KR890015500A - 집적화용 지연회로 - Google Patents

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KR890015500A
KR890015500A KR1019880002683A KR880002683A KR890015500A KR 890015500 A KR890015500 A KR 890015500A KR 1019880002683 A KR1019880002683 A KR 1019880002683A KR 880002683 A KR880002683 A KR 880002683A KR 890015500 A KR890015500 A KR 890015500A
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delay circuit
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integration delay
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최원태
김문곤
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강진구
삼성반도체통신 주식회사
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/13Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
    • H03K5/133Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices
    • H03K5/134Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals using a chain of active delay devices with field-effect transistors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Pulse Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

집적화용 지연회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명 지연회로의 블럭도, 제 4 도는 본 발명의 일실시 예시 회로도, 제 6 도는 본 발명 지연회로의 입·출력 파형도.

Claims (2)

  1. 집적화를 위한 지연회로에 있어서, 로직회로(K1)와 로직회로(K2) 사이에 외부클럭(ø)으로 클럭킹되는 스위칭 반도체소자(K3)와 저항(R1)을 병렬로 연결하여 구성됨을 특징으로 하는 집적화용 지연회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 스위칭 반도체소자(K3)가 P 모스 FET 또는 N 모스 FET로 구성됨을 특징으로 하는 집적화용 지연회로
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880002683A 1988-03-14 1988-03-14 집적화용 지연회로 KR920009869B1 (ko)

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