KR900005230B1

KR900005230B1 - 반도체 승압 신호 발생회로

Info

Publication number: KR900005230B1
Application number: KR1019860001325A
Authority: KR
Inventors: 모도 다까 유끼 미야
Original assignee: 미쓰비시 뎅기 가부시끼 가이샤; 시기 모리야
Priority date: 1985-05-14
Filing date: 1986-02-25
Publication date: 1990-07-21
Also published as: KR860009423A; GB2175162B; DE3614421C2; GB8610110D0; US4731552A; DE3614421A1; JPS61260717A; JPH0324092B2; GB2175162A

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 승압 신호 발생회로

제1도는 종래의 승압신호 발생회로를 나타낸 도면.

제2도는 제1도의 회로동작을 설명하기 위한 파형도.

제3도는 DRAM등의 반도체메모리장치에 있어서 워드선에 피승압신호를 공급하는 승압신호 발생회로의 종래예를 나타내는 회로도.

제4도는 본 발명에 의한 한 실시예를 나타내는 회로도.

제5도는 제4도의 실시예인 회로동작을 설명하기 위한 주요부의 파형도.

제6도는 제4도의 실시예 중 충전장치의 한 실시예를 나타내는 회로도.

제7도는 동 승압전위 발생장치의 한 실시예를 나타낸 회로도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 부하용량 2 : 승압용량

5 : 워드선 11,15 : MOS 트랜지스터

16 : 부우트스트랩(bootstrap)용량 17 : 충전장치

18 : 승압전위 발생장치 23 : 링 오실레이터(ring oscillator)

24 : 챠아지펌프 커패시터(charge pump capaciter)

27 : 전위측적용 용량

본 발명은 반도체집적회로 특히 MOS형 집적회로에 있어서 승압신호 발생회로에 관한 것이다.

종래 이 종류의 회로로서 제1도에 표시한 것이 있었다. 도면에 있어서 ψA는 피승압신호, 1은 전기피승압신호 ψA의 부하용량이며 그 용량의 값을 C₁으로 한다. ψB는 승압신호, 2는 승압용량이며, 그 용량값을 C₂로 한다.

제2도는 제1도의 회로작동시의 각 신호 ψA, ψB의 파형이다. 다음에 동작에 대하여 설명한다.

제2도에 있어서 시각 t₁에서 피승압신호 ψA가 부하용량 1과 승압용량 2의 충전을 개시한다. 시각 t₂에서 승압신호 ψB의 권위는 전원전압 V 또는 전원전압 V보다 약간 낮은 전위가 된다. 시각 t₂에서 승압신호 ψB가 올라가고 시각 t₃사이에 승압신호 ψB의 승압용량 2의 값 C₂로에 의해 피승압신호 ψA는 전원전압 V이상으로 승압된다.

피승압신호 ψA의 최대 승압치는

이다.

종래의 승압신호 발생회로는 이상과 같이 구성되어 있으므로 높은 승압전위를 얻기 위해서는 C₂의 값을 크게하지 않으면 안되며 C₂의 충전을 위해서 소비전력이 증대되고 또 시간간격 t₂-t₁을 길게 하여야 하는 등의 결점이 있었다. 이 점에 관하여 제3도를 사용하여 상술한다.

제3도는 예를 들어 DRAM등의 반도체메모리장치에 있어서 워드선(5)에 피승압신호 ψA를 공급하기 위한 승압신호 발생회로를 표시하고 있다. 도면에 있어서 (1)은 워드선(5)의 부하인 부하용량이며 일반으로 워드선(5)에 존재하는 부유용량이다. (3)은 전원 V와 승압용량(2)의 한끝과의 사이에 접속되는 MOS트랜지스터이고 시각 t₁이전에 비도통상태이고 시각 t₁이후에 도통상태로 되는 신호가 게이트에 인가된다.

(4)는 전원 V와 승압용량(2)의 다른 끝과의 사이에 접속되는 MOS트랜지스터이며 시각 t₂이전에 비도통상태이고 시각 t₂이후에 도통상태가 되는 신호가 게이트에 인가된다. 이것에 있어서 피승압신호 φA가 최대승압치

가 되기까지의 충전시간 T, 즉 T₁에서 T₃까지의 시간은 다음과 같이 된다.

(다만, t₁은 t₁에서 t₂까지의 시간, T₂는 t₂에서 t₃까지의 시간) 시각 t₂까지는 MOS 트랜지스터(3)만 도통 상태이므로

(다만, r₁은 MOS 트랜지스터(3)의 도통시의 등가저항치) 또한 시각 t₂이후는 MOS 트랜지스터(4)가 도통 상태이므로

(다만, r₂은 MOS 트랜지스터(4)의 도통시의 등가저항치) 여기에서 MOS 트랜지스터(3)과 (4)의 도통시의 등가저항치 r₁과 r₂는 실질적으로 같다. 또한 승압용량(2)의 용량치 C₂를 부하용량(1)의 용량치 C₁과 같아지도록 선택하면

일반적으로 반도체메모리장치의 워드선(5)을 승압할 경우 τ₁은 10~20ns이고 충전시간은 25~55ns정도 필요하였다.

본 발명은 상기와 같은 한 실시예를 나타낸 것으로 1은 부하용량, 11-15는 제1-제5의 MOS트랜지스터(이하 단지 MOS트랜지스터라 한다). 16은 부우트스트랩용량, 17은 전기 부우트스트랩용량 16의 충전장치, 18은 승압전위 발생장치이며 출력전압 V_P는 전원전압 V보다 높은 전압치이다. 19는 전기 MOS트랜지스터(13)의 소오스와 MOS트랜지스터(14)의 드레인 및 MOS트랜지스터(12)의 게이트를 연결하는 배선, 20은 전기 MOS트랜지스터(11)의 소오스와 MOS트랜지스터(12)의 드레인과 부우스트랩용량(16)의 한 전극을 연결하는 배선, 21은 전기 MOS트랜지스터(11)의 게이트와 부우트스트랩용량(16)의 다른 전극과 MOS트랜지스터(15)의 게이트와 충전장치(17)를 연결하는 배선이다.

또 MOS 트랜지스터(13,11)의 드레인은 전원 V에 접속되어 있고 MOS 트랜지스터(14,12)의 소오스는 그라운드에 접속되어 있으며 MOS 트랜지스터(15)의 드레인은 승압전위 발생장치(18)에 동 소오스는 부하용량 1의 한 전극과 MOS트랜지스터(14)의 게이트에 접속되어 있다.

ψA는 피승압신호, ψO는 프라챠아지신호이며 MOS트랜지스터(13)의 게이트에 접속되어 있다. 또한 I는 제1의 MOS트랜지스터 11, 제2의 MOS트랜지스터 12, 부우트스트랩용량 16 및 충전장치 17로 이루어지는 부우트스트랩회로이고 제2의 MOS트랜지스터 12의 게이트가 입력노우드에 충전장치 17의 출력이 출력노우드에 상당하고 충전장치(17)로부터의 출력전위보다 승압된 전위가 된다.

또 11는 제3의 MOS트랜지스터 13 및 제4의 MOS트랜지스터 14로 이루어진 다이나믹 인버터회로인 부우트스트랩 제어수단이고 제3의 MOS트랜지스터 13은 수하소자이며 제4의 MOS트랜지스터 14의 게이트가 입력노우드에 제3과 제4의 MOS트랜지스터(13,14)의 접속점이 출력노우드에 상당하고 프리챠아지기간은 제3의 MOS트랜지스터(13)가 도통상태, 제4의 MOS트랜지스터(14)가 비도통상태가 되어서 출력노우드를 전원전압 V와 대략 같은 전압치인 제1레벨로 하고 피승압신호를 부하용량 1에 공급할 때에 제5의 MOS트랜지스터 15가 도통상태가 되어서 입력레벨이 소정치 즉 제4의 MOS트랜지스터 14의 정격치 전압 이상이 되면 제4의 MOS트랜지스터 14가 도통상태로 되고 이때 제3의 MOS트랜지스터 13은 비도통상태로 되어 있기 때문에 출력노우드가 접지전원인 제2의 레벨이 되는 것이다.

제5도는 제4도 실시예의 동작시의 주요부 파형도이다. 제6도는 제4도중의 충전장치(17)의 한 실시예를 나타낸 것이다.

도면중 22는 MOS트랜지스터이고 게이트가 전원 V에 접속되어 있으며 드레인으로부터 신호 ψX가 주어지고 소오스는 제4도중의 배선(21)에 접속된다. 제7도는 제4도중의 승압전위 발생장치(18)의 한 실시예를 나타낸 것이며 링 오실레이터(ring oscillator)(23), 챠아지펌프 커패시터(charge pump capacitor)(24). MOS트랜지스터 25, 26 전위축적용 용량(27)으로 되어 있고 챠아지펌프 커패시터(24)의 한 전극은 링 오실레이터(23)의 출력에 접속되고 다른 전극은 트랜지스터(25)의 소오스와 트랜지스터(26)의 드레인 및 게이트에 접속되며 트랜지스터(25)의 드레인 및 게이트는 전원 V에 접속되고 전원축적용 용량(27)의 한 전극이 트랜지스터(26)의 소오스에 접속되고 다른 전극은 접지되어 있다. 또한 제6도, 제7도는 공지의 회로이므로 그 동작의 설명은 생략한다.

다음에 제4도의 실시예의 동작에 대하여 제5도를 참조하여 설명한다. 제5도에 있어서 시각 T₁까지에 배선 19의 프라챠아지는 완료되어 있다. 시각 T₂에 있어서, 충전장치 17에서의 충전전류에 의해 배선 21의 전위가 올라간다. 이에 따라 MOS트랜지스터(15)가 온(on)되어 피승압신호 ψA의 전위가 올라간다.

시각 T₃에 있어서 피승압신호 ψA의 전위가 정격치 전압 V_TH이상이 되고 MOS트랜지스터 14를 온시켜서 배선(19)의 방전이 시작된다. 시각 T₄에 있어서 MOS트랜지스터 11, 12로 되는 부우트스트랩회로 I가 동작을 개시하여 결국 제1의 MOS트랜지스터(11)가 도통상태가 되고 제2의 MOS트랜지스터(12)가 비도통상태가 되어서 부우트스트랩용량(16)을 통하여 배선 21의 전위를 전압 V이상의 고전압 V로 올라가고 MOS트랜지스터 15의 온 저항을 현저하게 감소시킨다. 최종적으로 시각 T₅에 있어서 배선 21의 전위를 V'로 하면 V' 〉V_P+V_TH일 때 피승압신호 ψA의 전위는 승압전위 발생장치 18의 출력전압 V_P와 같고 V'≤V_P+V_TH일 때 피승압신호 ψA의 전위는 V'+V_TH와 같다.

따라서 부하용량 1에 대하여 전원전압 V보다 높은 전압인 피승압신호 ψA를 공급할 수 있다. 더구나 최대 승압치가 얻어질 때까지의 충전시간 T^±(제5도에 나타낸 시각 T₂에서 시각 T₅까지의 시간)는 제5의 MOS트랜지스터 15의 도통시의 동가저항치 r₁과 부하용량 1의 용량치 C₁에서 검정되어 다음과 같이 된다.

그리고 이 승압신호 발생회로를 예로들면 제3도의 표시한 것과 같은 모양으로 DRAM등의 반도체메모리 장치에 있어서 워드선에 피승압신호 ψA를 공급하기 위한 것으로 한 경우 상기 충전시간 T₀는 대략 γ₁과 같게 되고 10-20ns와 제3도의 것에 비하여 2.5분의 1이하로 단축할 수 있다.

본 발명은 이상에서 설명한 바와 같이 부우트스트랩회로의 출력을 피승압신호발생용 MOS트랜지스터의 게이트에 가하여 이 MOS트랜지스터의 도통시의 저항을 감소시키고 승압전위 발생장치의 출력을 얻을 수 있도록 한 것으로 고속 또는 저소비전력으로 승압신호를 얻을 수 있는 이점이 있다.

Claims

전원전압 V보다 큰 전압 V_P를 출력노우드에 출력하는 승압전위 발생수단(18)과 게이트 전극과 제1 및 제2의 주전극을 가지고 제1주전극이 상기 승압전위 발생수단(18)에 접속됨과 동시에 제2주전극이 부하용량(1)에 접속되는 피승압신호(ψA)발생용 MOS트랜지스터(14)와 적어도 하나의 입력노우드와 출력노우드를 가지며 입력노우드가 상기 피승압신호 발생용 MOS트랜지스터(14)의 제2의 주전극에 접속되고 상기 피승압신호 발생용 MOS트랜지스터의 제2주전극에 있어서 전위가 소정전위 이상이 되면 출력노우드의 전위를 제1레벨에서 제2레벨로 변화시키는 부우트스트랩 제어수단(II)과 입력노우드와 출력노우드를 가지며 출력노우드가 상기 피승압신호 발생용 MOS트랜지스터(14)의 게이트 전극에 접속되고 이 출력노우드에 피승압신호 발생용 MOS 트랜지스터를 도통상태로 만드는 신호전위를 공급하고 상기 부우트스트랩제어수단(II)의 출력노우드에 접속되어 부우트스트랩 제어수단(II) 의 출력노우드가 2 레벨이 되면 출력노우드에 나타나 있는 신호전위를 승압하는 부우트스트랩수단(II)을 구비한 반도체 승압신호 발생회로.
제1항에 있어서 부우트스트랩 제어수단(II)은 출력노우드에 신호전위를 공급하는 신호전위 발생수단과 게이트전극과 제1 및 제2의 주전극을 가지고 제1의 주전극이 제1의 전위점에 접속됨과 동시에 게이트 전극이 출력노우드에 접속되는 제1의 MOS트랜지스터(11)와 게이트전극과 제1 및 제2의 주전극을 가지며 제1의 주전극이 상기 제1의 MOS트랜지스터(11)의 제2주전극에 접속됨과 동시에 제2의 주전극이 제2전위점에 접속되고 게이트 전극이 부우트스트랩 제어수단의 출력노우드에 접속되는 제2의 MOS트랜지스터(12)와 상기 제1의 MOS트랜지스터(11)와 제2주전극과의 사이에 접속되는 부우트스트랩용량(16)을 가진 반도체 승압신호 발생회로.
제1항에 있어서 부우트스트랩 제어수단(II)은 제1전위점과 출력노우드와의 사이에 접속되는 부하소자(13)와 출력노우드와 제2전위점과의 사이에 접속되고 게이트 전극이 입력노우드에 접속되는 제4의 MOS트랜지스터(14)를 가진 반도체 승압신호 발생회로.
제1항에 있어서 부하소자(13)는 게이트 전극에 프리챠아지신호(ψ0)가 인가되는 제3의 MOS트랜지스터(13)를 가진 반도체 승압신호 발생회로.
드레인이 전원에 접속되어 게이트와 소오스의 사이에 게이트 용량보다 충분히 큰 용량이 접속된 제1의 MOS트랜지스터(11)와 드레인이 전기 제1의 MOS트랜지스터(11)의 소오스에 접속되고 소오스가 점지된 제2의 MOS트랜지스터(12) 및 전기 제1의 MOS트랜지스터(11)의 게이트를 충전하는 충전장치(17)로 이루어진 부우트스트회로(I)와 드레인이 전원에 접속되는 제3의 MOS트랜지스터(13), 드레인이 전기 제3의 MOS트랜지스터(13) 소오스 및 제2의 MOS트랜지스터(12)의 게이트에 접속되고 소오스가 접지된 제4의 MOS트랜지스터(14)로 이루어진 다이나믹 인버터회로인 부우트스트랩 제어수단(II)과 승압전위 발생장치(18)는 드레인을 전기 승압전위 발생장치(18)로부터 출력되는 승압출력에 접속되고 게이트를 전기 제1의 MOS트랜지스터(11)의 게이트에 접속되고 소오스를 전기 제4의 MOS트랜지스터(14)의 게이트에 접속된 제5의 MOS트랜지스터(15)로 되어 있고 전기 제5의 MOS트랜지스터(15)의 소오스를 승압신호로 한 것을 특징으로 하는 반도체 승압신호 발생회로.