KR900015336A - 비휘발성 메모리셀 및 그 수록방법 - Google Patents

비휘발성 메모리셀 및 그 수록방법 Download PDF

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유따까 하야시
요시까즈 고지마
료지 다까다
마사아끼 가미야
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원본미기재
고교기쥬쯔인쬬
세이꼬 덴시 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

비휘발성 메모리셀 및 그 수록방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 상기 반도체 비휘발성 메모리의 제1실시예를 구성하는 메모리 셀의 단면도,
제2도는 휘발성 정보 세팅 수단이 막 트랜지스터를 구성하여 본 발명에 따른 상기 반도체 비휘발성 메모리의 제2실시예를 구성하는 또다른 메모리 셀의 단면도.

Claims (11)

  1. 집적된 메모리 셀을 갖는 반도체 비휘발성 메모리에 있어서, 각 메모리 셀은 제1면을 갖는 제1반도체 영역, 전하를 저장하는 제1면상에 배치된 전하 저장구조, 전하저장 구조에 전기적으로 결합된 제1게이트, 제1면에 전기적으로 접속된 제2영역, 전하저장 구조와 제l게이트 둘다 또는 하나에 전기적으로 결하된 제2게이트, 랜덤-액세스 전위를 그곳에 세팅하는 제1게이트에 접속하도록 제공된 랜덤-억세스 전위 세팅 수단을 포함하는 반도체 비휘발성 메모리.
  2. 집적된 메모리 셀을 갖는 반도체 비휘발성 메모리에 있어서, 각 메모리 셀은 제1면을 갖는 제1반도체 영역과, 제1면상에 배치된 전하저장 구조, 전하 저장 구조에 전기적으로 결합된 제1게이트. 제1면에 전기적으로 접속된 제2영역, 전하저장 구조 및 제1게이트 둘다 또는 하나에 전기적으로 결합된 제2게이트, 제1게이트에 접속되도록 제공된 랜덤-억세스 전위세팅 수단을 포함하며, 반도체 비휘발성 메모리의 수록 방법은, 비휘발성 수록에 효과적인 각 메모리 셀의 제2의 게이트에 주어진 전압을 인가하기 전에 랜덤-액세스 전위 세팅 수단을 통해 각 메모리 셀의 제1게이트에 주어진 전위를 일시적으로 세팅 또는 수록시키는 단계와, 각 메모리셀의 전하저장구조 각각에 전위 세트의 형태로 일시적으로 수록된 정보를 휘발성-수록시키도록 정보로 수록된 각 메모리 셀의 제2게이트 각각에 비휘발성 수록 고조에 따라 비휘발성 수록 전압을 동시에 인가시키는 단계를 포함하는 반도체 비휘발성 메모리.
  3. 기판상에 형성된 반도체 메모리 셀에 있어서, 메모리하는 비휘발성 정보에 전하를 저장하는 기판상에 배치된 저장 수단과, 저장 수단내로 전하를 주사시키는 주사 수단과, 저장 수단의 전위 레벨을 제어하는데 효과적인 전위레벨 형태로 휘발성 정보를 일시적으로 저장시키도록 작동 가능하고 저장수단은 근처에 배치된 제1제어 게이트 수단과, 제1제어 게이트 수다에 일시적으로 휘발성 정보를 수록하도록 랜덤 액세스 근본의 제1제어 게이트 수단위 전위 레벨을 세팅하는 랜덤 액세스 수단과, 일시적으로 수록된 휘발성 정보에 대응하게 비휘발성 정보를 메모리하도록 저장수단을 인에이블 시키게끔 제1제어게이트 수단의 진위 레벨을 세트시킴에 따라 주사 수단으로 부터 저장 수단에 전하 주입에 효과적인 제어 전극에 인가시키는 저장수단 근처에 배치된 제2제어 게이트 수단을 포함하는 반도체 메모리 셀.
  4. 제3항에 있어서, 저장 수단은 부동 게이트 전극을 포함하는 반도체 메모리 셀.
  5. 제3항에 있어서, 주사 수단은 드레인 및 소스영역 사이 저장수단아래 배치된 한쌍의 드레인 영역과 소스영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체 메모리 셀.
  6. 제3항에 있어서, 제1제어 게이트 수단은 저장 수단에 용량성으로 결합되고 저장수단 아래 배치된 게이트 영역을 포함하는 반도체 메모리 셀.
  7. 제3항에 있어서, 제1제어 게이트 수단은 저장 수단에 용량성으로 결합되고 저장수단 위에 배치된 게이트 전극을 포함하는 반도체 메모리 셀.
  8. 제3항에 있어서, 제2제어 게이트 수단은 저장 수단에 용량성으로 결합되고 저장 수단위에 배치된 게이트 전극을 포함하는 반도체 메모리 셀.
  9. 제3항에 있어서, 랜덤-액세스 수단은 랜덤 액세스 근본으로 채널 영역상으로 돌려지는 채널 영역상에 배치된 게이트 수단과 채널 영역을 통해 제1제어 게이트 수단에 휘발성 정보를 입력시키는 채널 영역 사이를 규정하도록 제1제어 게이트 수단으로부터 떨어진 관계로 배치된 입력 수단을 포함하는 반도체 메모리 셀.
  10. 제9항에 있어서, 랜덤-액세스 수단은 랜덤 액세스에 효과적으로 게이트 수단에 접속된 스위칭 트랜지스터를 포함하는 반도체 메모리 셀.
  11. 제9항에 있어서, 입력수단, 게이트 수단 및 제1제어 게이트 수단은 박막 트랜지스터로 이루어진 반도체 메모리 셀.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900003187A 1989-03-10 1990-03-10 비휘발성 메모리셀 및 그 수록방법 KR900015336A (ko)

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