KR880008443A - 전자장치 보호용 다층 세라믹 피복물을 형성하는 방법 - Google Patents
전자장치 보호용 다층 세라믹 피복물을 형성하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR880008443A KR880008443A KR870013837A KR870013837A KR880008443A KR 880008443 A KR880008443 A KR 880008443A KR 870013837 A KR870013837 A KR 870013837A KR 870013837 A KR870013837 A KR 870013837A KR 880008443 A KR880008443 A KR 880008443A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- coating
- ceramic
- preceramic
- silicon
- type
- Prior art date
Links
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 title claims 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 151
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 147
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 78
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 66
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims 41
- -1 aluminum alkoxides Chemical class 0.000 claims 39
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 38
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 26
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 claims 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 23
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 19
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 18
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 16
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 16
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 15
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 claims 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims 14
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical group C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 13
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 claims 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 13
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 claims 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 13
- 150000004756 silanes Chemical group 0.000 claims 13
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 13
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 13
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- DZPJVKXUWVWEAD-UHFFFAOYSA-N [C].[N].[Si] Chemical compound [C].[N].[Si] DZPJVKXUWVWEAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 8
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 8
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 7
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims 7
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 claims 2
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 claims 2
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (28)
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지로크늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물 용액을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물로 피복시키고; (B) 희석된 예비 세라믹 피복물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 혼합물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피목물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ)(ⅰ) 실리콘 질소-함유 피복물, (ⅱ) 실리콘 탄소-함유 피복물 및 (ⅲ)실리콘 탄소 질소-함유 피복물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 표면안정화 피복물을 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물에 적용시키는데, 여기에서 실리콘 질소-함유 피복물은 (a) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, (b) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 보강된 화학적 증착 및 (c) 실리콘 및 질소-함유 예비세라믹 중합체의 세라믹화로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 전자장치의 평면화 피복물에 적용되며; 실리콘 탄소 질소-함유 피복물은 (1) 헥사메틸디살라잔의 화학적 증착, (2) 헥사메틸디실라잔의 팔라스마 보강된 화학적 증착, (3) 탄소수 1내지 6의 알칸 또는 알칸실란의 존재하 및 추가로 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실탄, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물의 화학적 증착 및 (4) 탄소수 1내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하 및 추가로 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 보강된 화학적 증착으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 세라믹 또느 세라믹형 피복된 전자장치에 적용되고; 실리콘 탄소-함유 피복물은 (I) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알칼실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착 및 (ⅱ) 탄소수 1내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 보강된 화학적 증착으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 층착되어 표면안정화 피복물을 제공하며; (Ⅲ) (i) 실리콘 피복물, (ⅱ) 실리콘 탄소-함유 피복물, (ⅲ) 실리콘 질소-함유 피복물 및 (ⅳ) 실리콘 탄소 질소-함유 피복물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 실리콘-함유 피복물을 표면안정화 피복물에 적용시키는데, 여기에서 실리콘 피복물은 (a) 실란, 할로실린, 할로디실란, 할로폴릴실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, (b) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 보강된 화학적 증착 또는 (c) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란또는 이의 혼합물의 금속 보조 화학적 증착으로 이루어진 그룹으로 부터의 선택된 방법에 의해 표면안정화 피복물에 적용되며; 실리콘 탄소-함유 피복물은 (1) 탄소수 1내지 6의 알칸 또는 알킨실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착 또는 (2) 탄소수 1내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 보강된 화학적 