KR910002259B1 - 전압 비선형 저항기 및 그 제조공정 - Google Patents

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내용 없음.

Description

전압 비선형 저항기 및 그 제조공정

본 발명은 그 주성분으로서 아연 산화물을 포함하는 전압 비선형 저항기, 특히 뇌방전 전류 내성이 우수하고 원판형 저항 소자와 절연 피복층 사이의 부착성이 강한 전압 비선형 저항기에 관한 것이며, 또한 이러한 것을 제조하기 위한 공정에 관한 것이다.

보통은 절연체로 작용하나 과전류가 흐를때 도체로 작용하는 특성을 가지는 전압 안정 장치, 서어지 흡수기, 피뢰기 등에 널리 사용된 전압 비선형 저항기의 제조공정으로서 예를들면 0.1∼3.0%의 Bi₂O₃,0.1∼3.0%의 Co₂O₃,0.1∼3.0%의 MnO₂,0.1∼3.0%의 Sb₂O₃,0.05∼1.5%의 Cr₂O₃,0.1∼3.0%의 NiO, 0.1∼10.0%의 SiO₂, 0.0005∼0.025%의 Al₂O₃, 0.005∼0.3%의 B₂O₃, 그리고 나머지의 ZnO(%는 몰%를 나타냄)로 구성되는 시료 혼합물로부터 디스크형 본체를 형성한 다음에 성형체를 소결하므로써 전압 비선형 저항기를 제조하는 공정은 널리 공지되어 있다. 또한, 상기한 공정에 의해 얻어진 전압 비선형 저항기가 고습 조건하에 사용될 때 디스크형 소자 주변 측면의 저항성이 감소하게 되고 따라서 에폭시 합성 수지 등으로 구성된 고저항층을 주변 측면에 구비하므로써 습지 방지책이 강구된 전압 비선형 저항기를 제조하는 개선된 공정이 또한 공지되어 있다.

상기한 공정에 의해 제조된 종래의 전압 비선형 저항기는 그 주변측면 상에 있는 저항성 소자와 고저항층 사이에 상기한 광범위한 소자 성분 영역과 상기한 저부착 강도를 가지게 되므로 뇌방전 전류 등으로 인한 소자의 단락을 효과적으로 방지하기가 불가능 하였다. 또한, 종래의 공정에 의해 제조된 전압 비선형 저항기는 각 부분에서 균일성이 약하므로, 큰 전류를 국부적으로 뇌방전 전류등의 유입에 따라 흐르게 된다. 여기서 때때로 뇌방전 전류는 저항을 파괴시킨다. 결국, 전기 절연체 보호에 특히 중요한 뇌방전 전류 내성이 우수한 전압 비선형 저항기를 항상 얻을수는 없었다.

본 발명의 목적은 상기한 단점을 제거하므로써, 뇌방전 전류 내성이 우수한 전압 비선형 저항기를 제공하는 것이다.

전압 비선형 저항기를 제조하기 위한 본 발명의 공정은 주성분으로 아연 산화물, Bi₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0%의 비스무드 산화물, Co₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0%의 코발트 산화물, MnO₂로 산정하여, 0.1∼2.0%의 망간 산화물, Sb₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0%의 안티몬 산화물, Cr₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0%의 크롬산화물, NiO로 산정하여 0.1∼2.0%의 니켈 산화물, A1₂O₃로 산정하여 0.001∼0.05%의 알루미늄 산화물, B₂O₃로 산정하여 0.005∼0.1%의 붕소 산화물, Ag₂O로 산정하여 0.001∼0.05%의 은 산화물 및 SiO₂로 산정하여 1∼3%의 실리콘 산화물(%는 물%)을 포함하는 디스크형 전압 비선형 저항 소자의 주변 측면상에 SiO₂로 산정하여 80∼96%의 규소 산화물, Bi₂O₃로 산정하여 2∼7%의 바스무드 산화물 및 나머지의 안티몬 산화물을 포함하는 혼합물을 가하고 상기 소자를 소결하므로써 절연 피복층이 상기 표면상에 일체식으로 구비되는 것을 특징으로 한다.

