KR890011065A - 백금 또는 로듐 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 및 금속 산화물로부터의 다층 세라믹 피복물 - Google Patents

백금 또는 로듐 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 및 금속 산화물로부터의 다층 세라믹 피복물 Download PDF

Info

Publication number
KR890011065A
KR890011065A KR870013838A KR870013838A KR890011065A KR 890011065 A KR890011065 A KR 890011065A KR 870013838 A KR870013838 A KR 870013838A KR 870013838 A KR870013838 A KR 870013838A KR 890011065 A KR890011065 A KR 890011065A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ceramic
coating
diluted
electronic device
silicon
Prior art date
Application number
KR870013838A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950011561B1 (ko
Inventor
앤드류 할루스카 로렌
윈튼 마이클 케이트
타레이 레오
Original Assignee
노르만 에드워드 루이스
다우 코닝 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 노르만 에드워드 루이스, 다우 코닝 코포레이션 filed Critical 노르만 에드워드 루이스
Publication of KR890011065A publication Critical patent/KR890011065A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950011561B1 publication Critical patent/KR950011561B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/1208—Oxides, e.g. ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
    • C23C18/122—Inorganic polymers, e.g. silanes, polysilazanes, polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1295—Process of deposition of the inorganic material with after-treatment of the deposited inorganic material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31652—Of asbestos
    • Y10T428/31663—As siloxane, silicone or silane

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

백금 또는 로듐 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 및 금속 산화물로부터의 다층 세라믹 피복물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (29)

