KR900001129A - 고전압 스위칭회로 - Google Patents

고전압 스위칭회로 Download PDF

Info

Publication number
KR900001129A
KR900001129A KR1019880007925A KR880007925A KR900001129A KR 900001129 A KR900001129 A KR 900001129A KR 1019880007925 A KR1019880007925 A KR 1019880007925A KR 880007925 A KR880007925 A KR 880007925A KR 900001129 A KR900001129 A KR 900001129A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
node
transistor
high voltage
terminal
switching circuit
Prior art date
Application number
KR1019880007925A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910001967B1 (ko
Inventor
최정달
도재영
Original Assignee
강진구
삼성반도체통신 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 강진구, 삼성반도체통신 주식회사 filed Critical 강진구
Priority to KR1019880007925A priority Critical patent/KR910001967B1/ko
Publication of KR900001129A publication Critical patent/KR900001129A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910001967B1 publication Critical patent/KR910001967B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

고전압스위칭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 론 발명에 따른 고전압 스위칭 회로도.
제4도는 제3도의 ø신호에 따른 내부 노오드의 파형도.
제5도는 출력 초기전압에 다른 출력파형도.

Claims (5)

  1. 반도체장치에 있어서, 클럭신호가 입력되는 클럭단자와, 소정의 고전압이 인가되는 고전압 입력단자와, 소정전압이 인가되는 기준전압단자와, 제1노오드와, 제2노오드와, 출력노오드와, 상기 클럭단자와 제1노오드 사이에 접속되는 캐패시터 수단과, 출력노오드와 제2노오드 사이에 채널을 접속하고 게이트가 기준전압단자에 접속된 제1트랜지스터와, 제1노오드와 제2노오드 사이에 채널을 접속하고 게이트가 제1노오드에 접속된 제2트랜지스터와, 제1노오드와 고전압 입력단자 사이에 채널을 접속하고 게이트가 제2노오드에 접속된 제3트랜지스터와, 고전압 입력단자와 출력노오드 사이에 채널을 접속하고 게이트가 제2노오드에 접속된 패스 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 고전압 스위칭회로.
  2. 제1항에 있어서, 제1트랜지스터가 인헨스멘트 형이고, 기준전압단자가 전원전압(VCC)에 연결됨을 특징으로 하는 고전압 스위칭회로.
  3. 제1항에 있어식, 제3트랜지스터와 패스 트랜지스터가 인헨스인트 형이고, 제2트랜지스터의 문턱전 압이 0볼트임을 특징으로 하는 고전압 스위칭 회로.
  4. 제1항에 있어서, 제1트랜지스터가 디플레이션 형이고, 기준전알단자가 전원전압(Vcc 또는 Vss)에 연결됨을 특징으로 하는 고전압 스위칭회로.
  5. 제1항에 있어서 제2트랜지스터가 인헨스멘트 형이고 제3트랜지스터의 문턱전압이 0V임을 특징으로 하는 고전압 스위칭회로
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880007925A 1988-06-29 1988-06-29 고전압 스위칭회로 KR910001967B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880007925A KR910001967B1 (ko) 1988-06-29 1988-06-29 고전압 스위칭회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019880007925A KR910001967B1 (ko) 1988-06-29 1988-06-29 고전압 스위칭회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900001129A true KR900001129A (ko) 1990-01-31
KR910001967B1 KR910001967B1 (ko) 1991-03-30

Family

ID=19275632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880007925A KR910001967B1 (ko) 1988-06-29 1988-06-29 고전압 스위칭회로

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR910001967B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR910001967B1 (ko) 1991-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900013380A (ko) 전압 제어회로
KR880012008A (ko) 전원절환회로
KR880011809A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR900002558A (ko) 출력회로
KR870006571A (ko) 반도체 기억장치
KR910008863A (ko) 반도체 집적회로
KR930005037A (ko) 반도체 메모리 장치의 자동 스트레스 모드 테스트장치
KR900011152A (ko) 전원전압 강하검파 및 초기화회로 재설정 회로
KR860004380A (ko) 반도체 메모리 장치
KR890013769A (ko) 중간전위생성회로
KR880011805A (ko) 반도체 집적회로
KR940010532A (ko) 인터페이스회로
KR850007179A (ko) 집적 논리회로
KR890004495A (ko) 리셋트신호 발생회로
KR970007378A (ko) 반도체 메모리 장치의 전원 전압 검출 회로
KR960027331A (ko) 버퍼회로 및 바이어스회로
KR900001129A (ko) 고전압 스위칭회로
KR930011274A (ko) 입력회로
KR900019367A (ko) 펄스형 신호 발생 회로
KR960019978A (ko) 펄스 발생기
KR880012012A (ko) 논리회로
KR910016008A (ko) 메모리 소자의 저소비 전력 리던던시(Redundancy) 회로
KR920008758A (ko) 파워-온 리세트회로
KR950022128A (ko) 트랜지스터 회로
KR950015749A (ko) 반도체메모리장치의 전원 지연회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060207

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee