KR900003902A - 바이폴러 상보형 금속 산화 반도체 구조를 가지는 프로그램 가능한 판독전용 메모리 - Google Patents

바이폴러 상보형 금속 산화 반도체 구조를 가지는 프로그램 가능한 판독전용 메모리 Download PDF

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KR900003902A
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야스로오 마쓰자끼
유우지 스찌미도
요시가즈 무또오
마사끼 다까하시
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
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Abstract

내용 없음

Description

바이폴러 상보형 금속 산화 반도체 구조를 가지는 프로그램 가능한 판독전용 메모리
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 동작원리를 설명하기 위한 본 발명에 따른 PROM을 보여주는 시스템 블록도.
제4도는 본 발명의 따른 PROM의 제1실시예의 주요부를 보여주는 회로도.
제5도는 본 발명의 전체에 따른 PROM의 제1실시예를 보여주는 시스템 블록도.

Claims (7)

  1. 다수의 메모리 셀을 가지며, 각각의 메모리 셀은 다수의 비트라인중 하나와 다수의 워드라인중 하나와 접속되는 메모리 셀 어레이 ; 어드레스 변화를 검출하고 검출 신호를 출력하기 위해 어드레스 신호가 공급되는 어드레스 변화검출기 ; 상기 어드레스 변화검출기에 결합되고 상기 어드레스 변화검출기로부터 수신된 검출신호에 반응하여 다양하게 제어되는 로드를 구비한 단일 가변 로드 회로 ; 어드레스 신호에 반응하여 임의의 워드라인을 선택하기 위한 워드라인 선택회로 ; 및 어드레스 신호에 반응하여 임의의 비트라인을 선택하고 임의의 선택비트라인에만 상기 가변 로드에 따라서 값을 가지는 전류를 공급하는 비트라인 선택회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 바이폴러 상보형 금속 산화반도체 구조를 가지는 프로그램 가능한 판독 전용 메모리.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가변로드회로를 접속하는 노우드에 연결되는 출력 회로수단 및 상기 메모리셀 어레이로부터 판독된 신호를 출력하기 위한 상기 비트라인 선택회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 가능한 판독전용 메모리.
  3. 제2항에 있어서, 상기 출력회로수단은 상기 노우드로부터 신호를 수신하는 센스증폭기, 및 상기 센스 증폭기의 출력신호를 수신하고 상기 메모리 셀 어레이로부터 판독된 신호를 출력하는 출력회로도로 구성되는 것을 특징으로 하는 프로그램 가능한 판독전용 메모리.
  4. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이의 메모리 셀 각각은 데이타가 기입될때 파괴되고 단락되는 접합을 가지는 것을 특징으로 하는 프로그램 가능한 판독전용 메모리.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가변로드 회로는 어드레스 변화가 일어나고 검출신호가 상기 어드레스 변화검출기로부터 수신될 때 제1로드 값을 가지며, 어드레스 변화가 전혀 일어나지 않고 상기 어드레스 변화검출기로부터 수신되는 검출신호가 전혀 없을때 제2로드값을 가지며, 상기 제1로드값은 상기 제2로드값보다 작은 것을 특징으로 하는 프로그램 가능한 판독전용 메모리.
  6. 제5항에 있어서, 상기 가변로드회로는 전원과 노우드 사이에 병렬로 접속되는 트랜지스터 및 저항기로 구성되고, 상기 트랜지스터는 상기 어드레스 변화 검출기로부터 수신된 검출신호에 의하여 제어되고, 상기 노우드는 상기 가변로드회로 및 상기 비트라인 선택회로를 접속하는 것을 특징으로 하는 프로그램 가능한 판독전용 메모리.
  7. 제1항에 있어서, 프로그램 가능한 판독 전용 메모리의 기입 모드 동안에 어드레스 신호에 반응하여 선택되는 임의의 비트라인에 기입 전류를 공급하기 위한 기입 전류 공급회로를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 프로그램 가능한 판독전용 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8912332A 1988-08-30 1989-08-29 Prom having the structure of bi cmos KR920005153B1 (en)

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JP63216064A JPH0264997A (ja) 1988-08-30 1988-08-30 半導体記憶装置
JP63-216064 1988-08-30

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KR900003902A true KR900003902A (ko) 1990-03-27
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0780718B2 (ja) * 1989-08-04 1995-08-30 トヨタ自動車株式会社 ダイヤモンドの合成方法および合成装置
EP0463378B1 (en) * 1990-06-29 1997-03-05 Texas Instruments Incorporated An electrically-erasable, electrically-programmable read-only memory cell with a selectable threshold voltage and methods for its use
JP2723695B2 (ja) * 1991-07-02 1998-03-09 シャープ株式会社 半導体記憶装置
ES2372196B1 (es) * 2010-06-25 2012-12-14 Primo Mendoza, S.L. Producto alimenticio a base de miel.

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5846797B2 (ja) * 1982-04-09 1983-10-18 株式会社東芝 半導体メモリ
JPS61190787A (ja) * 1985-02-20 1986-08-25 Hitachi Ltd スタテイツク型ｒａｍ
US4722822A (en) * 1985-11-27 1988-02-02 Advanced Micro Devices, Inc. Column-current multiplexing driver circuit for high density proms

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