JPH04234422A - 二重硬化エポキシバックシール処方物 - Google Patents
二重硬化エポキシバックシール処方物Info
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- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 27
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 25
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 claims abstract description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 74
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 13
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 12
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 11
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 10
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 claims description 8
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 claims description 8
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YEOCHZFPBYUXMC-UHFFFAOYSA-L copper benzoate Chemical compound [Cu+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 YEOCHZFPBYUXMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 6
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 claims description 5
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012986 chain transfer agent Substances 0.000 claims description 3
- NWFNSTOSIVLCJA-UHFFFAOYSA-L copper;diacetate;hydrate Chemical compound O.[Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O NWFNSTOSIVLCJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000007848 Bronsted acid Substances 0.000 claims description 2
- 229940106691 bisphenol a Drugs 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 3
- -1 HHPA anhydride Chemical class 0.000 description 61
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 24
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 17
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 17
- YCIHPQHVWDULOY-FMZCEJRJSA-N (4s,4as,5as,6s,12ar)-4-(dimethylamino)-1,6,10,11,12a-pentahydroxy-6-methyl-3,12-dioxo-4,4a,5,5a-tetrahydrotetracene-2-carboxamide;hydrochloride Chemical compound Cl.C1=CC=C2[C@](O)(C)[C@H]3C[C@H]4[C@H](N(C)C)C(=O)C(C(N)=O)=C(O)[C@@]4(O)C(=O)C3=C(O)C2=C1O YCIHPQHVWDULOY-FMZCEJRJSA-N 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229940076286 cupric acetate Drugs 0.000 description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 9
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- MUTGBJKUEZFXGO-UHFFFAOYSA-N hexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21 MUTGBJKUEZFXGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical class [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002924 oxiranes Chemical class 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 2
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012955 diaryliodonium Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229920006334 epoxy coating Polymers 0.000 description 2
- 238000006266 etherification reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- WTEVQBCEXWBHNA-YFHOEESVSA-N neral Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C/C=O WTEVQBCEXWBHNA-YFHOEESVSA-N 0.000 description 2
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 description 2
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical group C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- JXSRRBVHLUJJFC-UHFFFAOYSA-N 7-amino-2-methylsulfanyl-[1,2,4]triazolo[1,5-a]pyrimidine-6-carbonitrile Chemical compound N1=CC(C#N)=C(N)N2N=C(SC)N=C21 JXSRRBVHLUJJFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017048 AsF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WTEVQBCEXWBHNA-UHFFFAOYSA-N Citral Natural products CC(C)=CCCC(C)=CC=O WTEVQBCEXWBHNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L Copper gluconate Chemical compound [Cu+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 1
- OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N Ipazine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(Cl)=NC(NC(C)C)=N1 OWYWGLHRNBIFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical compound ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001503 aryl iodides Chemical class 0.000 description 1
- 238000006254 arylation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011951 cationic catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- WTEVQBCEXWBHNA-JXMROGBWSA-N citral A Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C\C=O WTEVQBCEXWBHNA-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940108925 copper gluconate Drugs 0.000 description 1
- 229940120693 copper naphthenate Drugs 0.000 description 1
- SEVNKWFHTNVOLD-UHFFFAOYSA-L copper;3-(4-ethylcyclohexyl)propanoate;3-(3-ethylcyclopentyl)propanoate Chemical compound [Cu+2].CCC1CCC(CCC([O-])=O)C1.CCC1CCC(CCC([O-])=O)CC1 SEVNKWFHTNVOLD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K dicopper;2-oxidopropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]C(=O)CC([O-])(C([O-])=O)CC([O-])=O FWBOFUGDKHMVPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000012039 electrophile Substances 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 239000012442 inert solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 125000003107 substituted aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 239000003017 thermal stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000001757 thermogravimetry curve Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
