KR880006723A - 전압 비선형 저항기 및 그 제조방법 - Google Patents

전압 비선형 저항기 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR880006723A
KR880006723A KR870003563A KR870003563A KR880006723A KR 880006723 A KR880006723 A KR 880006723A KR 870003563 A KR870003563 A KR 870003563A KR 870003563 A KR870003563 A KR 870003563A KR 880006723 A KR880006723 A KR 880006723A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide
mol
mole
nonlinear resistor
calculated
Prior art date
Application number
KR870003563A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910002260B1 (ko
Inventor
마사미 나까따
오사무 이마이
Original Assignee
오하라 시게또
닛뽕 가이시 가부시끼 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오하라 시게또, 닛뽕 가이시 가부시끼 가이샤 filed Critical 오하라 시게또
Publication of KR880006723A publication Critical patent/KR880006723A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910002260B1 publication Critical patent/KR910002260B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12—Overvoltage protection resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/102—Varistor boundary, e.g. surface layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistors with envelope or housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105—Varistor cores
    • H01C7/108—Metal oxide
    • H01C7/112—ZnO type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49082—Resistor making
    • Y10T29/49099—Coating resistive material on a base

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

전압 비선형 저항기 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 디스그형 전압 비선형 저항소자와 디스크형 저항소자의 외주 측표면에 일체식으로 구비된 얇은 절연 피복층을 구성하는 전합 비선형 저항기로서, 상기 저항 소자는 주성분으로서의 아연 산화물, B i2O3로 산정하여 0.1∼2.0몰% 비스무드 산화물, Co203로 산정하여 0.1∼2.0몰% 코발트 산화물, MnO2로 산정하여 0.1∼2.0몰% 망간 산화물, Sv203로 산정하여 0.1∼2.7몰%안티몬 산화물, Cr203로 산정하여 0.1∼2.0몰% 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.1∼2.0몰% 니켈 산화물, Al203로 산정하여 0.001∼0.05몰% 알루미늄 산화물, B2O3로 산정하여 0.005∼0.1몰%붕소 산화물, Ag2O로 산정하여 0.001∼0.05몰%은 산화물 및 SiO2로 산정하여 7∼11몰%실리콘 산화물을 구성하며, 상기 절연 피복층은 SiO2로 산정하여 45∼60몰% 실리콘 산화물, ZHO로 산정하여 30∼50몰%아연 산화물 및 Hi203로 산정하여 1∼5몰% 비스무드 산화물 및 나머지 안티몬 산화물을 구성함을 특징으로 하는 전압비선형 저항기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소자가 Bi2O3로서 0.5∼1.2몰%비스무드 산화물, Co203로서 0.5∼1.5몰%코발트 산화물, MHO2로서 0.3∼0.7몰% 망간 산화물, Sb203로서 0.8∼1.2몰% 안티몬 산화물, Cr2O3로서 0.3∼0.7몰%크롭 산화물, NiO로서 08∼1.2몰% 니켈 산화물, Al2O3로서 0.002∼0.005몰% 알루미늄 산화물, B2O3로서 0.01∼0.08몰% 붕소 산화물. Ag203로서 0.005∼0.03몰%은 산화물, SiO2로서 8∼10몰% 실리콘 산화물을 구성하고, 상기 절연 피복층이 SiO2로서 48∼57몰% 실린콘 산화물 및 ZrO로서 35∼45몰% 아연 산화물을 구성함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소자와 상기 피복층간의 경계부가 아연 실리게이트 및 스피넬 Zn7/3Sb2/3O4를 구성함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 피복층의 두께가 30∼100㎛임을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 얇은 절연 피복층에 중첩된 글라스층을 더 구성함을 특징으로 하는 접압 비선형 저항기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 글라스 층의 두께가 50∼100㎛임을 특징으로 하는 전압비선형 저항기.
  7. 전압 비선형 저항기의 제조방법으로서, 주성분으로서의 아연 산화물. Bi203로 산정하여 0.1∼20몰% 비스무드 산화물, Co203로 산정하여 0.1∼2 0몰% 코발트 산화물, MnO7로 산정하여 0.1∼2.0몰% 망간 산화물, Sb203로 산정하여 0.1∼2.0몰% 안티몬 산화물, Cr203로 산정하여 0.1∼2.0몰% 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.1∼2.0몰% 니켈 산화물, Al203로 산정하여 0.001∼0.05몰% 알루미늄 산화물, B2O3로 산정하여 0.005∼0.0몰% 붕소 산화물, Ag20로 산정하여 0.001∼0.05몰%은 산화물 및 Si02로 산정하여 7∼11몰%실리콘 산화물을 구성하는 디스크형 전압비선형 저항 소자의 외주 측표면에 SiO2로 산정하여 45∼60몰% 실리콘 산화물, ZnO로 산정하여 30∼50몰% 아연 산화물, Bi203로 산정하여 1∼5몰% 비스무드 산화물 및 나머지 안티몬 산화물을 구성하는 혼합물을 가하고, 상기 소자를 소결하여 상기 표면에 절연 피복층이 일체식으로 구비더되게 함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 소자가 Bi2O3로서 0.5~1.2몰% 비스무드 산화물 Co2O3로서 0.5~1.5몰%코발트 산화물, Mno2토서 0.3∼0.7몰% 망간 산화물, Sb203로서 0.3∼1.2몰% 안티몬 산화물, Cr203로서 0.3∼0.7몰% 크롬 산화물. NiO로서 0.8∼1.2몰%니켈 산화물, Al2O3로서 0.002∼0.005몰% 알루미늄 산화물, B203로서 0.01∼0.08몰% 붕소 산화물, Ag2O로서 0.005∼0.03몰%은 산화물, 및 SiO2로서 8∼10몰%실리콘 산화물을 구성하고, 상기 혼합물이 SiO2로서 48∼57몰% 실리콘 산화물, 및 ZnO로서 35∼45몰% 아연 산화물을 구성함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 혼합물이 유기 접합체를 함유하는 페이스트로서 60∼300㎛의 두께로 가해짐을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 유기 접합체를 혼합한 글라스 분말을 구성하는 글라스 페이스트를 절연 피복층에 두께 100∼300㎛로 가하고, 열처리하여 절연 피복층에 중첩된 두께 50∼100㎛의 글라스층을 형성하는 단계가 더 구성됨을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870003563A 1986-11-28 1987-04-14 전압 비선형 저항기 및 그 제조방법 KR910002260B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61282139A JPS63136603A (ja) 1986-11-28 1986-11-28 電圧非直線抵抗体の製造方法
JP61-282139 1986-11-28
JP86-282139 1986-11-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880006723A true KR880006723A (ko) 1988-07-23
KR910002260B1 KR910002260B1 (ko) 1991-04-08

