｍ程
度の結晶絞り部育成の成功率が低下する。また、整流筒
を水冷した場合、不活性ガスを冷却する効率が悪く、し
かも、水冷管が破損して水が原料融液中に入ると爆発す
るので、安全性に欠ける。
【０００９】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、大流量のＡｒガスを必要とせずに効率よく、充分
に、かつ、安全に、単結晶成長速度を向上させることが
できる単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置
を提供することにある。
み、大流量のＡｒガスを必要とせずに効率よく、充分
に、かつ、安全に、単結晶成長速度を向上させることが
できる単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及びその作用】本発明に係
る単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置を、
実施例図中の対応する構成要素の符号を引用して説明す
る。
る単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置を、
実施例図中の対応する構成要素の符号を引用して説明す
る。
【００１１】この単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・
吹付け装置は、例えば図１、図２及び図３に示す如く、
大径のメインチャンバ１２の上端開口部に、小径のサブ
チャンバ１４が接続され、メインチャンバ１２内に、原
料融液２８が入れられる坩堝２２が収容され、原料融液
２８に種結晶３４を浸漬させて種結晶３４を垂直上方へ
引上げることにより単結晶３６が育成される単結晶引上
げ装置に備えられる単結晶引上げ装置用不活性ガス整流
・吹付け装置であって、上端開口部がメインチャンバ１
２の上端開口部に接続され、引上げられる単結晶３６と
同心になるように単結晶３６を包囲し、不活性ガスＧ１
が内部で流下される整流筒３８と、整流筒３８内下端部
に、整流筒３８と同心に配置され、半径方向内側に、ガ
ス噴出用の孔５０ａ又はスリット７０ａが形成されたガ
ス噴出用環状管５０又は７０と、該チャンバ外部からメ
インチャンバ１２内のガス噴出用環状管５０又は７０内
へ冷却不活性ガスＧ２を供給するガス管５２、５４とを
備えている。
吹付け装置は、例えば図１、図２及び図３に示す如く、
大径のメインチャンバ１２の上端開口部に、小径のサブ
チャンバ１４が接続され、メインチャンバ１２内に、原
料融液２８が入れられる坩堝２２が収容され、原料融液
２８に種結晶３４を浸漬させて種結晶３４を垂直上方へ
引上げることにより単結晶３６が育成される単結晶引上
げ装置に備えられる単結晶引上げ装置用不活性ガス整流
・吹付け装置であって、上端開口部がメインチャンバ１
２の上端開口部に接続され、引上げられる単結晶３６と
同心になるように単結晶３６を包囲し、不活性ガスＧ１
が内部で流下される整流筒３８と、整流筒３８内下端部
に、整流筒３８と同心に配置され、半径方向内側に、ガ
ス噴出用の孔５０ａ又はスリット７０ａが形成されたガ
ス噴出用環状管５０又は７０と、該チャンバ外部からメ
インチャンバ１２内のガス噴出用環状管５０又は７０内
へ冷却不活性ガスＧ２を供給するガス管５２、５４とを
備えている。
【００１２】本発明によれば、単結晶引上げの際に、Ｓ
ｉの原料融液２８と石英坩堝２２との反応により生成さ
れた例えば揮発性ＳｉＯは、不活性ガスＧ１の流れにの
って排出され、坩堝２２の内周面、単結晶３６、種ホル
ダ３２及び引上軸３０等にＳｉＯが析出するのを防止す
ることができる。また、この不活性ガスＧ１の流れによ
り原料融液２８から蒸発するＳｉＯが多くなり、Ｓｉ単
結晶３６の酸素濃度が低くなるので、酸化誘起欠陥やス
ワール欠陥が低減される。
ｉの原料融液２８と石英坩堝２２との反応により生成さ
れた例えば揮発性ＳｉＯは、不活性ガスＧ１の流れにの
って排出され、坩堝２２の内周面、単結晶３６、種ホル
ダ３２及び引上軸３０等にＳｉＯが析出するのを防止す
ることができる。また、この不活性ガスＧ１の流れによ
り原料融液２８から蒸発するＳｉＯが多くなり、Ｓｉ単
結晶３６の酸素濃度が低くなるので、酸化誘起欠陥やス
ワール欠陥が低減される。
【００１３】また、整流筒３８及び不活性ガスＧ１によ
る前記主要な効果に加えて、整流筒３８及び不活性ガス
Ｇ１による次のような副次的な効果も生ずる。すなわ
ち、単結晶３６の周囲を覆うように不活性ガスＧ１が通
るので、単結晶３６が冷却され、結晶成長速度が向上す
る。
る前記主要な効果に加えて、整流筒３８及び不活性ガス
Ｇ１による次のような副次的な効果も生ずる。すなわ
ち、単結晶３６の周囲を覆うように不活性ガスＧ１が通
るので、単結晶３６が冷却され、結晶成長速度が向上す
る。
【００１４】しかし、不活性ガスＧ１が整流筒３８内で
流下する際に不活性ガスＧ１が加熱されるので、このよ
うな副次的効果を充分なものとするには、不活性ガスＧ
１の流量を充分大きくしなければならず、不経済であ
り、また、不活性ガスＧ１の流量を大きくすると、原料
融液２８の表面が大きく波打ち、特に、種結晶３４に連
続した単結晶絞り部３６ａの育成成功率が低下する。
