KR910005553A - 결정된 입력 임피던스와 다양한 트랜스콘덕턴스 값을 갖는 증폭회로 - Google Patents

결정된 입력 임피던스와 다양한 트랜스콘덕턴스 값을 갖는 증폭회로 Download PDF

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KR910005553A
KR910005553A KR1019900012523A KR900012523A KR910005553A KR 910005553 A KR910005553 A KR 910005553A KR 1019900012523 A KR1019900012523 A KR 1019900012523A KR 900012523 A KR900012523 A KR 900012523A KR 910005553 A KR910005553 A KR 910005553A
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KR
South Korea
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amplifier
input
sub
differential amplifier
transistor
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Application number
KR1019900012523A
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English (en)
Inventor
뻬루 필립
자파르 장-루크
Original Assignee
삐에르 올리비에
에스지에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스 에스.에이.
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal

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  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

결정된 입력 임피던스의 다양한 트랜스콘덕턴스 값을 갖는 증폭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 두 개의 출력 증폭회로를 보인 도면.

Claims (4)

  1. 입력단자(E)와 제1 또는 제2출력단자(S1, S2)간에 연결되며, 제1입력부(D1)가 제1저항기(R4)를 통해 입력단자에 연결되는 제1차동증폭기(D)와, 베이스가 차동증폭기의 출력부(D3)에 연결되는 트랜지스터(T)와, 트랜지스터 베이스와 접지면간에 연결되는 제1스위치로 각각 구성되는 제1 및 제2서브회로(B1, B2)로 구성되며, 제1서브회로는 출력부가 차동증폭기의 제2입력부(D2)에 연결되는 제2증폭기(A1)와 트랜지스터 에미터와 차동증폭기의 제1입력부간에 연결되는 제2저항기(R2a)로 또한 구성되고, 제2서브회로는 출력부가 차동증폭기의 제2입력부에 연결되는 제3증폭기(A2)와, 트랜지스터 에미터와 차동증폭기의 제1입력부간에 연결되는 제3저항기(R2b)로 또한 구성되며, 제1 및 제2서브회로의 트랜지스터 콜렉터는 제1 및 제2 출력단자에 각각 연결되고, 제2 및 제3증폭기의 입력부는 한편으로 제4공통 저항기(R)를 통해 접지되고 다른 한편으로는 제5공통 저항기(R1)를 통해 두개의 트랜지스터의 에미터에 연결되며, 각각의 제1 및 제2서브회로는 차동증폭기의 제1입력부와 접지면간에 연결되는 제2스위치(K2)를 또한 구성하고, 상기 제2스위치는 각각 단일 트랜지스터로 형성됨을 특징으로 하는 증폭회로.
  2. 제1항에 있어서, 각각의 제1 및 제2출력단자(S1, S2)가“정상지속시간”모드 또는“긴 지속시간”모드에 적용되는 서로 다른 VTR헤드에 연결됨을 특징으로 하는 증폭회로.
  3. 제1항에 있어서, 제2 및 제3증폭기(A1, A2)의 이득이 각각 R4/(R2a+R4)와 R4/(R2b+R4)와 같음을 특징으로 하는 증폭회로.
  4. 제1항에 있어서, 각각의 제1스위치(K1)가 스위칭온 될 때 포화모드로 세트되는 단일 트랜지스터로 형성됨을 특징으로 하는 증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012523A 1989-08-16 1990-08-14 결정된 입력 임피던스와 다양한 트랜스콘덕턴스 값을 갖는 증폭회로 KR910005553A (ko)

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FR89/11226 1989-08-16
FR8911226A FR2651074B1 (fr) 1989-08-16 1989-08-16 Circuit d'amplification a impedance d'entree determinee et a differentes valeurs de transconductance

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KR910005553A true KR910005553A (ko) 1991-03-30

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JP (1) JP2861325B2 (ko)
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FR (1) FR2651074B1 (ko)

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FR2651074B1 (fr) 1991-11-29
DE69004032T2 (de) 1994-05-05
FR2651074A1 (fr) 1991-02-22
EP0413643B1 (fr) 1993-10-20
US5045803A (en) 1991-09-03
JPH0385909A (ja) 1991-04-11
USRE35305E (en) 1996-07-30
JP2861325B2 (ja) 1999-02-24

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