KR900005894B1 - 표면이 평평한 절연층의 형성방법 - Google Patents

표면이 평평한 절연층의 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR900005894B1
KR900005894B1 KR1019870014659A KR870014659A KR900005894B1 KR 900005894 B1 KR900005894 B1 KR 900005894B1 KR 1019870014659 A KR1019870014659 A KR 1019870014659A KR 870014659 A KR870014659 A KR 870014659A KR 900005894 B1 KR900005894 B1 KR 900005894B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
insulating layer
polysilsesquioxane
polymer
silicided
methyl
Prior art date
Application number
KR1019870014659A
Other languages
English (en)
Other versions
KR890011519A (ko
Inventor
순-이찌 후꾸야마
야수히로 요네다
마사시 미야가와
고다 니시이
아즈마 마쯔우라
Original Assignee
후지쓰가부시끼가이샤
야마모도 다꾸마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP59228885A external-priority patent/JPS61108628A/ja
Priority claimed from JP60063359A external-priority patent/JPS61224330A/ja
Priority claimed from JP60104035A external-priority patent/JPS61292342A/ja
Application filed by 후지쓰가부시끼가이샤, 야마모도 다꾸마 filed Critical 후지쓰가부시끼가이샤
Publication of KR890011519A publication Critical patent/KR890011519A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900005894B1 publication Critical patent/KR900005894B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02137—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material comprising alkyl silsesquioxane, e.g. MSQ
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/46—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes silicones
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
    • H01L21/3122—Layers comprising organo-silicon compounds layers comprising polysiloxane compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/481—Insulating layers on insulating parts, with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • H05K3/4676—Single layer compositions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/90—Magnetic feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal

Abstract

내용 없음.

Description

표면이 평평한 절연층의 형성방법
제1도는 중량평균 분자량과 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산의 용융점간의 상호관계를 나타내는 도표.
제2a 내지 2f도는 전자장치상의 절연층을 제조하는 방법을 나타내는 제조공정도.
제3도는 가열전후 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산의 높이와 두께의 차간의 상호관계를 나타내는 도표.
제4도는 실리레이티드 및 비실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산과 폴리이미드 잔여량 비율간의 상호관계를 나타내는 도표.
제5도는 절연층들 즉, 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산과 PSG의 이중층과 PSG 단일층을 통하는 전압과 누설전류간의 상호관계를 나타내는 도표.
본 발명은 전기회로 기판상의 도체들의 초소형 패턴들로 인해 계단식으로 차이를 두고 있는 평평한 실리레이티드 저급 알킬 폴리실세스퀴옥산(Silylated Lower Alkyl Polysilsesquioxane)의 절연층을 제조하는 방법에 관한 것이다.
절연층들은 전자 소자들, 특히 집적회로들, 대규모 집적회로들, 그리고 자기버블 메모리(Manetic Bubble Memory)장치들을 갖는 전자회로 기판들상에 공통적으로 형성된다. 이 회로기판들의 표면은 그 위에 형성된 초소형 패턴들로 인하여 높이에 있어 계단식의 차이를 나타낸다. 그러므로 절연층들은 평평한 계단피복을 나타낸다. 그 밖에 그들은 열분해를 방지하도록 내열성, 갈라지는 것 즉, 크랙킹(cracking)을 방지하도록 하부층 재료의 것과 비슷한 팽창계수, 그리고 전자 소자들의 성능을 저하시키는 외부 가스나 습기의 침투를 방지하도록 밀도높은 구조를 나타내야만 한다.
절연층들은 통상적으로 무기산화물 예, 포스포실리케이트글라스(PSG) 및/또는 유기수지(ORGANIC RESIN)들로 제조된다. 무기층들은 비교적 밀도높은 구조를 갖고 있어 유리하나 어떤 경우에 계단피복이 불충분한 것으로 나타난다. 그밖에 플라즈마 화학증기증착 또는 스퍼터링에 의해 생성된 그러한 층들은 동작의 허용할 수 있는 지속시간내에 바람직한 두께를 형성하지 못하는 단점을 갖고 있다.
다른 한편, 유기수지 예, 폴리이미드(polyimide)는 순탄한 계단피복과 평탄한 표면윤곽을 나타낸다. 그러나, 그들은 거친 구조로 인해 고흡습성이고, 열분해 및 열쇼크에 대해 저항성이 결여된 단점을 갖는다. 또한 유기수지는 전자회로 기판에 그들이 적용될 수 있도록 유기용매내에서 용이한 용해성을 갖는다.