流下する際に不活性ガスＧ１が加熱されるので、このよ
うな副次的効果を充分なものとするには、不活性ガスＧ
１の流量を充分大きくしなければならず、不経済であ
り、また、不活性ガスＧ１の流量を大きくすると、原料
融液２８の表面が大きく波打ち、特に、種結晶３４に連
続した単結晶絞り部３６ａの育成成功率が低下する。
【００１５】一方、単結晶育成中においては、冷却不活
性ガスＧ２が環状管５０のガス噴出孔５０ａから噴出す
るので、安全かつ効率よく単結晶３６の下部を冷却する
ことができ、固液界面付近の単結晶３６の上下方向温度
勾配が大きくなり、単結晶３６の成長速度が向上する。
これにより、単結晶３６の直径を増大させ、又は、単結
晶３６の引上げ速度を向上させることができる。また、
不活性ガスＧ１の流量を大量にする必要がないので、不
活性ガスＧ１により原料融液２８の表面が大きく波打つ
のを防止することができ、特に、種結晶３４に連続した
単結晶３６の絞り部３６ａの育成成功率を高めることが
できる。
性ガスＧ２が環状管５０のガス噴出孔５０ａから噴出す
るので、安全かつ効率よく単結晶３６の下部を冷却する
ことができ、固液界面付近の単結晶３６の上下方向温度
勾配が大きくなり、単結晶３６の成長速度が向上する。
これにより、単結晶３６の直径を増大させ、又は、単結
晶３６の引上げ速度を向上させることができる。また、
不活性ガスＧ１の流量を大量にする必要がないので、不
活性ガスＧ１により原料融液２８の表面が大きく波打つ
のを防止することができ、特に、種結晶３４に連続した
単結晶３６の絞り部３６ａの育成成功率を高めることが
できる。
【００１６】本発明の第１態様では、例えば図２（Ａ）
及び図２（Ｂ）に示す如く、ガス噴出用環状管５０に形
成されたガス噴出用孔５０ａは、直径が互いに同一であ
り、単結晶３６周面を均一に冷却するために、ガス管５
２、５４とガス噴出用環状管５０との接続部から離れる
ほど孔５０ａのピッチが短くなっている。
及び図２（Ｂ）に示す如く、ガス噴出用環状管５０に形
成されたガス噴出用孔５０ａは、直径が互いに同一であ
り、単結晶３６周面を均一に冷却するために、ガス管５
２、５４とガス噴出用環状管５０との接続部から離れる
ほど孔５０ａのピッチが短くなっている。
【００１７】この構成の場合、単結晶３６周面をより均
一に冷却することができるので、単結晶３６の周面の凹
凸がより小さくなる。また、ガス噴出用孔５０ａの直径
が互いに同一であるので、ガス噴出用環状管５０の製作
が容易である。
一に冷却することができるので、単結晶３６の周面の凹
凸がより小さくなる。また、ガス噴出用孔５０ａの直径
が互いに同一であるので、ガス噴出用環状管５０の製作
が容易である。
【００１８】本発明の第２態様では、ガス噴出用環状管
５０に形成されたガス噴出用孔５０ａは、ピッチが同一
であり、単結晶３６周面を均一に冷却するために、ガス
管５２、５４とガス噴出用環状管５０との接続部から離
れるほど孔５０ａの直径が大きくなっている。
５０に形成されたガス噴出用孔５０ａは、ピッチが同一
であり、単結晶３６周面を均一に冷却するために、ガス
管５２、５４とガス噴出用環状管５０との接続部から離
れるほど孔５０ａの直径が大きくなっている。
【００１９】この構成の場合も、単結晶３６周面をより
均一に冷却することができるので、単結晶３６の周面の
凹凸がより小さくなる。
均一に冷却することができるので、単結晶３６の周面の
凹凸がより小さくなる。
【００２０】本発明の第３態様では、例えば図４に示す
如く、ガス噴出用環状管９０に形成された孔９０ａ又は
スリットは、ガス噴出用環状管９０の半径方向内側の周
に沿って均等に形成されており、ガス管は、ガス噴出用
環状管９０と略同一サイズであり、ガス噴出用環状管９
０と同心に配置され、ガス噴出用環状管９０と複数箇所
で連通されたガス供給用環状管８０と、一端がガス供給
用環状管８０に接続され、他端側が図１のチャンバ１０
外部に出ている線状ガス管５２、５４とを有し、冷却不
活性ガスＧ２が線状ガス管５２、５４からガス供給用環
状管８０を通りガス噴出用環状管９０内に入ったときに
ガス噴出用環状管９０内で冷却不活性ガスＧ２が略均一
になるようにしている。
如く、ガス噴出用環状管９０に形成された孔９０ａ又は
スリットは、ガス噴出用環状管９０の半径方向内側の周
に沿って均等に形成されており、ガス管は、ガス噴出用
環状管９０と略同一サイズであり、ガス噴出用環状管９
０と同心に配置され、ガス噴出用環状管９０と複数箇所
で連通されたガス供給用環状管８０と、一端がガス供給
用環状管８０に接続され、他端側が図１のチャンバ１０
外部に出ている線状ガス管５２、５４とを有し、冷却不
活性ガスＧ２が線状ガス管５２、５４からガス供給用環
状管８０を通りガス噴出用環状管９０内に入ったときに
ガス噴出用環状管９０内で冷却不活性ガスＧ２が略均一
になるようにしている。
【００２１】この構成の場合、ガス噴出用環状管９０の
設計及び製作が容易となり、しかも、単結晶３６の周面
を更に均一に冷却することができる。
設計及び製作が容易となり、しかも、単結晶３６の周面
を更に均一に冷却することができる。
【００２２】本発明の第４態様では、例えば図１に示す
如く、整流筒３８の下端部に、該下端から外側上方へ延