증착으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 적용되고; 실리콘 질소-함유 피복물은 (A) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, (B)암모니아의 존재하에 실란, 할로실란,할로디실란, 할로폴리실란 또는 이으 혼합물의 플라스마 보강된 학학적 증착 및 (C) 실리콘 및 질소-함유 예비세라믹 중합체의 세라믹화로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 증착되며; 실리콘 탄소 질소-함유 피복물은 (i) 헥사메틸디실라잔의 화학적 증착, (ⅱ) 헥사메틸디실라잔의 플라스마 보강된 화학적 증착, (ⅲ) 탄소수 1내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하 및 추가로 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착 및 (ⅳ) 탄소수 1내지 6의 알칸 및 알킬실란의 존재하 및 추가로 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할도디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 보강된 화학적 증착으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 증착되어 실리콘-함유 피복물을 생성함으로써 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 전자장치상에서 수득되는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세마릭-형 다층 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지로크늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물로 피복시키고; (B) 희석된 예비 세라믹 피복물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 혼합물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피목물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ)(ⅰ) 실리콘 질소-함유 피복물, (ⅱ) 실리콘 탄소-함유 피복물 및 (ⅲ)실리콘 탄소 질소-함유 피복물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 표면안정화 피복물을 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물에 적용시키는데, 여기에서 실리콘 질소-함유 피복물은 (a) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, (b)암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 보강된 화학적 증착 또는 (c) 실리콘 및 질소-함유 예비세라믹 중합체의 세라믹화로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 전자장치의 피복물에 적용되며; 실리콘 탄소 질소-함유 피복물은 (1) 헥사메틸디살라잔의 화학적 증착, (2) 헥사메틸디실라잔의 팔라스마 보강된 화학적 증착, (3) 탄소수 1내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하 및 추가로 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착 및 (4) 탄소수 1내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하 및 추가로 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 보강된 화학적 증착으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 방법에 의해 세라믹 또는 세라믹형 피복된 전자장치에 적용되고;실리콘 탄소-함유 피복물은 (i) 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알칼실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 혼합물의 화학적 증착 및 (ii) 탄소수 1내지 6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 보강된 화 학적 증착으로 이루어진 그룹으로 부터 선택된 방법에 의해 증착되어 표면안전화 피복물을 생성함으로써 세라믹 또는 세라믹-형 2중층 피복물이 전자장치상에서 수독되는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세라믹-형 2중층 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- (A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 피복물로 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비 세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 생성시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세라믹-형 단일층 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물로 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) 세라믹 피복된 장치의 존재하에 200 내지 600℃의 온도에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물을 반응 챔버중에서 분해 시켜 실리콘-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 적용시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 함유하는 전자장치를 수득하는 단계로이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 지지체상에 형성되는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물로 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치의 존재하에 200 내지 1000℃의 온도에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물, 및 암모니아를 반응 챔버중에서 분해시켜 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 적용시킴으로써 세라믹 도는 세라믹-형 다층 피복물을 함유하는 전자장치를 수득하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물로 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화함으로써 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치의 존재하에 200 내지 1000℃의 온도에서 증기상의 실란, 알킬실란 ,할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물, 탄소수 1 내지 6의 알칸 또는 알킬실란을 반응 챔버중에서 분해 시켜 실리콘 탄소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 적용시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 함유하는 전자장치를 수득하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 전자 장치 보호용, 또는 다른 기능상의 목적을 위한 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 다층 지지체상에 형성하는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 용액을 전자장치에 적용시킨 전자장치를 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물로 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 전자장치상에 예비세라믹 피복물을 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시킨 다음; (Ⅱ) 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치의 존재하에 200 내지 600℃의 온도에서 증기상의 헥사메틸디실라잔을 반응 챔버중에서 분해시켜 실리콘 탄소 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 적용시킴으로써 세람믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 함유하는 전자장치를 수득하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 전자장치 보호용, 또는 다른 기능상의 목적을 위한 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- 제1항의 방법에 의해 제조된 피복물.
- 제2항의 방법에 의해 제조된 피복물.
- 제3항의 방법에 의해 제조된 피복물.
- 제4항의 방법에 의해 제조된 피복물.
- 제5항의 방법에 의해 제조된 피복물.
- 제6항의 방법에 의해 제조된 피복물.
- 제7항의 방법에 의해 제조된 피복물.