오가노실리콘(organosilicone) 수지는 유기 및 무기물질들의 조합된 특성을 나타냄이 주지되었다. 특히, 소위 사다리구조 즉, 2차원구조를 갖는 오가노폴리실세스퀴옥산(organopolysilsesquioxane)들은 선형구조를 갖는 오가노폴리실옥산(organopolysiloxane)들 보다 열분해에 대해 저항성이 더 크다.
전술한 바와 같이, 절연층으로 사용하기에 적합한 오가노폴리실세스퀴옥산들에 대하여, 페닐 폴리실세스퀴옥산은 열분해에 대해 평탄한 저항성을 나타내지만 열크랙킹에 대한 저항성을 나타내지 않으며 또한 저급 알킬 폴리실세스퀴옥산은 페닐 폴리실세스퀴옥산의 것에 대해 역저항성을 나타낸다.
가미야등은 1984년 요교 교가이시, 볼륨 92 No. 5 242 내지 247 페이지에 반응성 하이드록사이드 말단기들을 트리메틸 시릴(trimethyl silyl) 그룹들로서 대치함으로서 디오가노시록산(diorganosiloxane) 중합체의 열저항성을 개선하는 방법을 발표했다. 그러나, 그러한 실리레이티드 오가노폴리실세스퀴옥산은 전자회로기판의 절연층들 용으로 응용되지 못했다.
히다찌 리미티드의 수도등은 일본 미심사 특허공보소 55-50645호에 반도체 장치의 표면상에와 근처에 형성된 오가노폴리실세스퀴옥산층을 발표하였다. 대부분의 유기 그룹들은 페닐 및 메틸 그룹들로부터 선택된다. 유기 그룹들의 일부분은 C2 내지 C6 그룹들 즉, 알킬, 비닐, 할로겐화된 페닐, 하이드록실알킬, 머캡토알킬(mercaptoalkyl), 알킬페닐 및 아미노페닐로부터 선택된다.
히다찌 리미티드의 쇼지등은 일본 미심사 특허공보소 55-145355호에 유기성기들이 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 페닐, 할로게노페닐, 할로게노메틸(halogenomethyl)페닐 및 아밀 헥실 페닐 에틸(amyl hexyl phenyl ethyl)의 그룹들로부터 선택되는 오가노폴리실세스퀴옥산층의 절연층을 발표하였다.
후지쓰 리미티드의 도꾸나가등은 일본 미심사 특허공보소 56-125857호에 메틸 폴리실세스퀴옥산이 도체들의 하부층 초소형 패턴들과 그 위에 형성된 무기절연층간의 계단식 하부 부분을 평탄화시키도록 사용되는 반도체장치를 제조하기 위한 방법을 발표하였다. 그러나, 도꾸나가등은 메틸 폴리실세스퀴옥산의 활성말단 그룹들에 대하여는 전혀 언급한 바 없다.
수도등, 쇼지등은 물론 도구나가등 누구도 오가노폴리실세스퀴옥산의 활성말단기들을 트리알킬실리 그룹들로 대치하는 것을 교시하거나 제안하지 못했다.
본 발명의 목적은 절연층상에 형성된 도체들의 초소형 패턴들로 인해 높이에 있어 계단식으로 차이를 갖는 전자회로 기판상에 표면이 평평한 절연층을 제조하기 위한 방법을 제공하는데 있다.
본 발명에 의하면 표면이 평평한 절연층을 제조하는 방법이 제공되는데, 이 방법은 : 다음의 일반식을 갖는 실리레이티드 오가노폴리실세스퀴옥산의 유기용액의 층을 높이에 있어 계단식의 차를 갖는 전자회로 기판상에 도포하는 단계와,
Figure kpo00001
여기서, R은 알킬 또는 페닐 그룹, n은 약 50 내지 약 2,000의 정수로서, 약 50 내지 약 500이 바람직함. 그 다음 용매를 증발시키는 단계와, 그리고 표면을 평탄하게 하도록 실리레이티드 오가노폴리실세스퀴옥산을 용융시키고 또한 중합체를 경화시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 중합체의 유기용매를 도포하고, 용매를 증발시키고 그리고 중합체의 표면을 평탄하도록 중합체를 용해시킨 다음 중합체를 경화시켜 줌으로서 높이에 있어 계단차를 갖고 회로기판상에 형성되는 R이 CH3또는 C2H5이며, n이 약 50 내지 약 2,000인 정수로서 약 50 내지 약 500이면 바람직한 다음 일반식,
Figure kpo00002
을 갖는 실리레이티드 저급 알킬 폴리실세스퀴옥산의 절연층을 제조하는 방법이 제공된다.
절연층은 층을 절연시키는 층 또는 회로기판의 상부 표면상에 형성되는 패시베이션(passivation)층일 수 있다. 절연층은 실리레이티드 알킬 또는 페닐 폴리실세스퀴옥산층이다.