びた断面円形のカラー４２が付設されている。
如く、整流筒３８の下端部に、該下端から外側上方へ延
びた断面円形のカラー４２が付設されている。
【００２３】この構成の場合、カラー４２の外面で輻射
熱を吸収するが、不活性ガスＧ１によりカラー４２が冷
却されるので、整流筒３８内下部の温度は、カラー４２
を設けない場合よりも低くなり、単結晶成長速度をより
向上させることができる。
熱を吸収するが、不活性ガスＧ１によりカラー４２が冷
却されるので、整流筒３８内下部の温度は、カラー４２
を設けない場合よりも低くなり、単結晶成長速度をより
向上させることができる。
【００２４】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。
する。
【００２５】［第１実施例］図１は、引上げ法による単
結晶育成装置の要部を示す。
結晶育成装置の要部を示す。
【００２６】チャンバ１０は、下部のメインチャンバ１
２と、上部のサブチャンバ１４とからなる。サブチャン
バ１４の側壁には、Ａｒガス供給口１４ａが形成され、
メインチャンバ１２の底面には、Ａｒガス吸引排出口１
２ａが形成されている。また、メインチャンバ１２の肩
部には、単結晶観察用の覗き窓１２ｂが設けられてい
る。
２と、上部のサブチャンバ１４とからなる。サブチャン
バ１４の側壁には、Ａｒガス供給口１４ａが形成され、
メインチャンバ１２の底面には、Ａｒガス吸引排出口１
２ａが形成されている。また、メインチャンバ１２の肩
部には、単結晶観察用の覗き窓１２ｂが設けられてい
る。
【００２７】メインチャンバ１２内には、昇降回転可能
な軸１６の上端にテーブル１８が固着され、テーブル１
８上に黒鉛坩堝２０が載置され、黒鉛坩堝２０内に石英
坩堝２２が嵌合されている。黒鉛坩堝２０はヒータ２４
で囲繞され、ヒータ２４は黒鉛断熱壁２６で囲繞されて
いる。石英坩堝２２内に多結晶Ｓｉを入れ、ヒータ２４
に電力を供給すると、このＳｉが溶解され融液２８とな
る。
な軸１６の上端にテーブル１８が固着され、テーブル１
８上に黒鉛坩堝２０が載置され、黒鉛坩堝２０内に石英
坩堝２２が嵌合されている。黒鉛坩堝２０はヒータ２４
で囲繞され、ヒータ２４は黒鉛断熱壁２６で囲繞されて
いる。石英坩堝２２内に多結晶Ｓｉを入れ、ヒータ２４
に電力を供給すると、このＳｉが溶解され融液２８とな
る。
【００２８】一方、サブチャンバ１４の中心線に沿って
上下動される引上軸３０の下端には、種ホルダ３２を介
して種結晶３４が保持されている。この引上軸３０を下
降させて種結晶３４を融液２８内に漬け、引き上げなが
ら１６の回転方向と反対の図示矢印方向へ回転させるこ
とにより、単結晶３６が育成される。
上下動される引上軸３０の下端には、種ホルダ３２を介
して種結晶３４が保持されている。この引上軸３０を下
降させて種結晶３４を融液２８内に漬け、引き上げなが
ら１６の回転方向と反対の図示矢印方向へ回転させるこ
とにより、単結晶３６が育成される。
【００２９】また、メインチャンバ１２とサブチャンバ
１４との接続部には、黒鉛製整流筒３８の上端開口が接
続されている。整流筒３８は、引上軸３０と同心に垂直
に配置されている。整流筒３８の長さは、結晶育成状態
において整流筒３８の下端から融液２８の表面までの距
離が例えば５〜１００mmの範囲内の設定値になるように
する。また、整流筒３８の内径は、整流筒３８の内面と
単結晶３６の表面との最短距離が例えば５〜１００mmに
なるようにする。
１４との接続部には、黒鉛製整流筒３８の上端開口が接
続されている。整流筒３８は、引上軸３０と同心に垂直
に配置されている。整流筒３８の長さは、結晶育成状態
において整流筒３８の下端から融液２８の表面までの距
離が例えば５〜１００mmの範囲内の設定値になるように
する。また、整流筒３８の内径は、整流筒３８の内面と
単結晶３６の表面との最短距離が例えば５〜１００mmに
なるようにする。
【００３０】整流筒３８の下部側面には、覗き窓１２ｂ
に対応して、単結晶観察用の石英窓４０が形成されてい
る。
に対応して、単結晶観察用の石英窓４０が形成されてい
る。
【００３１】整流筒３８の下端には、半径方向内側に突
出した座４４が形成され、座４４上に石英製の環状管５
０が載置されている。図２（Ａ）に示す如く、環状管５
０の半径方向内側には、多数のガス噴出孔５０ａが穿設
されている。また、環状管５０の上面に、ガス噴出孔５
０ａよりも直径が大きな孔が一対穿設され、これに石英
製ガス管５２、５４の下端が嵌入されている。
出した座４４が形成され、座４４上に石英製の環状管５
０が載置されている。図２（Ａ）に示す如く、環状管５
０の半径方向内側には、多数のガス噴出孔５０ａが穿設
されている。また、環状管５０の上面に、ガス噴出孔５
０ａよりも直径が大きな孔が一対穿設され、これに石英
製ガス管５２、５４の下端が嵌入されている。
【００３２】不活性ガスＧ２を、ガス管５２及び５４に
通して環状管５０内に供給すると、不活性ガスＧ２がガ
ス噴出孔５０ａから噴出して、図２（Ｂ）に示すように
単結晶３６の周面に当たり、単結晶３６の下部が冷却さ
れる。図２（Ｂ）中の２点鎖線は、ガス管５２及び５４
の下端の口である。
通して環状管５０内に供給すると、不活性ガスＧ２がガ
ス噴出孔５０ａから噴出して、図２（Ｂ）に示すように
単結晶３６の周面に当たり、単結晶３６の下部が冷却さ
れる。図２（Ｂ）中の２点鎖線は、ガス管５２及び５４
の下端の口である。
【００３３】ここで、多数のガス噴出孔５０ａの直径
は、互いに同一にした方が加工し易い。しかし、直径を
同一にすると、ガス管５２及び５４の近くにあるガス噴
出孔５０ａほど、これから噴出する不活性ガスＧ２の流
量が多くなる。
は、互いに同一にした方が加工し易い。しかし、直径を
同一にすると、ガス管５２及び５４の近くにあるガス噴
出孔５０ａほど、これから噴出する不活性ガスＧ２の流
量が多くなる。
【００３４】これらのことを考慮し、単結晶３６の周面
を均一に冷却するために、多数のガス噴出孔５０ａの直
径を互いに同一にし、ガス噴出孔５０ａのピッチを、ガ
ス管５２及び５４の下端から遠ざかるほど小さくしてい
る。
を均一に冷却するために、多数のガス噴出孔５０ａの直
径を互いに同一にし、ガス噴出孔５０ａのピッチを、ガ
ス管５２及び５４の下端から遠ざかるほど小さくしてい
る。
【００３５】なお、ガス噴出孔５０ａのピッチを同一に
し、ガス管５２及び５４から遠ざかるほどガス噴出孔５
０ａの直径を大きくすることにより、単結晶３６の周面
を均一に冷却してもよい。また、ガス管５２及び５４は
２本に限られず、１本以上であればよい。
し、ガス管５２及び５４から遠ざかるほどガス噴出孔５
０ａの直径を大きくすることにより、単結晶３６の周面
を均一に冷却してもよい。また、ガス管５２及び５４は
２本に限られず、１本以上であればよい。
【００３６】図１では簡単化のために、図２のガス管５
４を図示省略している。ガス管５２は、メインチャンバ
１２の肩部に設けられたガス管支持部１２ｃを貫通して
メインチャンバ１２の外部に出ている。ガス管５２及び
ガス管５４（図２）の上端は共に、ガス管５６に接続さ
れている。ガス管５６は、ガス冷却装置６０の出力管と
なっている。
４を図示省略している。ガス管５２は、メインチャンバ
１２の肩部に設けられたガス管支持部１２ｃを貫通して
メインチャンバ１２の外部に出ている。ガス管５２及び
ガス管５４（図２）の上端は共に、ガス管５６に接続さ
れている。ガス管５６は、ガス冷却装置６０の出力管と
なっている。
【００３７】ガス冷却装置６０は、熱交換器６２と、冷
凍機６４とを備えている。熱交換器６２は、容器６２ａ
内に冷媒６２ｂが入れられ、冷媒６２ｂ内には、内側の
熱交換コイル６２ｃと、熱交換コイル６２ｃの外側の熱
交換コイル６２ｄとが浸漬されている。熱交換コイル６
２ｄの入力端には、ガス管６６が接続され、熱交換コイ
ル６２ｄの出力端には、ガス管５６が接続され、熱交換
コイル６２ｃの入出力端は、冷凍機６４に接続されてい
る。
凍機６４とを備えている。熱交換器６２は、容器６２ａ
内に冷媒６２ｂが入れられ、冷媒６２ｂ内には、内側の
熱交換コイル６２ｃと、熱交換コイル６２ｃの外側の熱
交換コイル６２ｄとが浸漬されている。熱交換コイル６
２ｄの入力端には、ガス管６６が接続され、熱交換コイ
ル６２ｄの出力端には、ガス管５６が接続され、熱交換
コイル６２ｃの入出力端は、冷凍機６４に接続されてい
る。
【００３８】この冷凍機６４により冷媒６２ｂが冷却さ
れ、不活性ガスがガス管６６を通り、熱交換コイル６２
ｄを通って冷却され、ガス管５６、５２及び５４（図
２）を通って環状管５０内に入り、図２（Ａ）のガス噴
出孔５０ａから噴出する。
れ、不活性ガスがガス管６６を通り、熱交換コイル６２
ｄを通って冷却され、ガス管５６、５２及び５４（図
２）を通って環状管５０内に入り、図２（Ａ）のガス噴
出孔５０ａから噴出する。
【００３９】次に、上記の如く構成された第１実施例の
動作を説明する。
動作を説明する。
【００４０】チャンバ１０内を真空ポンプで減圧し、供
給口１４ａからサブチャンバ１４内へＡｒガスを供給
し、メインチャンバ１２の排出口１２ａからＡｒガスを
吸引排出させる。Ａｒガスの供給量又は排出量を調節し
て、メインチャンバ１２内の圧力を例えば５０mbar程度
にする。
給口１４ａからサブチャンバ１４内へＡｒガスを供給
し、メインチャンバ１２の排出口１２ａからＡｒガスを
吸引排出させる。Ａｒガスの供給量又は排出量を調節し
て、メインチャンバ１２内の圧力を例えば５０mbar程度
にする。
【００４１】次に、ヒータ２４に電力を供給して石英坩
堝２２内の多結晶シリコンを加熱溶融し、融液２８を形
成する。次に、引上軸３０を下降させて種結晶３４を融
液２８内に漬け、引き上げて単結晶３６を育成する。
堝２２内の多結晶シリコンを加熱溶融し、融液２８を形
成する。次に、引上軸３０を下降させて種結晶３４を融
液２８内に漬け、引き上げて単結晶３６を育成する。
【００４２】単結晶育成中においては、不活性ガスＧ１
が整流筒３８内を流下し、整流筒３８の下端と融液２８
の表面との間を通り、カラー４２の外面と石英坩堝２２
の内面との間を通って石英坩堝２２から排出され、下降
して排出口１２ａから吸引排出される。不活性ガスＧ１
の流量は、例えば８０ｌ／ｍｉｎである。
が整流筒３８内を流下し、整流筒３８の下端と融液２８
の表面との間を通り、カラー４２の外面と石英坩堝２２
の内面との間を通って石英坩堝２２から排出され、下降
して排出口１２ａから吸引排出される。不活性ガスＧ１
の流量は、例えば８０ｌ／ｍｉｎである。
【００４３】これにより、融液２８と石英坩堝２２との
反応により生成された揮発性ＳｉＯは、このＡｒガスの
流れにのって排出口１２ａから排出され、石英坩堝２２
の内周面、カラー４２の外面、単結晶３６、種ホルダ３
２及び引上軸３０等にＳｉＯが析出するのを防止するこ
とができる。また、このＡｒガスの流れにより融液２８
から蒸発する酸素量が多くなり、単結晶３６の酸素濃度
が低くなるので、酸化誘起欠陥及びスワール欠陥が低減
される。
反応により生成された揮発性ＳｉＯは、このＡｒガスの
流れにのって排出口１２ａから排出され、石英坩堝２２
の内周面、カラー４２の外面、単結晶３６、種ホルダ３
２及び引上軸３０等にＳｉＯが析出するのを防止するこ
とができる。また、このＡｒガスの流れにより融液２８
から蒸発する酸素量が多くなり、単結晶３６の酸素濃度
が低くなるので、酸化誘起欠陥及びスワール欠陥が低減
される。
【００４４】また、整流筒３８及び不活性ガスＧ１によ
る前記主要な効果に加えて、整流筒３８及び不活性ガス
Ｇ１による次のような副次的な効果も生ずる。すなわ
ち、単結晶３６の周囲を覆うようにＡｒガスが通るの
で、単結晶３６が冷却される。さらに、黒鉛製のカラー
４２の外面で輻射熱が吸収されると同時に、Ａｒガスに
よりカラー４２が冷却されるので、整流筒３８内下部の
温度は、カラー４２を設けない場合よりも低くなる。
る前記主要な効果に加えて、整流筒３８及び不活性ガス
Ｇ１による次のような副次的な効果も生ずる。すなわ
ち、単結晶３６の周囲を覆うようにＡｒガスが通るの
で、単結晶３６が冷却される。さらに、黒鉛製のカラー
４２の外面で輻射熱が吸収されると同時に、Ａｒガスに
よりカラー４２が冷却されるので、整流筒３８内下部の
温度は、カラー４２を設けない場合よりも低くなる。
【００４５】しかし、不活性ガスＧ１が整流筒３８内で
流下する際に不活性ガスＧ１が加熱されるので、このよ
うな副次的効果を充分なものとするには、不活性ガスＧ
１の流量を充分大きくしなければならず、不経済であ
り、また、不活性ガスＧ１の流量を大きくすると、融液
２８の表面が大きく波打ち、特に、種結晶３４に連続し
た単結晶絞り部３６ａの育成成功率が低下する。
流下する際に不活性ガスＧ１が加熱されるので、このよ
うな副次的効果を充分なものとするには、不活性ガスＧ
１の流量を充分大きくしなければならず、不経済であ
り、また、不活性ガスＧ１の流量を大きくすると、融液
２８の表面が大きく波打ち、特に、種結晶３４に連続し
た単結晶絞り部３６ａの育成成功率が低下する。
【００４６】一方、単結晶育成中においては、ガス冷却
装置６０で冷却された不活性ガスＧ２が環状管５０のガ
ス噴出孔５０ａから噴出する。不活性ガスＧ２の適当な
流量は、単結晶３６の直径及び不活性ガスＧ２の温度に
依存するが、通常、不活性ガスＧ１の流量の１０〜２０
％程度、例えば、１０ｌ／ｍｉｎで充分である。ガス噴
出孔５０ａからの冷却不活性ガスＧ２の噴出により、効
率よく単結晶３６の下部を冷却することができ、固液界
面付近の単結晶３６の上下方向温度勾配が大きくなり、
単結晶３６の成長速度が向上する。これにより、単結晶
３６の直径を増大させ、又は、単結晶３６の引上げ速度
を向上させることができる。また、不活性ガスＧ１の流
量を大量にする必要がないので、不活性ガスＧ１により
融液２８の表面が大きく波打つのを防止することがで
き、種結晶３４に連続した単結晶３６の絞り部３６ａの
育成成功率を高めることができる。
装置６０で冷却された不活性ガスＧ２が環状管５０のガ
ス噴出孔５０ａから噴出する。不活性ガスＧ２の適当な
流量は、単結晶３６の直径及び不活性ガスＧ２の温度に
依存するが、通常、不活性ガスＧ１の流量の１０〜２０
％程度、例えば、１０ｌ／ｍｉｎで充分である。ガス噴
出孔５０ａからの冷却不活性ガスＧ２の噴出により、効
率よく単結晶３６の下部を冷却することができ、固液界
面付近の単結晶３６の上下方向温度勾配が大きくなり、
単結晶３６の成長速度が向上する。これにより、単結晶
３６の直径を増大させ、又は、単結晶３６の引上げ速度
を向上させることができる。また、不活性ガスＧ１の流
量を大量にする必要がないので、不活性ガスＧ１により
融液２８の表面が大きく波打つのを防止することがで
き、種結晶３４に連続した単結晶３６の絞り部３６ａの
育成成功率を高めることができる。
【００４７】［第２実施例］図３は、第２実施例の冷却
不活性ガス吹付け装置を示す。
不活性ガス吹付け装置を示す。
【００４８】この冷却不活性ガス吹付け装置は、環状管
７０の半径方向内側に、図２の多数のガス噴出孔５０ａ
の代わりに、１つのリング状スリット７０ａが形成され
ている。このリング状スリット７０ａの幅は、ガス管５
２及び５４の下端から遠ざかるほど広くなっており、リ
ング状スリット７０ａから噴出した不活性ガスＧ２によ
り単結晶３６の周面が均一に冷却される。
７０の半径方向内側に、図２の多数のガス噴出孔５０ａ
の代わりに、１つのリング状スリット７０ａが形成され
ている。このリング状スリット７０ａの幅は、ガス管５
２及び５４の下端から遠ざかるほど広くなっており、リ
ング状スリット７０ａから噴出した不活性ガスＧ２によ
り単結晶３６の周面が均一に冷却される。
【００４９】［第３実施例］図４は、第３実施例の冷却
不活性ガス吹付け装置を示す。
不活性ガス吹付け装置を示す。
【００５０】この冷却不活性ガス吹付け装置は、環状管
８０と、半径方向内側にガス噴出孔９０ａが多数穿設さ
れた環状管９０とが、２段重ねにされて接合されてい
る。環状管８０には一対の接続孔８０ａ及び８０ｂが形
成され、それぞれにガス管５２及び５４の下端部が嵌入
されている。環状管８０の環状管９０との接合面には、
直径がガス噴出孔９０ａよりも大きい複数の連通孔８０
ｃが形成され、この連通孔８０ｃに対応して環状管９０
にも同じ連通孔が穿設され、連通孔８０ｃから環状管９
０の対応する連通孔を通って不活性ガスＧ２が環状管９
０内に入り、環状管９０内で不活性ガスＧ２がほぼ均一
に分布する。これにより、ガス噴出孔９０ａのピッチを
同一にし、かつ、各ガス噴出孔９０ａの直径を互いに同
一にしても、単結晶３６の周面を均一に冷却することが
でき、冷却不活性ガス吹付け装置の設計が容易となる。
８０と、半径方向内側にガス噴出孔９０ａが多数穿設さ
れた環状管９０とが、２段重ねにされて接合されてい
る。環状管８０には一対の接続孔８０ａ及び８０ｂが形
成され、それぞれにガス管５２及び５４の下端部が嵌入
されている。環状管８０の環状管９０との接合面には、
直径がガス噴出孔９０ａよりも大きい複数の連通孔８０
ｃが形成され、この連通孔８０ｃに対応して環状管９０
にも同じ連通孔が穿設され、連通孔８０ｃから環状管９
０の対応する連通孔を通って不活性ガスＧ２が環状管９
０内に入り、環状管９０内で不活性ガスＧ２がほぼ均一
に分布する。これにより、ガス噴出孔９０ａのピッチを
同一にし、かつ、各ガス噴出孔９０ａの直径を互いに同
一にしても、単結晶３６の周面を均一に冷却することが
でき、冷却不活性ガス吹付け装置の設計が容易となる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明した如く、不活性ガスが整流筒
内で流下する際に不活性ガスが加熱されるので、結晶成
長速度を充分大きくするには、従来では、不活性ガスの
流量を充分大きくしなければならず、不経済であり、ま
た、不活性ガスの流量を大きくすると、原料融液の表面
が大きく波打ち、特に、種結晶に連続した単結晶絞り部
の育成成功率が低下するが、本発明に係る単結晶引上げ
装置用不活性ガス整流・吹付け装置によれば、単結晶育
成中において、冷却不活性ガスが環状管のガス噴出孔か
ら噴出するので、安全かつ効率よく単結晶の下部を冷却
することができ、これにより、固液界面付近の単結晶の
上下方向温度勾配が大きくなって、単結晶の成長速度が
向上し、単結晶の大径化に伴い低下する単結晶引上速度
を向上させることができ、さらに、不活性ガスの流量を
大量にする必要がないので、不活性ガスにより原料融液
の表面が大きく波打つのを防止することができ、これに
より特に、種結晶に連続した単結晶の絞り部の育成成功
率を高めることができるという優れた効果を奏する。
内で流下する際に不活性ガスが加熱されるので、結晶成
長速度を充分大きくするには、従来では、不活性ガスの
流量を充分大きくしなければならず、不経済であり、ま
た、不活性ガスの流量を大きくすると、原料融液の表面
が大きく波打ち、特に、種結晶に連続した単結晶絞り部
の育成成功率が低下するが、本発明に係る単結晶引上げ
装置用不活性ガス整流・吹付け装置によれば、単結晶育
成中において、冷却不活性ガスが環状管のガス噴出孔か
ら噴出するので、安全かつ効率よく単結晶の下部を冷却
することができ、これにより、固液界面付近の単結晶の
上下方向温度勾配が大きくなって、単結晶の成長速度が
向上し、単結晶の大径化に伴い低下する単結晶引上速度
を向上させることができ、さらに、不活性ガスの流量を
大量にする必要がないので、不活性ガスにより原料融液
の表面が大きく波打つのを防止することができ、これに
より特に、種結晶に連続した単結晶の絞り部の育成成功
率を高めることができるという優れた効果を奏する。
【００５２】本発明の第１態様及び第２態様によれば、
単結晶周面をより均一に冷却することができるので、単
結晶の周面の凹凸がより小さくなるという効果を奏す
る。
単結晶周面をより均一に冷却することができるので、単
結晶の周面の凹凸がより小さくなるという効果を奏す
る。
【００５３】また、本発明の第１態様によれば、ガス噴
出用孔の直径が互いに同一であるので、ガス噴出用環状
管の製作が容易になるという効果を奏する。
出用孔の直径が互いに同一であるので、ガス噴出用環状
管の製作が容易になるという効果を奏する。
【００５４】本発明の第３態様によれば、ガス噴出用環
状管の設計及び製作が容易になり、かつ、単結晶周面を
さらに均一に冷却することができるという効果を奏す
る。
状管の設計及び製作が容易になり、かつ、単結晶周面を
さらに均一に冷却することができるという効果を奏す
る。
【００５５】本発明の第４態様によれば、カラーの外面
で輻射熱を吸収するが、不活性ガスによりカラーが冷却
されるので、整流筒内下部の温度は、カラーを設けない
場合よりも低くなり、単結晶成長速度をより向上させる
ことができるという効果を奏する。
で輻射熱を吸収するが、不活性ガスによりカラーが冷却