- 제1항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제2항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제3항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제4항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제5항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제6항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제7항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물을 용액을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물을 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 전자장치의 평면화 피복물을 희석된 예 비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용액에 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체용액을 전조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복들은 전자장치의 평면화 피복물에 증착시키고, 피복된 장치를 불확성 또는 암모니아 -함유 대기중에서 200 내지 1000℃의 온도로 가열하여 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 생성시킴으로써 실리콘 질소-함유 물질로 이루어진 표면안정화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 적용시킨 다음; (Ⅲ) 세라믹 도는 세라믹-형 피복된 장치의 존재하에 200 내지 600℃의 온도에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란 또는 이의 혼합물을 반응 챔버중에서 분해시켜 실리콘-함유 피복물을 세라믹 피복된 장치에 적용시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 함유하는 전자장치를 수득하는 단계로 이루어짐을 특 징으로 하는 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물을 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시킨 다음, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 전자장치의 평면화 피복물상에 증착시키고, 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기중에서 200 내지 1000℃의 온도로 가열하여 실리콘 질소-함유 피복물을 생성시킴으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질로 이루어진 표면안정화 피복물을 전자장치의 평면화 피복물에 적용시킨 다음, (Ⅲ) 피복된 장치의 존재하에 200 내지 1000℃의 온도에서 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물 및 암모니아를 반응 챔버중에서 분해시켜 실리콘 질소-함유 피복물을 피복된 장치에 적용시킴으로서 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 함유하는 전자장치를 수득하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물을 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 전자장치의 평면화 피복물을 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시킨 다음, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 전자장치의 평면화 피복물상에 증착시키고, 이어서 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기중에서 200 내지 1000℃의 온도로 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 실리콘 질소-함유 피복물을 생성함으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질로 이루어진 표면안정화 피복물을 전자장치의 평면화 피복물에 적용시킨 다음; (Ⅲ) 피복된 장치의 존재하에 200 내지 1000℃의 온도에설 증기상의 실란, 알킬실란, 할로실란 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물, 및 탄소수 1내지 6의 알칸 도는 알킬실란을 반응 챔버중에서 분해시켜 실리콘 탄소-함유 피복물을 피복된 장치에 적용시킴으로서 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 함유하는 전자장치를 수득하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물을 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 세라믹 도는 세라믹-형 피복된 장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시킨 다음, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 전자장치의 평면화 피복물상에 증착시키고, 이어서 피복된 장치를 불활성 도는 암모니아-함유 대기중에서 200 내지 1000℃의 온도로 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 실리콘 질소-함유 피복물을 생성함으로서 제조된 실리콘 질소-함유 물질로 이루어진 표면안정화 피복물을 전자장치의 평면화 피복물에 적용시킨 다음; (Ⅲ) 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치의 존재하에 200 내지 1000℃의 온도에서 헥사메틸디실라잔의 화학적 증착으로 실리콘 탄소 질소-함유 피복물을 피복된 장치에 적용시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 함유하는 전자장치를 수득하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물을 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열함으로써 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 세라믹 도는 세라믹-형 피복된 장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시킨 다음, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로 예비세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 전자장치의 평면화 피복물상에 증착시키고, 이어서 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에서 200 내지 1000℃의 온도로 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 실리콘 질소-함유 표면안정화 피복물을 생성함으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질로 이루어진 표면안정화 피복물을 전자장치의 피복물에 전용시킨 다음; (Ⅲ) 세라믹 도는 세라믹-형 피복된 장치의 존재하에 200 내지 1000℃의 온도에서 헥사메틸디실라잔의 플라스마 보강된 화학적 증착으로 실리콘 탄소 질소-함유 피복물을 표면화 피복물에 적용시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 함유하는 전자장치를 수득하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세라믹-형 다층 피복물을 지지체상에 형성하는 방법.
- (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지, 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드로 이루어진 그룹으로부터 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시킨 다음, 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 전자장치에 적용시켜 전자장치를 평면화 피복물을 피복시키고; (B) 희석된 예비세라믹 혼합물 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 피복물을 전자장치상에 증착시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃의 온도로 가열하열 예비세라믹 피복물을 실리콘 디옥사이드 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 생성시키고; (Ⅱ) 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매에 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시킨 다음, 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 시릴콘 질소-함유 피복물을 전자장치의 표면 안정화 피복물상에 증착시키고, 이어서 피복된 장치를 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에서 200 내지 400℃의 온도로 가열하여 표면안정화 실리콘 질소-함유 피복물을 생성함으로써 제조된 실리콘 질소-함유 물질로 이루어진 표면안정화 피복물을 전자장치의 평면화 피복물에 적용시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 2중층 피복물을 전자장치상에 생성시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 세라믹 또는 세라믹-형 2중층 피복믈을 지지체상에 형성하는 방법.