제2a도에 보인 바와 같이, 절연층 1'에, SiO2층을 갖는 실리콘 기판 1은 0.9㎛의 두께, 3㎛의 최소폭 및 2㎛의 최소간격으로 된 알미늄 2의 패턴들을 갖고 있다. 약 220의 중합도에 해당하는 30,000 중량평균 분자량을 갖는 트리메틸 실리레이티드 폴리메틸실세스퀴옥산을 무게비 20%의 토루엔 용액으로 40초 동안 2500rpm의 속도로 회전시켜 기판 1을 피복하였다. 용매를 30분동안 80℃로 가열하여 제거한 다음 중합체를 평평하게 용융시켜 60분 동안 350℃의 질소흐름하에서 가열하여 경화시켰다. 가열온도는 350℃ 내지 400℃가 바람직하다. 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산의 분자량은 비실리레이티드 중합체의 것과 동일하기 때문에 그의 용융점은 제1도의 도표로부터 추정할 수 있다. 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산의 용융점은 제1도에서 볼 수 있는 바와 같이 중량평균 분자량에 선형적으로 비례한다. 따라서, 실리레이티드 중합체는 약 300℃에서 용융될 수 있다.
경화조건은 경화된 실리레이티드 중합체가 용매내에 5분 동안 담가둔 후 두께가 감소되지 않도록 결정하였다.
[표 1]
Figure kpo00003
따라서, 그 조건은 60분동안 350℃로 결정하였다. 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산은 반응성 하이드록시 말단기들을 갖고 있지 않기 때문에 메틸 그룹들의 열가교결합이 단독으로 발생될 수 있어, 결과적으로 저밀도와 가교결합이 경화 후 보장된다. 따라서, 절연층의 두께는 알미늄 패턴상에 3.5㎛ 정도의 두께로 할 수 있는 것으로, 이는 크랙킹이 발생됨이 없이 비교적 큰 열팽창계수를 갖는다. 중합체 3의 두께는 알미늄상에 약 0.6㎛ 그리고 알미늄간의 영역상에 약 1.5㎛ 이었다. 따라서 높이에서의 차는 거의 0.05㎛를 남긴채 거의 완전히 제거되었다.
제2b도에 보인 바와 같이 패시베이션층으로서 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산을 갖고 있는 층으로 된 회로구조는 48시간 동안 2기압하에서 120℃로 압력증자기 시험을 받았다. 알미늄 부식이 전혀 관측되지 않았다.
제3도는 높이가 1㎛의 계단차를 갖는 기판위에 피복된 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산층들의 두께간에 계단피복의 상호관계를 나타낸다.
한 곡선은 중합체의 용융전에 기판위에 회전피복된 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산의 계단피복을 나타낸다. 다른 곡선은 평평하게 되도록 용융 및 유동시켜서 된 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산의 계단피복을 나타낸다.
계단피복은 실리레이티드 중합체를 용융시킴으로서 개선될 수 있다.
실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산의 레벨링 특성은 높이에서 1㎛의 계단차를 갖는 기판위에 회전피복된 폴리머층의 두께는 1.2㎛로서 계단차들을 0.1㎛ 이하로 평탄하게 하거나 또는 감소시켜 주는 것으로 평가되었다. 다른 한편 비실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산의 것은 3.0㎛ 이상이었다.
알미늄 패턴들상에 형성된 중합체의 절연층은 900℃까지 열분석을 받았으며 또한 중합체들의 잔유량의 비가 결정되었다. 제4도에 보는 바와 같이, 실리레이티드 중합체(곡선 A)는 700℃까지 잔유량의 감소가 없음을 나타내는 한편 비실리레이티드 중합체(곡선 B)는 450℃에서 잔유량이 감소되기 시작함을 나타낸다. 비교하기 위해 보인 폴리이미드 수지(곡선 C)는 훨씬 더 신속하게 감소한다.
표 2는 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산 및 비실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산의 크랙발생에 대해 저항 특성들의 비교 시험결과들을 나타낸다.
시험은 샘플의 가열에 의해 수행되었는데 여기서, 두 종류의 중합체들이 실리콘 기판상에 형성되는 도전층과 절연층간의 계단차를 갖는 기판상에서 회전되었다. 샘플들은 질소분위기하에서 1시간 동안 500℃의 온도로 가열되었다.
높이에 있어 계단차는 1㎛이었다. 기판상에 피복된 중합체들의 두께는 0.5㎛ 내지 4.0㎛의 범위내에서 변화되었다. 도전성 또는 절연패턴은 1㎛의 두께를 갖고 있었다.
