KR900015335A - 반도체 비휘발성 메모리 및 이것의 기록방법 - Google Patents

반도체 비휘발성 메모리 및 이것의 기록방법 Download PDF

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KR900015335A KR1019900003186A KR900003186A KR900015335A KR 900015335 A KR900015335 A KR 900015335A KR 1019900003186 A KR1019900003186 A KR 1019900003186A KR 900003186 A KR900003186 A KR 900003186A KR 900015335 A KR900015335 A KR 900015335A
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유따까 하야시
요시까즈 고지마
료지 다까다
마사아끼 가미야
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고교기쥬쯔인쪼
세이꼬 덴시 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 비휘발성 메모리 및 이것의 기록방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예인 반도체 비휘발성 메모리 셀의 단면도,
제2-4도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 비휘발성 메모리 셀의 단면도.

Claims (10)

  1. 제1표면을 깆는 제1반도체 영역과; 전하를 저장하기 위해 제1반도체 영역의 제1표면상에 배치된 저하 저장 구조체와; 전하 저장 구조체에 전기적으로 연결하기 의해 제공된 제1게이트와; 제1반도체 영역의 일측부에서 전기적으로 접속되며, 제2표면을 갖는 제2반도체 영역과; 제2표면을 제어하기 위한 제2게이트와; 제2반도체 영역의 타측부에 전기적으로 연결된 제3영역과; 랜덤 억세스를 기초로 하여 전위를 셋팅하기 위해 제2게이트에 접속된 랜덤 억세스 전위 셋팅 수단을 각 메모리 셀이 구비하는 집적 메모리 셀로 구성된 반도체 비휘발성 메모리.
  2. 각 메모리 셀이 제1표면을 갖는 제1반도체 영역과, 제1반도체 영역의 제1표면상에 배치된 전하 저장 구조체와, 전하 저장 구조체에 전기적으로 연결하기 의해 제공된 제1게이트와, 제l반도체 영역의 일측면에서 전기적으로 연결되며, 제2표면을 갖는 제2반도체 영역과, 제2표면을 제어하기 위한 제2게이트와, 제2반도체 영역의 타측면에 전기적으로 연결된 제3영역과, 제2게이트에 연결된 랜덤 억세스 전위 수단을 구비하는 직점 메모리 셀을 갖는 반도체 비휘발성 메모리에서, 메모리에 기럭하는 방법이; 랜덤 억세스를 기본으로 하여 랜덤 억세스 전위셋팅 수단에 의해 제2게이트에 소정의 전위를 인가하여 비휘발성 정보의 기록을 실행하기 위해 제1게이트에 전압을 인가하기 전에 일시적으로 휘발성 정보를 기록하는 단계와; 전하 저장 구조체에 일시적으로 기로고딘 휘발성 정보의 비휘발성 기록을 실행하기 위해 기록된 모든 메모리셀의 제1게이트에 비휘발성 기록 전압을 비휘발성 기록 명령에 따라 동시에 인가하는 단계를 구비하는 메모리 기록방법.
  3. 비휘발성 정보를 메모리하기 위해 전하를 저장하는 기판상에 배치된 저장 수단과; 상기 저장 수단에 전하를 주입하는 주입 수단과; 상기 주입 수단에 전하를 공급하기 위한 공급 수단과; 휘발 제어 수단을 일시적으로 기록된 휘발 정보에 따라 상기 공급 수단으로부터 상기 주입 수단으로 전하의 흐름을 제어하기 위해 상기 주입 수단과 상기 공급수단에 배치되어 휘발성 정보를 일시적으로 기억하기 의해 동작하는 휘발 제어 수단과; 휘발 제어 수단에 휘발 정보를 기록하기 위해 랜덤 억세스 형태로 휘발 제어 수단의 전위를 셋팅하는 랜덤 억세스 전의 셋팅수단과; 상기 주입 수단으로부터 상기 저항 수단까지 전하의 주입을 제어하여 휘발 제어 수단에 기록된 대응 휘발 정보를 나타내는 비휘발성 정보를 기록하는 비휘발성 제어 수단을 구비하는 기판상에 형성된 반도체 메모리 셀.
  4. 제3항에 있어서, 상기 저장 수단은 부동 게이트 전극을 구비하는 기판상에 형성된 반도체 메모리 셀.
  5. 제3항에 있어서, 상기 주입 수단은 저장 수단 사이에서 터널 전류를 흘리는 반도체 영역을 포함하는 기판상에 형성된 반도체 메모리 셀.
  6. 제3항에 있어서, 상기 주입 수단은 상기 주입 수단과 상기 저장 수단 사이에서 채널 전류를 흘리는 반도체영역을 포함하는 기판상에 형성된 반도체 메모리 셀.
  7. 제3항에 있어서, 상기 휘발 제어 수단은 임피던스에 따라 전하의 흐름을 제어하기 위해 상기 주입 수단과 공급 수단 사이에 삽입된 채널 영역과, 상기 채널과 반대의 관계로 배치되어 있으며, 휘발성 정보를 표시하는 전위 레벨로 셋트 가능하고 채널 영역의 임피던스를 제어하는데 유효한 휘발 제어 게이트 전극을 포함하는 기판상에 형성된 반도체 메모리 셀.
  8. 제3항에 있어서, 상기 랜덤 억세스 셋텅 수단은 휘발 제어 수단의 랜덤 억세슬 실행하기 위한 스위칭 수단을 포함하는 기판상에 형성된 반도체 메모리 셀.
  9. 제8항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 전계 효과 트랜지스터를 구비하는 기판상에 형성된 반도체 메모리 셀.
  10. 제8항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 다이오드를 구비하는 기판상에 형성된 반도체 메모리 셀.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900003186A 1989-03-10 1990-03-10 반도체 비휘발성 메모리 및 이것의 기록방법 KR900015335A (ko)

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