KR900015155A - 다이나믹형 반도체 기억 장치 - Google Patents
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- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
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- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 한 실시예인 다이나믹형 반도체 기억 장치의 요부의 구성을 표시하는 도면.
제3도는 이 발명의 한 실시예인 다이나믹형 반도체 기억장치의 전체의 구성의 개략을 표시하는 도면.
Claims (1)
- 행열상으로 배열된 복수의 메모리 셀과, 전기 복수의 메모리 셀의 열을 규정하기 위한 복수의 비트선대와, 상기 복수의 메모리 셀의 행(行)을 규정하기 위한 복수의 워드선과, 외부에서 부여되는 행 어드레스에 응답하여 상기 복수의 워드선중의 1개를 선택하는 행 디코더와, 외부에서 부여되는 열 어드레스에 응답하여 상기 복수의 비트선대중의 1쌍을 선택하는 열 디코더를 구비하고 상기 복수의 비트선대는 적어도 1개소에 교차부를 가지는 비트선대로서 이루어지는 제1의 그룹의 비트선대와, 교차부를 0또는 1개 이상 가지는 비트선대로서 이루어지는 제2의 그룹의 비트선대를 포함하여, 상기 제1의 그룹의 비트선대와 상기 제2의 그룹의 비트선대와는 서로 교차하여 배설되어 상기 제1의 그룹의 비트선대의 각각에 대하여 설치되어 대응의 비트설대의 전위차를 검지하여 증폭하는 제1의 센스앰프 수단, 상기 제2의 그룹의 비트선대의 각각에 대응하여 설치되고, 대응의 비트선대의 전위차를 검지하여 중폭하는 제2의 센스 앰프 수단 및 상기 열 어드레스에 응답하여 상기 제1및 제2의 센스 앰프 수단을 서로 다른 타이밍으로서 활성화 하는 수단을 구비하는 다이나믹형 반도체 기억 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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1990
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