알미늄은 도전성 패턴용으로 사용되었으며, SiO2는 절연 패턴용으로 사용되었다.
[표 2]
Figure kpo00004
상기 표 2로부터 볼 수 있는 바와 같이, 비실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산은 크랙발생에 대해 불충분한 저항을 갖는다. 다른 한편 본 발명의 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산은 비록 중합체들의 두께가 약 4㎛일지라도 크랙발생에 대해 양호한 저항성을 갖는다.
폴리실세스퀴옥산내의 OH 그룹내의 잔유 활성하이드로겐을 실리레이팅하여 얻은 실리레이티드 저급 알킬 폴리실세스퀴옥산은 가열 후 기계적응력 변형을 완화시킬 수 있는 분자구조를 보유할 수 있어 열가교결합의 비율을 억제하여 줌으로써 평평해지도록 용융될 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 실리레이티드 저급 알킬 폴리실세스퀴옥산은 크랙발생에 대해 우수한 저항성을 갖는다.
[실시예 1]
표면상에 절연층을 갖는 실리콘 기판은 알미늄의 패턴들을 갖고 있었다. 약 220의 중합도에 해당하는 약 30,000의 중량평균 분자량을 갖는 트리메틸 실리레이티드 폴리실세스퀴옥산의 4-메틸-2-펜타논(MIBK) 용액을 기판상에 피복되도록 회전시켰다. 용매는 증발에 의해 제거한 다음 중합체를 평평하게 되도록 60분 동안 350℃의 질소흐름하에서 가열에 의해 용융 경화시켰다. 중합체 3의 두께는 약 2㎛이었다.
결국 형성된 중합체층은 패시베이션층용으로 사용될 수 있었으며 또한 높이의 차는 거의 완전히 제거되었다.
패시베이션층으로서 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산을 갖고 있는 실리콘회로 기판은 48시간 동안 2기압하의 120℃에서 압력-증자기 시험을 받았으나 알미늄 부식은 전혀 관측되지 않았다.
[비교실시예 1]
비실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산을 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산 대신 피복시킨 이외에는 제1실시예와 동일한 방식으로 바이폴라 반도체 소자를 제조하였다.
메틸 폴리실세스퀴옥산 20% 무게비의 토루엔 용액은 40초동안 2500rpm으로 기판을 피복시키도록 회전되었다. 용매는 30분 동안 80℃로 가열하여 제거했으며 그 다음 중합체를 60분 동안 350℃의 질소분위기하에서 열처리했다. 알미늄층상의 형성된 메틸 폴리실세스퀴옥산 중합체층내에 크랙들은 관측되지 않았다. 초기의 높이차가 1㎛이었을 때 높이차는 0.2㎛ 남아 있었다.
[비교실시예 2]
표면상에 SiO2절연층을 갖는 실리콘 기판은 알미늄의 패턴들을 갖고 있었다. 1㎛ 두께의 SiO2패시베이션층은 플라즈마 화학증기증착에 의해 형성되었다. 1㎛ 두께의 패시베이션층을 형성하는데 필요한 시간기간은 약 5 내지 10분이었으며 계단피복은 양호하지 못했다.
패시베이션층으로서 이 플라즈마 CVD SiO2를 갖는 실리콘회로 구조는 10시간 동안 2기압하에서 120℃로 압력증자기 시험을 받았으며 이때 알미늄 부식이 관측되었다.
[실시예 2]
제2a도에 보인 바와 같이, 절연층 1' 예, SiO2층을 갖는 실리콘 기판 1은 1㎛ 두께의 알미늄 2의 패턴을 갖고 있었다. 약 220의 중합도에 해당하는 30,000의 중량평균 분자량(MW)과 중량평균 분자량 대 수평균 분자량(MW/MN)의 비 즉, 1.2의 분산도를 갖는 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산 무게비 20%의 메틸 이소부틸 케톤용액을 4000rpm으로 기판 1을 피복시키도록 회전시켰다. 용매를 10분 동안 120℃로 가열하여 제거하였으며, 그 다음 60분 동안 350℃로 가열하여 평평하게 용융 경화시켰다.
결국 형성된 1.2 내지 1.4㎛의 두께를 갖는 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산층은 기판과 알미늄층간의 계단차를 평평하게 할 수 있었다. 중합체 3의 두께는 알미늄 사이의 영역상에서 약 1.2 내지 1.4㎛ 이었다. 따라서 높이의 차는 거의 0.05㎛ 만 남고 거의 완전히 제거되었다.
그 다음 1.0㎛ 두께의 PSG층 4는 제2c도에 보인 바와 같이 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산층 3의 평평한 표면상에 화학증기증착에 의해 형성되었다. 관통구멍 5들은 상표 "AZ1350"로서 등록된 포토레지스트의 마스크 6을 사용하여 절연층들 3과 4를 CF4플라즈마 식각에 의해 개방되었다. 그후, 포토레지스터 6을 O2플라즈마 식각에 의해 제거한 다음 1㎛ 두께의 제2알미늄층 7을 제2d도 내지 제2f도에 보인 바와 같은 관통구멍들 5를 통하여 제1의 알미늄 2에 연결하도록 증착시켰다. 최종 다층회로구조는 전기누설 시험을 받았으나 제5도의 곡선 D에서 볼 수 있는 바와 같이 25볼트 인가했을 때 전기누설이 전혀 관측되지 않았다. 또한, 다층회로 구조는 신뢰성 시험 즉, 우선 500시간 동안 250℃로 가열한 다음 둘째로 500시간 동안 -65℃ 내지 150℃의 열쇼크를 주었다. 여기서 한 주기는 한시간 반 계속되는 것이었다. 그후, 전기누설은 25볼트 인가했을 때 관측되지 않았다.
[비교실시예 3]
트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산을 니켈-철의 층을 갖는 자기버블 메모리상에 인가한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 절차로 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산층을 제조하였다. 즉, 약 230의 중합도에 해당하는 약 31,000의 중량평균 분자량을 갖는 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산 무게비 20%의 4-메틸-2-펜타논 용액을 상표 "퍼머로이(permalloy)"로 등록된 니켈-철 합금층을 갖는 자기버블 메모리를 피복시키도록 회전시켰다. 용매를 제거한 후 중합체는 1시간동안 350℃로 질소 분위기하에서 가열하여 평평하게 되도록 용융 경화시켰다. 이 경우에, 중합체의 패시베이션층은 2㎛의 두께를 갖고 있었다.
패시베이션층으로서 트리메틸 실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산을 갖는 자기버블 메모리는 48시간동안 2기압하에서 120℃로 압력-증자기 시험을 받았으나 니켈-철 합금의 부식은 전혀 관측되지 않았다.
[비교실시예 4]
약 230의 중합도를 갖는 비실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산 무게비 20%의 4-메틸-2-펜타논 용액을 상표 "퍼머로이"로서 등록된 니켈-철 합금층을 갖는 자기버블 메모리를 피복시키도록 회전시켰다.
용매를 제거한 후 중합체를 1시간 동안 350℃로 질소분위기속에서 가열하여 경화시켰다. 이 경우에 중합체의 패시베이션층은 1㎛의 두께를 갖고 있었다. 이 비실리레이티드 메틸 폴리실세스퀴옥산층은 그 두께가 1㎛ 이상 되었을 때 가열 후 크랙들이 발생되었기 때문에 계단피복은 불충분하였다. 그밖에 30시간 동안 2기압하에서 120℃로 압력증자기 시험을 한 후 니켈-철 합금의 부식은 관측되었다.

Claims (6)

  1. 다음 일반식을 갖는 실리레이티드 저급 알킬 폴리실세스퀴옥산의 유기용액을 높이에 있어 계단차를 갖는 회로기판상에 도포하는 단계와, 용매를 증발시키는 단계와, 그리고 상기 중합체의 표면을 평평하게 하도록 상기 실리레이티드 저급 알킬 폴리실세스퀴옥산을 용융시키고 또한 그 중합체를 경화시키는 단계를 포함하는 표면이 평평한 절연층의 형성방법.
    Figure kpo00005
    식중, R은 CH3또는 C2H5이며, n은 약 50 내지 약 2,000의 정수임.
  2. 제1항에서, 상기 실리레이티드 저급 알킬 폴리실세스퀴옥산은 트리메틸시릴 단말 그룹들을 갖는 메틸 폴리실세스퀴옥산이며, 그의 중량평균 분자량은 약 7.0×103내지 약 2.7×105인 것이 특징인 표면이 평평한 절연층의 형성방법.
  3. 제2항에서, 상기 실리레이티드 저급 알킬 폴리실세스퀴옥산은 트리메틸 실리레이티드 단말 그룹들을 갖는 에틸 폴리실세스퀴옥산이며, 그의 중량평균 분자량은 약 8.4×103내지 약 3.2×105인 것을 특징인 표면이 평평한 절연층의 형성방법.
  4. 제1항에서, 상기 절연층은 패시베이션 박막인 것이 특징인 표면이 평평한 절연층의 형성방법.
  5. 제1항에서, 상기 절연층은 층을 절연시키는 층으로서, 그 위에 유기물질의 절연층을 가지며, 그에 의해 2중층의 절연층이 형성되는 것이 특징인 표면이 평평한 절연층의 형성방법.
