KR880005659A - 디할로실란의 열분해로부터 반도전성 비결정질 실리콘 필름을 형성하는 방법 - Google Patents

디할로실란의 열분해로부터 반도전성 비결정질 실리콘 필름을 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

디할로실란의 열분해로부터 반도전성 비결정질 실리콘 필름을 형성하는 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (14)

  1. 기판을 포함하는 반응 챔버중에서 증기상의 디할로실란 또는 디할로실란의혼합물[여기서, 디할로 실란 또는 디할로실란 혼합물의할로겐은 불소, 염소, 브롬 및 요오드로 이루어진 그룹중에서 독립적으로 선택된다]을 400 내지 600℃의온도에서 분해시킴을 특징으로 하여 기판상에 비결정질 중합체 실리콘-함유필름을 형성하는 방법.
  2. 기판을 포함하는 반응 챔버중에서 증기상의 디플루오로실란을 400내지 600℃의온도에서 분해시킴을 특징으로 하여 기판상에 비결정질 중합체 실리콘-함유 필름을 형성하는 방법.
  3. 기판을 포함하는 반응 챔버중에서 증기상의 디클로로실란을 400 내지 600℃의온도에서 분해시킴을 특징으로 하여 기판상에 비결정질 중합체 실리콘-함유 필름을 형성하는 방법.
  4. 기판을 포함하는 반응 챔버중에서 증기상의 디브로모시란을 400 내지 600℃의 온도에서 분해시킴을 특징으로 하여 기판상에 비결정질 중합체 실리콘-함유 필름을 형성하는 방법.
  5. 기판을 포함하는 반응 챔버중에서 증기상의 디요오도실란을 400 내지 600℃의 온도에서 분해시킴을 특징으로 하여 기판상에 비결정질 중합체 실리콘-함유필름을 형성하는 방법.
  6. 제1항에 따르는 방법에 의해 제조되는 비결정질 실리콘-함유 필름.
  7. 제6항에 따르는 필름을 함유하는 전자장치.
  8. 제6항에 따르는 필름을 함유하는 광전지장치.
  9. 기판을 포함하는 반응 챔버중에서 증기상의 디할로실란 또는 디할로실란의 혼합물[여기서, 디할로실란 또는 디할로실란 혼합물의 할로겐은 불소, 염소, 브롬 및 요오드로 이루어진 그룹중에서 독립적으로 선택된다]을 400 내지 600℃의 온도에서 분해시킴을 특징으로 하여 기판상의 내인소성 보호 피복물을 제조하는 방법.
  10. 제9항에 따르는 방법에 의해 제조되는 내인소성 피복물로 피복된 기판.
  11. 기판을 포함하는 반응 챔버중에서 증기상의 디할로실란 또는 디할로실란의혼합물[여기서, 디할로실란 또는 디할로실란 혼합물의 할로겐은, 불소, 염소, 브롬 및 요오드로 이루어진 그룹중에서 독립적으로 선택된다]을 400 내지 600℃의 온도에서 분해시킴을 특징으로 하여 기판상의 내식성 보호 피복물을 제조하는 방법.
  12. 제11항에 따르는 방법에 의해 제조되는 내식성 보호 피복물.
  13. 기판을 포함하는 반응 챔버중에서 증기상의 디할로실란 또는 디할로실란의 혼합물[여기서, 디할로실란 또는 디할로실란 혼합물의 할로겐은 불소, 염소, 브롬 및 요오드로 이루어진 그룹중에서 독립적으로 선택된다]을 400 내지 600℃의 온도에서 분해시킴을 특징으로 하여 기판상의 기밀 차단 피복물을 제조하는 방법.
  14. 제13항에 따르는 방법에 의해 제조되는 기밀 차단 피복물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870011030A 1986-10-03 1987-10-02 디할로실란의 열분해로부터 반도전성 비결정질 실리콘 필름을 형성하는 방법 KR960006683B1 (ko)

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