KR100799755B1 - 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조방법 - Google Patents

나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100799755B1
KR100799755B1 KR1020060135048A KR20060135048A KR100799755B1 KR 100799755 B1 KR100799755 B1 KR 100799755B1 KR 1020060135048 A KR1020060135048 A KR 1020060135048A KR 20060135048 A KR20060135048 A KR 20060135048A KR 100799755 B1 KR100799755 B1 KR 100799755B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
varistor
composition
mol
nano powder
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020060135048A
Other languages
English (en)
Inventor
정종엽
Original Assignee
한국남동발전 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국남동발전 주식회사 filed Critical 한국남동발전 주식회사
Priority to KR1020060135048A priority Critical patent/KR100799755B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100799755B1 publication Critical patent/KR100799755B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105—Varistor cores
    • H01C7/108—Metal oxide
    • H01C7/112—ZnO type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12—Overvoltage protection resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

본 발명은 나노 파우더(Nano Powder)를 이용한 바리스터(Varistor) 조성물 및 바리스터 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 비스무스옥사이드(Bi2O3) 0.5 몰(mol)%, 삼산화안티몬(Sb2O3) 1 몰%, 코발트(CoO) 0.5 몰%, 이산화망간(Mn02) 0.5 몰%, 삼산화크롬(Cr2O3) 0.5 몰%, 이산화규소(SiO2) 0 몰% 내지 3.0 몰% 및 나노 파우더(Nano Powder) 형태의 산화아연(ZnO) 94 내지 97 몰%을 포함하는 조성물로 구성되는 바리스터를 제조하는 방법에 있어서, (a) 조성물을 혼합하는 단계; (b) 조성물을 스프레이 방식을 이용하여 건조하는 단계; (c) 조성물을 하소화하는 단계; (d) 조성물에 접착제를 첨가하는 단계; 및 (e) 조성물을 소결화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 나노 파우더 형태의 산화아연을 주성분으로 사용하여 바리스터를 제조함으로써, 바리스터의 전기적, 물리적 특성을 향상시킬 수 있고, 제조 공정을 간소화하여 제조하는 데 소요되는 시간과 비용을 절감할 수 있다.
나노, 파우더, 산화아연, 이산화규소, 바리스터, 조성물, 하소, 소결

