DE2656139A1 - Zusammensetzung zur herstellung eines hermetisch abdichtenden ueberzugs auf elektronischen schaltkreisen - Google Patents

Zusammensetzung zur herstellung eines hermetisch abdichtenden ueberzugs auf elektronischen schaltkreisen

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DE2656139A1 DE19762656139 DE2656139A DE2656139A1 DE 2656139 A1 DE2656139 A1 DE 2656139A1 DE 19762656139 DE19762656139 DE 19762656139 DE 2656139 A DE2656139 A DE 2656139A DE 2656139 A1 DE2656139 A1 DE 2656139A1
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Description

Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: EN 975 010
Zusammensetzung zur Herstellung eines hermetisch abdichtenden Überzugs auf elektronischen Schaltkreisen
Die Erfindung betrifft eine Zusammensetzung zur Herstellung eines hermetisch abdichteten Überzugs auf elektronischen Schaltkreisen auf einer Unterlage und ein Verfahren zur Herstellung solcher überzüge durch Polymerisation ungesättigter Silan- oder Siloxanmonomerer in Gegenwart eines Silan-Adhäsionspromotors und eines polymeren Weichmachers,
Es ist üblich, die metallischen Leiterzüge und Verbindungsstellen auf Komponenten und anderen mikroelektronischen Strukturen zu versiegeln, um sie gegen Umwelteinflüsse zu schützen. Die Komponenten werden mit einem flüssigen Material beschichtet, welches zu seiner Härtung erhitzt wird unter Ausbildung des schützenden Überzugs. In der Vergangenheit wurden zu diesem Zweck verschiedene Materialien verwendet r einschließlich solcher mit einem Gehalt an Silicon, Damit der Überzug die Schaltung wirksam gegen Korrosion und Metallwanderung schütztf sollte er frei von Hohlräumen und Rissen sein, zwischen die die integrierte Schaltung enthaltenden Chips und das Substrat eindringen, gegen extreme Temperaturwechsel stabil sein, einen geeigneten dielektrischen Isolator zwischen den Leiterzügen darstellen und schließlich fest auf den verschiedenen Metall-, Harz-, Oxid-, Glas-, und Nitridoberflächen, mit denen er in Kontakt kommt, haften.
70962B/07B3
Aufgabe der Erfindung ist eine Zusammensetzung zur Herstellung eines hermetisch abdichtenden Überzugs auf elektronischen Schaltkreisen, welcher einen guten Schutz der metallischen Leiterzüge gegen Korrosion und Metallwanderung gestattet und ein Verfahren zur Herstellung solcher überzüge.
Die Aufgabe der Erfindung wird gelöst durch eine Zusammensetzung der eingangs genannten Art mit einem Gehalt an
a) einem Silan- oder Siloxanmonomeren mit ungesättigter Viny!gruppe,
b) einem bifunktioneilen Silan-Adhäsionspromotor,
c) einen polymerem Weichmacher,
d) ggf. einen Stabilisator und
e) einem organischen Lösungsmittel.
Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren, das dadurch gekennzeichnet ist, daß eine Zusammensetzung der oben genannten Art auf die Schaltkreise aufgetragen und zu einem festen, gut haftenden überzug ausgehärtet wird.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen niedergelegt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Schicht eines Materials aus einer Lösung in einem organischen Lösungsmittel auf die zu schützende Schaltkreisstruktur, beispielsweise auf ein keramisches Substrat n.it metallischen Leiter zügen und mit diesen verbundenen Chips mit integrierten Schaltungen aufgetragen. Das Material wird dann polymerisiert oder gehärtet unter Ausbildung eines kontinuierlichen, fest haftenden, die Oberfläche hermetisch abdichtenden Überzugs, Das Material wird nach beliebigen Verfahren, beispielsweise durch Verwirbeln, Aufsprühen, Tauchen oder Beschichten aufgetragen. Der Überzug wird entweder durch Erhitzen zu einem festen Film polymerisiert, oder aktinischer Strahlung ausgesetzt, oder erhitzt und bestrahlt.
en 975 οίο 7 09825/07 53
- ig -
Das Überzugsmaterial enthält ein Organosilan- oder Siloxanmonomeres mit einer ungesättigten Viny!gruppe. Beispiele solcher Monomerer sind p-Methyldisiloxan-methylmethacrylat, CH3=C(CH3)COOSi(CH3)20-Si(CH3)3; Vinyltrichlorsilan, CH3=CHSiCl3; Vinyltriäthoxysilan, CH2=CHSi (OC3H5) 3,- und Vinyltris(2-methoxyäthoxy)silan, CH2= CHSi(OC3H4OCH3)3.
Wenn diese Monomeren allein auf eine Schaltkreisstruktur aufgetragen und polymerisiert werden, resultiert ein überzug, der Risse, Hohlräume und eine schlechte Haftung auf der Oberfläche besitzt. Deshalb werden gemäß der Erfindung zusätzlich ein monomerer Silan-Adhäsionspromotor und ein polymerer Weichmacher verwendet.
Geeignete Adhäsionspromotoren sind bifunktioneile Silane, Die Bifunktional!tat der Verbindungen gestattet die Ausbildung einer chemischen Brücke zwischen den organischen und anorganischen Materialien, Dadurch wird eine Haftung des Überzugs auf dem Substrat bewirkt, Beispiele solcher Adhäsionspromotoren sind γ-Aminopropyltriäthoxysilan, NH2(CH2)3Si(OC2H5)3; $-(3f4-Epoxycyclohexyl)-äthyltrimethoxysilan,
H(CH0) ,Si(OCH,); 0
γ-GlycIdoxypropyltrimethoxysilan, CH2CHCH3O(CH2)3Si(OCH3)3; und N-3(aminoäthyl)-γ-aminopropyl-trimethoxysilan, NH2(CH,),NH(CH0)^ Si(OCH3)3.
Sowohl die Siloxan- und Silanmonomeren, wie auch die Adhäsionspromotoren gehören zu einer Klasse von Verbindungen, die als organofunktionelle Siloxane oder Silane im Handel erhältlich sind.
Organische polymere Weichmacher mit niedrigem Molekulargewicht werden zugesetzt, um einen nichtbrüchigen, Hohlräume- und rißfreien überzug zu erhalten. Beispiele geeigneter Weichmacher schließen
en 975 010 709825/07 53
Epoxidharze, Polyester j, Polycarbonate? Polychloropren, Polystyrol, Alkydharze, Ally!harze, Aminoharze, Polysulfonharze, Vinylpolymere und Copolymere, Harnstoff- und Melaminharze und Amid/Imidpolymere ein. Die polymeren Weichmacher wirken in der Weise, daß flexible Überzüge unter gleichzeitiger Beibehaltung ihrer hermetisch abdichteten Eigenschaften erhalten werden. Der Weichmacher kann in einigen Fällen auch in Form eines Monomeren zugesetzt werden, welches bei der Härtung des Überzugs polymerisiert, und der Ausdruck polymerer Weichmacher soll auch dieses Merkmal einschließen. Um eine bessere Haltbarkeit zu gewährleisten, kann ein Stabilisator angewendet werden. Beispiele geeigneter Stabilisatoren sind Dimethy!acetamid, N,N-Dimethylanilinf Piperidin, 4,4e-Dimethoxydiphenylamin und Phenyl-a-naphthylamin.
Wenn es gewünschte wirdff kann die Aushärtungszeit reduziert werden und der erforderliche Polymerisationsgrad durch die Anwendung eines Beschleunigers sichergestellt werden. Beispiele geeigneter Beschleuniger sind Aldehyde, wie Benzaldehyd, 2imtaldehydy Furfurol? Anhydride, wie Maleinsäureanhydrid, n-Valeriansäureanhydrid, Phthalsäureanhydrid und Hexahydrophthalsäureanhydrid; und Viny!monomere wie Styrol und Methylmethacrylat*
Das Lösungsmittel wird so ausgewählt, daß es die Bestandteile des Überzugsmaterials löst. Beispiele geeigneter flüchtiger organischer Lösungsmittel schließen Ketone, wie Cyclohexanon, Cyclopentanon, 4-Methyl-2-pentanon; aromatische und Halogenkohlenwasserstoffe, wie Toluol, Xylol, Dichloräthan, Tetrachloräthan, 1,1,1-Trichloräthan; und Acetate, wie Butylacetat und Mischungen derselben ein.