- (1) 사이클릭 실라잔 또는 사이클럭 실라잔의 혼합물을 할로디실란 및 할로실란으로 이우러진 그룹으로부터 선택된 실리콘-함유 물질과 접촉시킴으로써 생성된 실리콘 및 질소-함유 예비세라믹 중합체를 용매로 희석시키고; (2) 지지체를 희석된 예비세라믹 중합체 용매 용액으로 피복시킨 다음, (3) 희석된 에비세라믹 중합체 용매 용액을 공기의 부재하에 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비세라믹 중합 피복물을 지지체상에 증착시키고; (4) 피복된 지지체를 공기의 부재하에 가열하여 세라막 또는 세라믹-형 피복된 지지체를 생성시키는 단계로 이루어짐을 특징으로 하여 지지체를 세라믹 또는 세라믹-형 실리콘 질소-함유 물질로 피복시키는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US938,677 | 1978-08-31 | ||
| US06/938,677 US4753855A (en) | 1986-12-04 | 1986-12-04 | Multilayer ceramic coatings from metal oxides for protection of electronic devices |
| US938677 | 1986-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880008443A true KR880008443A (ko) | 1988-08-31 |
| KR950014274B1 KR950014274B1 (ko) | 1995-11-24 |
Family
ID=25471786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870013837A KR950014274B1 (ko) | 1986-12-04 | 1987-12-04 | 금속 산화물로부터 전자 장치 보호용 다층 세라믹피막의 형성방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4753855A (ko) |
| EP (1) | EP0270263B1 (ko) |
| JP (1) | JPH0646631B2 (ko) |
| KR (1) | KR950014274B1 (ko) |
| CA (1) | CA1329736C (ko) |
| DE (1) | DE3789605T2 (ko) |
| ES (1) | ES2010233A6 (ko) |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910003742B1 (ko) * | 1986-09-09 | 1991-06-10 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | Cvd장치 |
| US5708252A (en) * | 1986-09-26 | 1998-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Excimer laser scanning system |
| US6149988A (en) * | 1986-09-26 | 2000-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| US4808653A (en) * | 1986-12-04 | 1989-02-28 | Dow Corning Corporation | Coating composition containing hydrogen silsesquioxane resin and other metal oxide precursors |
| US6261856B1 (en) | 1987-09-16 | 2001-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and system of laser processing |
| US4849296A (en) * | 1987-12-28 | 1989-07-18 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramic coatings from metal oxides and hydrogen silsesquioxane resin ceramified in ammonia |
| US6756670B1 (en) | 1988-08-26 | 2004-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its manufacturing method |
| US5147822A (en) * | 1988-08-26 | 1992-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing method for improving a package of a semiconductor device |
| US5336532A (en) * | 1989-02-21 | 1994-08-09 | Dow Corning Corporation | Low temperature process for the formation of ceramic coatings |
| US4970097A (en) * | 1989-03-16 | 1990-11-13 | Owens-Corning Fiberglas Corporation | Method for forming abrasion resistant coating on fibrous glass substrate |
| JP2777903B2 (ja) * | 1989-04-14 | 1998-07-23 | 日本カーボン株式会社 | 耐熱耐食性無機材料およびその製造方法 |
| US4999397A (en) * | 1989-07-28 | 1991-03-12 | Dow Corning Corporation | Metastable silane hydrolyzates and process for their preparation |
| US5085893A (en) * | 1989-07-28 | 1992-02-04 | Dow Corning Corporation | Process for forming a coating on a substrate using a silsesquioxane resin |
| CA2027031A1 (en) * | 1989-10-18 | 1991-04-19 | Loren A. Haluska | Hermetic substrate coatings in an inert gas atmosphere |
| US5183684A (en) * | 1989-11-20 | 1993-02-02 | Dow Corning Corporation | Single and multilayer coatings containing aluminum nitride |
| US4973526A (en) * | 1990-02-15 | 1990-11-27 | Dow Corning Corporation | Method of forming ceramic coatings and resulting articles |
| US5059448A (en) * | 1990-06-18 | 1991-10-22 | Dow Corning Corporation | Rapid thermal process for obtaining silica coatings |
| DE4036988A1 (de) * | 1990-11-20 | 1992-05-21 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur herstellung von metallopolysilanen und deren verwendung |
| US5312684A (en) * | 1991-05-02 | 1994-05-17 | Dow Corning Corporation | Threshold switching device |
| US5339211A (en) * | 1991-05-02 | 1994-08-16 | Dow Corning Corporation | Variable capacitor |
| US5458912A (en) * | 1993-03-08 | 1995-10-17 | Dow Corning Corporation | Tamper-proof electronic coatings |
| US5304398A (en) * | 1993-06-03 | 1994-04-19 | Watkins Johnson Company | Chemical vapor deposition of silicon dioxide using hexamethyldisilazane |