Description

나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조 방법{Method for Manufacturing Varistor and Composition of Varistor by Using Nano Powder}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물의 함량을 나타낸 예시도,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더를 이용한 바리스터 제조 방법을 설명하기 위한 순서도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더를 이용한 바리스터의 특성을 나타낸 예시도이다.
본 발명은 나노 파우더(Nano Powder)를 이용한 바리스터(Varistor) 조성물 및 바리스터 제조 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 바리스터의 주요 조성물인 산화아연(ZnO)을 나노 파우더의 형태로 다른 조성물과 혼합함으로써, 바리스터의 치밀도를 증가시켜 내구성을 향상시키고, 동작 전압을 상승시켜 바리스터의 신뢰도를 향상시켜며, 더욱 낮은 온도에서 바리스터를 제조하기 위한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조 방법에 관한 것이다.
과전압으로부터 전기기기를 보호하기 위한 소자로서는 산화아연을 주성분으로 하는 바리스터가 널리 사용된다. 바리스터는 양끝에 가해지는 전압에 의해서 저항값이 변하는 비선형 반도체 저항소자로서, 보호하고자 하는 부품이나 회로에 병렬로 연결하여 해당 부품 또는 회로에 과전압이 증가하면 낮은 저항 회로를 형성하여 과전압이 더 이상 상승하는 것을 억제한다.
통상적으로 바리스터는 비스무스옥사이드(Bi2O3), 삼산화안티몬(Sb2O3), 코발트(CoO), 이산화망간(Mn02), 삼산화크롬(Cr2O3) 등과 같은 금속산화물을 10 몰(mol)% 내외로 첨가하고, 나머지는 마이크로 파우더(Micro Powder) 형태의 산화아연을 90 몰% 내외로 첨가하여 물과 함께 혼합하고, 혼합 공정 또는 습식 공정을 이용하여 건조한 후, 750 ℃/hr의 임계 온도로 하소화(Calcination)하고, 1300 ℃/2hr의 임계 온도로 소결화(Sintering)하는 방식으로 제조된다.
즉, 통상적인 바리스터는 주요 성분인 산화아연이 마이크로 파우더의 형태로 첨가되기 때문에, 혼합 공정 또는 습식 공정과 같은 복잡한 공정을 거쳐야만 건조할 수 있어 제조 공정이 복잡해 지고, 성분의 대다수를 차지하는 산화아연이 마이크로 파우더의 형태이기 때문에 구조가 치밀하지 못해 하소를 위한 임계 온도(750 ℃/hr)와 소결을 위한 임계 온도(1300 ℃/hr)가 높아 제조가 어려우며, 제조된 후에도 구성이 치밀하지 못해 내구성이 약하고 동작 전압이 낮은 등 전기적, 물리적 특성이 좋지 않은 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은, 바리스터의 주요 조성물인 산화아연(ZnO)을 나노 파우더의 형태로 다른 조성물과 혼합함으로써, 바리스터의 치밀도를 증가시켜 내구성을 향상시키고, 동작 전압을 상승시켜 바리스터의 신뢰도를 향상시켜며, 더욱 낮은 온도에서 바리스터를 제작하기 위한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조 방법을 제공하는 데 그 주된 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 비스무스옥사이드(Bi2O3) 0.5 몰(mol)%, 삼산화안티몬(Sb2O3) 1 몰%, 코발트(CoO) 0.5 몰%, 이산화망간(Mn02) 0.5 몰%, 삼산화크롬(Cr2O3) 0.5 몰%, 이산화규소(SiO2) 0 몰% 내지 3.0 몰% 및 나노 파우더(Nano Powder) 형태의 산화아연(ZnO) 94 내지 97 몰%을 포함하는 조성물로 구성되는 바리스터를 제조하는 방법에 있어서, (a) 조성물을 혼합하는 단계; (b) 조성물을 스프레이 방식을 이용하여 건조하는 단계; (c) 조성물을 하소화하는 단계; (d) 조성물에 접착제를 첨가하는 단계; 및 (e) 조성물을 소결화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 목적에 의하면, 비스무스옥사이드(Bi2O3) 0.5 몰(mol)%, 삼산화안티몬(Sb2O3) 1 몰%, 코발트(CoO) 0.5 몰%, 이산화망간(Mn02) 0.5 몰% 및 삼산화크롬(Cr2O3) 0.5 몰%를 포함하는 바리스터 조성물에 있어서, 94 몰% 내지 97 몰%의 산화아연(ZnO)을 포함하되, 산화아연은 나노 파우더(Nano Powder) 형태인 것을 특징으로 하는 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물을 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물의 함량을 나타낸 예시도이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더(Nano Powder)를 이용한 바리스터(Varistor)는 비스무스옥사이드(Bi2O3) 0.5 몰(mol)%, 삼산화안티몬(Sb2O3) 1 몰%, 코발트(CoO) 0.5 몰%, 이산화망간(Mn02) 0.5 몰%, 삼산화크롬(Cr2O3) 0.5 몰% 및 산화아연(ZnO) 94 몰% 내지 97 몰%를 포함하는 조성물로 구성된다.
여기서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더를 이용한 바리스터는 나노 파우더(Nano Powder) 형태의 산화아연을 사용한다. 즉, 마이크로 파우더(Micro Powder) 형태의 산화아연을 사용하는 통상적인 바리스터와는 달리, 나노 파우더 형태의 산화아연을 사용함으로써, 바리스터의 구성을 치밀화하여 내구성을 향상시키고, 구성이 치밀화됨으로써 하소화하기 위한 임계 온도와 소결화하기 위한 임계 온도를 낮추며, 바리스터의 동작전압을 높이며, 비선형계수, 누설전류, 비중, 밀도 등 바리스터의 다른 전기적 특성을 향상시킨다. 여기서, 나노 파우더는 평균 입자의 크기가 0nm(1×10-9m)를 초과하고 1000 nm(1000×10-9m, 즉 1μm)보다 작은 분말체를 말한다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더를 이용한 바리스터는 전술한 조성물에 이산화규소(SiO2)를 0.0 몰% 내지 3.0 몰%를 첨가제(Additives)로서 추가로 포함할 수 있고, 이산화규소의 함량이 많아질수록 바리스터의 구성 입자가 모가 나지 않는 둥근 형태를 띄어 바리스터의 구성을 더욱 치밀하게 함으로써 바리스터의 전기적인 특성을 더욱 향상시킨다.