상기한 구조에 있어서, 전압 비선형 저항 소자의 성분 지정, 특히, 규소 산화물의 함유량이 SiO₂로 산정하여 1∼3몰%이고 주변 측면상에 가해질 절연 피복층에 대한 혼합물의 성분 지정, 특히, 규소 산화물의 함유량이 SiO₂로 산정하여 80∼96몰%로 되어 전압 비선형 저항 소자와 절연 피복층 사이의 접착 강도를 공동으로 증가시키게 되어 절연 피복층의 불완전한 부착성에 의해 주변 측면에서 단락이 생기는 것이 효과적으로 방지될 수 있다.

또한, 소자의 성분 특히, SiO₂로 산정하여 1∼3몰%의 실리콘의 함유량을 지정하므로써, 소자의 각 부분 및 모든 부분에 있어서 균일성이 향상될 수 있다. 따라서 소자의 불균일성에 의해 발생된 전류 집중이 방지될 수 있으며 뇌방전 전류 내성이 향상될 수 있다.

더우기, 전압 비선형 저항 소자중 각 성분의 함유량을 지정하는 원인 및 이유는 아래와 같다.

비스무드 산화물은 아연 산화물 결정중에 결정입계상으로써 미세 구조로 구성되는 반면에, 이들의 아연산화물 결정의 성장을 촉진시키는 작용을 한다. 비스무드 산화물이 Bi₂O로 산정하여 0.1몰%보다 양적으로 적은 경우, 결정입계상이 충분히 형성되지 않고 결정입계상에 의해 형성된 전기 장벽 높이가 하강되어 누설전류가 증가되어 저전류 영역에 있어서 비선형성이 저하하게 된다. 비스무드 산화물이 2몰%를 초과한 경우, 결정입계상이 너무 두껍게 되거나 아연 산화물 결정의 성장이 촉진되게 되어, 방전 전압비(V_10KA/V_1mA)가 저하되게 될 것이다. 따라서, 비스무드 산화물의 부가적인 량은 Bi₂O₃로 산정되여 0.1∼2.0몰%, 우선적으로 0.5∼1.2몰%로 제한된다.

일부는 아연 산화물 결정내에서 고용체를 형성하고 다른 부분은 결정입계상에 침작하는 고발트 산화물 및 망간 산화물은 전기 장벽 높이를 상승시키는 작용을 한다. Co₂O₃또는 MnO₂로 산정하여 0.1%, 이하의 양인 경우, 전기 장벽 높이가 너무 낮아져서 저전류 영역에 있어서 비선형성이 감쇠되게 되는 반면에, 2몰%로 과도하게 되는 경우, 결정입계상이 너무 두꺼워져서 방전 전압비가 저하하게 될 것이다. 따라서, 코발트 산화물과 망간 산화물의 각각의 부가적인 량은 Co₂O₃와 MnO₂로 산정하여 0.1∼2.0몰%, 양호하게는 코발트 산화물에 대해 0.5∼1.5몰% 그리고 망간 산화물에 대해 0.3∼0.7몰%로 제한된다.

아연 산화물과 반응하여 스피낼상을 형성하는 안티몬 산화물, 크롬 산화물 그리고 니켈 산화물은 아연 산화물 결정이 비정상적으로 성장하는 것을 억압하며 소결체의 균일성을 향상시키는 작용을 한다. 이들 3개의 금속중 임의의 산화물이 상기 정해진 산화물, 즉 Sb₂O₃, Cr₂O₃또는 NiO가 0.1몰% 이하인 경우, 아연 산화물 결정의 비정상적 성장이 발생하여 소결체내에 전류 분포의 불균일성을 유도하게 된다. 반면에 지정된 산화물 형성이 2.0몰%를 초과하는 경우, 절연 스피낼상이 너무 많이 증가하게 되고 또한 소결체내의 전류분포의 불균일성을 유도하게 된다. 따라서, 안티몬 산화물, 크롬 산화물 그리고 니켈 산화물의 각각의 양이 Sb₂O₃, Cr₂O₃및 NiO로 산정하여 0.1∼2.0몰%, 양호하게는 Sb₂O₃로 산정하여 0.8∼1.2몰%, Cr₂O₃로 산정하여 0.3∼0.7몰% 그리고 NiO로 산정하여 0.8∼1.2몰%로 제한된다.

아연 산화물내에서 고용체를 형성하는 알루미늄 산화물이 Al₂O₃로 산정하여 0.001몰% 이하의 양인 경우, 소자의 전기 저항은 충분히 작은 값으로 감소될 수 있게 되어 방전 전압비가 저하되게 되는 반면에, 0.05몰%를 초과하는 경우, 전기 장벽 높이가 너무 낮아져서 저전류 영역에 있어서 비선형성이 저하되게 된다. 따라서, 그 첨가량은 Al₂O₃로 산정하여 0.001∼0.05몰%, 양호하게는 0.002∼0.005몰%로 제한된다.

결정입계상에 비스무드 산화물과 규소 산화물과 함께 침착된 붕소 산화물은 결정입계상을 유리질화 하고 안정화할 뿐만 아니라 아연 산화물 결정의 성장을 촉진시키는 작용을 한다. 붕소 산화물이 B₂O₃로 산정하여 0.005몰%보다 적은 양인 경우, 결정입계상 안정의 효과가 불충분한 반면에, 0.1몰%를 초과하는 경우, 결정입계상이 너무 두꺼워지게 되어, 방전 전압비가 저하되게 될것이다. 따라서, 붕소 산화물의 첨가량은 B₂O₃로 산정하여 0.005∼0.1몰%, 양호하게는 0.01∼0.08%로 제한한다.

결정입계상에 침착된 은 산화물은 인가된 전압에 의해 발생된 이온 이동을 억압시키는 작용을 하여 결정입계상을 안정화 시키게 된다. 은 산화물이 Ag₂O로 산정하여 0.001물%보다 적은 양인 경우 결정입계상 안정이 불충분한 반면에, 0.05몰%를 초과하는 경우, 결정입계상이 너무 불안정하게 되어 방전 전압비가 저하되게 될것이다. 따라서, 은 산화물의 첨가량은 Ag₂O로 산정하여 0.001∼0.05몰%, 양호하게는 0.005∼0.03몰%로 제한된다.

결정입계상에 비스무드 산화물과 함께 침착된 실리콘 산화물은 배리스터 전압을 증가시킬 뿐만 아니라 아연 산화물 결정의 성장을 억압하는 작용을 한다. 규소 산화물이 SiO₂로 산정하여 1몰%보다 적은 양인 경우, 아연 산화물 결정의 성장 억압에 대한 효과는 불충분하게 될 것이며 실리콘 화합물 함유 성분은 결정입계상에 균일하게 침착할 것이다. 결과적으로, 소자의 균일성이 손상되므로써 전류 집중이 생기게 되어 뇌방전 전류를 발생시키게 된다. 더우기, 절연 피복층을 갖는 소자의 주변 측면의 부착성이 낮아지게 되므로, 뇌방전 전류 내성이 감소하게 된다. SiO₂양이 3몰%를 초과하는 경우, 결정입계상이 너무 두꺼워지게 되어 소자의 성능이 저하되게 된다. 따라서, 실리콘 산화물의 첨가량은 SiO₂로 산정하여 1∼3몰%, 양호하게는 1.5∼2.0몰%로 제한된다.

또한, 디스크형 전압 비선형 저항 소자의 주변측면 상에 구비되는 절연 피복층용 혼합물의 성분에 관하여, 실리콘 산화물이 SiO₂로 산정하여 80몰%보다 적은 양인 경우, 뇌방전 전류 내성이 개선되지 않는다. 반면에, 96몰%를 초과하는 경우, 절연 피복층의 부착성이 저하되게 된다. 따라서, 실리콘 산화물의 첨가량이 SiO₂로 산정하여 80∼96몰%, 양호하게는 85∼90몰%로 제한된다.

또한, 절연 피복층이 30μm 이하의 두께인 경우, 그 효과는 없어지게 될것이다. 반면에 100μm 이상으로 두꺼운 경우, 그 부착성이 불충분하게 되어 박리 작용의 성향의 원인이 된다. 따라서, 두께는 30∼100μm가 적당하다.

상기한 바와같이, 소자내의 실리콘 산화물 양과 소자상에 공급된 절연 피복층내의 실리콘 산화물 양은 소자의 뇌방전 전류 내성을 향상시키는데 중요한 작용을 하게 되는데, 소자의 메카니즘은 아래와 같다.

절연 피복층은 실리콘 산화물, 안티몬 산화물 및 비스무드 산화물을 포함하는 절연 피복층 혼합물로 형성되며 소자상에 부착되어 계속적으로 소결되는 동안 소자내의 아연 산화물과 반응하게 된다. 이 절연 피복층은 주로 실리콘 산화물을 아연 산화물과 반응시켜서 유도된 규산 아연(Zn₂SiO₄) 그리고 안티몬 산화물을 아연 산화물과 반응시켜서 유도된 스피넬(Zn_1/3Sb_2/3O₄)로 구성되는데 여기서 규산 아연과 스피넬은 규산 아연의 소자와 접촉하는 부분에 형성되게 된다. 그러므로, 절연 피복용 혼합물에 있어서 실리콘 산화물은 소자와 절연 피복층 사이의 부착성에 중요한 역할을 한다.