Family

ID=17648617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870003563A KR910002260B1 (ko) 1986-11-28 1987-04-14 전압 비선형 저항기 및 그 제조방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US4719064A (ko)
EP (1) EP0269192B1 (ko)
JP (1) JPS63136603A (ko)
KR (1) KR910002260B1 (ko)
CA (1) CA1279113C (ko)
DE (1) DE3774843D1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100799755B1 (ko) * 2006-12-27 2008-02-01 한국남동발전 주식회사 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조방법

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6450503A (en) * 1987-08-21 1989-02-27 Ngk Insulators Ltd Voltage-dependent nonlinear resistor
JPH0812807B2 (ja) * 1988-11-08 1996-02-07 日本碍子株式会社 電圧非直線抵抗体及びその製造方法
JP2695660B2 (ja) * 1989-06-05 1998-01-14 三菱電機株式会社 電圧非直線抵抗体
FR2651773B1 (fr) * 1989-09-08 1991-10-25 Europ Composants Electron Composition a base d'oxyde de zinc pour varistances de basse et moyenne tension.
US5037594A (en) * 1989-12-15 1991-08-06 Electric Power Research Institute, Inc. Method for making varistor discs with increased high temperature stability
US5973588A (en) 1990-06-26 1999-10-26 Ecco Limited Multilayer varistor with pin receiving apertures
GB2242068C (en) * 1990-03-16 1996-01-24 Ecco Ltd Varistor manufacturing method and apparatus
GB9005990D0 (en) * 1990-03-16 1990-05-09 Ecco Ltd Varistor powder compositions
GB2242065C (en) * 1990-03-16 1996-02-08 Ecco Ltd Varistor ink formulations
US6183685B1 (en) 1990-06-26 2001-02-06 Littlefuse Inc. Varistor manufacturing method
US5277843A (en) * 1991-01-29 1994-01-11 Ngk Insulators, Ltd. Voltage non-linear resistor
JPH05101907A (ja) * 1991-03-30 1993-04-23 Toshiba Corp 電力用遮断器および電力用抵抗体
US5455554A (en) * 1993-09-27 1995-10-03 Cooper Industries, Inc. Insulating coating
JP3293403B2 (ja) * 1995-05-08 2002-06-17 松下電器産業株式会社 酸化亜鉛バリスタ用側面高抵抗剤とそれを用いた酸化亜鉛バリスタとその製造方法
JP2940486B2 (ja) * 1996-04-23 1999-08-25 三菱電機株式会社 電圧非直線抵抗体、電圧非直線抵抗体の製造方法および避雷器
JP2904178B2 (ja) * 1997-03-21 1999-06-14 三菱電機株式会社 電圧非直線抵抗体及び避雷器
JPH11340009A (ja) 1998-05-25 1999-12-10 Toshiba Corp 非直線抵抗体
US7357188B1 (en) * 1998-12-07 2008-04-15 Shell Oil Company Mono-diameter wellbore casing
JP3697954B2 (ja) * 1999-07-06 2005-09-21 富士ゼロックス株式会社 静電荷量調整素子、その製造方法及び画像形成方法
JP2001176703A (ja) * 1999-10-04 2001-06-29 Toshiba Corp 電圧非直線抵抗体及びその製造方法
JP2001307909A (ja) * 2000-04-25 2001-11-02 Toshiba Corp 電流−電圧非直線抵抗体
JP4715248B2 (ja) * 2005-03-11 2011-07-06 パナソニック株式会社 積層セラミック電子部品
CN101436456B (zh) * 2008-12-11 2011-03-23 中国西电电气股份有限公司 一种氧化锌电阻片的制备方法
CN101503291B (zh) * 2009-03-07 2011-09-14 抚顺电瓷制造有限公司 高压交流氧化锌电阻片
EP2305622B1 (en) 2009-10-01 2015-08-12 ABB Technology AG High field strength varistor material
CN106747406A (zh) * 2017-02-14 2017-05-31 爱普科斯电子元器件(珠海保税区)有限公司 无铅高绝缘陶瓷涂层氧化锌避雷器阀片及其制备方法
CN108558389B (zh) * 2018-05-04 2021-02-05 南阳中祥电力电子股份有限公司 一种压敏电阻片高阻层浆料及其制备方法
