KR870010569A

KR870010569A - 전압 비선형 저항기 및 그 제조

Info

Publication number: KR870010569A
Application number: KR870003401A
Authority: KR
Inventors: 마사미 나까따; 오사무 이마이
Original assignee: 오하라 시게또; 닛뽄 가이시 가부시끼가이샤
Priority date: 1986-04-09
Filing date: 1987-04-09
Publication date: 1987-11-30
Also published as: CA1293118C; EP0241150B1; EP0241150A3; US4724416A; DE3763121D1; KR910002259B1; JPH0252404B2; JPS62237703A; EP0241150A2

Abstract

내용 없음

Description

전압 비선형 저항기 및 그 제조

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims

디스크형 전압 비선형 저항 소자와 상기 디스크형 소자의 주변측면상에 일체식으로 구비된 얇은 절연 피복층을 포함하는 전압 비선형 저항기에 있어서, 상기 소자가 주성분으로 아연산화물, B_i2O₃로 산정하여 0.1-2.0몰%의 비스무드 산화물, Co₂O₃로 산정하여 0.1-2.0몰%의 코발트 산화물, MnO₂로 산정하여 0.1-0.2몰%의 망간 산화물, Sb₂O₃로 산정하여 0.1-2.0몰%의 안티몬 산화물, Cr₂O₃로 산정하여 0.1-2.0몰%의 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.1-2.0몰%의 니켈 산화물, Al₂O₃로 산정하여 0.001-0.05몰%의 알루미늄 산화물, B₂O₃로 산정하여 0.005-0.1몰%의 붕소 산화물, Ag₂O로 산정하여 0.001-0.005몰%의 은 산화물, 및 S_iO₂로 산정하여 1-3몰%의 실리콘 산화물을 포함하며 상기층이 S_iO₂로 산정하여 80-96몰%의 실리콘 산화물, B_i2O₃로 산정하여 2-7몰%의 비스무드 산화물 및 나머지의 안티몬 산화물을 포함함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
제1항에 있어서, 상기 소자가 B_i2O₃로 산정하여 0.5-1.2몰%의 비스무드 산화물, Co₂O₃로 산정하여 0.5-1.5몰%의 코발트 산화물, MnO₂로 산정하여 0.3-0.7물%의 망간 산화물, Sb₂O₃로 산정하여 0.8-12몰%의 비스무드 산화물, Cr₂O₃로 산정하여 0.3-0.7몰%의 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.8-1.2몰%의 니켈 산화물, Al₂O₃로 산정하여 0.002-0.005몰%의 알루미늄 산화물, B₂O₃로 산정하여 0.001-0.08물%의 봉산 산화물, Ag₂O₃로 산정하여 0.005-0.03몰%의 은 산화물, 및 SiO₂로 산정하여 1.5-2.0몰%의 실리콘 산화물을 포함하며 상기 층이 SiO₂로 산정하여 85-90몰%의 실리콘 산화물을 포함함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
제1항에 있어서, 상기 소자와 상기 층 사이의 경계 부분이 규산 아연과 스피넬(Zn_1/3Sb_2/3O₄)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기
제1항에 있어서, 상기 층이 30-100㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
제1항에 있어서, 얇은 절연 피복층상에 첨가된 유려층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
제5항에 있어서, 유리층이 50-100㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
주성분으로서 아연 산화물, B_i2O₃로 산정하여 0.1-2.0몰%의 비스무드 산화물, Co₂O₃로 산정하여 0.1-2.0몰%의 코발트 산화물, MnO₂로 산정하여 0.1-2.0몰%의 망간 산화물, Sb₂O₃로 산정하여 0.1-2.0몰%의 안티몬 산화물, Cr₂O₃로 산정하여 0.1-2.0몰%의 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.1-2.0몰%의 니켈 산화물, Al₂O₃로 산정하여 0.001-0.05몰%의 알루미늄 산화물, B₂O₃로 산정하여 0.005-0.1몰%의 봉산 산화물, Ag₂O로 산정하여 0.001-0.05몰%의 은 산화물 및 SiO₂로 산정하여 1-3몰%의 실리콘 산화물을 포함하는 디스크형 전압 비선형 저항 소자의 주변 측면상에 SiO₂로 산정하여 80-96몰%의 실리콘 산화물, Bi₂O₃로 산정하여 2-7몰%의 비스무드 산화물 및 나머지 안티몬 산화물을 포함하는 혼합물을 가하고, 그 소자를 소결하므로써 절연 피복층이 상기 표면상에 일체식으로 구비되는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조공정
제7항에 있어서, 상기 소자가 Bi₂O₃로 산정하여 0.5--1.2몰%의 비스무드 산화물, Co₂O₃로 산정하여 0.5-1.5몰%의 코발트 산화물, MnO₂로 산정하여 0.3-0.7몰%의 망간 산화물, Sb₂O₃로 산정하여 0.8-1.2몰%의 안티몬 산화물, Cr₂O₃로 산정하여 0.3-0.7몰%의 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.8-1.2몰%의 니켈 산화물, Ag₂O₃로 산정하여 0.002-0.005몰%의 알루미늄 산화물, B₂O₃로 산정하여 0.01-0.08%의 붕산 산화물, Ag₂O로 산정하여 0.005-0.03몰%의 은 산화물 및 SiO₂로 산정하여 1.5-2.0몰%의 실리콘 산화물을 포함하며 상기 혼합물이 SiO₂로 산정하여 85-90몰%의 실리콘 산화물을 포함함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조 공정.
제7항에 있어서, 상기 혼합물이 60-300㎛의 두께로 유기 결합제를 함유하는 페이스트로써 가해지는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조 공정.
제7항에 있어서, 유기 결합제와 혼합된 유리 분말을 구비하는 유리 페이스트를 절연 피복층상에 100-300㎛의 두께로 부착하고 절연 피복층에 50-100㎛의 두께의 유리층을 형성하는 처리를 하는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조 공정.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.