  1. (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 수소 실세스퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매화 하고, 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 전자장치에 적용시킴에 의해 평면화 피복물로 피복시키고 ; (B) 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 저자 장치상에 침착시키고 ; (C) 피복된 장치를 150 내지 100℃로 가열함으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키고 ; (Ⅱ) 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물에 (ⅰ) 실리콘 질소-함유 피복물, (ⅱ) 실리콘 탄소-함유 피복물, 및 (ⅲ) 실리콘 탄소 질소-함유 피복물중에서 선택된 안정화 피복물을 적용하며, 여기에서 실리콘 질소-함유 피복물은 (a) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기침착, (b) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착, (c) 실리콘 및 질소-함유 예비 세라믹 중합체의 세라믹화로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 전자장치의 평면화 피복물상에 적용하고 ; 실리콘 탄소-질소 함유 피복물은 (1) 헥사메틸디살라잔의 화학적 증기침착, (2) 헥사메틸디실라잔의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착, (3) C1내치 C6의 알칼, 또는 알킬실란의 존재하 및 또한 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기침착, 및 (4) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하 및 또한 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기침착으로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 전자장치의 평면화 피복물상에 적용하며 ; 실리콘 탄소-함유 피복물은 (ⅰ) C1내지 C6의 알칸, 또는 알킬실란의 존재하에 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착 및 (ⅱ) C1내지 C6의 알칸, 또는 알킬실란의 존재하에 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착으로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 침착시켜, 안정화 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 형성시키며 ; (Ⅲ) 안정화 세라믹 또는 세라믹형 피복물에 (ⅰ) 실리콘 피복물, (ⅱ) 실리콘 탄소 함유 피복물, (ⅲ) 실리콘 질소-함유 피복물, 및 (ⅳ) 실리콘 탄소 질소-함유 피복물중에서 선택된 실리콘 함유 피복물을 적용하며, 여기에서 실리콘 피복물은 (a) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기침착, (b) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착, 또는 (c) 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 금속 보조 화학적 증기 침착으로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 안정화 피복물상에 적용하고, 실리콘 탄소-함유 피복물은 (1) C1내지 C6의 알칸, 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기침착, (2) C1내지 C6의 알칸, 또는 알킬실란의 존재하에 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착으로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 적용하며 ; 실리콘 질소-함유 피복물은 (A) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, (B) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 실로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착, 및 (C) 실리콘 및 질소-함유 예비 세라믹 중합체의 세라믹화로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 침착시키고, 실리콘 탄소 질소-함유 피복물은 (ⅰ) 헥사메틸디실라잔의 화학적 증기 침착, (ⅱ) 헥사메틸디실라잔의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착, (ⅲ) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하 및 또한 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착, 및 (ⅳ) C1내지 C6의 알칸, 또는 알킬실란의 존재하 및 또한 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착으로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 침착시켜 실리콘-함유 피복물을 형성시킴으로써, 전자장치상에 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 수득함을 포함하는, 기질상에 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 형성시키는 방법.
  2. (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 수소 실세스 퀴옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 전자장치에 적용시킴에 의해 전자장치를 평면화 피복물로 피복시키고 ; (B) 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘으로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키고 ; (Ⅱ) 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물에 (ⅰ) 실리콘 질소-함유 피복물, (ⅱ) 실리콘 탄소-함유 피복물, 및 (ⅲ) 실리콘 탄소 질소-함유 피복물중에서 선택된 안정화 피복물을 적용시키며, 여기에서 실리콘 질소-함유 피복물은 (a) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기침착, (b) 암모니아의 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착, (c) 실리콘 및 질소-함유 예비 세라믹 중합체의 세라믹화로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 전자장치의 평면화 피복물상에 적용하고 ; 실리콘 탄소-질소 