CN109659107A (zh) * 2018-11-28 2019-04-19 清华大学 提高氧化锌压敏电阻通流容量的新型无机侧面高阻层制备工艺
CN111439996A (zh) * 2019-01-17 2020-07-24 陕西华星电子集团有限公司 一种压敏电阻器陶瓷材料及其制备方法
CN114400121A (zh) * 2021-12-17 2022-04-26 南阳金牛电气有限公司 一种高通流密度的氧化锌电阻片的制造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5249491A (en) * 1975-10-16 1977-04-20 Meidensha Electric Mfg Co Ltd Non-linear resistor
ZA791172B (en) * 1978-04-14 1980-06-25 Westinghouse Electric Corp Composition and method for fabricating a zinc oxide voltage limiter
AU524277B2 (en) * 1979-11-27 1982-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Sintered oxides voltage dependent resistor
JPS5812306A (ja) * 1981-07-16 1983-01-24 株式会社東芝 酸化物電圧非直線抵抗体及びその製造方法
JPS5941286A (ja) * 1982-09-02 1984-03-07 Tokyo Electric Co Ltd プリンタの用紙案内装置
JPH0247351B2 (ja) * 1982-09-02 1990-10-19 Seikosha Kk Inpakutoshikipurinta
JPS604563A (ja) * 1983-06-22 1985-01-11 Kansai Paint Co Ltd 缶内面用塗料組成物
JPS60226102A (ja) * 1984-04-25 1985-11-11 株式会社日立製作所 電圧非直線抵抗体及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100799755B1 (ko) * 2006-12-27 2008-02-01 한국남동발전 주식회사 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0252409B2 (ko) 1990-11-13
EP0269192A3 (en) 1989-01-25
EP0269192B1 (en) 1991-11-27
US4730179A (en) 1988-03-08
EP0269192A2 (en) 1988-06-01
CA1279113C (en) 1991-01-15
KR910002260B1 (ko) 1991-04-08
DE3774843D1 (de) 1992-01-09
US4719064A (en) 1988-01-12
JPS63136603A (ja) 1988-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880006723A (ko) 전압 비선형 저항기 및 그 제조방법
KR870010569A (ko) 전압 비선형 저항기 및 그 제조
KR960022305A (ko) 카드뮴 및 납을 함유하지 않는 후막 페이스트 조성물
US4692735A (en) Nonlinear voltage dependent resistor and method for manufacturing thereof
GB1478772A (en) Voltage-dependent resistor materials and resistors incorporating such materials
KR970005747B1 (ko) 전압 비선형 저항기 및 그 제조 방법
KR920015400A (ko) 전압 비직선 저항체
EP0149681B1 (en) Oxide semiconductor for thermistor
JP2002151307A (ja) 電圧非直線抵抗体
WO2005034788A3 (en) Tooth containing image thereon
KR920005186A (ko) 전압 비선형 저항기 및 그 제조방법
CA1129513A (en) Potentially non-linear resistor and process for producing the same
CN100520990C (zh) 一种多层片式ZnO压敏电阻器
JP2523665B2 (ja) 電圧非直線抵抗器の製造方法
US4906964A (en) Voltage non-linear resistor
AU2143895A (en) Method of manufacturing an electrical resistance heating means
JP2656233B2 (ja) 電圧非直線抵抗体
ES541174A0 (es) Procedimiento para preparar sustancias luminiscentes a base de silicato de zinc activado con manganeso
JPS5537418A (en) Silver-luster glaze
JPS57129838A (en) Cover glass for watch
KR910012339A (ko) 전기화학공정용 금속 전극
GB1335578A (en) Resistance compositions
JPS6243323B2 (ko)
ES2115496A1 (es) Panel de acristalamiento y procedimiento para la formacion del mismo.
JPS57129840A (en) Cover glass for watch

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070330

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term