KR890012362A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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요세푸스 빌헬무스 반 호우툼 헨드리쿠스
아드리아누스 마리아 볼테르스 로베르투스
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 방법을 사용하여 보충 절연된 게이트 전계효과 트랜지스터가 구성된 반도체 몸체의 부분을 도시한 횡단면도.
제2도 내지 제3도는 본 발명을 실시하는 방법의 연속적인 단계를 나타내는 제1도에 도시된 상기 반도체 몸체의 부분을 제1도와 대응하여 확대한 횡단면도.

Claims (16)

  1. 최소 하나의 전기 성분과, 노출된 표면 지역을 가진 도핑된 실리콘 영역중의 한 영역을 구성하기 위한 도핑된 반도체 영역을 가진 기판을 장착시키고, 상기 각각의 노출된 표면 지역에 금속 규화물을 구성시키기 위한 금속을 침착시키는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 상기의 방법이 금속 규화물을 구성하는 금속을 침착시키기 전에 상기의 노출된 표면지역을 스푸터에칭 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 최소 하나의 전기 성분과, 다른 형태의 실리콘으로 구성된 상기의 노출된 표면지역을 가진 최소 두개의 도핑된 실리콘 영역을 구성하기 위해 도핑된 반도체 영역을 가진 기판을 제공하고, 각각의 노출된 표면 지역에 금속 규화물을 구성시키기 위해 금속을 침착시키는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 상기의 방법이 금속 규화물을 구성하는 금속을 침착시키기 전에 상기의 노출된 표면지역을 스푸터 에칭시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 두개의 도핑된 영역의 노출된 표면 지역이 같은 도펀트로 도핑되도록 상기 기판을 장착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 두개의 도핑된 영역의 노출된 표면 지역이 다른 도펀트로 도핑되도록 상기 기판을 장착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 두개의 도핑된 영역의 노출된 표면지역이 정반대의 도전형이 되도록 상기 기판을 장착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  6. 제2,3,4 또는 5항에 있어서, 두개의 도핑된 실리콘 영역 중 한 영역의 노출된 표면 지역이 단결정 실리콘으로 구성되고, 두개의 도핑된 실리콘 영역 중 다른 영역의 노출된 표면 지역이 다결정 실리콘으로 구성되도록 상기 기판을 장착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  7. 제2항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 우물위에서 절연된 게이트를 한정하는 상기 표면상에 도핑된 다결정 실리콘 영역을 절연층위로 침착시키고, 상기 우물내에서 정반대의 도전형인 소스와 드레인 영역을 한정하는 마스크로서 절연된 게이트를 사용하여 불순물을 유입시키고, 상기의 주어진 표면위에 절연층을 정착시키고, 절연된 게이트의 측벽에 절연 물질의 스페이서를 남기는 동안에 절연된 게이트의 다결정 실리콘 영역의 표면지역과, 소스 및 츠레인 영역의 표면지역을 노출시키기 위해 비등방성으로 상기의 절연층을 에칭 시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  8. 제2항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 도핑된 실리콘 영역을 가진 기판을 장착시키는 단게는 상기 기판의 주어진 표면과 인접한 제1및 제2단결정 실리콘 우물을 장착시키는 것을 포함하며, 제1우물은 하나의 도전형으로 구성되고, 제2우물은 정반대의 도전형으로 구성되며, 상기의 단계는 각각의 제1및 제2우물위에 있는 각각의 절연된 게이트를 한정하는 상기 표면에서 도핑된 다결정 실리콘 영역을 절연층에 침착시키고, 제2 우물내의 하나의 도전형의 소스와 드레인 영역과, 제2우물내의 정반대 도전형의 소스와 드레인 영역을 한정하는 마스크로서 절연된 게이트를 사용하여 불순물을 유입시키고, 상기의 주어진 표면상에 절연층을 장착시키고, 절연된 게이트의 측벽에 절연 물질의 스페이서를 남기는 동안에 절연된 게이트의 다결정 실리콘 영역의 표면 지역과, 소스 및 드레인 영역의 표면 지역을 노출시키기 위해 비등방성으로 상기의 절연층을 에칭시키는 것을 특징으로 하는 하는 반도체 소자의 제조방법.
  9. 제6,7 또는 8항에 있어서, 전체 또는 각각의 노출된 표면에서, 다결정 실리콘 표면 지역이 인으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  10. 선행항중 어느 한 항에 있어서, 노출된 표면 지역을 스푸터 에칭시키기 위해 30 내지 200(전자 볼트)의 영역에서 어떤 에너지와 함께 불활성 기체의 이온을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 불활성 기체 이온으로서 아르곤 이온을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  12. 선행항중 어느 한항에 있어서, 플라티늄, 코발트와 티타늄으로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속을 금속 규화물을 구성하기 위한 금속으로서 침착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 질소를 함유하고 있는 기압에서 상기 기판을 유지하는 동안 금속 규화물을 구성하기 위한 금속으로서 티타늄을 침착시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법
  14. 동봉한 도면을 참고로 하여 기술된 바와 같은 실질적인 반도체 소자의 제조방법.
  15. 선행항중 어느 한 항에 따른 방법을 사용하여 제조된 반도체 소자.
  16. 본 출원에서 기술된 새로운 특징 또는 특징의 조합.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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