- C08G59/22—Di-epoxy compounds
- C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
- C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
- C08G59/62—Alcohols or phenols
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H—ELECTRICITY
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
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- H—ELECTRICITY
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
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- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的にエポキシコー
ティング組成物に関する。更に詳細には、本発明は、ビ
スフェノールベース型迅速光硬化性エポキシに関し、更
にこのものには、熱硬化のために熱で生成する強ブレン
ステッド酸が使用される。
ティング組成物に関する。更に詳細には、本発明は、ビ
スフェノールベース型迅速光硬化性エポキシに関し、更
にこのものには、熱硬化のために熱で生成する強ブレン
ステッド酸が使用される。
【０００２】
【従来の技術】電子パッケージの製作の間に、集積回路
チップがセラミック担体上にのせられ、チップ上担体に
金属キャップがクリンプされ、セラミック担体はプリン
ト回路板にはんだづけされる。金属キャップは、集積回
路チップ上の回路及びセラミック担体を保護する。しか
し、キャップをクリンプすることによっては完全なシー
ルは得られず、後の処理（過酷な洗浄溶媒化学薬品が使
用される）から、又環境中の湿気からチップを保護する
他の手段を用いることが必要である。このことは、セラ
ミック担体、プリント回路板にはんだづけされる面の「
裏」（ｂａｃｋ）をシリコーン又はエポキシベース型コ
ーティング組成物でシールすることによって成就される
。このバックシール法中使用されるコーティング材料に
はいくつかの要件が存在する。この材料は、セラミック
基体の熱膨張係数（ＣＴＥ）にマッチする低いＣＴＥを
持たなければならない。そして、後の処理において化学
薬品に耐えるためにすぐれた溶媒抵抗性を持たなければ
ならない。この組成物は１００％反応性であるべきであ
る。即ち、硬化過程の後、揮発性溶媒が存在しないこと
である。このコーティング材料は又、物理的及び熱的に
耐久性であって、カード組立の前に欠陥のあるモジュー
ルを排除するために使用されるバブル漏洩（ｂｕｂｂｌ
ｅ ｌｅａｋ）及びウェーブはんだづけ（ｗａｖｅ ｓ
ｏｌｄｅｒ）試験に残らなければならない。最後に、こ
のバックシール法のためには大容量の材料を要するので
、処方物は比較的安価でなければならない。
チップがセラミック担体上にのせられ、チップ上担体に
金属キャップがクリンプされ、セラミック担体はプリン
ト回路板にはんだづけされる。金属キャップは、集積回
路チップ上の回路及びセラミック担体を保護する。しか
し、キャップをクリンプすることによっては完全なシー
ルは得られず、後の処理（過酷な洗浄溶媒化学薬品が使
用される）から、又環境中の湿気からチップを保護する
他の手段を用いることが必要である。このことは、セラ
ミック担体、プリント回路板にはんだづけされる面の「
裏」（ｂａｃｋ）をシリコーン又はエポキシベース型コ
ーティング組成物でシールすることによって成就される
。このバックシール法中使用されるコーティング材料に
はいくつかの要件が存在する。この材料は、セラミック
基体の熱膨張係数（ＣＴＥ）にマッチする低いＣＴＥを
持たなければならない。そして、後の処理において化学
薬品に耐えるためにすぐれた溶媒抵抗性を持たなければ
ならない。この組成物は１００％反応性であるべきであ
る。即ち、硬化過程の後、揮発性溶媒が存在しないこと
である。このコーティング材料は又、物理的及び熱的に
耐久性であって、カード組立の前に欠陥のあるモジュー
ルを排除するために使用されるバブル漏洩（ｂｕｂｂｌ
ｅ ｌｅａｋ）及びウェーブはんだづけ（ｗａｖｅ ｓ
ｏｌｄｅｒ）試験に残らなければならない。最後に、こ
のバックシール法のためには大容量の材料を要するので
、処方物は比較的安価でなければならない。
【０００３】過去においては、無水物で硬化するビスフ
ェノールＡ（４，４′−イソプロピリデンジフェノール
）ベース型エポキシ、Ｓｃｏｔｃｈｃａｓｔ という名
称の３Ｍの独占製品がバックシール材料として用いられ
た。しかし、Ｓｃｏｔｃｈｃａｓｔ を用いるといくつ
かの不利な点が存在する。第一に、限定されたポット寿
命及び長々とした硬化スケジュール、又無水物の不完全
な反応による問題。 Ｓｃｏｔｃｈｃａｓｔ は、エポキシ及びポリエーテル
ポリエステルフレキシビライザー媒体中無水物硬化剤よ
りなる２構成部分系である。無水物の室温反応性のため
に、２構成部分を混合するとすぐに、混合物を冷蔵しな
ければならない。冷蔵した場合でも、この混合物のポッ
ト寿命は、４０℃において約５時間、即ち典型的な８時
間の半導体ライン上のシフトより短かい。その外、８時
間を超える硬化時間が日常的になっている。Ｓｃｏｔｃ
ｈｃａｓｔ 中使用される無水物は、室温において固体
である無水シス−ヘキサヒドロフタル酸（ＨＨＰＡ）で
あり、したがってＨＨＰＡは混合された材料から晶出す
る傾向がある。更に、ＨＨＰＡは吸湿性であり、その結
果エーテル化反応の触媒となる可能性がある遊離の酸を
発生する。１００の樹脂あたり（ｐｈｒ）７５〜８５部
の最適のＨＨＰＡ濃度は、１対１の化学量論関係に近く
、これは、エポキシ材料を用いて得ることができる最終
使用材料の全特性を低下させる。溶媒抵抗性の減少及び
熱安定性の低下が１：１の化学量論関係において起こる
。無水物の濃度を下げると、加熱ひずみ温度が低下し、
重量損失が増大し、そして溶媒抵抗性が不良となる。Ｈ
ＨＰＡの高い濃度は、エーテル化を促進し、その結果残
留未反応無水物を生じる。硬化反応がおそいと、典型的
には後の処理の間適切な熱及び物理的抵抗性を保証する
のに充分な高さの温度におけるベークの延長を要する。 ＨＨＰＡが未反応であるか又は晶出した場合には、この
無水物は、硬化過程又はウェーブはんだづけ試験の間に
熱で分解して揮発性溶媒となる。揮発性溶媒は蒸発し、
それによってバークシール中ピンホール又は亀裂の原因
となる。ピンホール又は亀裂は、モジュールの一体性を
破壊し、洗浄溶媒又は水分をチップの回路に到達させる
。
ェノールＡ（４，４′−イソプロピリデンジフェノール
）ベース型エポキシ、Ｓｃｏｔｃｈｃａｓｔ という名
称の３Ｍの独占製品がバックシール材料として用いられ
た。しかし、Ｓｃｏｔｃｈｃａｓｔ を用いるといくつ
かの不利な点が存在する。第一に、限定されたポット寿
命及び長々とした硬化スケジュール、又無水物の不完全
な反応による問題。 Ｓｃｏｔｃｈｃａｓｔ は、エポキシ及びポリエーテル
ポリエステルフレキシビライザー媒体中無水物硬化剤よ
りなる２構成部分系である。無水物の室温反応性のため
に、２構成部分を混合するとすぐに、混合物を冷蔵しな
ければならない。冷蔵した場合でも、この混合物のポッ
ト寿命は、４０℃において約５時間、即ち典型的な８時
間の半導体ライン上のシフトより短かい。その外、８時
間を超える硬化時間が日常的になっている。Ｓｃｏｔｃ
ｈｃａｓｔ 中使用される無水物は、室温において固体
である無水シス−ヘキサヒドロフタル酸（ＨＨＰＡ）で
あり、したがってＨＨＰＡは混合された材料から晶出す
る傾向がある。更に、ＨＨＰＡは吸湿性であり、その結
果エーテル化反応の触媒となる可能性がある遊離の酸を
発生する。１００の樹脂あたり（ｐｈｒ）７５〜８５部
の最適のＨＨＰＡ濃度は、１対１の化学量論関係に近く
、これは、エポキシ材料を用いて得ることができる最終
使用材料の全特性を低下させる。溶媒抵抗性の減少及び
熱安定性の低下が１：１の化学量論関係において起こる
。無水物の濃度を下げると、加熱ひずみ温度が低下し、
重量損失が増大し、そして溶媒抵抗性が不良となる。Ｈ
ＨＰＡの高い濃度は、エーテル化を促進し、その結果残
留未反応無水物を生じる。硬化反応がおそいと、典型的
には後の処理の間適切な熱及び物理的抵抗性を保証する
のに充分な高さの温度におけるベークの延長を要する。 ＨＨＰＡが未反応であるか又は晶出した場合には、この
無水物は、硬化過程又はウェーブはんだづけ試験の間に
熱で分解して揮発性溶媒となる。揮発性溶媒は蒸発し、
それによってバークシール中ピンホール又は亀裂の原因
となる。ピンホール又は亀裂は、モジュールの一体性を
破壊し、洗浄溶媒又は水分をチップの回路に到達させる
。
【０００４】バークシール法の場合の Ｓｃｏｔｃｈｃ
ａｓｔ 材料のこれらの欠陥の故に、この材料を置き換
える努力が開始された。新しい材料については、上の要
件に適合する外に、硬化過程がはるかに迅速であるので
サイクル時間を短縮させる１構成部分（ｏｎｅ ｐａｒ
ｔ）の室温で安定なエポキシ系である組成物を持つこと
が望ましい。理想的には、１構成部分エポキシ系は無限
のポット寿命を有する。更に、ＨＨＰＡ無水物に伴なう
問題を見れば、この新しい材料が異なった硬化法で用い
られるならば有利であろう。
ａｓｔ 材料のこれらの欠陥の故に、この材料を置き換
える努力が開始された。新しい材料については、上の要
件に適合する外に、硬化過程がはるかに迅速であるので
サイクル時間を短縮させる１構成部分（ｏｎｅ ｐａｒ
ｔ）の室温で安定なエポキシ系である組成物を持つこと
が望ましい。理想的には、１構成部分エポキシ系は無限
のポット寿命を有する。更に、ＨＨＰＡ無水物に伴なう
問題を見れば、この新しい材料が異なった硬化法で用い
られるならば有利であろう。
【０００５】１構成部分エポキシ被覆組成物のためのこ
の要件は、光共重合性の材料の使用によって満たすこと
ができる。エポキシとヒドロキシル含有材料との混合物
が、オニウム塩の使用によって放射線硬化することがで
きることは周知である。オニウム塩は、紫外光線放射の
ない環境においてエポキシ及びヒドロキシル含有材料と
安定な処方物を形成する。オニウム塩が紫外光線で放射
される時には、陽イオン性触媒組成物が形成され、これ
が混合物を硬化させる。放射線硬化性のエポキシ中成分
として選択された特定のヒドロキシル含有材料が硬化速
度及び硬化した材料の特性に影響を与えることも知られ
ている。
の要件は、光共重合性の材料の使用によって満たすこと