또한, 소자내의 실리콘 산화물 양이 증가하는 경우, 소자의 결정입계상의 규산 아연 침착양이 증가하게 된다. 상기한 것으로부터 소자와 절연 피복층 사이의 습윤성이 향상되게 되어 결과적으로 소자와 절연층 사이의 부착성이 향상되게 된다.

반대로, 비스무드 산화물은 상기한 반응을 순조롭게 진행시키는 작용을 하는 용제로서 작용한다. 따라서, 이것에는 Bi₂O₃를 2∼7몰%로 포함하는 것이 좋다.

주요 성분으로서 아연 산화물을 포함하는 전압 비선형 저항기를 얻기 위해 소정의 조정된 입자 크기를 가지는 아연 산화물 재료가 50시간 동안 볼밀내에서 소정의 조정된 입자 크기를 가지는 Bi, CO, Mn, Sb, Cr, Si. Ni, Al, B, Ag, 등의 각 산화물을 포함하는 소정의 첨가량과 혼합된다. 따라서 준비된 시분말이 결합제로서 소정의 양의 폴리비닐알콜 수용액과 혼합되어, 입상화 된후에 800∼1,000kg/cm²의 성형 압력하에 소정의 형태, 우선적으로 디스크형으로 형성된다. 성형체는 50∼70℃/시의 가열 및 냉각률 그리고 800∼1,000℃로 1∼5시간의 잔류 시간의 조건하에 잠정적으로 소성된다.

다음에, 절연 피복층은 잠정적으로 소정된 디스크형체의 주변 축면상에 형성된다. 본 발명에 있어서, 유기 결합제로서 에틸-셀룰로즈, 부틸 카비톨, n-부틸 아세테이트 등과 혼합된 비스무드 산화물, 안티몬 산화물, 및 실리콘 산화물을 포함하는 산화물 페이스트가 잠정적으로 소성된 디스크형체의 주변 축면상에 60∼300μm 두께의 층이 형성되도록 부착된다. 그 다음에 이것은 40∼60℃/시의 가열 및 냉각률 그리고 1,000∼1,300℃, 양호하게는 1,150∼1,250℃에서 2∼7시간의 잔류 시간의 조건하에 주요 소결을 받게 된다.

또한, 유기 결합제로서 에틸 셀룰로즈, 부틸 카비톨, n-부틸 아세테이트 등과 혼합된 유리 분말을 포함하는 유리 페이스트가 100∼300μm 두께로 상기한 절연 피복층에 부착되고 100∼200℃/시의 가열 및 냉각률 그리고 400∼600℃에서 0.5∼2시간의 잔류 시간의 조건하에 공기중에서 가열 처리된 다음에 약 50∼100μm 두께를 갖는 유리층을 첨가하게 되는 것이 양호하다.

그 다음에 최종적으로, 디스크형 전압 비선형 저항기의 상부 및 기저 평면이 부드럽게 연마되어 금속 증착에 의해 알루미늄 전극이 공급된다.

본 발명의 범위 내외에서 각각의 성분으로 준비된 전압 비선형 저항기에 관하여, 여러가지 특성에 관한 측정 결과는 아래에 설명된다.

실시예에 있어서, 비스무드 산화물, 안티몬 산화물 및 실리콘 산화물이 산화물 페이스트로서 함유되고, 말할것도 없이 연소 도중에 산화물로 변화될 수 있는 탄산염, 수산화물 등을 사용하여 동일한 효과가 실현되게 된다. 또한 실리콘, 안티몬 그리고 비스무드 성분을 제외하고 이들 성분의 효과를 저하시키지 않는 임의의 재료가 비선형 저항기의 사용 목적에 따라 페이스트에 첨가될수도 있다는 것은 당연하다. 그리고, 소자의 합성에 관하여 또한 동일한 것이 가능하다.

[실시예 1]

직경 47mm, 두께 20mm인 디스크형 전압 비선형 저항기의 예가 상기한 공정에 의해 준비되었는데, 여기서 공정은 아래의 표 1에 나타낸 바와같이 실리콘 산화물(SiO₂)를 포함하고 본 발명의 범위내 또는 외에서 소자의 주변 측면상에 절연 피복층을 위한 혼합물을 가진다. 각 실시예에 관하여, 소자의 외형가 뇌방전 전류 내성이 평가되었다. 모든 예의 절연 피복층이 30∼100μm 범위의 두께를 가졌고 전압 비선형 저항이 50∼100μm 두께의 유리층으로 공급되었다. 결과는 표 1에 나타낸다. 표 1에서 소자의 외형에 관하여 마크(O)는 외견상 관찰된 절연 피복층의 박리가 없음을 나타내고 마크(X)는 박리가 관찰되었다는 것을 나타낸다, 더 나아가 뇌방전 전류 내성은 4×10μS의 파형을 가지는 임펄스 전류에 대한 내성을 의미하며, 마크(O)는 두번 인가하여 어떠한 단락도 발생되지 않았음을 나타내고 마크(X)는 단락이 발생되었음을 나타낸다.

[표 1a]

[표 1b]

표 1에 나타낸 결과로 부터 명백한 바와같이, 본 발명의 범위내의 성분을 가지는 소자 및 절연 피복층으로 구성된 전압 비선형 저항기가 소자의 외형 및 뇌방전 전류 내성에 있어서 양호한 반면에, 본 발명의 범위외의 성분중 한가지를 가지는 전압 비선형 저항기가 소자 외형과 뇌방전 전류 내성에 관하여 만족스럽지 못하다.

[실시예 2]

동일하게, 47mm 직경과 20mm 두께인 디스크형 전압 비선형 저항기의 예는 상기한 공정과 함께 준비되었다. 여기서 소자는 아래표 2에 나타낸 바와같이, 본 발명에 따라 지정된 범위내의 한 포인트에 나타낸 성분을 가지며 절연 커버층은 여러가지 성분을 가진다. 각 예에 관하여, 소자의 외형과 뇌방전 전류 내성이 평가되었다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.

[표 2]

표 2에 나타낸 결과로부터 명백한 바와같이, 본 발명의 범위내의 성분을 가지는 절연 피복층을 구성하는 전압 비선형 저항기는 소자의 외형과 뇌방전 전류 내성에 있어서 양호한 반면, 본 발명의 범위 외의 성분을 가지는 절연 피복층으로 구성되는 전압 비선형 저항기는 소자의 외형과 뇌방전 전류 내성에 관하여 만족스럽지 못하다.

본 발명의 양호한 실시예들이 설명되어 있지만 청구범위로 표시된 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 기술상 여러가지 교제와 수정을 할수 있다. 예를들면, 비록 금속 증착된 알루미늄 전극이 상기 실시예에서 사용되었지만, 금, 은, 구리, 아연 등과 같은 다른금속, 합금등이 또한 사용될 수 있다. 전극 형성 수단에 관하여 금속 증착 뿐만 아니라 스크린 프린팅, 증기 증착 등이 이용될 수 있다.

상기 상세한 설명으로부터 명백한 바와같이, 지정된 성분을 가지는 절연 피복층과 전압 비선형 저항 소자를 결합함으로써 전압 비선형 저항기를 제조하기 위한 본 발명의 공정에 따라, 전압 비선형 저항기가 얻어질 수 있으며 이것은 전압 비선형 소자의 절연 피복층 사이에 강한 접착성을 가지며, 결국 인가된 전압에 대한 전기적 유효 수명 뿐만 아니라 뇌방전 전류 내성이 우수하게 된다. 그러므로, 본 발명에 의한 전압 비선형 저항기는 특히 고전력 시스템에 사용된 것과 같은 피뢰기, 서어지 흡수기 등의 용도로 적당하다.

Claims (10)

1. 디스크형 전압 비선형 저항 소자와 상기 디스크형 소자의 주변 측면상에 일체식으로 구비된 얇은 절연 피복층을 포함하는 전압 비선형 저항기에 있어서, 상기 소자의 주성분으로 아연 산화물, Bi₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 비스무드 산화물, Co₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 코발트 산화물, MnO₂로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 망간 산화물, Sb₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 안티몬 산화물, Cr₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 니켈 산화물, Al₂O₃로 산정하여 0.001∼0.05몰%의 알루미늄 산화물, B₂O₃로 산정하여 0.005∼0.1몰%의 붕소 산화물, Ag₂O로 산정하여 0.001∼0.05몰%의 은 산화물, 및 SiO₂로 산정하여 1∼3몰%의 실리콘 산화물을 포함하며 상기 층이 SiO₂로 산정하여 80∼96몰%의 실리콘 산화물, Bi₂O₃로 산정하여 2∼7몰%의 비스무드 산화물 및 나머지의 안티몬 산화물을 포함함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
2. 제1항에 있어서, 상기 소자가 Bi₂O₃로 산정하여 0.5∼1.2몰%의 비스무드 산화물, Co₂O₃로 산정하여 0.5∼1.5몰%의 코발트 산화물, MnO₂로 산정하여 0.3∼0.7몰%의 망간 산화물, Sb₂O₃로 산정하여 0.8∼1.2몰%의 안티몬 산화물, Cr₂O₃로 산정하며 0.3∼0.7몰%의 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.8∼1.2몰%의 니켈 산화물, Al₂O₃로 산정하여 0.002∼0.005몰%의 알루미늄 산화물, B₂O₃로 산정하여 0.001∼0.08몰%의 붕소 산화물, Ag₂O로 산정하여 0.005∼0.03몰%의 은 산화물, 및 SiO₂로 산정하여 1.5∼2.0몰%의 실리콘 산화물을 포함하여 상기 층이 SiO₂로 산정하여 85∼90몰%의 실리콘 산화물 포함함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
3. 제1항에 있어서, 상기 소자와 상기 층 사이의 경계 부분이 규산 아연과 스피넬(Zn_1/3Sb_2/3O₂)올 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
4. 제1항에 있어서, 상기 층이 30∼100μm의 두께를 가지는 것을 특정으로 하는 전압 비선형 저항기.
5. 제1항에 있어서, 얇은 절연 피복층상에 첨가된 유리층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
6. 제5항에 있어서, 유리층이 50∼100μm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기.
7. 주성분으로서 아연 산화물, Bi₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 비스무드 산화물, Co₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 코발트 산화물, MnO₂로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 망간 산화물, Sb₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 안티몬 산화물, Cr₂O₃로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.1∼2.0몰%의 니켈 산화물, Al₂O₃로 산정하여 0.001∼0.05몰%의 알루미늄 산화물, B₂O₃로 산정하여 0.005∼0.1몰%의 붕소 산화물, Ag₂O로 산정하여 0.001∼0.05몰%의 은 산화물, 및 SiO₂로 산정하여 1∼3몰%의 실리콘 산화물을 포함하는 디스크형 전압 비선형 저항 소자의 주변 측면상에 SiO₂로 산정하여 80∼96몰%의 실리콘 산화물, Bi₂O₃로 산정하여 2∼7몰%의 비스무드 산화물 및 나머지의 안티몬 산화물을 포함하는 혼합물을 가하고, 그 소자를 소결하므로써 절연 피복층이 상기 표면상에 일체식으로 구비되는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조공정.
8. 제7항에 있어서, 상기 소자가 Bi₂O₃로 산정하여 0.5∼1.2몰%의 비스무드 산화물, Co₂O₃로 산정하여 0.5∼1.5몰%의 코발트 산화물, MnO₂로 산정하여 0.3∼0.7몰%의 망간 산화물, Sb₂O₃로 산정하여 0.8∼1.2몰%의 안티몬 산화물, Cr₂O₃로 산정하여 0.3∼0.7몰%의 크롬 산화물, NiO로 산정하여 0.8∼1.2몰%의 니켈 산화물, Al₂O₃로 산정하여 0.002~0.005몰%의 알루미늄 산화물, B₂O₃로 산정하여 0.01∼0.08몰%의 붕소 산화물, Ag₂O로 산정하여 0.005∼0.03몰%의 은 산화물 및 SiO₂로 산정하여 1.5∼2.0몰%의 실리콘 산화물을 포함하며 상기 혼합물이 SiO₂로 산정하여 85∼90몰%의 실리콘 산화물을 포함함을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조공정.
9. 제7항에 있어서, 상기 혼합물이 60∼300μm의 두께로 유기 결합체를 함유하는 페이스트로써 가해지는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조공정.
10. 제7항에 있어서, 유기 결합제와 혼합된 유리 분말을 구비하는 유리 페이스트를 절연 피복층상에 100∼300μm의 두께로 부착하고 절연 피복층이 50∼100μm의 두께의 유리층을 형성하는 처리를 하는 것을 특징으로 하는 전압 비선형 저항기의 제조공정.