한편, 이산화규소의 함량이 많아질수록 바리스터의 전기적, 물리적 특성이 향상되지만, 함량을 무제한으로 증가시키는 것은 바람직하지 않고, 0.0 몰% 내지 3.0 몰%를 첨가하는 것이 바람직하며, 이러한 이산화규소의 함량 변화에 따라 산화아연의 함량을 94.0 몰% 내지 97 몰%로 조정하는 것이 바람직하다. 즉, 이산화규소의 함량이 0.0 몰%인 경우에는 나노 파우더 형태의 산화아연을 97 몰%의 함량으로 첨가하고, 이산화규소의 함량이 3.0 몰%인 경우에는 나노 파우더 형태의 산화아연을 94 몰%의 함량으로 첨가하는 방식으로 이산화규소와 산화아연의 함량을 조절하는 것이 바람직하다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더를 이용한 바리스터 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
바리스터를 제조하기 위해서는 바리스터를 구성하는 조성물의 함량을 결정해 야 한다(S210). 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더를 이용한 바리스터는 비스무스옥사이드 0.5 몰%, 삼산화안티몬 1 몰%, 코발트 0.5 몰%, 이산화망간 0.5 몰%, 삼산화크롬 0.5 몰%와 이산화규소 0.0 몰% 내지 3.0 몰% 및 산화아연 94 몰% 내지 97 몰%의 함량으로 조성물의 함량을 결정하는 것이 바람직하다. 여기서, 이산화규소와 산화아연의 함량은 제조하고자 하는 바리스터의 전기적인 특성에 따라 전술한 범위(즉, 이산화규소가 0.0 몰% 내지 3.0 몰%의 함량이라면 산화아연은 9.7 몰% 내지 9.4 몰%의 함량으로 결정) 내에서 결정한다.
바리스터를 구성하는 조성물의 함량을 결정한 후에는 결정된 함량에 따라 조성물을 물과 함께 혼합하고(S220), 물과 혼합된 조성물을 스프레이 방식을 이용하여 혼합된 조성물을 건조한다(S230). 통상적인 바리스터 제조 방식에서는 마이크로 파우더 형태의 산화아연을 사용하기 때문에 혼합된 조성물을 건조할 때 혼합 공정 또는 습식 공정을 이용하여 건조할 수밖에 없었다. 하지만, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 나노 파우더 형태의 산화아연을 사용하기 때문에, 혼합된 조성물을 공기중으로 내뿜어 조성물로부터 수분을 제거하는 스프레이(Spray)방식을 이용하여 건조할 수 있어, 혼합된 조성물을 건조하기 위한 장치와 제조 공정이 간소해 지므로 바리스터의 제조 단가를 낮출 수 있다.
조성물을 건조한 후에는 건조된 조성물을 하소화(Calcination)한다(S240). 이때, 통상적인 바리스터 제조 공정에 따르면 시간당 750 ℃의 열을 가하여 조성물을 가열함으로써 하소화하는데, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 주요 성분이 산화아연이 나노 파우더 형태이기 때문에, 하소화하기 위한 임계 온도를 시간당 600 ℃로 낮출 수 있다. 즉, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 건조된 조성물을 시간당 600 ℃의 온도의 열을 가해 하소화할 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 조성물을 하소화하기 위한 임계 온도를 낮출 수 있어 바리스터의 제조 공정을 간소화할 수 있고, 바리스터의 제조 단가를 낮출 수 있다.
조성물을 하소화한 후에는 하소화한 조성물에 조성물이 고형화할 수 있도록 접착체를 첨가한다(S250). 이때, 접착제는 폴리비닐알콜(PVA: Poly Vinyl Alcohol)을 사용하는 것이 바람직하다.
접착체를 첨가한 후에는 체질법(Sieving)을 이용하여 조성물의 입자를 균일화하고(S260), 2,000 kg/cm2의 압력을 가하여 바리스터의 형상을 나타내도록 모형화한다(S270).
조성물을 바리스터의 형상으로 모형화한 후에는 일정한 열을 가하여 분말체의 조성물들이 서로 단단히 밀착하여 고결화되도록 함으로써 조성물을 소결화(Sintering)한다(S280). 여기서, 통상적인 바리스터 제조 공정에서는 소결화하기 위한 임계 온도가 1300 ℃/2hr였으나, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 나노 파우더 형태의 산화아연을 사용하기 때문에, 소결화하기 위한 임계 온도를 1050 ℃/2hr로 낮출 수 있다. 즉, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 모형화된 조성물을 1050 ℃/2hr의 온도의 열을 가함으로써 소결화할 수 있고, 그로 인해 바리스터의 제조 공정을 간소화하고 바리스터의 제조 단가를 낮출 수 있다.
소결화 작업이 끝나면 표면을 평평하게 가공하고(S290), 가공한 표면에 전 극(Electrode)을 부착함으로써(S292), 바리스터가 완성된다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 파우더를 이용한 바리스터의 특성을 나타낸 예시도이다.
마이크로 파우더의 형태의 산화아연을 주성분으로 하는 통상적인 바리스터(이하 '기존 바리스터'라 칭함)와 나노 파우더의 형태의 산화아연을 주성분으로 하는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 바리스터(이하 '새로운 바리스터'라 칭함)의 전기적, 물리적 특성을 비교하면 도 3에 도시한 바와 같다.
도시한 바와 같이, '기존 바리스터'는 동작전압이 2151 V/cm이지만, '새로운 바리스터'는 동작전압이 5206 V/cm로 '기존 바리스터'보다 상대적으로 동작전압이 높다. 비선형계수(α)도 '기존 바리스터'는 36이지만 '새로운 바리스터'는 상대적으로 높은 46까지 향상된다.
'기존 바리스터'의 누설전류는 1.9×10-5 A/㎠로 그 전류값이 큰 편이지만, '새로운 바리스터'의 누설전류는 상대적으로 작은 4.9×10-7이어서, 누설전류에 의한 전력손실이 작은 특성이 있다. 또한 '새로운 바리스터'는 '기존 바리스터'보다 비중과 밀도가 각각 높다.
또한, 하소를 위한 임계 온도와 소결을 위한 임계 온도가 각각 '기존 바리스터'는 750 ℃, 1300 ℃로 높은 반면, '새로운 바리스터'는 600 ℃, 1050 ℃로 낮아 제조 공정이 간소해 지고, 제조 단가를 낮출 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으 로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 나노 파우더 형태의 산화아연을 주성분으로 사용하여 바리스터를 제조함으로써, 바리스터의 전기적, 물리적 특성을 향상시킬 수 있고, 제조 공정을 간소화하여 제조하는 데 소요되는 시간과 비용을 절감할 수 있다.

Claims (11)

  1. 비스무스옥사이드(Bi2O3) 0.5 몰(mol)%, 삼산화안티몬(Sb2O3) 1 몰%, 코발트(CoO) 0.5 몰%, 이산화망간(Mn02) 0.5 몰%, 삼산화크롬(Cr2O3) 0.5 몰%, 이산화규소(SiO2) 0 몰% 내지 3.0 몰% 및 나노 파우더(Nano Powder) 형태의 산화아연(ZnO) 94 내지 97 몰%을 포함하는 조성물로 구성되는 바리스터를 제조하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 조성물을 혼합하는 단계;
    (b) 상기 조성물을 스프레이 방식을 이용하여 건조하는 단계;
    (c) 상기 조성물을 하소화하는 단계;
    (d) 상기 조성물에 접착제를 첨가하는 단계; 및
    (e) 상기 조성물을 소결화하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 (c)에서,
    상기 조성물은 600 ℃/hr의 임계 온도 이상에서 하소화하는 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 (d)에서,
    상기 접착제는 폴리비닐알콜(PVA: Poly Vinyl Alcohol)인 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 방법은,
    상기 단계 (d) 이후에,
    (d1) 체질법(Sieving)을 이용하여 상기 조성물의 입자를 균일화하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 방법은,
    상기 단계 (d) 이후에,
    (d2) 상기 조성물에 압력을 가하여 모형화하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 단계 (e)에서,
    상기 조성물은 1050 ℃/2hr의 임계 온도 이상에서 소결화하는 것을 특징으로 하는 바리스터 제조 방법.
  7. 비스무스옥사이드(Bi2O3) 0.5 몰(mol)%, 삼산화안티몬(Sb2O3) 1 몰%, 코발트(CoO) 0.5 몰%, 이산화망간(Mn02) 0.5 몰% 및 삼산화크롬(Cr2O3) 0.5 몰%를 포함 하는 바리스터 조성물에 있어서,
    94 몰% 내지 97 몰%의 산화아연(ZnO)을 포함하되, 상기 산화아연은 나노 파우더(Nano Powder) 형태인 것을 특징으로 하는 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 바리스터 조성물은,
    0.0 몰% 내지 3.0 몰%의 이산화규소(SiO2)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 바리스터 조성물은,
    600 ℃/hr의 임계 온도 이상에서 하소화하는 것을 특징으로 하는 바리스터 조성물.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 바리스터 조성물은,
    1050 ℃/2hr의 임계 온도 이상에서 소결화하는 것을 특징으로 바리스터 조성물.
  11. 제 7 항에 있어서, 상기 바리스터 조성물은,
    스프레이 방식으로 건조되는 것을 특징으로 하는 바리스터 조성물.
KR1020060135048A 2006-12-27 2006-12-27 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조방법 KR100799755B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060135048A KR100799755B1 (ko) 2006-12-27 2006-12-27 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060135048A KR100799755B1 (ko) 2006-12-27 2006-12-27 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100799755B1 true KR100799755B1 (ko) 2008-02-01

Family

ID=39341984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060135048A KR100799755B1 (ko) 2006-12-27 2006-12-27 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100799755B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR880006723A (ko) * 1986-11-28 1988-07-23 오하라 시게또 전압 비선형 저항기 및 그 제조방법
KR890008861A (ko) * 1987-11-12 1989-07-12 이노쿠마 도키히사 비직선 저항체 및 그의 제조방법
KR920015400A (ko) * 1991-01-29 1992-08-26 고하라 도시히또 전압 비직선 저항체
KR950007948B1 (ko) * 1992-10-23 1995-07-21 서울대학교공과대학교육연구재단 비정상 입자성장을 이용한 저전압 바리스터 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR880006723A (ko) * 1986-11-28 1988-07-23 오하라 시게또 전압 비선형 저항기 및 그 제조방법
KR890008861A (ko) * 1987-11-12 1989-07-12 이노쿠마 도키히사 비직선 저항체 및 그의 제조방법
KR920015400A (ko) * 1991-01-29 1992-08-26 고하라 도시히또 전압 비직선 저항체
KR950007948B1 (ko) * 1992-10-23 1995-07-21 서울대학교공과대학교육연구재단 비정상 입자성장을 이용한 저전압 바리스터 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI409829B (zh) 一種高溫使用的氧化鋅突波吸收器
CN104003709A (zh) 避雷器用氧化锌基压敏陶瓷材料及制备方法和应用
CN104341146A (zh) 一种高性能避雷器用氧化锌压敏陶瓷材料
KR100799755B1 (ko) 나노 파우더를 이용한 바리스터 조성물 및 바리스터 제조방법
JP5337073B2 (ja) 電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法
JP2018067640A (ja) 正温度係数抵抗体用組成物、正温度係数抵抗体用ペースト、正温度係数抵抗体ならびに正温度係数抵抗体の製造方法
JP2010103440A (ja) 電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法
JP5334636B2 (ja) 電圧非直線抵抗体、電圧非直線抵抗体を搭載した避雷器及び電圧非直線抵抗体の製造方法
JP5995772B2 (ja) 電圧非直線抵抗体、その製造方法およびそれを含む過電圧保護装置
JP2006245111A (ja) ビスマス系酸化亜鉛バリスタ
JP2002305104A (ja) 電圧非直線抵抗体およびその製造方法
JP2020047686A (ja) 酸化亜鉛素子
JP2020047685A (ja) 酸化亜鉛素子
JP2001052907A (ja) セラミック素子とその製造方法
JPH04338602A (ja) 酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法
JPS5932043B2 (ja) 電圧非直線抵抗素子の製造方法
JP2003007512A (ja) 非線形抵抗素子
JP2012060003A (ja) 電圧非直線抵抗体素子およびこの製造方法、並びに過電圧保護装置
JPS59169102A (ja) 金属酸化物非直線抵抗体の製造方法
CN109734435A (zh) 一种纳米氧化锌压敏电阻材料及制备方法
JPS5853488B2 (ja) 電圧非直線抵抗体
JPS63132401A (ja) 電圧非直線抵抗体の製造方法
JPS61139002A (ja) 非直線抵抗体の製造方法
JPH0336281B2 (ko)
JPS6322602B2 (ko)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130109

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140109

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150114

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170111

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180105

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190107

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200108

Year of fee payment: 13