  6. 다음 일반식을 갖는 실리레이티드 오가노폴리실세스퀴옥산의 유기용액을 높이에 있어 계단차를 갖는 회로기판상에 바르는 단계와, 용매를 증발시키는 단계와, 그리고 상기 중합체를 평평하게 하도록 상기 실리레이티드 오가노폴리실세스퀴옥산을 용융시키고 또한 그 중합체를 경화시키는 단계를 포함하는 것이 특징인 표면이 평평한 절연층의 형성방법.
    Figure kpo00006
    식중, R은 알킬 또는 페닐 그룹이며, n은 약 50 내지 약 2,000의 정수임.
KR1019870014659A 1984-11-01 1987-12-21 표면이 평평한 절연층의 형성방법 KR900005894B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP84-228885 1984-11-01
JP59228885A JPS61108628A (ja) 1984-11-01 1984-11-01 低級アルキルポリシルセスキオキサンの製法
JP60063359A JPS61224330A (ja) 1985-03-29 1985-03-29 パツシベ−シヨン膜の形成方法
JP85-63359 1985-03-29
JP85-104035 1985-05-17
JP60104035A JPS61292342A (ja) 1985-05-17 1985-05-17 多層配線構造体の製法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850007985A Division KR880000853B1 (ko) 1984-11-01 1985-10-29 저급알킬 폴리실세스퀴옥산의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890011519A KR890011519A (ko) 1989-08-14
KR900005894B1 true KR900005894B1 (ko) 1990-08-13

Family

ID=27298149

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850007985A KR880000853B1 (ko) 1984-11-01 1985-10-29 저급알킬 폴리실세스퀴옥산의 제조방법
KR1019870014659A KR900005894B1 (ko) 1984-11-01 1987-12-21 표면이 평평한 절연층의 형성방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850007985A KR880000853B1 (ko) 1984-11-01 1985-10-29 저급알킬 폴리실세스퀴옥산의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US4670299A (ko)
EP (2) EP0406911B1 (ko)
KR (2) KR880000853B1 (ko)
DE (2) DE3587041T2 (ko)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4670299A (en) * 1984-11-01 1987-06-02 Fujitsu Limited Preparation of lower alkyl polysilsesquioxane and formation of insulating layer of silylated polymer on electronic circuit board
JPS6243424A (ja) * 1985-08-20 1987-02-25 Shin Etsu Chem Co Ltd シルセスキオキサン乳濁液の製造方法
US4981530A (en) * 1988-11-28 1991-01-01 International Business Machines Corporation Planarizing ladder-type silsesquioxane polymer insulation layer
US5081202A (en) * 1989-11-17 1992-01-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha High purity phenyl silicone ladder polymer and method for producing the same
FR2656617A1 (fr) * 1989-12-28 1991-07-05 Thomson Csf Procede de synthese de polysilsesquioxanes et applications des produits contenus.
US5043789A (en) * 1990-03-15 1991-08-27 International Business Machines Corporation Planarizing silsesquioxane copolymer coating
US5196251A (en) * 1991-04-30 1993-03-23 International Business Machines Corporation Ceramic substrate having a protective coating thereon and a method for protecting a ceramic substrate
JPH04353521A (ja) * 1991-05-30 1992-12-08 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd オルガノポリシルセスキオキサンおよびその製造方法
US5145723A (en) * 1991-06-05 1992-09-08 Dow Corning Corporation Process for coating a substrate with silica
JP2923408B2 (ja) * 1992-12-21 1999-07-26 三菱電機株式会社 高純度シリコーンラダーポリマーの製造方法
WO1995018190A1 (en) * 1993-12-27 1995-07-06 Kawasaki Steel Corporation Isolation film of semiconductor device, coating fluid for forming the film, and process for producing the film
US5840821A (en) * 1994-03-11 1998-11-24 Kawasaki Steel Corporation Coating solution and method for preparing the coating solution, method for forming insulating films for semiconductor devices, and method for evaluating the coating solution
DE4446533C1 (de) * 1994-12-24 1996-03-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung von keramischen Verbundkörpern und deren Verwendung
KR100492279B1 (ko) * 1995-08-15 2005-11-16 다우 코닝 아시아 리미티드 경화성폴리메틸실세스키옥산조성물
US5942802A (en) * 1995-10-09 1999-08-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of producing the same
JP3635156B2 (ja) * 1996-08-19 2005-04-06 ダウ コーニング アジア株式会社 硬化性ポリメチルシルセスキオキサン組成物
JP3635171B2 (ja) * 1996-11-28 2005-04-06 ダウ コーニング アジア株式会社 ポリマー相溶性ポリメチルシルセスキオキサン
JP3635179B2 (ja) * 1997-02-24 2005-04-06 ダウ コーニング アジア株式会社 シリル化ポリメチルシルセスキオキサン、その製造方法、それを用いた組成物
JP3635181B2 (ja) * 1997-02-24 2005-04-06 ダウ コーニング アジア株式会社 剥離性硬化皮膜形成用組成物
JP3635180B2 (ja) * 1997-02-24 2005-04-06 ダウ コーニング アジア株式会社 シリル化ポリメチルシルセスキオキサン、その製造方法、それを用いた組成物
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US6015457A (en) * 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
US6143855A (en) * 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
US6218020B1 (en) 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6177199B1 (en) 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
KR100519510B1 (ko) * 1998-12-18 2006-01-27 주식회사 하이닉스반도체 실란과 방향족 화합물로 구성된 분자내 대환상 공간을 가지는 저유전율 화합물
US6965165B2 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Mou-Shiung Lin Top layers of metal for high performance IC's
EP1153062B1 (fr) * 1998-12-22 2002-11-27 Firmenich Sa Polymethylsilsesquioxane poreux ayant des proprietes adsorbantes
EP1190277B1 (en) * 1999-06-10 2009-10-07 AlliedSignal Inc. Semiconductor having spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6423772B1 (en) * 1999-07-16 2002-07-23 Institute Of Chemistry, Chinese Academy Of Sciences Organo-bridged ladderlike polysiloxane, tube-like organosilicon polymers, complexes thereof, and the method for producing the same
US6440560B1 (en) 1999-07-26 2002-08-27 International Business Machines Corporation Nanoparticles formed with rigid connector compounds
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6440550B1 (en) * 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
KR20000063142A (ko) * 2000-02-17 2000-11-06 이응찬 폴리오르가노실세스키옥산 제조용 출발물질,폴리오르가노실세스키옥산 및 폴리오르가노실세스키옥산제조방법
US6759098B2 (en) 2000-03-20 2004-07-06 Axcelis Technologies, Inc. Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials
US6368400B1 (en) * 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US20040047988A1 (en) * 2000-11-17 2004-03-11 Jin-Kyu Lee Poly(methylsilsesquioxane) copolymers and preparation method thereof
US7108771B2 (en) * 2001-12-13 2006-09-19 Advanced Technology Materials, Inc. Method for removal of impurities in cyclic siloxanes useful as precursors for low dielectric constant thin films
US7423166B2 (en) * 2001-12-13 2008-09-09 Advanced Technology Materials, Inc. Stabilized cyclosiloxanes for use as CVD precursors for low-dielectric constant thin films
US7456488B2 (en) * 2002-11-21 2008-11-25 Advanced Technology Materials, Inc. Porogen material
JP4066332B2 (ja) * 2002-10-10 2008-03-26 日本エー・エス・エム株式会社 シリコンカーバイド膜の製造方法
US6991959B2 (en) * 2002-10-10 2006-01-31 Asm Japan K.K. Method of manufacturing silicon carbide film
US6849561B1 (en) * 2003-08-18 2005-02-01 Asm Japan K.K. Method of forming low-k films
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
EP1752019B1 (en) * 2004-05-19 2009-04-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Layer for use in a domestic appliance
DE102007004838A1 (de) * 2007-01-31 2008-08-07 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Organopolysiloxanen
US8642246B2 (en) 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
EP2277501A4 (en) * 2008-05-08 2013-08-21 Momentive Performance Mat Jp COSMETIC
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
KR100987390B1 (ko) * 2010-03-05 2010-10-13 (주)우주아이텍 티에프티-엘씨디의 게이트 절연막 구조 및 그 제조방법
KR20110112641A (ko) * 2010-04-07 2011-10-13 한국과학기술연구원 광활성 그룹을 측쇄로 가지는 사다리 구조의 폴리실세스퀴옥산 및 이의 제조방법
KR101249798B1 (ko) * 2010-08-18 2013-04-03 한국과학기술연구원 선택적으로 구조가 제어된 폴리실세스퀴옥산의 제조방법 및 이로부터 제조된 폴리실세스퀴옥산
US8859709B2 (en) 2010-12-22 2014-10-14 Dow Corning Corporation Method of forming polyhedral oligomeric silsesquioxane compounds
US9333454B2 (en) 2011-01-21 2016-05-10 International Business Machines Corporation Silicone-based chemical filter and silicone-based chemical bath for removing sulfur contaminants
US8900491B2 (en) 2011-05-06 2014-12-02 International Business Machines Corporation Flame retardant filler
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
US9186641B2 (en) 2011-08-05 2015-11-17 International Business Machines Corporation Microcapsules adapted to rupture in a magnetic field to enable easy removal of one substrate from another for enhanced reworkability
US8741804B2 (en) 2011-10-28 2014-06-03 International Business Machines Corporation Microcapsules adapted to rupture in a magnetic field
US9716055B2 (en) 2012-06-13 2017-07-25 International Business Machines Corporation Thermal interface material (TIM) with thermally conductive integrated release layer
EP3194502A4 (en) 2015-04-13 2018-05-16 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications
WO2023046995A1 (de) 2021-09-27 2023-03-30 Robert Bosch Gmbh (poly-)silsesquioxan ausbildende kompositzusammensetzung
DE102022205830A1 (de) 2021-09-27 2023-03-30 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung (Poly-)Silsesquioxan ausbildende Kompositzusammensetzung

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3017386A (en) * 1959-01-21 1962-01-16 Gen Electric Benzene soluble phenyl silsesquioxanes
US4349609A (en) * 1979-06-21 1982-09-14 Fujitsu Limited Electronic device having multilayer wiring structure
DE3065150D1 (en) * 1979-06-21 1983-11-10 Fujitsu Ltd Improved electronic device having multilayer wiring structure
DE3173441D1 (en) * 1980-08-26 1986-02-20 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Ladder-like lower alkylpolysilsesquioxanes and process for their preparation
JPS5760330A (en) * 1980-09-27 1982-04-12 Fujitsu Ltd Resin composition
DE3278567D1 (en) * 1981-10-03 1988-07-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same
JPS59109565A (ja) * 1982-12-16 1984-06-25 Fujitsu Ltd コ−テイング樹脂溶液およびその製造方法
DE3574418D1 (en) * 1984-05-30 1989-12-28 Fujitsu Ltd Pattern-forming material and its production and use
US4670299A (en) * 1984-11-01 1987-06-02 Fujitsu Limited Preparation of lower alkyl polysilsesquioxane and formation of insulating layer of silylated polymer on electronic circuit board
US4719125A (en) * 1985-10-11 1988-01-12 Allied Corporation Cyclosilazane polymers as dielectric films in integrated circuit fabrication technology

Also Published As

Publication number Publication date
DE3587442D1 (de) 1993-08-12
KR880000853B1 (ko) 1988-05-26
DE3587442T2 (de) 1993-10-21
DE3587041D1 (de) 1993-03-11
DE3587041T2 (de) 1993-05-19
KR890011519A (ko) 1989-08-14
EP0198976A3 (en) 1988-03-23
US4670299A (en) 1987-06-02
EP0198976B1 (en) 1993-01-27
US4988514A (en) 1991-01-29
EP0198976A2 (en) 1986-10-29
EP0406911B1 (en) 1993-07-07
KR860004072A (ko) 1986-06-16
EP0406911A1 (en) 1991-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900005894B1 (ko) 표면이 평평한 절연층의 형성방법
JP3418458B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US6395649B1 (en) Low dielectric constant polyorganosilicon coatings generated from polycarbosilanes
US6780517B2 (en) Polycarbosilane adhesion promoters for low dielectric constant polymeric materials
US5145723A (en) Process for coating a substrate with silica
US6841256B2 (en) Low dielectric constant polyorganosilicon materials generated from polycarbosilanes
DE2656139A1 (de) Zusammensetzung zur herstellung eines hermetisch abdichtenden ueberzugs auf elektronischen schaltkreisen
JPS6046826B2 (ja) 半導体装置
KR19980071624A (ko) 실리카 박막 형성용 조성물 및 이의 형성 방법
US20020076543A1 (en) Layered dielectric nanoporous materials and methods of producing same
KR0168461B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
JPH02100343A (ja) 集積回路
JPS62290139A (ja) 耐熱樹脂組成物
JPH07133350A (ja) ポリパーフルオロアルキレンシロキサン樹脂とその製造方法および層間絶縁膜の製造方法
JPS6346576B2 (ko)
JPH0263057A (ja) 感光性耐熱樹脂組成物と集積回路の製造方法
JPH01313942A (ja) 半導体装置
JPS63152673A (ja) 耐熱樹脂組成物
KR101145841B1 (ko) 폴리페닐카보실란을 이용한 저유전 박막의 제조방법 및 이의 저유전 박막
JPH04184444A (ja) 感光性耐熱樹脂組成物と半導体装置の製造方法
JPH10303190A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH0237694B2 (ko)
JPH05267479A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63190343A (ja) 半導体装置の絶縁膜形成方法
JPH04185640A (ja) 有機硅素重合体と半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19950809

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee