KR940020588A - 전력 트랜지스터(Power transistor) - Google Patents

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KR940020588A
KR940020588A KR1019940000450A KR19940000450A KR940020588A KR 940020588 A KR940020588 A KR 940020588A KR 1019940000450 A KR1019940000450 A KR 1019940000450A KR 19940000450 A KR19940000450 A KR 19940000450A KR 940020588 A KR940020588 A KR 940020588A
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power transistor
transistors
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transistor
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Application number
KR1019940000450A
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Inventor
더블유. 핀더 브렌트
에이. 베링거 케니스
Original Assignee
빈센트 비. 인그라시아
모토로라 인코포레이티드(Motorola, Inc.)
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
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    • H03K17/12Modifications for increasing the maximum permissible switched current
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    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Abstract

본 발명에는 제어전극(16), 제1전극(17), 제2전극(18) 및 켈빈전극(19)을 가지는 전력 트랜지스터(11)가 제공된다. 상기 전력 트랜지스터(11)는 병렬결합의 복수의 트랜지스터(12-15)를 가지며, 그 각각의 트랜지스터는 제어전극, 제1전극 및 상기 제어 전극에 각각 결합된 제2전극, 상기 전력 트랜지스터(11)의 제1전극(17) 및 제2전극(18)을 가진다.
복수의 제1저항기(26-29)는 발진 및 링잉을 감소시키는데, 각각의 제1저항기는 상기 켈빈전극(19)과 상기 복수의 트랜지스터(12-15)중 한 트랜지스터의 제2전극 사이에 결합된다. 복수의 제2저항기 (21-24) 또는 발진 및 링잉을 감소시키는데, 그 각각의 제2저항기는 상기 제어전극(16)과 상기 복수의 트랜지스터(12-15)중 한 트랜지스터의 제어전극 사이에 결합된다.

Description

전력 트랜지스터(Power transistor)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 전력 트랜지스터를 도시한 도면.

Claims (2)

  1. 제어전극(16), 제1전극(17), 제2전극(18) 및 켈빈전극(19)을 가지는 전력 트랜지스터(11)에 있어서, 전력 트랜지스터(11)의 제어전극(16)에 결합된 제어전극, 상기 전력 트랜지스터 제어전극(17)에 결합된 제1전극 및 상기 전력 트랜지스터(11)의 제2전극(10)에 결합된 제2전극을 가지는 복수의 트랜지스터(12-15), 및 상기 전력 트랜지스터(11)의 켈빈전극(19) 및 상기 복수의 트랜지스터(12-15)의 각각의 트랜지스터의 제2전극 사이에 각각 결합된 복수의 제1저항기(26-29)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 트랜지스터.
  2. 제어전극(16), 제1전극(17), 제2전극(18) 및 켈빈전극(19)을 가지는 전력 트랜지스터(11)에 있어서, 전력 트랜지스터(11)의 제어전극(16)에 결합된 제어전극, 상기 전력 트랜지스터의 제어전극(17)에 결합된 제1전극 및 상기 전력 트랜지스터(11)의 제2전극(10)에 결합된 제2전극을 가지는 복수의 트랜지스터(12-15); 상기 전력 트랜지스터(11)의 켈빈전극(19) 및 상기 복수의 트랜지스터(12-15)의 각각의 트랜지스터의 제2전극 사이에 각각 결합된 복수의 제1저항기(26-29) 및, 전력 트랜지스터(11)의 제어전극(16)과 상기 복수의 트랜지스터(12-15)의 각각의 트랜지스터의 제어전극 사이에 각각 결합된 복수의 제2트랜지스터(21-24)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019940000450A 1993-02-02 1994-01-13 전력 트랜지스터(Power transistor) KR940020588A (ko)

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US08/012,195 US5373201A (en) 1993-02-02 1993-02-02 Power transistor
US012,195 1993-02-02

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KR940020588A true KR940020588A (ko) 1994-09-16

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ID=21753804

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US (1) US5373201A (ko)
EP (1) EP0609531A3 (ko)
JP (1) JPH06260912A (ko)
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838185A (en) * 1996-03-25 1998-11-17 International Rectifier Corporation Multiple individual Kelvin emitter connections to reduce current flow through parasitic diode
US6542348B1 (en) * 1998-02-03 2003-04-01 Joseph J. Stupak, Jr. Method and system for driving a magnetizing fixture
FR2979770B1 (fr) * 2011-09-01 2013-09-13 Converteam Technology Ltd Convertisseur de puissance elevee avec des transistors de faible puissance connectes en parallele

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2980845A (en) * 1959-04-13 1961-04-18 Philip M Thompson Current overload protective circuits
US3694669A (en) * 1971-04-27 1972-09-26 Food Automation Service Tech Timing circuit for a programmable timer
US3801894A (en) * 1972-09-15 1974-04-02 Trygon Electronics Inc Power supply with nonlinear foldback current limiter circuit
US4202005A (en) * 1978-11-20 1980-05-06 Trw Inc. Distributed collector ballast resistor structure
US4290007A (en) * 1979-12-03 1981-09-15 United Systems Corporation High power and high voltage transistor control circuit
IT1213171B (it) * 1984-05-21 1989-12-14 Ates Componenti Elettron Transistore bipolare di potenza.
US4616142A (en) * 1984-12-31 1986-10-07 Sundstrand Corporation Method of operating parallel-connected semiconductor switch elements
NO159898C (no) * 1985-12-19 1989-02-15 Alcatel Stk As Stroemforsyning.
US4777579A (en) * 1988-01-04 1988-10-11 General Electric Company Integrated current sensor configurations for AC motor drives
DE8801205U1 (de) * 1988-01-30 1989-06-01 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Leistungstransistor
US4896245A (en) * 1989-03-13 1990-01-23 Motorola Inc. FET overtemperature protection circuit
IT1230895B (it) * 1989-06-22 1991-11-08 Sgs Thomson Microelectronics Transistore di potenza integrabile con ottimizzazione dei fenomeni di rottura secondaria diretta.
US4965710A (en) * 1989-11-16 1990-10-23 International Rectifier Corporation Insulated gate bipolar transistor power module

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Publication number Publication date
EP0609531A2 (en) 1994-08-10
JPH06260912A (ja) 1994-09-16
EP0609531A3 (en) 1995-06-07
US5373201A (en) 1994-12-13

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