JPS61224330A - パツシベ−シヨン膜の形成方法 - Google Patents

パツシベ−シヨン膜の形成方法

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JPS61224330A
JPS61224330A JP60063359A JP6335985A JPS61224330A JP S61224330 A JPS61224330 A JP S61224330A JP 60063359 A JP60063359 A JP 60063359A JP 6335985 A JP6335985 A JP 6335985A JP S61224330 A JPS61224330 A JP S61224330A
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JP
Japan
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solution
passivation film
film
silylated
semiconductor device
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JP60063359A
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Shunichi Fukuyama
俊一 福山
Yasuhiro Yoneda
泰博 米田
Masashi Miyagawa
昌士 宮川
Kota Nishii
耕太 西井
Azuma Matsuura
東 松浦
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 半導体装置の表面にシリル化ポリオルガノシルセスキオ
キサン溶液を塗布し、溶融固化させてステップカバレー
ジが良好で、かつ緻密なパッシベーション膜を形成する
。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｉ　Ｃ、ＬＳＩあるいは磁気バブルメモリー
素子等の半導体装置の高信頼性を得るためにその表面を
保護するパッシベーション膜の形成方法に関する。
〔従来技術と解決すべき問題点〕
従来パッシベーション膜は熱硬化性樹脂または無機物で
形成している。樹脂膜は下地の凸凹部におけるステップ
カバレッジ、すなわち段着部被覆性が良く、樹脂膜の表
面プロフィルは比較的平坦になるが、パッシベーション
機能が不十分であった。これは、樹脂を溶剤に溶解して
スピンコード又はディップ式に半導体基板上に塗布し、
３５０℃に加熱して硬化させるときに溶剤の蒸発や縮重
合反応の副生物の蒸発などによって樹脂層の構造が比較
的粗になり、そのため、外界からガス、水分などが樹脂
層を浸透して半導体素子の性態を低下させたり、腐食を
起こしたりすることがあるからである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、半導体装置の表面にシリル化ポリオルガ
ノシルセスキオキサン溶液を塗布し、２００〜４００℃
に加熱して溶剤を蒸発させるとともにシリル化ポリオル
ガノシルセスキオキサンを溶融し固化させることを特徴
とするパッシベーション膜の形成方法によって解決する
ことができる。
使用するシリル化ポリオルガノシルセスキオキサンは有
機基をメチル、エチルまたはフェニル基とすることが適
当であり、重量平均分子量は１０’〜１０’が便宜であ
る。
１施■エ アルミニウム配線を施した半導体基板上に重量平均分子
量ＶＷ　＝　３．　ＯＸ１０４のシリル化ポリメチ、ル
シルセスキオキサンの４−メチル２−ペンタノン（ＭＩ
ＢＫ）溶液をスピンコード法により塗布して溶剤を蒸発
させ、さらに３５０℃の温度で１時間熱処理して樹脂を
溶融し、２μ醜厚の樹脂層を形成した。どのようにして
形成したパッシベーション膜は十分な膜厚とすることが
でき、ステップカバレージ物の膜は二酸化ケイ素（Ｓｔ
ｏｐ）　、酸化アルミニウム（Ａ　１　ｚ０３）、窒化
ケイ素（Ｓｉ、Ｎ、）、シリコンオキシナイトライド（
ＳｉＯＮ）、ＰＳＧ　（リンケイ酸ガラス）、又は、Ｂ
ＳＧ　（ホウケイ酸ガラス）で形成することが広くおこ
なわれている。しかし、蒸着又は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって
形成した無機膜はその構造が比較的緻密ではあるが、悪
い環境条件ではパッシベーション機能は十分ではない。
一方スバッタ又はプラズマＣｖＯによって形成した無機
膜は、その構造がかなり緻密であるが、下地の凸凹部に
おけるステップカバレッジが悪く、フレークが発生した
りしてパッシベーションが十分でない場合がある、さら
に、スパッタおよびプラズマＣｖＤでは、膜の形成速度
がかなり遅いため、パッシベーション膜として必要な厚
さにするためにかなりの時間がかかる。またスパッタお
よびプラズマＣＶＤの装置はかなり高価であり膜の形成
コストは高い。
一ジが良好であった（第１図）。
この膜を有する半導体装置をプレッシャークツカーテス
ト（２気圧、１２０℃）したところ４８時間経過後も全
くアルミニウム配線の腐食は起きなかった。
１隻Ｍ！ 磁気バブルメモリ素子のパーマロイ膜上にｆＥＩ平均分
子量３．Ｉ　ＸＩＯ’のシリル化ポリメチルシルセスキ
オキサンを塗布したことの他は、実施例１と同様にして
２μ割厚の樹脂層を形成した。このパッシベーション膜
を有する磁気パルプメモリをプレッシャークツカーテス
ト（２気圧、１２０℃）したところ４８時間経過後もパ
ーマロイの腐食は全く起きなかった。
比較例１ 半導体装置のアルミニウム配線パターン上に約１μｍ厚
のＳｉ０ｇ膜をプラズマＣＶＤによってパッシベーショ
ン膜を形成した。この膜厚でも膜の形成に５〜１０分を
要し、ステップカバレージが良好ではなかった（第２図
）。このパッシベーション膜を有する半導体装置をプレ
ッシャークツカーテスト（２気圧１２０℃）したところ
約１０時間後にアルミニウム配線の腐食が生じた。
几笠且ｌ 磁気バブルメモリーのパーマロイ膜上にポリメチルシル
セスキオキサンの４−メチル２−ペンタノン溶液をスピ
ンコード法により塗布した後３５０℃、１時間の熱処理
により硬化させて１μ醜厚のパッシベーション膜を形成
した。この膜は１μｍより厚（すると加熱後にクランク
を生ずるので、１μ輪としたが、そのためステップカバ
レージは良好でなかった（第３図）。またこのパッシベ
ーション膜を有する磁気バブルメモリをプレッシャーク
ツカーテスト（２気圧、１２０℃）したところ３０時間
後にパーマロイの腐食が認められた。
〔発明の効果〕 本発明は、半導体装置にシリル化ポリオルガノシルセス
キオキサンを溶融し固化させるので、凸凹部に対して優
れたステップカバレージを示し、・十分な膜厚を得るこ
とができ、かつまた従来の熱硬化性樹脂とは異なり縮重
合反応しないので、副生物の蒸発がほとんどないことと
、溶剤蒸発により膜が比較的に粗となっても加熱時に溶
融することとによって緻密な膜を得るので、半導体装置
の高信頌性を得ることができる。またスバ、アタなどの
高価な装置を使用しないので製造コストが安く、製造時
間が短くなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のパッシベーション膜の断面図、第２お
よび３図は従来技術のパッシベーション膜の断面図であ
る。 １・・・シリル化ポリメチルシルセスキオキサン、２・
・・二酸化ケイ素、 ３・・・ポリメチルシルセスキオキサン、４・・・アル
ミニウム、　　５・・・パーマロイ。 第１図 １１０．シリル化ポリメチルシルセスキオキサン２・・
−二酸化ケイ素 ３・−ポリメチルシルセスキオキサン ４−　　アルミニウム ５・−パーマロイ 手続補正書゛ 昭和６１年６月ν日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第０６３３５９号 ２、発明の名称 パッシベーション膜の形成方法 ３、補正をする者 ４、代理人 住所　〒１０５東京都港区虎ノ門−丁目８番１０号５、
補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （イ）明細書第５頁第１１行「パルプ」をｒバブルｊと
補正する。 （ＩＩ）同第６頁第１５行「バ」を「パ」と補正する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体装置の表面にシリル化ポリオルガノシルセス
    キオキサン溶液を塗布し、２００〜４００℃に加熱して
    溶剤を蒸発させるとともにシリル化ポリオルガノシルセ
    スキオキサンを溶融し固化させることを特徴とするパッ
    シベーション膜の形成方法。 ２、シリル化ポリオルガノシルセスキオキサンの有機基
    がメチル、エチルまたはフェニル基である、特許請求の
    範囲第１項記載の方法。
JP60063359A 1984-11-01 1985-03-29 パツシベ−シヨン膜の形成方法 Pending JPS61224330A (ja)

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US06/790,615 US4670299A (en) 1984-11-01 1985-10-23 Preparation of lower alkyl polysilsesquioxane and formation of insulating layer of silylated polymer on electronic circuit board
KR1019850007985A KR880000853B1 (ko) 1984-11-01 1985-10-29 저급알킬 폴리실세스퀴옥산의 제조방법
DE90114892T DE3587442T2 (de) 1984-11-01 1985-10-31 Verfahren zur Herstellung von Polysilsesquioxanen.
DE8585307905T DE3587041T2 (de) 1984-11-01 1985-10-31 Verfahren zur herstellung von isolatorschichten aus silylierten polysilsesquioxanen auf elektronischen gedruckten schaltung.
EP19900114892 EP0406911B1 (en) 1984-11-01 1985-10-31 Process for preparation of polysilsesquioxane
EP19850307905 EP0198976B1 (en) 1984-11-01 1985-10-31 Process for formation of insulating layer of silylated polysilsesquioxane on electronic circuit board
KR1019870014659A KR900005894B1 (ko) 1984-11-01 1987-12-21 표면이 평평한 절연층의 형성방법
US07/281,926 US4988514A (en) 1984-11-01 1988-12-02 Preparation of lower alkyl polysilsesquioxane and formation of insulating layer of silylated polymer on electronic circuit board

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
US8992806B2 (en) 2003-11-18 2015-03-31 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof

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