함유 피복물은 (1) 헥사메틸디실라잔의 화학적 증기침착, (2) 헥사메틸디실라잔의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착, (3) C1내치 C6의 알칸, 또는 알킬실란의 존재하 및 또한 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기침착, 및 (4) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하 및 또한 암모니아의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기침착으로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 세라믹 또는 세라믹형 피복된 전자장치상에 적용시키며; 실리콘 탄소-함유 피복물은 (ⅰ) C1내지 C6의 알칸, 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증기 침착 및 (ⅱ) C1내지 C6의 알칸, 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라즈마 증진 화학적 증기 침착으로 이루어진 공정중에서 선택된 방법에 의해 침착시켜, 안정화 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 형성시킴으로써 2층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 전자장치상에 수득함을 포함하는, 기질상에 2층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 형성시키는 방법.
  3. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 악콕사이드, 티타늄 알콕사이드 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 수소 실세스퀴옥산 혼합 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화하고, 희석된 촉매와 예비 세라믹 혼합 용액을 전자장치에 적용시킴에 의해 전자장치를 평면화 피복물로 피복시키고; (B) 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 촉매화된 금속 산화물 전구체/수소 실세스퀴옥산 수지 예비 세라믹 피복물을 전자장치상에 침착시키고 ; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 촉매화된 예비세라믹 피복물을 이산화 실리콘 및 금속 산화물을 세라믹화하여 전자 장치상에 단일층 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시킴을 포함하는, 기질상에 단일층 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키는 방법.
  4. (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매화 하고, 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 전자장치에 적용시킴에 의해 평면화 피복물로 피복시키고 ; (B) 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키고 ; (Ⅱ) 200 내지 600℃에서, 세라믹 피복장치의 존재하에, 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물을 반응용기에서 분해시킴으로써 세라믹 또는 세라믹형 피복장치에 실리콘-함유 피복물을 적용하여, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 그 상부에 함유하는 전자장치를 수득함을 포함하는, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  5. (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 악콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 전자장치에 적용시킴에 의해 평면화 피복물로 피복시키고 ; (B) 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키고 ; (Ⅱ) 150 내지 1000℃에서, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치의 존재하에, 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물을 반응용기에서 분해시킴으로써 세라믹 또는 세라믹형 피복장치에 실리콘 질소-함유 피복물을 적용하여, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 그 상부에 함유하는 전자장치를 수득함을 포함하는, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  6. (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 전자장치에 적용시킴에 의해 평면화 피복물로 피복시키고 ; (B) 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키고 ; (Ⅱ) 150 내지 1000℃에서, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치의 존재하에, 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물 및 C1내지 C6의 알칸, 및 알킬실란을 반응용기에서 분해시킴으로써 세라믹 또는 세라믹형 피복장치에 실리콘 탄소-함유 피복물을 적용하여, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 그 상부에 함유하는 전자장치를 수득함을 포함하는, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  7. (I)(A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 전자장치에 적용시킴에 의해 평면화 피복물로 피복시키고 ; (B) 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; (C) 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키고 ; (Ⅱ) 150 내지 1000℃에서, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치의 존재하에, 증기상의 헥사메틸디실라잔을 반응용기에서 분해시킴으로써 세라믹 또는 세라믹형 피복장치에 실리콘 탄소 질소-함유 피복물을 적용하여, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 상부에 함유하는 전자장치를 수득함을 포함하는, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  8. 제 1 항에 따른 방법으로 제조한 피복물.
  9. 제 2 항에 따른 방법으로 제조한 피복물.
  10. 제 3 항에 따른 방법으로 제조한 피복물.
  11. 제 4 항에 따른 방법으로 제조한 피복물.
  12. 제 5 항에 따른 방법으로 제조한 피복물.
  13. 제 6 항에 따른 방법으로 제조한 피복물.
  14. 제 7 항에 따른 방법으로 제조한 피복물.
  15. 제 1 항에 따른 방법으로 피복시킨 전자장치.
  16. 제 2 항에 따른 방법으로 피복시킨 전자장치.
  17. 제 3 항에 따른 방법으로 피복시킨 전자장치.
  18. 제 4 항에 따른 방법으로 피복시킨 전자장치.
  19. 제 5 항에 따른 방법으로 피복시킨 전자장치.
  20. 제 6 항에 따른 방법으로 피복시킨 전자장치.
  21. 제 7 항에 따른 방법으로 피복시킨 전자장치.
  22. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 전자장치를 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액으로 피복시키고 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키는 방법에 의해 전자장치를 피복물로 피복시키고, (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매중에서 희석하고, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시키고, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹형 피복 전자장치에 침착시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기중에서 피복 장치를 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 형성시키는 방법에 의해 생성된 실리콘 질소-함유 물질을 포함하는 안정화 피복물을 전자장치상의 세라믹 또는 세라믹형 피복물에 적용하고, (C) 200 내지 600℃에서, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치의 존재하에, 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 또는 이의 혼합물을 반응용기에서 분해시킴으로써 전자장치상의 세라믹 또는 세라믹형 피복물에 실리콘-함유 피복물을 적용하여, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 그 상부에 함유하는 전자장치를 수득함을 포함하는, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  23. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 전자장치를 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액으로 피복시키고 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 촉매화된 예비 세라믹 혼합물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키는 방법에 의해 전자장치를 피복물로 피복시키고, (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매중에서 희석하고, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시키고, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹형 피복 전자장치에 침착시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기중에서 피복 장치를 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 형성시키는 방법에 의해 생성된 실리콘 질소-함유 물질을 포함하는 안정화 피복물을 전자장치상의 세라믹 또는 세라믹형 피복물에 적용하고, (Ⅱ) 150 내지 1000℃에서, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치의 존재하에, 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물을 반응용기에서 분해시킴으로써 세라믹 또는 세라믹형 피복장치에 실리콘-함유 피복물을 적용하여, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 상부에 함유하는 전자장치를 수득함을 포함하는, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  24. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 전자장치를 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액으로 피복시키고 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 형성시키는 방법에 의해 전자장치를 피복물로 피복시키고, (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매중에서 희석하고, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시키고, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹형 피복 전자장치에 침착시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기중에서 피복 장치를 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 형성시키는 방법에 의해 생성된 실리콘 질소-함유 물질을 포함하는 안정화 피복물을 전자장치상의 세라믹 또는 세라믹형 피복물에 적용하고, (C) 150 내지 1000℃에서, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치의 존재하에, 증기상의 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란, 또는 이의 혼합물 및 C1내지 C6의 알칸, 또는 알킬실란을 반응용기에서 분해시킴으로써 세라믹 또는 세라믹형 피복장치에 실리콘-함유 피복물을 적용하여, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 상부에 함유하는 전자장치를 수득함을 포함하는 , 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  25. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 전자장치를 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액으로 피복시키고 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키는 방법에 의해 전자장치를 피복물로 피복시키고, (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매중에서 희석하고, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시키고, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹형 피복 전자장치에 침착시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기중에서 피복 장치를 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 형성시키는 방법에 의해 생성된 실리콘 질소-함유 물질을 포함하는 안정화 피복물을 전자장치상의 세라믹 또는 세라믹형 피복물에 적용하고, (C) 150 내지 1000℃에서, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치의 존재하에, 헥사메틸디실라잔을 화학적 증기 침착시킴에 의해 세라믹 또는 세라믹형 피복장치에 실리콘-함유 피복물을 적용함으로써, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 상부에 함유하는 전자장치를 수득함을 포함하는, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  26. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 전자장치를 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액으로 피복시키고 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키는 방법에 의해 전자장치를 피복물로 피복시키고, (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매중에서 희석하고, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시키고, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹형 피복 전자장치에 침착시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기중에서 피복 장치를 150 내지 1000℃로 가열하여 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 형성시키는 방법에 의해 생성된 실리콘 질소-함유 물질을 포함하는 안정화 피복물을 전자장치상의 세라믹 또는 세라믹형 피복물에 적용하고, (C) 150 내지 1000℃에서, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치의 존재하에, 헥사메틸디실라잔을 플라즈마 증진 화학적 증기 침착시킴에 의해 세라믹 또는 세라믹형 피복장치에 실리콘-함유 피복물을 적용함으로써, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 상부에 함유하는 전자장치를 수득함을 포함하는, 다층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  27. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 수소 실세스키옥산 수지 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 전자장치를 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액으로 피복시키고 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 피복물을 전자 장치상에 침착시키고 ; 피복된 장치를 150 내지 1000℃로 가열함으로써 촉매화된 예비 세라믹 혼합물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 평면화 피복물을 형성시키는 방법에 의해 전자장치를 피복물로 피복시키고, (B) 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체를 용매중에서 희석하고, 세라믹 또는 세라믹형 피복장치를 희석된 예비세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액으로 피복시키고, 희석된 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 실리콘 질소-함유 피복물을 세라믹 또는 세라믹형 피복 전자장치에 침착시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기중에서 피복 장치를 150 내지 1000℃로 가열하여 안정화 실리콘 질소-함유 피복물을 형성시키는 방법에 의해 생성된 실리콘 질소-함유 물질을 포함하는 안정화 피복물을 전자장치상의 세라믹 또는 세라믹형 피복물에 적용함으로써 전자장치상에 2층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 제조함을 포함하는 2층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
  28. (1) 사이클릭 실라잔 또는 사이클릭 실라잔의 혼합물을 할로디실란 및 할로실란중에서 선택된 실리콘-함유 물질과 반응시킴으로써 생성되는 실리콘 및 질소-함유 예비 세라믹 중합체를 용매로 희석시키고 ; (2) 희석된 예비 세라믹 중합체 용매 용액으로 기질을 피복하고; (3) 공기 부재하에 희석된 예비 세라믹 중합체 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 예비 세라믹 중합체 피복물을 기질상에 침착시키고; (4) 공기의 부재하에 피복된 기질을 가열하여 세라믹 또는 세라믹형 피복기질을 형성시키는 단계를 포함하는 세라믹 또는 세라믹형 실리콘 질소-함유 물질로 기질을 피복하는 방법.
  29. (A) 수소 실세스퀴옥산 수지 및 알루미늄 알콕사이드, 티타늄 알콕사이드, 및 지르코늄 알콕사이드중에서 선택된 금속 산화물 전구체의 예비 세라믹 혼합물을 용매로 희석시키고, 희석된 예비 세라믹 혼합용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매로 촉매화 하고, 전자장치를 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 백금 촉매 및 로듐 촉매중에서 선택된 금속 촉매화 하고, 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 기질에 적용시킴에 의해 기질을 평면화 피복물로 피복시키고 ; (B) 희석된 촉매화 예비 세라믹 혼합 용액을 건조시켜 용매를 증발시킴으로써 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지/금속 산화물 전구체 예비 세라믹 피복물을 기질상에 침착시키고 ; (C) 피복된 기질을 150 내지 1000℃로 가열함으로써 촉매화된 예비 세라믹 피복물을 이산화실리콘 및 금속 산화물로 세라믹화하여 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 형성시킴을 포함하는 단일층 세라믹 또는 세라믹형 피복물을 기질상에 형성시키는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870013838A 1986-12-04 1987-12-04 백금 또는 로듐 촉매 작용시킨 수소 실세스퀴옥산 수지 및 금속 산화물로부터의 다층 세라믹 피막의 형성방법 및 이로써 형성된 다층 세라믹 피막 KR950011561B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/938,678 US4911992A (en) 1986-12-04 1986-12-04 Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890011065A true KR890011065A (ko) 1989-08-12
KR950011561B1 KR950011561B1 (ko) 1995-10-06

Family

ID=25471788

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870013838A KR950011561B1 (ko) 1986-12-04 1987-12-04 백금 또는 로듐 촉매 작용시킨 수소 실세스퀴옥산 수지 및 금속 산화물로부터의 다층 세라믹 피막의 형성방법 및 이로써 형성된 다층 세라믹 피막

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4911992A (ko)
EP (1) EP0270231B1 (ko)
JP (1) JPH0642475B2 (ko)
KR (1) KR950011561B1 (ko)
CA (1) CA1284748C (ko)
DE (1) DE3784645T2 (ko)
ES (1) ES2010234A6 (ko)

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128494A (en) * 1985-04-26 1992-07-07 Sri International Hydridosiloxanes as precursors to ceramic products
KR910003742B1 (ko) * 1986-09-09 1991-06-10 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 Cvd장치
US4842888A (en) * 1988-04-07 1989-06-27 Dow Corning Corporation Ceramic coatings from the pyrolysis in ammonia of mixtures of silicate esters and other metal oxide precursors
FR2640619A1 (fr) * 1988-12-20 1990-06-22 Europ Propulsion Procede pour la protection anti-oxydation de produits en materiau composite contenant du carbone, et produits obtenus par le procede
US5336532A (en) * 1989-02-21 1994-08-09 Dow Corning Corporation Low temperature process for the formation of ceramic coatings
US5034358A (en) * 1989-05-05 1991-07-23 Kaman Sciences Corporation Ceramic material and method for producing the same
JPH03115586A (ja) * 1989-09-28 1991-05-16 Nkk Corp セラミック膜の形成方法
US4973526A (en) * 1990-02-15 1990-11-27 Dow Corning Corporation Method of forming ceramic coatings and resulting articles
US5116637A (en) * 1990-06-04 1992-05-26 Dow Corning Corporation Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica
US5059448A (en) * 1990-06-18 1991-10-22 Dow Corning Corporation Rapid thermal process for obtaining silica coatings
US5118530A (en) * 1990-11-28 1992-06-02 Dow Corning Corporation Use of hydrogen silsesquioxane resin fractions as coating materials
US5380553A (en) * 1990-12-24 1995-01-10 Dow Corning Corporation Reverse direction pyrolysis processing
JPH06737A (ja) * 1991-03-29 1994-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 静電チャック基板
US5445894A (en) * 1991-04-22 1995-08-29 Dow Corning Corporation Ceramic coatings
US5231061A (en) * 1991-06-10 1993-07-27 The Dow Chemical Company Process for making coated ceramic reinforcement whiskers
US5300322A (en) * 1992-03-10 1994-04-05 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Molybdenum enhanced low-temperature deposition of crystalline silicon nitride
US5310583A (en) * 1992-11-02 1994-05-10 Dow Corning Corporation Vapor phase deposition of hydrogen silsesquioxane resin in the presence of nitrous oxide
US5352485A (en) * 1993-04-08 1994-10-04 Case Western Reserve University Synthesis of metal oxide thin films
TW257785B (ko) * 1993-05-17 1995-09-21 Dow Corning
US5567661A (en) * 1993-08-26 1996-10-22 Fujitsu Limited Formation of planarized insulating film by plasma-enhanced CVD of organic silicon compound
US5320868A (en) * 1993-09-13 1994-06-14 Dow Corning Corporation Method of forming SI-O containing coatings
EP0662491B1 (en) * 1993-12-28 1999-03-24 Nikkiso Co., Ltd. Prepreg, process for preparation of prepreg, and products derived therefrom
US5863595A (en) * 1996-10-04 1999-01-26 Dow Corning Corporation Thick ceramic coatings for electronic devices
US6015457A (en) * 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US6143855A (en) * 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
US6051321A (en) 1997-10-24 2000-04-18 Quester Technology, Inc. Low dielectric constant materials and method
US6020458A (en) 1997-10-24 2000-02-01 Quester Technology, Inc. Precursors for making low dielectric constant materials with improved thermal stability
US6218020B1 (en) 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
US6177199B1 (en) 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
JP2002514004A (ja) * 1998-05-01 2002-05-14 セシュー ビー デス 化学蒸着によって堆積された酸化物／有機ポリマー多層薄膜
EP1190277B1 (en) * 1999-06-10 2009-10-07 AlliedSignal Inc. Semiconductor having spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6495208B1 (en) 1999-09-09 2002-12-17 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Near-room temperature CVD synthesis of organic polymer/oxide dielectric nanocomposites
US6440550B1 (en) * 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
US6368400B1 (en) * 2000-07-17 2002-04-09 Honeywell International Absorbing compounds for spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
KR20030057133A (ko) * 2001-12-28 2003-07-04 삼성전자주식회사 금속 패턴 형성용 유기금속 전구체 및 이를 이용한 금속패턴 형성방법
US8053159B2 (en) 2003-11-18 2011-11-08 Honeywell International Inc. Antireflective coatings for via fill and photolithography applications and methods of preparation thereof
US8642246B2 (en) * 2007-02-26 2014-02-04 Honeywell International Inc. Compositions, coatings and films for tri-layer patterning applications and methods of preparation thereof
US8557877B2 (en) 2009-06-10 2013-10-15 Honeywell International Inc. Anti-reflective coatings for optically transparent substrates
JP5744900B2 (ja) * 2009-12-09 2015-07-08 テイジン・アラミド・ビー．ブイ． 抗ウィッキング用途のためのコアシェル粒子でコーティングされた糸または布の使用
US8864898B2 (en) 2011-05-31 2014-10-21 Honeywell International Inc. Coating formulations for optical elements
US8481626B1 (en) * 2012-01-16 2013-07-09 Itron, Inc. Wax-based encapsulant/moisture barrier for use with electronics received in water meter pits
US8728568B2 (en) 2012-01-16 2014-05-20 Itron, Inc. Method for encapsulation of electronics received in water meter pits with an improved wax-based encapsulant/moisture barrier
US20130241390A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Peter Guschl Metal-containing encapsulant compositions and methods
DE112016000930A5 (de) 2015-02-26 2017-11-02 Dynamic Solar Systems Ag Raumtemperatur-Verfahren zur Herstellung elektrotechnischer Dünnschichten und elektrotechnische Dünnschicht
US20180040751A1 (en) 2015-02-26 2018-02-08 Dynamic Solar Systems Ag Obtaining a pv film structure by means of a room temperature method and room temperature method for producing a pv film structure
EP3194502A4 (en) 2015-04-13 2018-05-16 Honeywell International Inc. Polysiloxane formulations and coatings for optoelectronic applications

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3061587A (en) * 1960-05-03 1962-10-30 Hughes Aircraft Co Ordered organo silicon-aluminum oxide copolymers and the process of making same
US3615272A (en) * 1968-11-04 1971-10-26 Dow Corning Condensed soluble hydrogensilsesquioxane resin
US3859126A (en) * 1970-10-27 1975-01-07 Owens Illinois Inc Ceramic substrates hermetically sealed with vitreous coatings
US4340619A (en) * 1981-01-15 1982-07-20 Dow Corning Corporation Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom
US4312970A (en) * 1981-02-20 1982-01-26 Dow Corning Corporation Silazane polymers from {R'3 Si}2 NH and organochlorosilanes
US4395460A (en) * 1981-09-21 1983-07-26 Dow Corning Corporation Preparation of polysilazane polymers and the polymers therefrom
DE3278567D1 (en) * 1981-10-03 1988-07-07 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Solvent-soluble organopolysilsesquioxanes, processes for producing the same, and compositions and semiconductor devices using the same
JPS5866335A (ja) * 1981-10-16 1983-04-20 Fujitsu Ltd 集積回路
US4397828A (en) * 1981-11-16 1983-08-09 Massachusetts Institute Of Technology Stable liquid polymeric precursor to silicon nitride and process
CA1204527A (en) * 1982-08-13 1986-05-13 Theodore F. Retajczyk, Jr. Polymeric films for electronic circuits
CA1217927A (en) * 1983-04-15 1987-02-17 Tsutomu Nanao Inorganic composite material and process for preparing the same
JPS6085548A (ja) * 1983-10-17 1985-05-15 Nec Corp 集積回路装置
US4540803A (en) * 1983-11-28 1985-09-10 Dow Corning Corporation Hydrosilazane polymers from [R3 Si]2 NH and HSiCl3
US4543344A (en) * 1983-11-28 1985-09-24 Dow Corning Corporation Silicon nitride-containing ceramic material prepared by pyrolysis of hydrosilazane polymers from (R3 Si)2 NH and HSiCl3
US4482669A (en) * 1984-01-19 1984-11-13 Massachusetts Institute Of Technology Preceramic organosilazane polymers
US4482689A (en) * 1984-03-12 1984-11-13 Dow Corning Corporation Process for the preparation of polymetallo(disily)silazane polymers and the polymers therefrom
US4535007A (en) * 1984-07-02 1985-08-13 Dow Corning Corporation Silicon nitride-containing ceramics

Also Published As

Publication number Publication date
US4911992A (en) 1990-03-27
ES2010234A6 (es) 1989-11-01
EP0270231B1 (en) 1993-03-10
CA1284748C (en) 1991-06-11
JPS63152130A (ja) 1988-06-24
JPH0642475B2 (ja) 1994-06-01
EP0270231A2 (en) 1988-06-08
KR950011561B1 (ko) 1995-10-06
DE3784645D1 (de) 1993-04-15
EP0270231A3 (en) 1989-12-13
DE3784645T2 (de) 1993-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890011065A (ko) 백금 또는 로듐 촉매화된 수소 실세스퀴옥산 수지 및 금속 산화물로부터의 다층 세라믹 피복물
KR880008438A (ko) 수소 실세스퀴옥산으로 부터의 다층 세라믹
KR880007406A (ko) 저온 형성 다중층 세라믹의 백금 및 로듐 촉매화
KR880008443A (ko) 전자장치 보호용 다층 세라믹 피복물을 형성하는 방법
KR880008439A (ko) 실리케이트 에스테르로부터의 다중층 세라믹
KR890011070A (ko) 세라믹 피복물을 지지체위에 형성하는 방법
US5922411A (en) Composition for forming ceramic material and process for producing ceramic material
US5358739A (en) Coating electronic substrates with silica derived from silazane polymers
EP0461782B1 (en) Conversion of silica precursors to silica at low temperatures
KR890016627A (ko) 세라믹 피복물을 기판위에 형성하는 방법
JP2591863B2 (ja) 超小形電子デバイスおよび基材用コーティング
KR890011069A (ko) 세라믹 피복물을 기재위에 형성시키는 방법
US4898907A (en) Compositions of platinum and rhodium catalyst in combination with hydrogen silsesquioxane resin
JPH0922903A (ja) エレクトロニクス用基板へのコーティング方法及びコーティング組成物
CA2042689A1 (en) Amine catalysts for the low temperature convension of silica precursors to silica
EP0429272A2 (en) Single and multilayer coatings containing aluminum nitride
EP0775680A1 (en) Protective coating for electronic devices
KR950006348B1 (ko) 전자 장치를 위한 실리콘 질소 함유 피복물 형성 방법 및 그 피복물
JP3939408B2 (ja) 低誘電率シリカ質膜
US5912047A (en) Borosilicate electronic coatings
EP0580381A1 (en) Sealing porous electronic substrates
JPH0725606A (ja) セラミック被覆の低温形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19991001

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee