KR880008409A - 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법 및 장치 - Google Patents

고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 고순도 반도체 규소박판의 제조장치의 개략도.
제4도는 본 발명이 반응기본체의 단면도.
제5도는 제4도의 평단면도.

Claims (17)

  1. 유도가열부 또는 저항가열부(4a)(4b)에 의해 가열되는 흑연 또는 탄소도가니(1)의 내부에 석영도가니(2)를 내장하여 순수한 규소를 넣어 용융시키는 것과, 흑연 또는 탄소도가니(1)의 하부에 석영주형(6)이 내장된 흑연주형(5)을 설치하여 상기 용융된 규소(9)를 석영주형(6)내에 쏟아 부어 방향성응고법에 의해 규소잉곳(10)을 제조하는 것과, 상기 제조된 규소잉곳을 결정성장 방향으로 절단하여 고순도 규소박판(26a)(26b)을 제조 하는 것과, 통상의 반응기 본체(15) 내부에 상기 고순도 규소박판(26a)(26b)을 입설하여 일정한 압력하에서 그 고순도 규소박판(26a)(26b)의 온도를 반응기체의 열분해온도까지 가열시켜 고순도 반도체 재료인 규소를 제조함을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 흑연 또는 탄소도가니(1)와 석영도가니(2)내에 온도를 1420-1500℃까지 가열하여 규소를 용융하는 것을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 흑연 및 석영주형(5)(6)의 온도를 최고 1200℃까지 예열되게 유도가열함을 특징으로 한느 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체재료인 규소의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 석영주형(6)을 흑연주형(5)내에 조립 및 분리토록하여 재사용함을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체재료인 규소의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 제조된 고순도 규소를 절단하여 규소박판을 만든 뒤 이 박판을 반응기에 설이하여 반도체 재료인 규소를 제조함을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 고순도 규소박판(26a)(26b)의 온도를 1000-1300℃까지 가열시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 반응기본체(15) 내부의 조작압력을 1-10기압으로 유지시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서 반응기본체(15) 내로 공급되는 반응기체는 수소, 트리클로로실란(SiHCl3), 사염화규소(SiCl4), 디클로로실란(SiH2Cl2)등으로 수소와 트리클로로실란, 사염화규소, 디클로로실란 또는 수소와 클로로실란 사이의 평균 몰비가 최고 1.0인 이들 혼합물의 반응기체를 공급함을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 한쌍의 고순도 규소박판(26a)(26b)을 1열종대 또는 다수열의 종대로 다수쌍을 설치하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법.
  10. 제1항 및 제9항에 있어서, 한쌍의 고순도 규소박판(26a)(26b)을 원주방향으로 다수쌍을 설치하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법.
  11. 양측에 전극봉(25a)(25b)이 고정설치된 수냉금속판(11)의 상부에 종형반응기벽(12) 및 2중자켓(14)을 입설시킨 통상의 반응기본체(15)에 있어서, 수냉금속판(11)의 상부 양측에 고순도 규소박판(26a)(26b)을 설치하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치.
  12. 제11항에 있어서, 일측전극봉(25a)에 테프론(35)(36)을 고정설치하여 수냉금속판(11)과 절연시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치.
  13. 제11항에 있어서, 양측 전극봉(25a)(25b)에 각각 흑연조임 블록(27a)(27b)을 고정설치하여 고순도 규소박판(26a)(26b)을 고정 및 전원공급되게 함을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치.
  14. 제11항에 있어서, 수냉금속판(11)의 상면부에 불투명 석영판(31)을 설치하여 단열시킴을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치.
  15. 제14항에 있어서, 불투명 석영판(31)에 반응기체의 출입을 원활하게 하도록 구멍(32)(33)을 형성하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치.
  16. 제14항 및 제15항에 있어서, 불투명 석영판(31)에 형성된 구멍(21)(22)을 동심선상으로 조합하여 하나의 출입구로 형성하여 됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치.
  17. 제14항 내지 15항에 있어서, 불투명 석영판(31)에 하나의 반응기체의 출구(24)와 다수개의 반응기체의 입구(23)를 형성하여됨을 특징으로 하는 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860010220A 1986-12-01 1986-12-01 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법 및 장치 KR890002965B1 (ko)

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