Die Bereiche der relativen Mengen jedes Bestandteils in der Formulierung sind nicht kritisch und werden nach praktischen Gesichtspunkten ausgewählt, um für eine" spezielle Anwendung geeignete Überzüge zu erhalten. Geeigneter Formulierungen sind nachfolgend angegeben, wobei die Teile Gewichtsteile darstellen:
0,5 bis 10 Gewichtsteile ungesättigtes Silan- oder Siloxanmonomer,
0,5 bis 10 Gewichtsteile bifunkioneller Silan-Adhäsions-
EN 975 οίο 709825/0753
promotor,
0,1 bis 15 Gewichtsteile polymerer Weichmacher, ggf. O bis 80 Gewichtsteile Stabilisator und organisches Lösungsmittel in einer solchen Menge, daß die anderen Bestandteile in einer Konzentration von 1 bis Gewichtsprozent in der Lösung vorliegen.
Ein bevorzugter Bereich der Formulierungen schließt 1 bis 1,6 Gewichtsteile Silan- oder Siloxanmonomer, 1 bis 1,6 Gewichtsteile eines bifunktioneIlen Silan-Adhäsionspromotors, 1 bis 2 Gewichtsteile eines polymeren Weichmachers, 3 bis 10 Gewichtsteile eines Stabilisators und 10 bis 20 Gewichtsteile organisches Lösungsmittel ein.
Die Überzüge werden in der Weise aufgetragen, daß eine ausgehärtete Schichtdicke des Überzugs im Bereich von etwa 1,25 pm (50 Mikroinches) bis etwa 0,076 mm (3 Mils) erhalten wird. Die dickeren überzüge (0,051 bis O?Q76 mm) können für bestimmte Anwendungen aufgetragen werden, um den Vorteil der dielektrischen isolierenden Eigenschaften der überzüge voll auszuschöpfen. Wenn überzüge auf Substrate aufgetragen werden sollen, auf denen Chips mit integrierten Schaltkreisen montiert sind, sollte die Naßschichtdicke kleiner als der Abstand von der Oberfläche des Substrats zur Unterseite des Chips sein. Dies ist notwendig,, um eine Brückenbildung des Überzugs zwischen Chips und Substrat zu vermeiden. Wenn eine solche Brückenbildung stattfindet, kann die relative Bewegung zwischen Substrat und Chip, die auf thermische Ausdehnungskoeffizienten zurückzuführen ist, verhindert werden. Thermische Ausdehnungseffekte können dann das Reißen der metallischen Leiterzüge verursachen. Wenn demgemäß beispielsweise der Abstand des Chips von der Substratoberfläche 0,115 mm beträgt, sollte die Naßschichtdicke kleiner als 0,115 mm und vorzugsweise zwischen etwa 0,089 bis 0,102 mm sein. Der Feststoffgehalt des Überzugs wird so eingestellt, daß die gewünschte Schichtdicke, beispielsweise von 10 um bis 12,5 um (400 bis 500 Mikroinches), des ge-
EN 975 οίο 70982 5 /07 B 3
trockneten hermetisch abdichtenden Überzugs auf den Leiterzügen erhalten wird.
Wenn Substrate beschichtet werden, auf denen Chips mit integrierten Schaltkreisen montiert sind, wird der Überzug durch Erhitzen in drei Stufen ausgehärtet. In der ersten oder der Niedrigtemperaturstufe wird der Überzug auf Temperaturen zwischen etwa 40 und 75 0C erhitzt, um ihn zu trocknen und unter den Halbleiterchips den größten Teil des Lösungsmittels zu entfernen. Andernfalls kann der Dampfdruck des verdampfenden Lösungsmittels eine Trennung zwischen Chips und Substrat bewirken. In der zweiten Stufe werden die Überzüge bei Temperaturen von etwa 80 bis 110 0C gehärtet, um den Überzug zu einem festen Film ohne Risse zu polymerisieren. Schließlich wird eine Hochtemperaturhärtungsstufe bei Temperaturen von etwa 115 bis 180 0C angewendet, um einen Überzug mit optimalen abdichtenden Eigenschaften und hoher Dimensionsstabilität zu erzeugen. Wenn in einem nachfolgenden Prozeßschritt der Überzug auf eine hohe Temperatur erhitzt wird, dann sollte diese Temperatur während der dritten Stufe des Erhitzens angenähert werden. Die Dauer des Erhitzens ist nicht besonders kritisch, wobei die ersten beiden Stufen im allgemeinen bei 1 bis 4 Stunden und die Endhärtung bei 1/2 bis 2 Stunden ■ liegen, !