ができる。エポキシとヒドロキシル含有材料との混合物
が、オニウム塩の使用によって放射線硬化することがで
きることは周知である。オニウム塩は、紫外光線放射の
ない環境においてエポキシ及びヒドロキシル含有材料と
安定な処方物を形成する。オニウム塩が紫外光線で放射
される時には、陽イオン性触媒組成物が形成され、これ
が混合物を硬化させる。放射線硬化性のエポキシ中成分
として選択された特定のヒドロキシル含有材料が硬化速
度及び硬化した材料の特性に影響を与えることも知られ
ている。
【０００６】Ｓｃｏｔｃｈｃａｓｔ より早い硬化サイ
クルを有する１構成部分の室温で安定な組成物である従
来技術の光硬化性エポキシ系があるが、それらは Ｓｃ
ｏｔｃｈｃａｓｔ を魅力的にしている物理的特性を欠
いている。徹底的な実験の後、試験したこれらの既存の
光硬化性エポキシはいずれも、バックシール材料に要求
される特性：低いＣＴＥ、すぐれた溶媒抵抗性、並びに
物理的及び熱的耐久性を持たなかった。更に、光硬化性
のみの材料の使用の場合の１つの問題は、バックシール
材料全体には、特にキャップ中クリンプの後の材料には
、光が到達しないことである。したがって、光硬化性の
みの組成物ではキャップ中未硬化のエポキシが残る、許
容できないリスクが引き起こされる。
クルを有する１構成部分の室温で安定な組成物である従
来技術の光硬化性エポキシ系があるが、それらは Ｓｃ
ｏｔｃｈｃａｓｔ を魅力的にしている物理的特性を欠
いている。徹底的な実験の後、試験したこれらの既存の
光硬化性エポキシはいずれも、バックシール材料に要求
される特性：低いＣＴＥ、すぐれた溶媒抵抗性、並びに
物理的及び熱的耐久性を持たなかった。更に、光硬化性
のみの材料の使用の場合の１つの問題は、バックシール
材料全体には、特にキャップ中クリンプの後の材料には
、光が到達しないことである。したがって、光硬化性の
みの組成物ではキャップ中未硬化のエポキシが残る、許
容できないリスクが引き起こされる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、光が到達
できない場合には迅速な潜在性熱硬化が使用される、光
硬化性エポキシでセラミック担体をバックシールするこ
とが本発明の一目的である。
できない場合には迅速な潜在性熱硬化が使用される、光
硬化性エポキシでセラミック担体をバックシールするこ
とが本発明の一目的である。
【０００８】この光硬化性エポキシ組成物が、バックシ
ール材料のために必要な物理的特性：低い熱膨張係数、
すぐれた溶媒抵抗性、並びに物理的及び熱的耐久性を有
することが本発明の別の一目的である。
ール材料のために必要な物理的特性：低い熱膨張係数、
すぐれた溶媒抵抗性、並びに物理的及び熱的耐久性を有
することが本発明の別の一目的である。
【０００９】この光硬化性エポキシ組成物が、室温にお
いて安定であり、迅速な硬化サイクルを有することが本
発明の他の一目的である。
いて安定であり、迅速な硬化サイクルを有することが本
発明の他の一目的である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】これらその他の目的は、
（Ａ）液体多官能性ビスフェノールベース型エポキシ、
（Ｂ）液体多官能性ヒドロキシル含有有機材料、（Ｃ）
ヨードニウム又はスルホニウム塩の群からの、オニウム
塩の類から選択される錯塩光開始剤及び（Ｄ）第二銅錯
塩開始剤よりなる光共重合性エポキシ組成物によって成
就される。
（Ａ）液体多官能性ビスフェノールベース型エポキシ、
（Ｂ）液体多官能性ヒドロキシル含有有機材料、（Ｃ）
ヨードニウム又はスルホニウム塩の群からの、オニウム
塩の類から選択される錯塩光開始剤及び（Ｄ）第二銅錯
塩開始剤よりなる光共重合性エポキシ組成物によって成
就される。
【００１１】ビスフェノールベース型エポキシ及びヒド
ロキシル含有有機材料は共に、従来技術の方法中のＨＨ
ＰＡに随伴する析出の問題を避けるために、室温におい
て液体でなければならない。更に、両者は多官能性でな
ければならない。即ち、ビスフェノールベース型エポキ
シは、分子あたり２つ以上のエポキシ基を持たなければ
ならず、又ヒドロキシル含有有機材料は、分子あたり２
つ以上のヒドロキシル基を持たなければならない。所望
の物理的及び熱的特性を達成するためには、エポキシ：
ヒドロキシル比は、厳密に４：１〜９：１に保たれなけ
ればならない。ヒドロキシル含有有機材料は、フレキシ
ビライザーとして機能することもできる。適当なヒドロ
キシル含有化合物は、ポリエーテルポリオール又はポリ
エステルポリオールである。
ロキシル含有有機材料は共に、従来技術の方法中のＨＨ
ＰＡに随伴する析出の問題を避けるために、室温におい
て液体でなければならない。更に、両者は多官能性でな
ければならない。即ち、ビスフェノールベース型エポキ
シは、分子あたり２つ以上のエポキシ基を持たなければ
ならず、又ヒドロキシル含有有機材料は、分子あたり２
つ以上のヒドロキシル基を持たなければならない。所望
の物理的及び熱的特性を達成するためには、エポキシ：
ヒドロキシル比は、厳密に４：１〜９：１に保たれなけ
ればならない。ヒドロキシル含有有機材料は、フレキシ
ビライザーとして機能することもできる。適当なヒドロ
キシル含有化合物は、ポリエーテルポリオール又はポリ
エステルポリオールである。
【００１２】オニウム塩の特性は、エポキシド存在下の
良好な熱安定性及び水銀ランプ出力による光の吸収に関
する適切なスペクトルの重複があるべきである。
良好な熱安定性及び水銀ランプ出力による光の吸収に関
する適切なスペクトルの重複があるべきである。
【００１３】組成物は更に、硬化した組成物に所望の色
を与える色素又は顔料を含有することもできる。充てん
剤はいずれも形態が重要であるので、顔料よりむしろ色
素の使用が好ましい。組成物の他の随意の一成分は充て
ん剤である。それらは、処方物のコストを低減するため
に使用することができる。処方物の粘度を大きくは変え
ない小球状の充てん剤が好ましい。
を与える色素又は顔料を含有することもできる。充てん
剤はいずれも形態が重要であるので、顔料よりむしろ色
素の使用が好ましい。組成物の他の随意の一成分は充て
ん剤である。それらは、処方物のコストを低減するため
に使用することができる。処方物の粘度を大きくは変え
ない小球状の充てん剤が好ましい。
【００１４】図１を参照すると、完成セラミックモジュ
ール組立物１０の透視図が示される。小さいはんだ球を
用いてセラミック基体１３の上面に半導体チップ１１が
電気的に接続されている。はんだ球は、チップ１１及び
基体１３両方の上のパッドに連結されている。半導体チ
ップとセラミック基体との接合法についての情報は更に
、Ｃａｒｐｅｎｔｅｒ らによる「半導体デバイスと支
持基体との間に持続する高出力が可能であるはんだ相互
接続の形成法」の名称の米国特許４，３６０，１４２（
参照例として提示する）参照。保護キャップ１５は、一
連の金属クリンプ１６によって基体１３の周辺部にクリ
ンプされている。図１中示されている基体１３及びキャ
ップ１５は、寸法が２８ｍｍ×２８ｍｍであるが、本発
明は、それより小さいモジュール及びそれより大きいモ
ジュールに容易に適応させることができる。チップ１１
からの熱移動を促進するため、熱ペースト１７を使用し
てチップ１１とキャップ１５との間に熱ブリッジを作る
ことができる。コネクターピン１８は、数が約１００以
上あり、セラミック「裏」に固定されてセラミック基体
１３から回路板（図示せず）への電気的接触を提供する
。バックシール材料１９は、セラミック基体の「裏」及
びその周辺部を囲んで施用される。少量のコントロール
された量の材料１９を基体１３とキャップ１５との間に
「流れ込み」（ｒｕｎ−ｉｎ）をさせてシールの改善を
得ることが望ましい。本発明は、常用のセラミック材料
又は半導体工業が発展させているより新しいガラス−セ
ラミック材料からなる基体組成物を用いて同等にうまく
働らくことができる。本出願の命名においては、用語「
セラミック」はこれらの型の基体を共に包含するように
使用される。
ール組立物１０の透視図が示される。小さいはんだ球を
用いてセラミック基体１３の上面に半導体チップ１１が
電気的に接続されている。はんだ球は、チップ１１及び
基体１３両方の上のパッドに連結されている。半導体チ
ップとセラミック基体との接合法についての情報は更に
、Ｃａｒｐｅｎｔｅｒ らによる「半導体デバイスと支
持基体との間に持続する高出力が可能であるはんだ相互
接続の形成法」の名称の米国特許４，３６０，１４２（
参照例として提示する）参照。保護キャップ１５は、一
連の金属クリンプ１６によって基体１３の周辺部にクリ
ンプされている。図１中示されている基体１３及びキャ
ップ１５は、寸法が２８ｍｍ×２８ｍｍであるが、本発
明は、それより小さいモジュール及びそれより大きいモ
ジュールに容易に適応させることができる。チップ１１
からの熱移動を促進するため、熱ペースト１７を使用し
てチップ１１とキャップ１５との間に熱ブリッジを作る
ことができる。コネクターピン１８は、数が約１００以
上あり、セラミック「裏」に固定されてセラミック基体
１３から回路板（図示せず）への電気的接触を提供する
。バックシール材料１９は、セラミック基体の「裏」及
びその周辺部を囲んで施用される。少量のコントロール
された量の材料１９を基体１３とキャップ１５との間に
「流れ込み」（ｒｕｎ−ｉｎ）をさせてシールの改善を
得ることが望ましい。本発明は、常用のセラミック材料
又は半導体工業が発展させているより新しいガラス−セ
ラミック材料からなる基体組成物を用いて同等にうまく
働らくことができる。本出願の命名においては、用語「
セラミック」はこれらの型の基体を共に包含するように
使用される。
【００１５】従来技術の無水物硬化型材料を使用して、
次の処理工程に従って図１に示される完成モジュールを
バックシールした。まず、ＨＨＰＡを４２℃において４
〜６時間予熱してＨＨＰＡを溶融させ、エポキシと混合
する準備をした。製造業者は、この予熱を６５℃におい
て２０時間に延長して無水物の再結晶化を防止すること
を最近すすめている。次にＨＨＰＡ及びビスフェノール
Ａエポキシを一緒に混合する。このエポキシ混合物を室
温において１０分間ガス抜きして構成部分Ａ及びＢの混
合の間に捕捉された空気を除去する。材料がガス抜きさ
れない場合には、空気の泡がエポキシの内部で硬化され
、このことは信頼性で問題となることがある。次に完成
モジュールを予熱してセラミック基体１３とキャップ１
５との間の捕捉された空気をガス抜きする。この予熱工
程は、モジュールの周辺部における基体１３とキャップ
１５との間に捕捉された空気を除去し、エポキシの「流
れ込み」を促進するために必要である。モジュールが予
熱されるに従って、エポキシ混合物も加熱されて混合物
の粘度を低下させ、分配ノズルを通るフローを容易にす
る。コネクターピンが上を向くようにキャップ１５上に
モジュールを位置させる。エポキシ混合物は、好ましく
は各モジュールに対するエポキシの射出サイズをコント
ロールする自動化用具により、モジュールの露出された
裏側に分配される。最後に、モジュールを８時間以上熱
硬化させる。モジュールは、最初の４時間は１００℃に
おいて、そしてその次の４時間は１５０℃において硬化
される。
次の処理工程に従って図１に示される完成モジュールを
バックシールした。まず、ＨＨＰＡを４２℃において４
〜６時間予熱してＨＨＰＡを溶融させ、エポキシと混合
する準備をした。製造業者は、この予熱を６５℃におい
て２０時間に延長して無水物の再結晶化を防止すること
を最近すすめている。次にＨＨＰＡ及びビスフェノール
Ａエポキシを一緒に混合する。このエポキシ混合物を室
温において１０分間ガス抜きして構成部分Ａ及びＢの混
合の間に捕捉された空気を除去する。材料がガス抜きさ
れない場合には、空気の泡がエポキシの内部で硬化され
、このことは信頼性で問題となることがある。次に完成
モジュールを予熱してセラミック基体１３とキャップ１
５との間の捕捉された空気をガス抜きする。この予熱工
程は、モジュールの周辺部における基体１３とキャップ
１５との間に捕捉された空気を除去し、エポキシの「流
れ込み」を促進するために必要である。モジュールが予
熱されるに従って、エポキシ混合物も加熱されて混合物
の粘度を低下させ、分配ノズルを通るフローを容易にす
る。コネクターピンが上を向くようにキャップ１５上に
モジュールを位置させる。エポキシ混合物は、好ましく
は各モジュールに対するエポキシの射出サイズをコント
ロールする自動化用具により、モジュールの露出された
裏側に分配される。最後に、モジュールを８時間以上熱
硬化させる。モジュールは、最初の４時間は１００℃に
おいて、そしてその次の４時間は１５０℃において硬化
される。
【００１６】上述した従来技術の方法は、８時間の硬化
サイクルの外に、長々とした材料の予熱を要する。この
バックシール法において余分な注意と時間とをかけるに
もかかわらず、上の背景説明中示された問題に遭遇する
ことが多い。これらの問題のために、別のバックシール
材料の探索が開始された。
サイクルの外に、長々とした材料の予熱を要する。この
バックシール法において余分な注意と時間とをかけるに
もかかわらず、上の背景説明中示された問題に遭遇する
ことが多い。これらの問題のために、別のバックシール
材料の探索が開始された。
【００１７】オニウム塩からのブレンステッド酸の光分
解発生は従来技術特にフォトリソグラフの応用において
、周知である。バックシール法の性質上、エポキシ組成
物の潜在性熱硬化も与えられなければならない。１９７
０年代後半以来ヨードニウム塩からの熱誘導酸産生も知
られているが、完全には活用されていない。ヨードニウ
ム塩熱分解について提案されている機構を図２に示す。 第二銅塩は、ヒドロキシル含有有機材料の存在下で熱還
元されてＣｕ（Ｉ）となる。ヒドロキシル含有有機材料
は、市販のエポキシ樹脂の塩基触媒フェノール−エポキ
シド縮合反応からの第二ヒドロキシルであっても、又は
わざわざ添加された反応剤であってもよい。次にＣｕ（
Ｉ）は、ジアリールヨードニウム塩により酸化還元反応
を受けてそれをヨウ化アリールに還元し、そして短寿命
の有機銅中間体〔ＡｒＣｕ（ＩＩＩ）ＬＸ〕を発生する
。求核単量体の存在下では、この有機銅中間体は求電子
体として働らき、アリール化が起こってその結果陽イオ
ン性重合が開始される。ヒドロキシル含有種が存在する
ときには、有機銅中間体は反応して強酸（ＨＸ）及びＣ
ｕ（Ｉ）塩が生じる。酸は陽イオン性重合を容易に促進
し、このＣｕ（Ｉ）塩は触媒として働らく。重合は、非
求核金属錯体ハロゲン化物対イオン：ＳｂＦ６−、Ａｓ
Ｆ６−、ＰＦ６−及びＢＦ４−から選択されるＸ−との
反応によって停止する。図２に示されるとおり、Ｃｕ（
ＩＩ）／ヨードニウム塩の組は、エポキシド重合に対す
る室温で安定な潜在性熱開始剤として機能する。
解発生は従来技術特にフォトリソグラフの応用において
、周知である。バックシール法の性質上、エポキシ組成
物の潜在性熱硬化も与えられなければならない。１９７
０年代後半以来ヨードニウム塩からの熱誘導酸産生も知
られているが、完全には活用されていない。ヨードニウ
ム塩熱分解について提案されている機構を図２に示す。 第二銅塩は、ヒドロキシル含有有機材料の存在下で熱還
元されてＣｕ（Ｉ）となる。ヒドロキシル含有有機材料
は、市販のエポキシ樹脂の塩基触媒フェノール−エポキ
シド縮合反応からの第二ヒドロキシルであっても、又は
わざわざ添加された反応剤であってもよい。次にＣｕ（
Ｉ）は、ジアリールヨードニウム塩により酸化還元反応
を受けてそれをヨウ化アリールに還元し、そして短寿命
の有機銅中間体〔ＡｒＣｕ（ＩＩＩ）ＬＸ〕を発生する
。求核単量体の存在下では、この有機銅中間体は求電子
体として働らき、アリール化が起こってその結果陽イオ
ン性重合が開始される。ヒドロキシル含有種が存在する
ときには、有機銅中間体は反応して強酸（ＨＸ）及びＣ
ｕ（Ｉ）塩が生じる。酸は陽イオン性重合を容易に促進
し、このＣｕ（Ｉ）塩は触媒として働らく。重合は、非
求核金属錯体ハロゲン化物対イオン：ＳｂＦ６−、Ａｓ
Ｆ６−、ＰＦ６−及びＢＦ４−から選択されるＸ−との
反応によって停止する。図２に示されるとおり、Ｃｕ（
ＩＩ）／ヨードニウム塩の組は、エポキシド重合に対す
る室温で安定な潜在性熱開始剤として機能する。
【００１８】上に論じた化学は、Ｃｕ（ＩＩ）／ヨード
ニウム塩がオニウム塩光開始剤に相容性の熱開始剤とし
て機能することができることを示す。
ニウム塩がオニウム塩光開始剤に相容性の熱開始剤とし
て機能することができることを示す。
【００１９】上の討論を基にして、液体ビスフェノール
ベース型多官能性エポキシ、ポリエーテル又はポリエス
テルポリオール及びヨードニウム塩／第二銅塩開始剤系
よりなる好ましいバックシール処方物が考案された。
ベース型多官能性エポキシ、ポリエーテル又はポリエス
テルポリオール及びヨードニウム塩／第二銅塩開始剤系
よりなる好ましいバックシール処方物が考案された。
【００２０】ビスフェノールＡベース型エポキシ樹脂は
、次の化学構造によって記述することができる。
、次の化学構造によって記述することができる。
【化１】
【００２１】安定な市販の液体多官能性ビスフェノール
ベース型エポキシ樹脂は、Ｃｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ Ａｒ
ａｔｒｏｎｉｃ ５０４０， Ａｒａｔｒｏｎｉｃ ５
０−４６， Ａｒａｔｒｏｎｉｃ ３００１及びＡｒａ
ｌｄｉｔｅ ６０１０を包含する。他の市販のビスフェ
ノールベース型エポキシ樹脂は、ＤＯＷ Ｑｕａｔｒｅ
ｘ １０１０， ＤＯＷ ＤＥＲ ３３１及びＳｈｅｌ
ｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｐｏｎ ８２８である。
ベース型エポキシ樹脂は、Ｃｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ Ａｒ
ａｔｒｏｎｉｃ ５０４０， Ａｒａｔｒｏｎｉｃ ５
０−４６， Ａｒａｔｒｏｎｉｃ ３００１及びＡｒａ
ｌｄｉｔｅ ６０１０を包含する。他の市販のビスフェ
ノールベース型エポキシ樹脂は、ＤＯＷ Ｑｕａｔｒｅ
ｘ １０１０， ＤＯＷ ＤＥＲ ３３１及びＳｈｅｌ
ｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｐｏｎ ８２８である。
【００２２】ポリエーテルポリオールは、次の構造を有
する化合物の群である。
する化合物の群である。
【化２】
【００２３】適当なポリエーテルポリオール又はポリエ
ステルポリオールは、室温において液体であり、かつ室
温において８００〜１５００センチポアズの粘度を持た
なければならない。市販のポリエーテル又はポリエステ
ルポリオール化合物は、Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ
Ｎｉａｘ ＬＨＴ ２８， Ｎｉａｘ ＬＨＴ ３４，
Ｎｉａｘ ＬＨＴ ４２， Ｎｉａｘ Ｌ６−６５０
， Ｎｉａｘ ＰＰＢ−４０２２及びＤＯＷ ＶＯＲＡ
ＮＤＯＬ ２０７０を含む。
ステルポリオールは、室温において液体であり、かつ室
温において８００〜１５００センチポアズの粘度を持た
なければならない。市販のポリエーテル又はポリエステ
ルポリオール化合物は、Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ
Ｎｉａｘ ＬＨＴ ２８， Ｎｉａｘ ＬＨＴ ３４，
Ｎｉａｘ ＬＨＴ ４２， Ｎｉａｘ Ｌ６−６５０
， Ｎｉａｘ ＰＰＢ−４０２２及びＤＯＷ ＶＯＲＡ
ＮＤＯＬ ２０７０を含む。
【００２４】フレキシビライザーとしてのヒドロキシル
含有誘導体の機能は文献に参照されている。一般に、そ
れらは連鎖移動剤として機能する。
含有誘導体の機能は文献に参照されている。一般に、そ
れらは連鎖移動剤として機能する。
【化３】
ここにおいては、柔軟なネットワークを生じる少数の大
きな連鎖とは対照的に、より多数の小さくなった「連鎖
」を生じる。
きな連鎖とは対照的に、より多数の小さくなった「連鎖
」を生じる。
【００２５】スルホニウム塩は次の化学式によって記述
される。 Ａｒ３Ｓ＋Ｘ− Ａｒ＝アリール、アルキル、置換アリール／アルキルＸ
＝ＢＦ４、ＰＦ６、ＡｓＦ６、ＳｂＦ６、ＣＦ３ＳＯ３
される。 Ａｒ３Ｓ＋Ｘ− Ａｒ＝アリール、アルキル、置換アリール／アルキルＸ
＝ＢＦ４、ＰＦ６、ＡｓＦ６、ＳｂＦ６、ＣＦ３ＳＯ３
【００２６】ヨードニウム塩は次の化学式によって記述
される。 Ａｒ２Ｉ＋Ｘ− 上のとおり
される。 Ａｒ２Ｉ＋Ｘ− 上のとおり
【００２７】オ
ニウム塩の特性は、エポキシドの存在下良好な熱安定性
及び水銀ランプ出力の光の吸収に関して適切なスペクト
ルの一致があるべきである。両特性共一般にオニウム塩
上のアリール基によって満たされる。一般に、ヨードニ
ウム塩は、光開始剤及び熱安定剤両者として機能するこ
とができる。スルホニウム塩は、光開始剤としてのみ機
能する。最良の様態の処方物においては、ヨードニウム
塩の方が水銀ランプとの重複がはるかに不良であるので
、両オニウム塩が好ましい。
ニウム塩の特性は、エポキシドの存在下良好な熱安定性
及び水銀ランプ出力の光の吸収に関して適切なスペクト
ルの一致があるべきである。両特性共一般にオニウム塩
上のアリール基によって満たされる。一般に、ヨードニ
ウム塩は、光開始剤及び熱安定剤両者として機能するこ
とができる。スルホニウム塩は、光開始剤としてのみ機
能する。最良の様態の処方物においては、ヨードニウム
塩の方が水銀ランプとの重複がはるかに不良であるので
、両オニウム塩が好ましい。
【００２８】芳香族ヨードニウム錯塩光開始剤の適当な
例は次のとおりである。ジフェニルヨードニウムテトラ
フルオロボレート、ジ（４−メチルフェニル）ヨードニ
ウムテトラフルオロボレート、フェニル−４−メチルフ
ェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジ（４−
ヘプチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレー
ト、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムヘキサフル
オロホスフェート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニ
ウムヘキサフルオロホスフェート、ジ（ナフチル）ヨー
ドニウムテトラフルオロボレート、ジ（４−トリフルオ
ロメチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレー
ト、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、ジ（４−メチルフェニル）ヨードニウムヘキサフル
オロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフル
オロアルセネート、ジ（４−フェノキシフェニル）ヨー
ドニウムテトラフルオロボレート、フェニル−２−チエ
ニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、３，５
−ジメチルピラゾリル−４−フェニルヨードニウムヘキ
サフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、２，２′−ジフェニルヨー
ドニウムテトラフルオロボレート、ジ（２，４−ジクロ
ロフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート
、ジ（４−ブロモフェニル）ヨードニウムヘキサフルオ
ロホスフェート、ジ（メトキシフェニル）ヨードニウム
ヘキサフルオロホスフェート、ジ（３−カルボキシフェ
ニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジ（
３−メトキシカルボニルフェニル）ヨードニウムヘキサ
フルオロホスフェート、ジ（４−アセトアミドフェニル
）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジ（２−
ベンゾチエニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェ
ート。
例は次のとおりである。ジフェニルヨードニウムテトラ
フルオロボレート、ジ（４−メチルフェニル）ヨードニ
ウムテトラフルオロボレート、フェニル−４−メチルフ
ェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジ（４−
ヘプチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレー
ト、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムヘキサフル
オロホスフェート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニ
ウムヘキサフルオロホスフェート、ジ（ナフチル）ヨー
ドニウムテトラフルオロボレート、ジ（４−トリフルオ
ロメチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレー
ト、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、ジ（４−メチルフェニル）ヨードニウムヘキサフル
オロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフル
オロアルセネート、ジ（４−フェノキシフェニル）ヨー
ドニウムテトラフルオロボレート、フェニル−２−チエ
ニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、３，５
−ジメチルピラゾリル−４−フェニルヨードニウムヘキ
サフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、２，２′−ジフェニルヨー
ドニウムテトラフルオロボレート、ジ（２，４−ジクロ
ロフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート
、ジ（４−ブロモフェニル）ヨードニウムヘキサフルオ
ロホスフェート、ジ（メトキシフェニル）ヨードニウム
ヘキサフルオロホスフェート、ジ（３−カルボキシフェ
ニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジ（
３−メトキシカルボニルフェニル）ヨードニウムヘキサ
フルオロホスフェート、ジ（４−アセトアミドフェニル
）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジ（２−
ベンゾチエニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェ
ート。
【００２９】本発明の組成物中使用するのに適している
芳香族ヨードニウム錯塩のうち好ましい塩は、ジアリー
ルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート及びジアリ
ールヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートである
。一般に、これらの塩は、他の錯イオンの芳香族ヨード
ニウム塩より熱に安定であり、反応を速く促進し、かつ
不活性溶媒に可溶性であるので好ましい。
芳香族ヨードニウム錯塩のうち好ましい塩は、ジアリー
ルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート及びジアリ
ールヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートである
。一般に、これらの塩は、他の錯イオンの芳香族ヨード
ニウム塩より熱に安定であり、反応を速く促進し、かつ
不活性溶媒に可溶性であるので好ましい。
【００３０】適当な芳香族スルホニウム錯塩光開始剤の
例は次のとおりである。トリフェニルスルホニウムテト
ラフルオロボレート、メチルジフェニルスルホニウムテ
トラフルオロボレート、ジメチルフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウ
ムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニ
ウムヘキサフルオロアンチモネート、トリトリルスルホ
ニウムヘキサフルオロホスフェート、アニシルジフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ブ
トキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロ
ボレート、４−クロロフェニルジフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、トリス（４−フェニオ
キシフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、ジ（４−エトキシフェニル）メトイルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキシ−フェニ
ルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ト
リス（４−チオメトキシフェニル）スルホニウムヘキサ
フルオロホスフェート、ジ（メトキシスルホニルフェニ
ル）メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
、ジ（カルボメトキシフェニル）メチルスルホニウムヘ
キサフルオロホスフェート、４−アセトアミドフェニル
ジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ジメ
チルナフィチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、トリフルオロメチルジフェニルスルホニウムテトラ
フルオロボレート、メチル（Ｎ−メチルフェノチアジニ
ル）スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、フェ
ニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロボレー
ト、１０−メチルフェノキサチィイニウムヘキサフルオ
ロホスフェート、５−メチルチアンスレニウムヘキサフ
ルオロホスフェート、１０−フェニルチオキサンテニウ
ムヘキサフルオロホスフェート、１０−フェニル−９，
９−ジメチルチオキサンテニウムヘキサフルオロホスフ
ェート、１０−フェニル−９−オキソチオキサンテニウ
ムテトラフルオロボレート、５−メチル−１０−オキソ
チアンスレニウムテトラフルオロボレート、５−メチル
−１０，１０−ジオキソチアンスレニウムヘキサフルオ
ロホスフェート。
例は次のとおりである。トリフェニルスルホニウムテト
ラフルオロボレート、メチルジフェニルスルホニウムテ
トラフルオロボレート、ジメチルフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウ
ムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニ
ウムヘキサフルオロアンチモネート、トリトリルスルホ
ニウムヘキサフルオロホスフェート、アニシルジフェニ
ルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−ブ
トキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロ
ボレート、４−クロロフェニルジフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、トリス（４−フェニオ
キシフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、ジ（４−エトキシフェニル）メトイルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート、４−アセトキシ−フェニ
ルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ト
リス（４−チオメトキシフェニル）スルホニウムヘキサ
フルオロホスフェート、ジ（メトキシスルホニルフェニ
ル）メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート
、ジ（カルボメトキシフェニル）メチルスルホニウムヘ
キサフルオロホスフェート、４−アセトアミドフェニル
ジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ジメ
チルナフィチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、トリフルオロメチルジフェニルスルホニウムテトラ
フルオロボレート、メチル（Ｎ−メチルフェノチアジニ
ル）スルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、フェ
ニルメチルベンジルスルホニウムヘキサフルオロボレー
ト、１０−メチルフェノキサチィイニウムヘキサフルオ
ロホスフェート、５−メチルチアンスレニウムヘキサフ
ルオロホスフェート、１０−フェニルチオキサンテニウ
ムヘキサフルオロホスフェート、１０−フェニル−９，
９−ジメチルチオキサンテニウムヘキサフルオロホスフ
ェート、１０−フェニル−９−オキソチオキサンテニウ
ムテトラフルオロボレート、５−メチル−１０−オキソ
チアンスレニウムテトラフルオロボレート、５−メチル
−１０，１０−ジオキソチアンスレニウムヘキサフルオ
ロホスフェート。
【００３１】本発明の組成物中使用するのに適している
芳香族スルホニウム錯塩のうち、好ましい塩はトリアリ