されるので、整流筒内下部の温度は、カラーを設けない
場合よりも低くなり、単結晶成長速度をより向上させる
ことができるという効果を奏する。
【図１】引上法による半導体単結晶育成装置の要部構成
図である。
図である。
【図２】（Ａ）は第１実施例の冷却不活性ガス吹付け装
置の斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の環状管５０及び単結晶３
６の横断面図である。
置の斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の環状管５０及び単結晶３
６の横断面図である。
【図３】第２実施例の冷却不活性ガス吹付け装置の斜視
図である。
図である。
【図４】（Ａ）は第３実施例の冷却不活性ガス吹付け装
置の斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の環状管８０の平面図であ
る。
置の斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の環状管８０の平面図であ
る。
３６ 単結晶 ３８ 整流筒 ４２ カラー ４４ 座 ５０、７０、８０、９０ 環状管 ５０ａ、９０ａ ガス噴出孔 ５２、５４ ガス管 ６０ ガス冷却装置 ７０ａ リング状スリット ８０ａ、８０ｂ 接続孔 ８０ｃ 連通孔 Ｇ１、Ｇ２ 不活性ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭64−65086（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−144987（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−122587（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−46088（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−8374（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−68389（ＪＰ，Ａ) 特公 昭54−6511（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 15/00 C30B 28/00 - 35/00
Claims (5)
- 【請求項１】 大径のメインチャンバ（１２）の上端開
口部に、小径のサブチャンバ（１４）が接続され、該メ
インチャンバ内に、原料融液（２８）が入れられる坩堝
（２２）が収容され、該原料融液に種結晶（３４）を浸
漬させて該種結晶を垂直上方へ引上げることにより単結
晶（３６）が育成される単結晶引上げ装置に備えられる
単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置であっ
て、 上端開口部が該メインチャンバ上端開口部に接続され、
引上げられる該単結晶と同心になるように該単結晶を包
囲し、不活性ガス（Ｇ１）が内部で流下される整流筒
（３８）と、 該整流筒内下端部に、該整流筒と同心に配置され、半径
方向内側に、ガス噴出用の孔（５０ａ）又はスリット
（７０ａ）が形成されたガス噴出用環状管（５０）と、 該チャンバ外部から該メインチャンバ内の該ガス噴出用
環状管内へ冷却不活性ガス（Ｇ２）を供給するガス管
（５２、５４）と、 を有することを特徴とする単結晶引上げ装置用不活性ガ
ス整流・吹付け装置。 - 【請求項２】 前記ガス噴出用環状管（５０）に形成さ
れたガス噴出用孔（５０ａ）は、直径が互いに同一であ
り、前記単結晶（３６）周面を均一に冷却するために、
前記ガス管（５２、５４）と該ガス噴出用環状管との接
続部から離れるほど該孔のピッチが短くなっていること
を特徴とする請求項１記載の単結晶引上げ装置用不活性
ガス整流・吹付け装置。 - 【請求項３】 前記ガス噴出用環状管（５０）に形成さ
れたガス噴出用孔（５０ａ）は、ピッチが同一であり、
前記単結晶（３６）周面を均一に冷却するために、前記
ガス管（５２、５４）と該ガス噴出用環状管との接続部
から離れるほど該孔の直径が大きくなっていることを特
徴とする請求項１記載の単結晶引上げ装置用不活性ガス
整流・吹付け装置。 - 【請求項４】 前記ガス噴出用環状管（９０）に形成さ
れた前記孔（９０ａ）又は前記スリットは、該ガス噴出
用環状管の半径方向内側の周に沿って均等に形成されて
おり、 前記ガス管は、前記ガス噴出用環状管と略同一サイズで
あり、該ガス噴出用環状管と同心に配置され、該ガス噴
出用環状管と複数箇所で連通されたガス供給用環状管
（８０）と、一端が該ガス供給用環状管に接続され、他
端側が前記チャンバ外部に出ている線状ガス管（５２、
５４）とを有し、 前記冷却不活性ガス（Ｇ２）が該線状ガス管から該ガス
供給用環状管を通り該ガス噴出用環状管内に入ったとき
に該ガス噴出用環状管内で該冷却不活性ガスが略均一に
なるようにしたことを特徴とする請求項１記載の単結晶
引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置。 - 【請求項５】 前記整流筒（３８）の下端部に、該下端
から外側上方へ延びた断面円形のカラー（４２）が付設
されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
１つに記載の単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付
け装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033110A JP2827789B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置 |
| EP94102606A EP0612867A1 (en) | 1993-02-23 | 1994-02-22 | Inert gas rectifying/blowing apparatus for single crystal pulling device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5033110A JP2827789B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06247789A JPH06247789A (ja) | 1994-09-06 |
| JP2827789B2 true JP2827789B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=12377523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5033110A Expired - Fee Related JP2827789B2 (ja) | 1993-02-23 | 1993-02-23 | 単結晶引上げ装置用不活性ガス整流・吹付け装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0612867A1 (ja) |
| JP (1) | JP2827789B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101644315B1 (ko) * | 2015-04-13 | 2016-08-01 | (주)에스테크 | 가스 주입 구조 및 이를 구비한 잉곳 성장 장치 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19622664A1 (de) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen |
| US5827367A (en) * | 1996-09-13 | 1998-10-27 | Seh America | Apparatus for improving mechanical strength of the neck section of czochralski silicon crystal |
| US5942032A (en) * | 1997-08-01 | 1999-08-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield assembly and method of growing vacancy rich single crystal silicon |
| JP2007314375A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 単結晶製造装置 |
| KR100958296B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2010-05-19 | 주식회사 실트론 | 단결정 잉곳 제조장치 |
| JP4862836B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2012-01-25 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 |
| KR101146695B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2012-05-22 | 주식회사 엘지실트론 | 잔류 융액의 냉각 효율이 향상된 실리콘 단결정 제조장치 및 제조방법 |
| CN102383185B (zh) * | 2011-10-12 | 2014-03-05 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种用于生产直拉重掺磷单晶的防爆装置及防爆方法 |
| CN106894082B (zh) * | 2015-12-17 | 2019-04-19 | 上海超硅半导体有限公司 | 单晶硅生长炉 |
| CN107227487B (zh) * | 2017-07-19 | 2023-08-18 | 天津环际达科技有限公司 | 一种真空炉内复合冷却提速成晶设备 |
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