KR880006723A - 전압 비선형 저항기 및 그 제조방법 - Google Patents

전압 비선형 저항기 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

전압 비선형 저항기 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (10)

  1. 디스그형 전압 비선형 저항소자와 디스크형 저항소자의 외주 측표면에 일체식으로 구비된 얇은 절연 피복층을 구성하는 전합 비선형 저항기로서, 상기 저항 소자는 주성분으로서의 아연 산화물, B i2O3로 산정하여 0.1∼2.0몰% 비스무드 산화물, Co203로 산정하여 0.1∼2.0몰% 코발트 산화물, MnO2로 산정하여 0.1∼2.0몰% 망간 산화물, Sv203로 산정하여 0.1∼2.7몰%안티몬 산화물, Cr203로 산정하여 0.1∼2.0몰% 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.1∼2.0몰% 니켈 산화물, Al203로 산정하여 0.001∼0.05몰% 알루미늄 산화물, B2O3로 산정하여 0.005∼0.1몰%붕소 산화물, Ag2O로 산정하여 0.001∼0.05몰%은 산화물 및 SiO2로 산정하여 7∼11몰%실리콘 산화물을 구성하며, 상기 절연 피복층은 SiO2로 산정하여 45∼60몰% 실리콘 산화물, ZHO로 산정하여 30∼50몰%아연 산화물 및 Hi203로 산정하여 1∼5몰% 비스무드 산화물 및 나머지 안티몬 산화물을 구성함을 특징으로 하는 전압비선형 저항기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소자가 Bi2O3로서 0.5∼1.2몰%비스무드 산화물, Co203로서 0.5∼1.5몰%코발트 산화물, MHO2로서 0.3∼0.7몰% 망간 산화물, Sb203로서 0.8∼1.2몰% 안티몬 산화물, Cr2O3로서 0.3∼0.7몰%크롭 산화물, NiO로서 08∼1.2몰% 니켈 산화물, Al2O3로서 0.002∼0.005몰% 알루미늄 산화물, B2O3로서 0.01∼0.08몰% 붕소 산화물. Ag203로서 0.005∼0.03몰%은 산화물, SiO2로서 8∼10몰% 실리콘 산화물을 구성하고, 상기 절연 피복층이 SiO2로서 48∼57몰% 실린콘 산화물 및 ZrO로서 35∼45몰% 아연 산화물을 구성함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 소자와 상기 피복층간의 경계부가 아연 실리게이트 및 스피넬 Zn7/3Sb2/3O4를 구성함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 피복층의 두께가 30∼100㎛임을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 얇은 절연 피복층에 중첩된 글라스층을 더 구성함을 특징으로 하는 접압 비선형 저항기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 글라스 층의 두께가 50∼100㎛임을 특징으로 하는 전압비선형 저항기.
  7. 전압 비선형 저항기의 제조방법으로서, 주성분으로서의 아연 산화물. Bi203로 산정하여 0.1∼20몰% 비스무드 산화물, Co203로 산정하여 0.1∼2 0몰% 코발트 산화물, MnO7로 산정하여 0.1∼2.0몰% 망간 산화물, Sb203로 산정하여 0.1∼2.0몰% 안티몬 산화물, Cr203로 산정하여 0.1∼2.0몰% 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.1∼2.0몰% 니켈 산화물, Al203로 산정하여 0.001∼0.05몰% 알루미늄 산화물, B2O3로 산정하여 0.005∼0.0몰% 붕소 산화물, Ag20로 산정하여 0.001∼0.05몰%은 산화물 및 Si02로 산정하여 7∼11몰%실리콘 산화물을 구성하는 디스크형 전압비선형 저항 소자의 외주 측표면에 SiO2로 산정하여 45∼60몰% 실리콘 산화물, ZnO로 산정하여 30∼50몰% 아연 산화물, Bi203로 산정하여 1∼5몰% 비스무드 산화물 및 나머지 안티몬 산화물을 구성하는 혼합물을 가하고, 상기 소자를 소결하여 상기 표면에 절연 피복층이 일체식으로 구비더되게 함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 소자가 Bi2O3로서 0.5~1.2몰% 비스무드 산화물 Co2O3로서 0.5~1.5몰%코발트 산화물, Mno2토서 0.3∼0.7몰% 망간 산화물, Sb203로서 0.3∼1.2몰% 안티몬 산화물, Cr203로서 0.3∼0.7몰% 크롬 산화물. NiO로서 0.8∼1.2몰%니켈 산화물, Al2O3로서 0.002∼0.005몰% 알루미늄 산화물, B203로서 0.01∼0.08몰% 붕소 산화물, Ag2O로서 0.005∼0.03몰%은 산화물, 및 SiO2로서 8∼10몰%실리콘 산화물을 구성하고, 상기 혼합물이 SiO2로서 48∼57몰% 실리콘 산화물, 및 ZnO로서 35∼45몰% 아연 산화물을 구성함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 혼합물이 유기 접합체를 함유하는 페이스트로서 60∼300㎛의 두께로 가해짐을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 유기 접합체를 혼합한 글라스 분말을 구성하는 글라스 페이스트를 절연 피복층에 두께 100∼300㎛로 가하고, 열처리하여 절연 피복층에 중첩된 두께 50∼100㎛의 글라스층을 형성하는 단계가 더 구성됨을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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