ール置換塩、例えばトリフェニルスルホニウムヘキサフ
ルオロホスフェートである。トリアリール置換塩は、モ
ノ−及びジアリール置換塩より熱に安定であり、それに
よって長いたな寿命を持つ一構成部分の硬化性の系が得
られるので好ましい。又、トリアリール置換錯塩が使用
されるときの方がある露光において光硬化の反応が大き
い。即ち、好ましい実施態様においては、オニウム錯塩
光開始剤は、ジアリールヨードニウム塩とトリアリール
スルホニウム塩との混合物よりなる。
芳香族スルホニウム錯塩のうち、好ましい塩はトリアリ
ール置換塩、例えばトリフェニルスルホニウムヘキサフ
ルオロホスフェートである。トリアリール置換塩は、モ
ノ−及びジアリール置換塩より熱に安定であり、それに
よって長いたな寿命を持つ一構成部分の硬化性の系が得
られるので好ましい。又、トリアリール置換錯塩が使用
されるときの方がある露光において光硬化の反応が大き
い。即ち、好ましい実施態様においては、オニウム錯塩
光開始剤は、ジアリールヨードニウム塩とトリアリール
スルホニウム塩との混合物よりなる。
【００３２】少なくとも有効量の第二銅塩が使用され、
それは当業者が容易に実験的に求めることができる。好
ましくは、それは該ヨードニウム塩触媒の重量にほぼ等
しい。
それは当業者が容易に実験的に求めることができる。好
ましくは、それは該ヨードニウム塩触媒の重量にほぼ等
しい。
【００３３】第二銅塩開始剤は、次の化学式によって表
示される。 Ｃｕ（ＩＩ）（Ｘ）ａｂ（ただしＸは有機性か又は無機
性であり、積ａ・ｂ＝−２）特定例として Ｃｕ（ＩＩ）ＳＯ４，Ｃｕ（ＩＩ）〔ＣＨ３ＣＯ２−〕
２
示される。 Ｃｕ（ＩＩ）（Ｘ）ａｂ（ただしＸは有機性か又は無機
性であり、積ａ・ｂ＝−２）特定例として Ｃｕ（ＩＩ）ＳＯ４，Ｃｕ（ＩＩ）〔ＣＨ３ＣＯ２−〕
２
【００３４】銅塩は、銅ハロゲン化物、例えば臭化物
、塩化物、又はステアリン酸銅、グルコン酸銅、クエン
酸銅、ナフテン酸銅、安息香酸銅及び酢酸銅一水物のう
ちいずれかである。
、塩化物、又はステアリン酸銅、グルコン酸銅、クエン
酸銅、ナフテン酸銅、安息香酸銅及び酢酸銅一水物のう
ちいずれかである。
【００３５】バックシール材料について最も重要な要件
は、１）一構成部分の室温で安定な（特に限度のないポ
ット寿命の）系、２）迅速な硬化及びサイクル時間の低
減、並びに３）バブル漏洩、熱ショック、熱サイクル及
び解重合を含む物理的及び熱的試験に耐えることであっ
た。
は、１）一構成部分の室温で安定な（特に限度のないポ
ット寿命の）系、２）迅速な硬化及びサイクル時間の低
減、並びに３）バブル漏洩、熱ショック、熱サイクル及
び解重合を含む物理的及び熱的試験に耐えることであっ
た。
【００３６】これらの制限を考慮して、次の材料が選択
された。 Ｄｏｗ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０ エポキシ樹脂（ビ
スフェノールＡベース型中粘度液体多官能性エポキシド
）Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｎｉａｘ ＬＨＴ ２
８ポリエーテルポリオール（フレキシビライザー及び連
鎖移動剤、組成物分散のため最適の粘度） Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＵＶＥ １０１４
（光開始剤、プロピレンカーボネート中混合トリアリー
ルスルホニウム塩の５０％固形分の溶液） Ｃｉｂａ Ｇｅｉｇｙ Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇ（熱
に安定な色素）ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロ
アンチモネート（光開始剤／熱開始剤、プロピレンカー
ボネート中５０％固形分の溶液として） 酢酸第二銅（Ｈ＋に対するオニウム塩分解のための無水
触媒；ＴＨＦ中、０．１Ｍの溶液として）
された。 Ｄｏｗ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０ エポキシ樹脂（ビ
スフェノールＡベース型中粘度液体多官能性エポキシド
）Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｎｉａｘ ＬＨＴ ２
８ポリエーテルポリオール（フレキシビライザー及び連
鎖移動剤、組成物分散のため最適の粘度） Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＵＶＥ １０１４
（光開始剤、プロピレンカーボネート中混合トリアリー
ルスルホニウム塩の５０％固形分の溶液） Ｃｉｂａ Ｇｅｉｇｙ Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇ（熱
に安定な色素）ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロ
アンチモネート（光開始剤／熱開始剤、プロピレンカー
ボネート中５０％固形分の溶液として） 酢酸第二銅（Ｈ＋に対するオニウム塩分解のための無水
触媒；ＴＨＦ中、０．１Ｍの溶液として）
【００３７】
Ｄｏｗ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０は、２５℃において
固有粘度１１，０００〜１４，０００センチポアズ（ｃ
Ｐ）、エポキシあたり重量１８２〜１９０、１００ｐｐ
ｍの低加水分解性塩化物レベル及び比較的単一分散分子
量分布を持つビスフェノールＡベース型多官能性液体エ
ポキシである。Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｎｉａｘ
ＬＨＴ ２８は、２５℃において粘度１，１００ｃＰ
及びヒドロキシル価２８ｍｇ ＫＯＨ／ｇを持つポリプ
ロピレンオキシドベース型ポリエーテルトリオールであ
る。ＬＨＴ ２８は、第二ヒドロキシル基源として、又
連鎖移動剤として働く。
Ｄｏｗ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０は、２５℃において
固有粘度１１，０００〜１４，０００センチポアズ（ｃ
Ｐ）、エポキシあたり重量１８２〜１９０、１００ｐｐ
ｍの低加水分解性塩化物レベル及び比較的単一分散分子
量分布を持つビスフェノールＡベース型多官能性液体エ
ポキシである。Ｕｎｉｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ Ｎｉａｘ
ＬＨＴ ２８は、２５℃において粘度１，１００ｃＰ
及びヒドロキシル価２８ｍｇ ＫＯＨ／ｇを持つポリプ
ロピレンオキシドベース型ポリエーテルトリオールであ
る。ＬＨＴ ２８は、第二ヒドロキシル基源として、又
連鎖移動剤として働く。
【００３８】実地においては、Ｄｒａｓｏｌ色素、Ｇｅ
ｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＵＶＥ １０１４、ヨ
ードニウム塩及び酢酸第二銅のストック溶液を予め調製
し、ＬＨＴ ２８及びＱｕａｔｒｅｘ １０１０樹脂の
混合物に添加する。この組成物は、高せん断ミキサーを
用いて均質化される。
ｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＵＶＥ １０１４、ヨ
ードニウム塩及び酢酸第二銅のストック溶液を予め調製
し、ＬＨＴ ２８及びＱｕａｔｒｅｘ １０１０樹脂の
混合物に添加する。この組成物は、高せん断ミキサーを
用いて均質化される。
【００３９】〔実施例１〕次の処方のエポキシを十分混
合することによって調製した。 Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−２８
１３．０重量％ ＧＥ ＵＶＥ
１０１４
１．７重量％ ジフェニルヨードニウ
ム−ＳｂＦ６ ０．８５重量％
酢酸第二銅
０．８５重量％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒ
ｅｄ Ｇ
０．００６７重量％従来のバックシール法と異な
り、混合の前いずれの成分も予熱を要さない。上の処分
物２．０ｇを予熱したモジュールに分配し、毎分１２フ
ィート（ｆｐｍ）（約３７ｍ）でＦｕｓｉｏｎコンベア
型ＵＶ硬化装置（ｃｏｎｖｅｙｏｒｉｚｅｄ ＵＶ ｃ
ｕｒｅ ｕｎｉｔ）を通し、次に１５分間１５０℃のベ
ーキングを行なった。このコーティングを硬化させてハ
ードフィニッシュとし、これははんだショックを介した
熱ショックに耐えた。
合することによって調製した。 Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−２８
１３．０重量％ ＧＥ ＵＶＥ
１０１４
１．７重量％ ジフェニルヨードニウ
ム−ＳｂＦ６ ０．８５重量％
酢酸第二銅
０．８５重量％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒ
ｅｄ Ｇ
０．００６７重量％従来のバックシール法と異な
り、混合の前いずれの成分も予熱を要さない。上の処分
物２．０ｇを予熱したモジュールに分配し、毎分１２フ
ィート（ｆｐｍ）（約３７ｍ）でＦｕｓｉｏｎコンベア
型ＵＶ硬化装置（ｃｏｎｖｅｙｏｒｉｚｅｄ ＵＶ ｃ
ｕｒｅ ｕｎｉｔ）を通し、次に１５分間１５０℃のベ
ーキングを行なった。このコーティングを硬化させてハ
ードフィニッシュとし、これははんだショックを介した
熱ショックに耐えた。
【００４０】〔実施例２〜４〕次のエポキシ組成物を十
分混合することによって調製した。
分混合することによって調製した。
【表１】
実施例１のとおり硬化させた実施例２〜４は、はんだシ
ョック誘導応力亀裂を示すか（実施例２）、又はバブル
漏洩試験を通らなかった（実施例３〜４）。これらの実
施例は、適性なエポキシ：ヒドロキシル比に対して処方
物が変動しやすいことを例示する。
ョック誘導応力亀裂を示すか（実施例２）、又はバブル
漏洩試験を通らなかった（実施例３〜４）。これらの実
施例は、適性なエポキシ：ヒドロキシル比に対して処方
物が変動しやすいことを例示する。
【００４１】〔実施例５〜６〕次のエポキシ組成物をせ
ん断混合によって十分混合した。 実施例５ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重
量％ Ｎｉａｘ ＬＨＴ−２８
１３．
０重量％ ＧＥ ＵＶＥ １０１４
１．７重量％ ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニ
ウム−ＳｂＦ６ ０．８５重量％ 酢酸第
二銅
０．８５重量％ Ｏｒａｓ
ｏｌ Ｒｅｄ Ｇ
０．００６７重量％
実施例６ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−２８
１３．０重量％ ＧＥ ＵＶＥ
１０１４
１．７重量％ ＧＥ ＸＳ１３５０Ｃ
０．８５重量％ 酢酸第二銅
０．８５重量％
Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇ
０．００６７重量％
実施例５〜６を実施例１のとおり硬化させた。試料
はすべて、バブル漏洩及びはんだショック試験に合格し
た。Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＸＳ１３５０
Ｃは、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール中ビス（
ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチ
モネートの４５％溶液である。
ん断混合によって十分混合した。 実施例５ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重
量％ Ｎｉａｘ ＬＨＴ−２８
１３．
０重量％ ＧＥ ＵＶＥ １０１４
１．７重量％ ジ−ｔ−ブチルフェニルヨードニ
ウム−ＳｂＦ６ ０．８５重量％ 酢酸第
二銅
０．８５重量％ Ｏｒａｓ
ｏｌ Ｒｅｄ Ｇ
０．００６７重量％
実施例６ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−２８
１３．０重量％ ＧＥ ＵＶＥ
１０１４
１．７重量％ ＧＥ ＸＳ１３５０Ｃ
０．８５重量％ 酢酸第二銅
０．８５重量％
Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇ
０．００６７重量％
実施例５〜６を実施例１のとおり硬化させた。試料
はすべて、バブル漏洩及びはんだショック試験に合格し
た。Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ ＸＳ１３５０
Ｃは、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール中ビス（
ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチ
モネートの４５％溶液である。
【００４２】〔実施例７〕次のエポキシを十分撹拌する
ことによって調製した。 Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−２８
１３．０重量％ スルホニウム
塩 １．
７重量％ ジフェニルヨードニウム−ＳｂＦ６
０．８５％ 酢酸第二銅
０．８
５％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇ
０．００６７重量
％実施例７においては、処方物は、ＧＥ ＵＶＥ １０
１４の代りにスルホニウム塩１．７重量％を用いたこと
の外は実施例１と同じであった。実施例１のとおりに硬
化させた試料は、バブル漏洩及びはんだショック試験に
合格した。
ことによって調製した。 Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−２８
１３．０重量％ スルホニウム
塩 １．
７重量％ ジフェニルヨードニウム−ＳｂＦ６
０．８５％ 酢酸第二銅
０．８
５％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇ
０．００６７重量
％実施例７においては、処方物は、ＧＥ ＵＶＥ １０
１４の代りにスルホニウム塩１．７重量％を用いたこと
の外は実施例１と同じであった。実施例１のとおりに硬
化させた試料は、バブル漏洩及びはんだショック試験に
合格した。
【００４３】〔実施例８〕この組成物をせん断混合によ
って十分に混合した。 Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％Ｎｉａｘ ＬＨＴ−
２８
１３．０重量％ＧＥ ＵＶＥ １０１４
１．７重量％ジ
フェニルヨードニウム−ＳｂＦ６ ０．
８５％酢酸第二銅
０．８５％Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ
Ｇ
０．０１重量％この処方は、Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇ
の濃度を０．０１重量％に上げたことの外は、実施例１
に類似している。実施例１のとおり硬化させた試料は、
硬化の深さが不均一である未硬化の表面を生じた。
って十分に混合した。 Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％Ｎｉａｘ ＬＨＴ−
２８
１３．０重量％ＧＥ ＵＶＥ １０１４
１．７重量％ジ
フェニルヨードニウム−ＳｂＦ６ ０．
８５％酢酸第二銅
０．８５％Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ
Ｇ
０．０１重量％この処方は、Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇ
の濃度を０．０１重量％に上げたことの外は、実施例１
に類似している。実施例１のとおり硬化させた試料は、
硬化の深さが不均一である未硬化の表面を生じた。
【００４４】〔実施例９〜１０〕次に組成物を十分混合
し、実施例１のとおり処理した。 実施例９ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−３４
１３．０重量％ ＧＥ ＵＶＥ
１０１４
１．７重量％ ジフェニルヨードニウ
ム−ＳｂＦ６ ０．８５重量％
酢酸第二銅
０．８５重量％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒ
ｅｄ Ｇ
０．００６７重量％ 実施例１０ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−４２
１３．０重量％ ＧＥ ＵＶＥ
１０１４
１．７重量％ ジフェニルヨードニウ
ム−ＳｂＦ６ ０．８５重量％
酢酸第二銅
０．８５重量％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒ
ｅｄ Ｇ
０．００６７重量％これらの処方は、ＬＨＴ−２
８の代りにＬＨＴ−３４（実施例９）又はＬＨＴ−４２
（実施例１０）を用いたことの外は、実施例１に類似し
ている。試料は、実施例１のとおりに硬化され、バブル
漏洩及びはんだショック試験に合格した。ＬＨＴ−２８
は、その高い粘度のために好ましいポリエーテルポリオ
ールであり、それによってセラミック基体の分配特性の
改善が準備される。
し、実施例１のとおり処理した。 実施例９ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−３４
１３．０重量％ ＧＥ ＵＶＥ
１０１４
１．７重量％ ジフェニルヨードニウ
ム−ＳｂＦ６ ０．８５重量％
酢酸第二銅
０．８５重量％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒ
ｅｄ Ｇ
０．００６７重量％ 実施例１０ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．６重量％ Ｎ
ｉａｘ ＬＨＴ−４２
１３．０重量％ ＧＥ ＵＶＥ
１０１４
１．７重量％ ジフェニルヨードニウ
ム−ＳｂＦ６ ０．８５重量％
酢酸第二銅
０．８５重量％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒ
ｅｄ Ｇ
０．００６７重量％これらの処方は、ＬＨＴ−２
８の代りにＬＨＴ−３４（実施例９）又はＬＨＴ−４２
（実施例１０）を用いたことの外は、実施例１に類似し
ている。試料は、実施例１のとおりに硬化され、バブル
漏洩及びはんだショック試験に合格した。ＬＨＴ−２８
は、その高い粘度のために好ましいポリエーテルポリオ
ールであり、それによってセラミック基体の分配特性の
改善が準備される。
【００４５】〔実施例１１〜１２〕
【表２】
実施例１のとおり硬化させた実施例１１及び１２は、硬
化不完全な材料（実施例１１）か又は表面硬化のみ（実
施例１２）を生じた。
化不完全な材料（実施例１１）か又は表面硬化のみ（実
施例１２）を生じた。
【００４６】〔実施例１３〕次の組成物を十分混合する
ことによって調製した。 Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
５８．７１重量％
Ｎｉａｘ ＬＨＴ−２８
１９．２７重量％ ＧＥ Ｘ
５１３５０Ｃ
１．１７重量％ 酢酸第二銅
１
．２９５重量％ Ｎｏｖａｋｕｐ Ｌ２０７ＡＧ
Ｇ１ １９．５５
重量％混合に引続いて、この組成物２．０ｇを予熱した
モジュール中に分配し、Ｆｕｓｉｏｎコンベア型ＵＶ硬
化装置を介してＵＶに暴露し、１５０℃において３０分
間ベーキングした。試料はすべて、エポキシ組成物のコ
ストを低減させるためにシリカ充てん剤Ｎｏｖａｃｕｐ
Ｌ２０７ＡＧＧ１を使用している。シリカ充てん剤は
、セラミック基体のＣＴＥとマッチする低いＣＴＥとい
う追加の利点を有している。
ことによって調製した。 Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
５８．７１重量％
Ｎｉａｘ ＬＨＴ−２８
１９．２７重量％ ＧＥ Ｘ
５１３５０Ｃ
１．１７重量％ 酢酸第二銅
１
．２９５重量％ Ｎｏｖａｋｕｐ Ｌ２０７ＡＧ
Ｇ１ １９．５５
重量％混合に引続いて、この組成物２．０ｇを予熱した
モジュール中に分配し、Ｆｕｓｉｏｎコンベア型ＵＶ硬
化装置を介してＵＶに暴露し、１５０℃において３０分
間ベーキングした。試料はすべて、エポキシ組成物のコ
ストを低減させるためにシリカ充てん剤Ｎｏｖａｃｕｐ
Ｌ２０７ＡＧＧ１を使用している。シリカ充てん剤は
、セラミック基体のＣＴＥとマッチする低いＣＴＥとい
う追加の利点を有している。
【００４７】以上の実施例を基にして、まさしく最良の
様態の処方を下に示す。 Ｄｏｗ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．４３％ Ｎｉ
ａｘ ＬＨＴ−２８
１３．２３％ ＧＥ ＵＶＥ １
０１４
１．６６％ ヨードニウム塩
０．８３４％
酢酸第二銅
０．８３４％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒ
ｅｄ Ｇ
０．００６６７％
様態の処方を下に示す。 Ｄｏｗ Ｑｕａｔｒｅｘ １０１０
８３．４３％ Ｎｉ
ａｘ ＬＨＴ−２８
１３．２３％ ＧＥ ＵＶＥ １
０１４
１．６６％ ヨードニウム塩
０．８３４％
酢酸第二銅
０．８３４％ Ｏｒａｓｏｌ Ｒ
ｅｄ Ｇ
０．００６６７％
【００４８】処方物をベースシ
ール操作に特に適当ならしめている処方物の材料特性に
関しては、この材料は、低い熱膨張係数、すぐれた溶媒
抵抗性、限界のないたな寿命、深部完全硬化（ｄｅｅｐ
ｔｈｒｏｕｇｈ−ｃｕｒｅ）及び迅速な硬化動力学を
持つように調合されている。他の従来の技術はすべて、
これらの特性の１つ又はそれ以上を欠いている。
ール操作に特に適当ならしめている処方物の材料特性に
関しては、この材料は、低い熱膨張係数、すぐれた溶媒
抵抗性、限界のないたな寿命、深部完全硬化（ｄｅｅｐ
ｔｈｒｏｕｇｈ−ｃｕｒｅ）及び迅速な硬化動力学を
持つように調合されている。他の従来の技術はすべて、
これらの特性の１つ又はそれ以上を欠いている。
【００４９】最良の態様において上に挙げた構成分の百
分率の制限は、適性な物理的特性を保つために必要であ
る。この百分率の境界外の組成は、劣ったバックシール
材料及び（又は）長々とした硬化スケジュールという結
果となる。長に列記した材料については、許容される範
囲を下に列記する。
分率の制限は、適性な物理的特性を保つために必要であ
る。この百分率の境界外の組成は、劣ったバックシール
材料及び（又は）長々とした硬化スケジュールという結
果となる。長に列記した材料については、許容される範
囲を下に列記する。
【表３】
【００５０】８７％を超えるＱｕａｔｒｅｘ １０１０
濃度（又は９．７％未満のＬＨＴ ２８濃度）において
は、処方物の熱硬化の際応力亀裂が生じる。Ｑｕａｔｒ
ｅｘ １０１０の下限より低い（又はＬＨＴ ２８の上
限より高い）濃度においては、より長いポストベークを
要する。最適の光硬化は、ＧＥ ＵＶＥ １０１０及び
Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇについて列記された範囲内で
処方された組成物によってのみ得られる。いずれか一方
の構成分の百分率をそれより高くすると、表面重合のみ
が得られる。それより低い濃度では不完全に硬化した材
料を生じる。ヨードニウム塩及び酢酸第二銅の濃度に関
しては、いずれか一方の化合物が上限より高濃度である
処方物は、過剰のイオン含量を与え、一方いずれか一方
の構成分が下限より低濃度である処方物は、過度の処理
時間を要求する。
濃度（又は９．７％未満のＬＨＴ ２８濃度）において
は、処方物の熱硬化の際応力亀裂が生じる。Ｑｕａｔｒ
ｅｘ １０１０の下限より低い（又はＬＨＴ ２８の上
限より高い）濃度においては、より長いポストベークを
要する。最適の光硬化は、ＧＥ ＵＶＥ １０１０及び
Ｏｒａｓｏｌ Ｒｅｄ Ｇについて列記された範囲内で
処方された組成物によってのみ得られる。いずれか一方
の構成分の百分率をそれより高くすると、表面重合のみ
が得られる。それより低い濃度では不完全に硬化した材
料を生じる。ヨードニウム塩及び酢酸第二銅の濃度に関
しては、いずれか一方の化合物が上限より高濃度である
処方物は、過剰のイオン含量を与え、一方いずれか一方
の構成分が下限より低濃度である処方物は、過度の処理
時間を要求する。
【００５１】次に新しい材料が処方される方法を要約す
る。セラミックモジュール（ＩＣ及びヒートシンクを取
り付ける）を予熱してセラミックとヒートシンクとの間
の空気をガス放出させる。バックシール材料を加熱した
モジュール上に直接分配し、これを次にコンベア型ＵＶ
硬化装置に通す（６０秒以下の滞留時間）。１５０℃に
おいて３０分以下のポストベークによって硬化は完了す
る。
る。セラミックモジュール（ＩＣ及びヒートシンクを取
り付ける）を予熱してセラミックとヒートシンクとの間
の空気をガス放出させる。バックシール材料を加熱した
モジュール上に直接分配し、これを次にコンベア型ＵＶ
硬化装置に通す（６０秒以下の滞留時間）。１５０℃に
おいて３０分以下のポストベークによって硬化は完了す
る。
【００５２】代表的な硬化動力学が種々の時間１５０℃
において等温硬化した後残留発熱（ｒｅｓｉｄｕａｌ
ｅｘｏｔｈｅｒｍｓ）として図３に示される。この示差
熱図（ｔｈｅｒｍｏｇｒａｍ）が示すように、残留未反
応エポキシの量は、１５０℃における時間の関数として
劇的に減少する。わずか３０分の硬化の後に、９５％を
超える変換が起こっている。このデータは又、１５０℃
における時間が増大するに従って、４５℃から１２７℃
までのＴｇ（発熱の開始における温度）が上昇すること
を示す。比較として、Ｓｃｏｔｃｈｃａｓｔは、８０℃
のＴｇを示し、完全な変換のために１００℃において４
時間、続いて１４５℃において４時間を要する。この迅
速バックシール処方物を使用すると１６分の１まで処理
サイクル時間の低下が得られる。
において等温硬化した後残留発熱（ｒｅｓｉｄｕａｌ
ｅｘｏｔｈｅｒｍｓ）として図３に示される。この示差
熱図（ｔｈｅｒｍｏｇｒａｍ）が示すように、残留未反
応エポキシの量は、１５０℃における時間の関数として
劇的に減少する。わずか３０分の硬化の後に、９５％を
超える変換が起こっている。このデータは又、１５０℃
における時間が増大するに従って、４５℃から１２７℃
までのＴｇ（発熱の開始における温度）が上昇すること
を示す。比較として、Ｓｃｏｔｃｈｃａｓｔは、８０℃
のＴｇを示し、完全な変換のために１００℃において４
時間、続いて１４５℃において４時間を要する。この迅
速バックシール処方物を使用すると１６分の１まで処理
サイクル時間の低下が得られる。
【００５３】本発明がいくつかの例示実施例によって説
明されたが、本発明の精神及び範囲から離れることなし
に改変を行ってよいことが当該技術熟練者には理解され
ることである。上に提示された実施態様は、例を目的に
しており、特許請求の範囲を限定すると取られるべきで
ない。
明されたが、本発明の精神及び範囲から離れることなし
に改変を行ってよいことが当該技術熟練者には理解され
ることである。上に提示された実施態様は、例を目的に
しており、特許請求の範囲を限定すると取られるべきで
ない。
【図１】本発明の方法によってバックシールされるのに
適しているセラミックモジュールの断面図。
適しているセラミックモジュールの断面図。
【図２】ヨードニウム塩熱分解の化学的機構図。
【図３】１５０℃における光暴露の後本発明の好ましい
実施態様の組成物が迅速に硬化することを示す一連の残
留発熱図。
実施態様の組成物が迅速に硬化することを示す一連の残
留発熱図。
１０ 完成セラミックモジュール組立物１１ 半導
体チップ １３ 基体 １５ 保護キャップ １６ 金属折れ曲り １７ 熱ペースト １８ コネクターピン １９ バックシール材料
体チップ １３ 基体 １５ 保護キャップ １６ 金属折れ曲り １７ 熱ペースト １８ コネクターピン １９ バックシール材料
Claims (11)
- 【請求項１】 液体多官能性ビスフェノールベース型
エポキシ、液体多官能性ヒドロキシル含有有機材料、ヨ
ードニウム錯塩及びスルホニウム錯塩の類から選択され
るオニウム錯塩光開始剤、並びに第二銅錯塩開始剤より
なり、該第二銅錯塩及び該オニウム錯塩が熱及び該ヒド
ロキシル含有有機材料の存在下でブレンステッド酸を発
生する（ただしエポキシ：ヒドロキシル比は、４：１〜
９：１の範囲である）熱硬化の間にブレンステッド酸を
熱発生する光共重合性組成物。 - 【請求項２】 該ヒドロキシル含有有機材料が液体ポ
リエーテルポリオール及びポリエステルポリオールの群
から選択され、そしてフレキシビライザー及び連鎖移動
剤として機能する請求項１記載の組成物。 - 【請求項３】 更に、硬化した組成物に所望の色を与
える色素よりなる請求項１記載の組成物。 - 【請求項４】 更に、熱膨張係数を改善し、そして組
成物の単位重量あたりのコストを低下させる充てん剤よ
りなる請求項３記載の組成物。 - 【請求項５】 該コンプレックスヨードニウム塩光開
始剤がヨードニウム錯塩とスルホニウム錯塩との混合物
であり、該ヨードニウム錯塩が光開始剤及び熱開始剤と
して機能し、そして該スルホニウム錯塩が効率のよい光
開始剤として機能する請求項１記載の組成物。 - 【請求項６】 該エポキシが液体多官能性ビスフェノ
ール−Ａベース型エポキシであり、該ヒドロキシル含有
有機材料がポリエーテルポリオールであり、該オニウム
錯塩光開始剤がヨードニウム錯塩とスルホニウム錯塩と
の混合物であり、そして該第二銅錯塩開始剤が安息香酸
銅及び酢酸銅一水物の群から選択され、そして該ヨード
ニウム錯塩の重量にほぼ等しい重量を持つ、請求項１記
載の組成物。 - 【請求項７】 該ヨードニウム錯塩がジアリール置換
ヨードニウム塩であり、そして該スルホニウム錯塩がト
リアリール置換スルホニウム塩である請求項６記載の組
成物。 - 【請求項８】 セラミック担体上に請求項１記載の組
成物の所望の量を析出させ、該組成物が共重合するまで
該組成物を放射エネルギーに暴露し、そして該放射エネ
ルギーに暴露されていない区域を含んで該組成物が完全
に共重合するまで該組成物を加熱する工程を特徴とする
セラミック担体のバックシール法。 - 【請求項９】 該暴露工程が１分未満又は１分間のＵ
Ｖ暴露を要し、そして該加熱工程が１５０℃において３
０分未満又は３０分間を要する請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 該エポキシが液体多官能性ビスフェ
ノール−Ａベース型エポキシであり、該ヒドロキシル含
有有機材料がポリエーテルポリオールであり、該オニウ
ム錯塩光開始剤がヨードニウム錯塩とスルホニウム錯塩
との混合物であり、そして該第二銅錯塩開始剤が安息香
酸銅及び酢酸銅一水物の群から選択され、そして該ヨー
ドニウム錯塩の重量にほぼ等しい重量を持つ、請求項９
記載の方法。 - 【請求項１１】 表の面、裏の面及び周辺部を有し、
集積チップが該表の面に接合されているセラミック担体
、該セラミック担体の周辺部にクリンプされ、そして該
セラミック担体の表の面及び該集積チップをカバーする
保護キャップ、並びに該セラミック担体の該裏の面及び
該周辺部の少なくとも一部分をカバーする、硬化した請
求項１記載の組成物よりなる（該硬化した組成物は、実
質的に完全に共重合するまで放射エネルギー及び熱に暴
露されている）バックシールされたセラミック担体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US60743590A | 1990-10-31 | 1990-10-31 | |
| US607435 | 1990-10-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04234422A true JPH04234422A (ja) | 1992-08-24 |
Family
ID=24432264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3184634A Pending JPH04234422A (ja) | 1990-10-31 | 1991-07-24 | 二重硬化エポキシバックシール処方物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5547713A (ja) |
| JP (1) | JPH04234422A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2010192900A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | General Electric Co <Ge> | 埋め込みチップ集積を容易にするチップ取り付け接着剤、並びに関連するシステム及び方法 |
| JP2019518126A (ja) * | 2016-04-22 | 2019-06-27 | アディソン クリアー ウェーブ コーティングス インコーポレーテッド | 二重硬化エポキシ接着剤 |
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|---|---|---|---|---|
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| US6425655B1 (en) | 2001-06-05 | 2002-07-30 | Lexmark International, Inc. | Dual curable encapsulating material |
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