j jDie Erfindung wird anhand der nachfolgenden Ausführungsbeispiele ' näher erläutert. Wenn nicht anders angegeben, sind die Teile Gewichts teile.
Beispiel 1
Eine Überzugsformulierung wurde hergestellt durch Vermischen folgender Materialien;
p-Methyldisiloxan-methylmethacrylat 1,60 gr.
γ-Aminopropyltriäthoxysilan 0,25 gr.
Shell Epon 828 Epoxidharz-Weichmacher (Kondensationsprodukt aus Epichlorhydrin und Bisphenol-A) 0,50 gr.
en 975 οίο 709825/0753
•t-
Piperidin-Stabilisator 3,40 gr.
Maleinsäureanhydrid 0,75 gr.
Toluol 2O7OO gr.
Vier Tropfen der Formulierung wurden auf die Oberfläche eines metallisierten Keramikmoduls zwischen die Halbleiterchips , welche mit der Leiterzugmetallurgie verbunden waren, aufgetragen. Die Lösung floß einheitlich über die gesamte Oberfläche des Moduls einschließlich der Fläche unterhalb der Chips. Der Modul wurde 2,5 Stunden lang in einen Ofen bei 75 0C gegeben, um das Lösungsmittel zu verdampfen. Der partiell getrocknete überzug wurde etwa 3,5 Stunden lang auf eine Temperatur von 105 0C erhitzt, um ihn weiter zu trocknen und zu polymerisieren. Der überzug wurde dann etwa 1,5 Stunden lang bei einer Temperatur von 170 C gehärtet, um seine Stabilität zu erhalten,
Das Verfahren wurde wiederholt mit einem durchsichtigen Glasmodul, der beschichtet wurde. Dadurch war es möglich, Bilder von der Rückseite des Moduls aufzunehmen, so daß die Einheitlichkeit des Überzugs unter den Chips geprüft werden konnte. Die Deckkraft des Überzugs war ausreichend und einheitlich.
Der metallisierte Keramikmodul mit dem gehärteten hermetisch abdichtenden überzug wurde in eine nasse Schwefelatmosphäre bei einer Temperatur von 95 0C gegeben. Der Leitungswiderstand ( (5 Milliohm) wurde gemessen, und es wurde keine meßbare Änderung nach 500 Stunden beobachtet. Der Isolationswiderstand zwischen :
benachbarten Leiterzügen wurde nach 500 Stunden gemessen und
-8 -9
der Wert von 1 χ 10 bis 1 χ IO 0hm blieb ungefähr der gleiche.
Beispiel 2:
Gehärtete überzüge wurden, wie in Beispiel 1 angegeben, auf metallisierten Keramikmoduls hergestellt unter Verwendung folgender Überzugs formulierungen:
en 975 οίο 709825/07B3
- ί -
'Μ
Α 		1,60 3,40 2656139
γ-Methacryloxypropyl-trimethoxysilan β-(3,4-Epoxycyclohexyl)-äthyltrimethoxy-
silan 0,25		 0,75 gr.
Piperdin 10,00 gr.
Maleins äur eanhydrid 10,00 gr.
Toluol 1,00 gr.
Xylol 1,60 gr.
Styrol
TD		 0,25 gr.
Vinyltrichlorsilan ~ 0,50 gr.
3-(3,4-Epoxycyclohexyl)-äthyltri-
methoxysilan		 3,40 gr.
Polychloropren (Neopren W) 0,75 gr.
Piperdin 8,00 gr.
Maleinsäureanhydrid 2,00 gr.
Xylol gr.
Butylacetat gr.
gr.
Die überzüge wurden, wie in Beispiel 1 angegeben, einem Test unter umgebungsbedingungen unterzogen. Der Isolationswiderstand war gut und änderte sich nicht. Der Korrosionswiderstand war niedriger als derjenige, der mit dem p-Methyldisiloxan-methylmethacrylatmonomeren von Beispiel 1 erhalten wurde, da der Leitungswiderstand etwas zunahm. Der Leitungswiderstand blieb jedoch nach 500 Stunden in einer nassen Schwefelatmosphäre unter dem Ausfallwert von 10 Milliohm.
Beispiel 3;
Ein Keramikmodul mit Leiterzügen und einem einzigen darauf befestigten Chip wurde mit der folgenden Formulierung beschichtet:
en 975 010 7098 25/07 53
•Μ.
β-(3,4-Epoxycylohexyl)-äthyltrimethoxy-
silan 1,60 gr.
p-Methyldisiloxan-methylmethacrylat 1,40 gr.
Epoxidharz (Epon 828) 1,00 gr.
Piperidin 7,50 gr.
Toluol 10,00 gr.
Der Modul wurde eine Stunde lang in einen Ofen mit einer Temperatur von 55 0C gegeben, um den Film zu einem viskosen überzug zu trocknen. Der Film wurde weiter 2 Stunden lang bei 95 0C gehärtet, um einen festen polymerisierten Film zu erhalten. Durch eine weitere Behandlung des Films während einer Stunde bei einer Temperatur von 125 0C wurde die Dimensxonsstabilxtät des Überzugs verbessert. Der resultierende gehärtete Film stellte einen einheitlichen, kontinuierlichenf fest haftenden, hermetisch abdichtenden überzug für die Modulmetallisierung dar,
Beispiel 4
Die Formulierungen in Tabelle 1 wurden angewendet zur Beschichtung' von Moduls und ergaben ausreichend abdichtende Schichten, die geeignet waren, Korrosion und Wanderung zu verhindern, Formulierung K war brüchig, aber die Formulierungen, welche einen Weichmacher enthielten, ergaben duktile überzüge.
Beispiel 5
Weitere geeignete Formulierungen sind in der weiter unten aufge- ; führten Tabelle 2 aufgeführt.
Beispiel 6 ■·
Eine Mischung wurde hergestellt durch Zufügen von 1,5 gr. p-Methyljdisiloxan-methylmethacrylat zu 5,0 gr. Toluol. Die Mischung wurde zur Beschichtung von Moduls verwendet, und der überzug wurde getrocknet und gehärtet. Ein fester überzug resultierte, der aber
en 975 οίο 7098 25/07 53
Hohlräume enthielt und eine nicht ausreichende Haftung aufwies. Beispiel 7:
Es wurde eine Mischung hergestellt durch Vermischen von 1,5 gr. p-Methyldisiloxan-methylmethacrylat und 2,5 gr. Piperidin mit 5,0 gr. Toluol. Die Formulierung ergab einen nassen Film der durch Erhitzen oder UV-Bestrahlung in einen festen Überzug umgewandelt wurde. Der überzug besaß eine schlechte Haftung und war sehr brüchig.
Die abdichtenden überzüge gemäß der Erfindung sind gegen extreme Temperaturwechsel beständig und schützen Verbindungen und Leiterzugmetallurgie hermetisch, gegen Metallkorrosion und Wanderung. Die Überzüge füllen auch. Hohlräume in der Oberfläche aus und bedecken in ausreichendem Maße die Oberflächen unter den Halbleiterchips und verstärken die Bindungen zwischen den Chips und dem Substrat. Die überzüge sind dielektrische Isolatoren und sind kompatibel mit den Rückseitenabdichtungen, Sie sind billig und leicht anwendbar und schützen die Schaltung von Umgebungseinflüssen während der Lagerung und der Verwendung.
en 975 οίο 709825/0753
CD OO
CD
CD CM
TABELLE Formulierung in Gramm Materialien
p-Methyldisiloxan-methylmethacrylat 6-(3,4-Epoxycyclohexyl)-äthyltrimethoxysilan Epoxidharz (Epon 828) Styrol
Polychloropren (Neopren W) tA Polyamid/Polyimid Piperidin Toluol Cyclohexanon Dimethy!acetamid
1,5 1,5 1,5 1,5 1 ,5 1,5
1,0 1,0 1,0 1,0 1 ,0 1,0
1,3 - —
_-_ 1,3 1,3 - —
1 ,3
_-.-. - — 1,3
2,5 2,5 2,5 2,5 2 ,5 2,5
5,0 5,0 5,0 ___ __
5,0
5,0
15,0
TABELLE II Formulierung in Gramm
Materialien ABCD
p-Methyldisiloxan-methylmethacrylat 1,6 1,6 1,4 1,6
3-(3,4-EpoxycYclohexyl)-äthyltrimethoxy-
silan . 0,25 0,25 1,6 0,25
Epoxidharz
P οIyamid/PoIyimid Polychloropren(Neopren W) Piperidin
Maleinsäureanhydrid Zimtaldehyd Xylol
Toluol
Dimethylacetamid
0 ,5 1,0 1, 0 - —
- — — — 1
- — 3,4 — — 3 ,4
3 ,4 7, 5 0 f7
0 f75 0,75 o, 75 - —
- — — — 10
10 rO 10, 0 10
10 15,0 10, 0 __ _
—— _ — ——
en 975 οίο 7098 25/07 53

Claims (8)

  1. PATENTAN SP RÜCHE
    Zusammensetzung zur Herstellung eines hermetisch abdichtenden Überzugs auf elektronischen Schaltkreisen auf einer Unterlage, gekennzeichnet durch einen Gehalt an
    a) einem Silan- oder Siloxanmonomeren mit ungesättigter Vinylgruppe,
    b) einem bifunktioneilen Silan-Adhäsionspromotor,
    c) einem polymeren Weichmacher,
    d) ggf. einem Stabilisator und
    e) einem organischen Lösungsmittel.
  2. 2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie
    a) 0f5 bis 10 Gewichtsteile Monomer,
    b) 0,5 bis 10 Gewichtsteile Adhäsionspromotor, c") 0,1 bis 15 Gewichtsteile Weichmacher,
    d) ggf. 0 bis 80 Gewichtsteile Stabilisator und
    e) ein organisches Lösungsmittel in einer solchen Menge enthält, daß die anderen Bestandteile in einer Konzentration von 1 bis 50 Gew.% in der Lösung vorliegen.
  3. 3. Zusammensetzung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie einem Polymerisationsbeschleuniger enthält.
  4. 4. Zusammensetzung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Polymerisationsbeschleuniger gewählt ist aus der Gruppe von Aldehyden, Säureanhydriden oder Vinylmonomeren.
  5. 5. Zusammensetzung nach den Ansprüchen 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Monomere p-Methyldisiloxan-methylmethacrylat und der Adhäsionspromotor ß-(3,4-Epoxycyclohexyl)-äthyltrimethoxysilan ist.
    en 975 οίο 709825/0753
    ORIGINAL INSPECTED
    ve-
    2656133
  6. 6. Zusammensetzung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Monomere p-Mefchyldisiloxanmethylmethacrylat und der Adhäsionspromotor γ-Aminopropyltriäthoxysilan ist.
  7. 7. Zusammensetzung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Monomere Vinyltrichlorsilan und der Adhäsionspromotor §-{3,4-Epoxycyclohexyl)-äthyltrimethoxysilan ist.
  8. 8. Verfahren zur Herstellung von hermetisch abdichtenden überzügen, auf elektronischen Schaltkreisen auf einer Unterlage, dadurch gekennzeichnet, daß eine Zusammensetzung nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7 auf die Schaltkreise aufgetragen und zu einem festen, gut haftenden überzug ausgehärtet wird,
    9« Verfahren nach Anspruch 8f dadurch gekennzeichnet,
    daß die Härtung des Überzugs in einem Dreistufenverfahren durchgeführt wird,
    10, Verfahren nach Anspruch 9f dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung durch Erhitzen auf 40 bis 75 C getrocknet, dann durch Erhitzen auf 80 bis 110 0C polymerisiert und schließlich durch Erhitzen auf 115 bis 180 0C zu einem dimensionsstabilen Überzug ausgehärtet wird.
    en 975 οίο 709825/0753
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