| US5661092A (en) * | 1995-09-01 | 1997-08-26 | The University Of Connecticut | Ultra thin silicon oxide and metal oxide films and a method for the preparation thereof |
| US5807611A (en) * | 1996-10-04 | 1998-09-15 | Dow Corning Corporation | Electronic coatings |
| US5711987A (en) * | 1996-10-04 | 1998-01-27 | Dow Corning Corporation | Electronic coatings |
| US5707681A (en) * | 1997-02-07 | 1998-01-13 | Dow Corning Corporation | Method of producing coatings on electronic substrates |
| US6015457A (en) * | 1997-04-21 | 2000-01-18 | Alliedsignal Inc. | Stable inorganic polymers |
| US6143855A (en) | 1997-04-21 | 2000-11-07 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with high organic content |
| US6743856B1 (en) | 1997-04-21 | 2004-06-01 | Honeywell International Inc. | Synthesis of siloxane resins |
| US6218497B1 (en) | 1997-04-21 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with low organic content |
| US6177199B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-01-23 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content |
| US6218020B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content |
| JP2003502449A (ja) * | 1999-06-10 | 2003-01-21 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | フォトリソグラフィ用スピンオンガラス反射防止コーティング |
| US6440550B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-08-27 | Honeywell International Inc. | Deposition of fluorosilsesquioxane films |
| US6472076B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-10-29 | Honeywell International Inc. | Deposition of organosilsesquioxane films |
| US6368400B1 (en) * | 2000-07-17 | 2002-04-09 | Honeywell International | Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
| US8053159B2 (en) | 2003-11-18 | 2011-11-08 | Honeywell International Inc. | Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof |
| CN100544836C (zh) * | 2003-12-18 | 2009-09-30 | 杂混复合塑料公司 | 作为涂料、复合材料和添加剂的多面体低聚倍半硅氧烷和金属化的多面体低聚倍半硅氧烷 |
| US8011205B2 (en) | 2004-12-27 | 2011-09-06 | Cool Gear International, Llc | Food storage system |
| US7380412B2 (en) | 2004-07-21 | 2008-06-03 | Donna Roth | Food storage system |
| US7170093B2 (en) * | 2004-11-05 | 2007-01-30 | Xerox Corporation | Dielectric materials for electronic devices |
| US8642246B2 (en) | 2007-02-26 | 2014-02-04 | Honeywell International Inc. | Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof |
| WO2008122292A1 (en) * | 2007-04-04 | 2008-10-16 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) | Diffusion-barrier coating for protection of moisture and oxygen sensitive devices |
| US9953952B2 (en) * | 2008-08-20 | 2018-04-24 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device having a sealant layer including carbon directly contact the chip and the carrier |
| US8557877B2 (en) | 2009-06-10 | 2013-10-15 | Honeywell International Inc. | Anti-reflective coatings for optically transparent substrates |
| US8840970B2 (en) * | 2011-01-16 | 2014-09-23 | Sigma Laboratories Of Arizona, Llc | Self-assembled functional layers in multilayer structures |
| US8864898B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-21 | Honeywell International Inc. | Coating formulations for optical elements |
| TWI633640B (zh) * | 2013-12-16 | 2018-08-21 | 新力股份有限公司 | Semiconductor element, method of manufacturing semiconductor element, and electronic device |
| JP6803842B2 (ja) | 2015-04-13 | 2020-12-23 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッドＨｏｎｅｙｗｅｌｌ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｃ． | オプトエレクトロニクス用途のためのポリシロキサン製剤及びコーティング |
| CN109427692B (zh) * | 2017-08-23 | 2020-11-20 | Tcl科技集团股份有限公司 | 封装薄膜及其应用 |
| FI129480B (en) * | 2018-08-10 | 2022-03-15 | Pibond Oy | Silanol-containing organic-inorganic hybrid coatings for high-resolution patterning |
| KR20230097508A (ko) * | 2021-12-24 | 2023-07-03 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3061587A (en) * | 1960-05-03 | 1962-10-30 | Hughes Aircraft Co | Ordered organo silicon-aluminum oxide copolymers and the process of making same |
| US3615272A (en) * | 1968-11-04 | 1971-10-26 | Dow Corning | Condensed soluble hydrogensilsesquioxane resin |
| US3859126A (en) * | 1970-10-27 | 1975-01-07 | Owens Illinois Inc | Ceramic substrates hermetically sealed with vitreous coatings |
| US4340619A (en) * | 1981-01-15 | 1982-07-20 | Dow Corning Corporation | Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom |
| US4312970A (en) * | 1981-02-20 | 1982-01-26 | Dow Corning Corporation | Silazane polymers from {R'3 Si}2 NH and organochlorosilanes |
| US4395460A (en) * | 1981-09-21 | 1983-07-26 | Dow Corning Corporation | Preparation of polysilazane polymers and the polymers therefrom |
| EP0076656B1 (en) * | 1981-10-03 | 1988-06-01 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same |
| JPS5866335A (ja) * | 1981-10-16 | 1983-04-20 | Fujitsu Ltd | 集積回路 |
| US4397828A (en) * | 1981-11-16 | 1983-08-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Stable liquid polymeric precursor to silicon nitride and process |
| CA1204527A (en) * | 1982-08-13 | 1986-05-13 | Theodore F. Retajczyk, Jr. | Polymeric films for electronic circuits |
| JPS6085548A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Nec Corp | 集積回路装置 |
| US4540803A (en) * | 1983-11-28 | 1985-09-10 | Dow Corning Corporation | Hydrosilazane polymers from [R3 Si]2 NH and HSiCl3 |
| US4543344A (en) * | 1983-11-28 | 1985-09-24 | Dow Corning Corporation | Silicon nitride-containing ceramic material prepared by pyrolysis of hydrosilazane polymers from (R3 Si)2 NH and HSiCl3 |
| US4482669A (en) * | 1984-01-19 | 1984-11-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Preceramic organosilazane polymers |
| US4482689A (en) * | 1984-03-12 | 1984-11-13 | Dow Corning Corporation | Process for the preparation of polymetallo(disily)silazane polymers and the polymers therefrom |
| US4535007A (en) * | 1984-07-02 | 1985-08-13 | Dow Corning Corporation | Silicon nitride-containing ceramics |
| US4756977A (en) * | 1986-12-03 | 1988-07-12 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane |
| US4826733A (en) * | 1986-12-03 | 1989-05-02 | Dow Corning Corporation | Sin-containing coatings for electronic devices |
| US4822697A (en) * | 1986-12-03 | 1989-04-18 | Dow Corning Corporation | Platinum and rhodium catalysis of low temperature formation multilayer ceramics |
-
1986
- 1986-12-04 US US06/938,677 patent/US4753855A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-10-19 CA CA000549574A patent/CA1329736C/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-11 DE DE3789605T patent/DE3789605T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-11-11 EP EP87309966A patent/EP0270263B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-30 ES ES8703427A patent/ES2010233A6/es not_active Expired
- 1987-12-03 JP JP62304654A patent/JPH0646631B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-04 KR KR1019870013837A patent/KR950014274B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1329736C (en) | 1994-05-24 |
| KR950014274B1 (ko) | 1995-11-24 |
| DE3789605T2 (de) | 1994-11-03 |
| US4753855A (en) | 1988-06-28 |
| ES2010233A6 (es) | 1989-11-01 |
| JPS63152131A (ja) | 1988-06-24 |
| EP0270263B1 (en) | 1994-04-13 |
| DE3789605D1 (de) | 1994-05-19 |
| JPH0646631B2 (ja) | 1994-06-15 |
| EP0270263A3 (en) | 1989-12-13 |
| EP0270263A2 (en) | 1988-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR880008443A (ko) | 전자장치 보호용 다층 세라믹 피복물을 형성하는 방법 | |
| KR880008438A (ko) | 수소 실세스퀴옥산으로 부터의 다층 세라믹 | |
| KR890011065A (ko) | 백금 또는 로듐 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 및 금속 산화물로부터의 다층 세라믹 피복물 | |
| KR940001624B1 (ko) | 저온 형성 다중층 세라믹의 백금 및 로듐 촉매화 | |
| KR880008439A (ko) | 실리케이트 에스테르로부터의 다중층 세라믹 | |
| KR100313382B1 (ko) | 실라잔중합체로부터유도된실리카피막을전자기판에부착시키는방법 | |
| EP0461782B1 (en) | Conversion of silica precursors to silica at low temperatures | |
| JP2977882B2 (ja) | 不活性ガス雰囲気下の気密基板コーティング法 | |
| JP2591863B2 (ja) | 超小形電子デバイスおよび基材用コーティング | |
| EP0429272B1 (en) | Single and multilayer coatings containing aluminum nitride | |
| US4898907A (en) | Compositions of platinum and rhodium catalyst in combination with hydrogen silsesquioxane resin | |
| KR890011069A (ko) | 세라믹 피복물을 기재위에 형성시키는 방법 | |
| KR890011070A (ko) | 세라믹 피복물을 지지체위에 형성하는 방법 | |
| KR950006348B1 (ko) | 전자 장치를 위한 실리콘 질소 함유 피복물 형성 방법 및 그 피복물 | |
| KR100285872B1 (ko) | 붕규산염 전자 도료 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20011117 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |