KR930015326A - 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로 - Google Patents

스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로 Download PDF

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KR930015326A
KR930015326A KR1019910023842A KR910023842A KR930015326A KR 930015326 A KR930015326 A KR 930015326A KR 1019910023842 A KR1019910023842 A KR 1019910023842A KR 910023842 A KR910023842 A KR 910023842A KR 930015326 A KR930015326 A KR 930015326A
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KR1019910023842A
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Inventor
신동명
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로로서, 출력회로부와 래치회로부, 제1오차증폭부 및 제2오차증폭부를 구비한 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로에 있어서, 출력회로부의 입력측에 노아회로를 연결하고, 래치회로부를 저항과 트랜지스터로 구성하며, 제1오차증폭부를 저항과 트랜지스터로 제2오차증폭부와 분리되도록 구성하여 상기 래치회로부와 제1, 제2오차증폭부가 노아회로의 입력신호를 제공하도록 구성되어 안정된 스위칭 출력신호를 얻을 수 있는 반도체 집적회로이다.

Description

스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로,
제5도는 제4도에 도시한 회로의 각부 신호파형도이다.

Claims (4)

  1. 출력회로부(1)와 래치회로부(2), 제1오차증폭부(3) 및 제2오차증폭부(4)를 구비한 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로에 있어서, 출력회로부(1)의 입력측에 노아(NOR)회로(NR)을 연결하고, 래치회로부(2)를 저항(R8, RA)과 트랜지스터(Q10~Q12)로 구성하며, 제1오차증폭부(3)를 저항(R9, R11~R16)과 트랜지스터(Q18~Q24, QB, QC, QD)로 제2오차증폭부(4)와 분리되도록 구성하여 상기 래치회로부(1)와 제1, 제2오차증폭부(3,4)가 노아(NOR)회로(NR)의 입력 신호를 제공하도록 구성되어 안정된 스위칭 출력신호를 얻을 수 있음을 특징으로 하는 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 노아회로(NR)가 트랜지스터(RA, R6)로 구성된 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 제1오차증폭부(3)는 입력오차를 기준으로 하는 히스테리시스전위를 입력으로 하여 입력과 동위상을 갖는 적어도 하나 이상의 출력을 갖게됨을 특징으로 하는 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로.
  4. 제1항에 있어서, 제1오차증폭부(3)와 제2오차증폭부(4)의 입력은 서로 역상이며, 제1오차증폭부(3)의 출력이 래치회로부(1) 및 노아회로(NR)의 입력으로 제공됨을 특징으로 하는 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910023842A 1991-12-21 1991-12-21 스위칭 출력 구동용 반도체 집적회로 KR930015326A (ko)

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