KR880008439A - 실리케이트 에스테르로부터의 다중층 세라믹 - Google Patents
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- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (33)
- (1)(A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실레게이트 에스테르를 용매로 희석시키고 가부분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 용액을 전자장치 상에 적용함으로써 전자장치에 평면화 피복물을 피복시키고; (B) 용매를 증발시켜 전자장치 상 프리세라믹(preceramic) 피복물을 부착시키기 위해, 가수분해 되거나 부분적으로 가수분해된 실릭케이트 에스테르 용액을 건조시킨 다음; (c) 피복된 장치를 200 내지 1000℃ 온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르를 공기중에서 또는 수증기 및 공기중에서 이산화규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 형성시키고, (II)(i) 규소-함유피복물, (ii) 규소 탄소-함유 피복물, 및 (iii) 규소 탄소 질소-함유 피복물로 구성된 그룹 중에서 선택된 패시베이션화(passivating) 피복물을 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물에 적용시켜 (여기에서, 규소 질소-함유 피복물은 (a) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로풀리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, (b) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 증진 화학적 증착, (c) 규소 및 질소-함유 프리세라믹 중합체의 세라믹화 중에서 선택된 방법으로 전자장치의 평면화 피복물 사에 적용하고; 규소 탄소 질소-함유 피복물은 (1) 헥사메틸렌디실라잔의 화학적 증착, (2) 헥사메틸렌 디실라잔의 플라스마 증진 화학적 증착, (3) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 도는 이외 혼합물의 화학적 증착, 및 (4) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착 중에서 선택된 방법으로 전자장치의 평면화 피복물상에 적용하며;규소 탄소-함유 피복물은 (i) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, 및 (ii) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬 실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 도는 이의 혼합물의 플라스마 증진 화학적 증착 중에서 선택된 방법에 의해 부착시킨다) 패시베이션화 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성하고; (III)(i) 규소 피복물, (ii) 규소 질소-함유 피복물, (iii) 규소 탄소-함유 피복물, 및 (ⅳ) 규소 탄소 질소-함유 피복물로 구성된 그룹중에서 선택된 규소-함유 피복물을 페시베이션화 세라믹 또는 세라믹-형 피복물에 적용시켜 (여기에서 규소 피복물은 (a) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, (b) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 증진 화학적 증착, 또는 (c) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 금속 보조 화학적 증착 중에서 선택된 방법에 의해 패시베이션화 피복물 상에 적용하고, 규소 탄소-함유 피복물은 (1) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, 및 (2) C1내지 C6의 알칼 또는 알킬 실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 증진 화학적 증착 중에서 선택된 방법에 의해 적용하며;규소 질소-함유 피복물은 (A) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, (B) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 증진 화학적 증착, (C) 규소 및 질소-함유 프리세라믹 중합체의 세라믹화 중에서 선택된 방법으로 부착시키고; 규소 탄소 질소-함유 피복물은 (i) 헥사메틸렌디실라잔의 화학적 증착, (ii) 헥사메틸렌디실라잔의 플라스마 증진 화학적 증착, (iii) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, 및 (iv) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착 중에서 선택된 방법으로 부착시킨다)규소-함유 피복물을 형성시킴으로써, 다중 층 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- (I)(A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르를 용매로 희석시키고 가부분해되거나 부분적으로 가수분해 및 희석 실리케이트 에스테르 용액을 전자장치 상에 적용시킴으로써 전자장치에 평면화 피복물을 피복시키고; (B) 용매를 증발시켜 전자장치 사에 프리세라믹 피복물을 부착시키고 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 용액을 건조시킨 다음; (C) 피복된 장치를 200 내지 1000℃ 온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르를 공기중에서, 또는 수증기 및 공기 중에서 이산화규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물을 형성시키고; (II)(i) 규소-함유 피복물, (ii) 규소 질소-함유 피복물, 및 (iii) 규소 탄소 함유 피복물, 및 (iv) 규소 탄소 질소-함유 피복물로 구성된 그룹중에서 선택된 패시베이션화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-형 평면화 피복물에 적용시켜 (여기에서, 규소 피복물은 (a) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, (b) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 증진 화학적 증착, 또는 (c) 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 금속 보조 화학적 증착중에서 선택된 방법에 의해 패시베이션화 피복물 상에 적용하고, 규소 질소-함유 피복물은 (a) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, (b) 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 증진 화학적 증착, (c) 규소 및 질소-함유 프리세라믹 중합체의 세라믹화중에서 선택된 방법으로 전자장치의 평면화 피복물 상에 적용하고; 규소 탄소 질소-함유 피복물은 (1) 헥사메틸렌디실라잔의 화학적 증착, (2) 헥사메틸렌디실라잔의 플라스마 증진 화학적 증착, (3) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, 및 (4) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란 존재하 및 추가로 암모니아 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착 중에서 선택된 방법으로 전자장치의 평면화 피복물 상에 적용하며; 규소 탄소-함유 피복물은 (i) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 홀로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, 및 (i) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬 실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착, 및 (ⅱ) C1내지 C6의 의 알칸 또는 알킬 실란의 존재하에 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 증진 화학적 증착 중에서 선택된 방법에 의해 부착시킨다)팬시베이션화 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 이중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치에 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자장치 상에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃ 온도까지 가열하며 가수분해되거나 부분적으로 갓분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화 규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자장치에 피복물을 피복하고 (B) 약 200 내지 1000℃온도에서, 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치 존재하에 증기상인 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실옥산 또는 이의 혼합물 및 암모니아를 반응 용기에서 분해시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 규소-함유 피복물을 적용시킴으로써 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 포함하는 전자장치를 수득하는, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치에 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자장치 상에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃ 온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자장치에 피복물을 피복하고, (B) 약 200 내지 1000℃ 온도에서, 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치 존재하에 증기상인 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실옥산 또는 이의 혼합물 및 암모니아를 반응 용기에서 분해시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 규소 질소-함유피복물을 적용시킴으로써 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 포함하는 전자장치를 수득하는, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치로 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자장치 상에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃ 온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자장치에 피복물을 피복하고, (B) 약 200 내지 1000℃ 온도에서, 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치 존재하에 증기상인 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실옥산 또는 이의 혼합물 및 C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란을 반응 용기에서 분해시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 규소 탄소-함유 피복물을 적용시킴으로써, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 포함하는 전자장치의 수득하는, 다중 층 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치로 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자장치 상에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃ 온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화 규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자장치에 피복물을 피복하고, (B) 200 내지 1000℃ 온도에서, 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치 존재하에 증기상인 헥사메틸실라잔을 반응 용기에서 분해시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 규소 탄소 질소-함유 피복물을 피복시킴으로써, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 포함하는 전자장치의 수득하는, 다중 층 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치로 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 고음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃ 온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자장치에 피복물을 피복하고, (B) C1내지 C6의 알칸 및 알킬실란의 존재하에 및 추가의 암모니아 존재하에 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화학적 증착에 의해 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 규소 탄소 질소-함유 피복물을 적용하여 규소-함유 피복물을 형성시킴으로써 다중 층-세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치에 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시키고, 피복된 장치를 200 내지 1000℃ 온도까지 가열시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자장치에 피복물을 피복하고, (B) C1내지 C6의 알칸 및 알킬실란의 존재하에 및 추가의 암모니아 존재하에 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치 존재하에 증기 상인 실란, 할로실란, 할로디실란, 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마 증진 화학적 증착에 의해 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 규소 탄소 질소-함유 피복물을 적용하여 규소-함유 피복물을 형성시킴으로써 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자 장치상에 형성시키는 방법.
- 제1항의 방법에 의해 형성된 피복물.
- 제2항의 방법에 의해 형성된 피복물.
- 제3항의 방법에 의해 형성된 피복물.
- 제4항의 방법에 의해 형성된 피복물.
- 제5항의 방법에 의해 형성된 피복물.
- 제6항의 방법에 의해 형성된 피복물.
- 제7항의 방법에 의해 형성된 피복물.
- 제8항의 방법에 의해 형성된 피복물.
- 제1항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제2항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제3항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제4항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제5항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제6항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제7항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- 제8항의 방법에 의해 피복된 전자장치.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치로 피복시킨다음, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자 장치에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시키고, 피복된 장치를 200 내지 1000℃온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화 규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자장치에 피복물을 피복하고, (B) 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용매로 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치를 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용액으로 피복시킨 다음, 용매를 증발시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복 전자장치 상에 프리세라믹 규소 질소-함유 피복무를 부착시키기 위해 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체 용액을 건조시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기에서 200 내지 1000℃ 온도까지 피복된 장치를 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 규소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소 질소-함유 물질을 포함하는 팬시베이션화 피복물을 적용하고, (C) 200 내지 600℃ 온도에서 세라믹 또는 세라믹-형 피복 장치 존재하에 증기상인 실란, 할로실란, 할로디실란 또는 할로폴리실란 또는 이의 혼합물을 반응 용기에서 분해시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소-함유 피복물을 적용시킴으로써, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 포함하는 전자장치를 수득하는, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자 장치상에 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치에 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자장치 상에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 플리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃ 온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화규소 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자 장치에 피복물을 피복하고, (B) 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용매로 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치를 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용액으로 피복시킨 다음, 용매를 증발시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복 전자장치 상에 프리세라믹 규소 질소-함유 피복무를 부착시키기 위해 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체 용액을 건조시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기에서 200 내지 1000℃ 온도까지 피복된 장치를 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 규소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소 질소-함유 물질을 포함하는 팬시베이션화 피복물을 적용하고, (C) 200 내지 1000℃ 온도에서 세라믹 또는 세라믹-형 피복 장치 존재하에 증기상인 실란, 할로실란, 할로디실란 또는 할로폴리실란 또는 이의 혼합물, 및 암모니아를 반응 용기에서 분해시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소질소-함유 피복물을 피복시킴으로써, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 포함하는 전자장치를 수득하는, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자 장치상에 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치에 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자장치 상에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화 규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자 장치에 피복물을 피복하고, (B) 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용매로 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치를 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용액으로 피복시킨 다음, 용매를 증발시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복 전자장치 상에 프리세라믹 규소 질소-함유 피복물를 부착시키기 위해 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체 용액을 건조시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기에서 200 내지 1000℃ 온도까지 피복된 장치를 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 규소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소 질소-함유 물질을 포함하는 팬시베이션화 피복물을 적용하고, (C) 200 내지 1000℃ 온도에서 세라믹 또는 세라믹-형 피복 장치 존재하에 증기상인 실란, 할로실란, 할로디실란 또는 할로폴리실란 또는 이의 혼합물, 및 C1내지 C6알칸 또는 알킬실란을 반응용기에서 분해시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소 탄소-함유 피복물을 피복시킴으로써 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 포함하는 전자장치를 수득하는, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치에 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자장치 상에 부착시키 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화 규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자장치에 피복물을 피복하고, (B) 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용매로 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치를 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용액으로 피복시킨 다음, 용매를 증발시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복 전자장치 상에 프리세라믹 규소 질소-함유 피복물를 부착시키기 위해희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체 용액을 건조시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기에서 200 내지 1000℃ 온도까지 피복된 장치를 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 규소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소 질소-함유 물질을 포함하는 패시베이션화 피복물을 적용하고, (C) 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치 존재하에 헥사메틸디실라잔의 화학적 증착에 의해 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 규소 탄소 질소-함유 피복물을 적용시킴으로써 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 포함하는 전자장치를 수득하는, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치에 형성시키는 방법.
- (A) 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치로 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자장치 상에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화 규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자 장치에 피복물을 피복하고, (B) 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용매로 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치를 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용액으로 피복시킨 다음, 용매를 증발시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복 전자장치 상에 프리세라믹 규소 질소-함유 피복물를 부착시키기 위해 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체 용액을 건조시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기에서 200 내지 1000℃ 온도까지 피복된 장치를 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 규소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소 질소-함유 물질을 포함하는 패시베이션화 피복물을 적용하고, (C) 200 내지 1000℃ 온도에서 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치 존재하에 헥사메틸디실라잔의 플라스마 증진 화학적 증착에 의해 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 규소 탄소 질소-함유 피복물을 적용시킴으로써 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 포함하는 전자장치를 수득하는, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치에 형성시키는 방법.
- (A)가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치에 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃온도까지 가열하여 가수분해 되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화 규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자 장치에 피복물을 피복하고, (B) 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용매로 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치를 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용액으로 피복시킨 다음, 용매를 증발시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복 전자장치 상에 프리세라믹 규소 질소-함유 피복물를 부착시키기 위해 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체 용액을 건조시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기에서 200 내지 1000℃ 온도까지 피복된 장치를 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 규소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소 질소-함유 물질을 포함하는 패시베이션화 피복물을 적용하고, (C) C1내지 C6알칸 또는 알킬실란 존재하에 및 추가의 암모니아 존재하에, 실란, 할로실란, 할로디실란, 또는 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 화확적 증착에 의해 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소 탄소 질소-함유 피복물을 적용시켜 규소 탄소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- (A)가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치에 피복시키고, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자장치 상에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시킨 다음, 피복된 장치를 200 내지 1000℃온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 이산화 규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자 장치에 피복물을 피복하고, (B) 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용매로 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치를 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용액으로 피복시킨 다음, 용매를 증발시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복 전자장치 상에 프리세라믹 규소 질소-함유 피복물를 부착시키기 위해 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체 용액을 건조시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기에서 200 내지 1000℃ 온도까지 피복된 장치를 가열하여 세라믹 또는 세라믹-형 규소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소질소-함유 물질을 포함하는 패시베이션화 피복물을 적용하고, (C) C1내지 C6의 알칸 또는 알킬실란 존재하에 및 추가의 암모니아 존재하에, 실란, 알킬실란, 할로실란, 할로디실란, 또는 할로폴리실란 또는 이의 혼합물의 플라스마-증진 화확적 증착에 의해 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치에 규소 탄소-함유 피복물을 적용시켜 규소 탄소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써, 다중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질을 용매로 희석시키고, 상기 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 전자장치로 피복시킨다음, 용매를 증발시켜 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 전자 장치 상에 부착시키기 위해 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 희석 실리케이트 에스테르 프리세라믹 물질 용액을 건조시키고, 피복된 장치를 200 내지 1000℃온도까지 가열하여 가수분해되거나 부분적으로 가수분해된 실리케이트 에스테르 프리세라믹 피복물을 공기중에서, 또는 수증기 및 공기중에서 이산화규소로 세라믹화시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 형성시킴으로써 전자 장치에 피복물을 피복하고, (B) 용매로 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 희석시키고, 세라믹 또는 세라믹-형 피복장치를 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체를 용액으로 피복시킨 다음, 용매를 증발시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복 전자장치 상에 프리세라믹 규소 질소-함유 피복물을 부착시키기 위해 희석된 프리세라믹 규소 질소-함유 중합체 용액을 건조시키고, 불활성 또는 암모니아-함유 대기하에 200 내지 1000℃ 온도까지 피복된 장치를 가열하여 패시베이션화 규소 질소-함유 피복물을 형성시킴으로써 형성된 규소 질소-함유 물질을 포함하는 패시베이션화 피복물을 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 장치에 적용시킴으로써 이중 층, 세라믹 또는 세라믹-형 피복물을 전자장치 상에 형성시키는 방법.
- 세라믹 또는 세라믹-형 규소 질소-함유 물질로 기판을 피복시키는 방법에 있어서, (1) 환식 실라잔 또는 환식 실라진의 혼합물을 할로디실란 및 할로실란으로 구성된 그룹으로 부터 선택된 규소-함유 물질과 반응시킴으로써 제조된 규소 및 질소-함유 프리세라믹 중합체를 용매로 희석시키고; (2) 희석된 프리세라믹 중합체 용매액을 기판에 피복시킨 다음;(3) 용매를 증발시켜 시판상에 프리세라믹 중합체 피복물을 부착시키기 위해 공기 부재하에, 희석된 프리세라믹 중합체 용매 용액을 건조시키고;(4) 공기 부재하에, 피복된 기판을 가열시켜 세라믹 또는 세라믹-형 피복된 기판을 형성시키는 단계들을 포함하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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JPH02199541A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-07 | Fujitsu Ltd | 最適化制御行自動生成方式 |
US5336532A (en) * | 1989-02-21 | 1994-08-09 | Dow Corning Corporation | Low temperature process for the formation of ceramic coatings |
CA2027031A1 (en) * | 1989-10-18 | 1991-04-19 | Loren A. Haluska | Hermetic substrate coatings in an inert gas atmosphere |
US5318857A (en) * | 1989-11-06 | 1994-06-07 | Dow Corning Corporation | Low temperature ozonolysis of silicon and ceramic oxide precursor polymers to ceramic coatings |
CA2035367A1 (en) * | 1990-02-22 | 1991-08-23 | Ronald H. Baney | Precursor polymer for ceramic coatings |
US5116637A (en) * | 1990-06-04 | 1992-05-26 | Dow Corning Corporation | Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica |
US5262201A (en) * | 1990-06-04 | 1993-11-16 | Dow Corning Corporation | Low temperature process for converting silica precursor coatings to ceramic silica coatings by exposure to ammonium hydroxide or an environment to which water vapor and ammonia vapor have been added |
US5133993A (en) * | 1990-08-20 | 1992-07-28 | General Atomics | Fiber-reinforced refractory composites |
US5380553A (en) * | 1990-12-24 | 1995-01-10 | Dow Corning Corporation | Reverse direction pyrolysis processing |
US5441762A (en) * | 1991-03-22 | 1995-08-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Coating a composite article by applying a porous particulate layer and densifying the layer by subsequently applying a ceramic layer |
US5145723A (en) * | 1991-06-05 | 1992-09-08 | Dow Corning Corporation | Process for coating a substrate with silica |
CA2104340A1 (en) * | 1992-08-31 | 1994-03-01 | Grish Chandra | Hermetic protection for integrated circuits |
US5820923A (en) * | 1992-11-02 | 1998-10-13 | Dow Corning Corporation | Curing silica precursors by exposure to nitrous oxide |
DE69416881T2 (de) * | 1993-02-05 | 1999-11-04 | Dow Corning | Beschichtung von elektronischen Substraten mit Silika aus Polysilazanen |
TW347149U (en) * | 1993-02-26 | 1998-12-01 | Dow Corning | Integrated circuits protected from the environment by ceramic and barrier metal layers |
US5387480A (en) * | 1993-03-08 | 1995-02-07 | Dow Corning Corporation | High dielectric constant coatings |
US5912047A (en) * | 1993-03-25 | 1999-06-15 | Dow Corning Corporation | Borosilicate electronic coatings |
US5360491A (en) * | 1993-04-07 | 1994-11-01 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | β-silicon carbide protective coating and method for fabricating same |
US5320868A (en) * | 1993-09-13 | 1994-06-14 | Dow Corning Corporation | Method of forming SI-O containing coatings |
US5441765A (en) * | 1993-09-22 | 1995-08-15 | Dow Corning Corporation | Method of forming Si-O containing coatings |
US5399441A (en) * | 1994-04-12 | 1995-03-21 | Dow Corning Corporation | Method of applying opaque coatings |
US5633202A (en) * | 1994-09-30 | 1997-05-27 | Intel Corporation | High tensile nitride layer |
US5508062A (en) * | 1994-12-02 | 1996-04-16 | Dow Corning Corporation | Method for forming an insoluble coating on a substrate |
US5501875A (en) | 1994-12-27 | 1996-03-26 | Dow Corning Corporation | Metal coated silica precursor powders |
US5693701A (en) | 1995-10-26 | 1997-12-02 | Dow Corning Corporation | Tamper-proof electronic coatings |
US5753374A (en) | 1995-11-27 | 1998-05-19 | Dow Corning Corporation | Protective electronic coating |
US5707683A (en) * | 1996-02-22 | 1998-01-13 | Dow Corning Corporation | Electronic coating composition method of coating an electronic substrate, composition and article |
US5682065A (en) * | 1996-03-12 | 1997-10-28 | Micron Technology, Inc. | Hermetic chip and method of manufacture |
US5789325A (en) * | 1996-04-29 | 1998-08-04 | Dow Corning Corporation | Coating electronic substrates with silica derived from polycarbosilane |
US5780163A (en) * | 1996-06-05 | 1998-07-14 | Dow Corning Corporation | Multilayer coating for microelectronic devices |
US5738818A (en) * | 1996-08-28 | 1998-04-14 | Northrop Grumman Corporation | Compression/injection molding of polymer-derived fiber reinforced ceramic matrix composite materials |
US5863595A (en) * | 1996-10-04 | 1999-01-26 | Dow Corning Corporation | Thick ceramic coatings for electronic devices |
US6743856B1 (en) | 1997-04-21 | 2004-06-01 | Honeywell International Inc. | Synthesis of siloxane resins |
US6143855A (en) | 1997-04-21 | 2000-11-07 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with high organic content |
US6015457A (en) * | 1997-04-21 | 2000-01-18 | Alliedsignal Inc. | Stable inorganic polymers |
US6218497B1 (en) | 1997-04-21 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Organohydridosiloxane resins with low organic content |
US6177199B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-01-23 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content |
US6218020B1 (en) | 1999-01-07 | 2001-04-17 | Alliedsignal Inc. | Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content |
US6008070A (en) | 1998-05-21 | 1999-12-28 | Micron Technology, Inc. | Wafer level fabrication and assembly of chip scale packages |
US6231989B1 (en) | 1998-11-20 | 2001-05-15 | Dow Corning Corporation | Method of forming coatings |
US6228777B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-05-08 | Intel Corporation | Integrated circuit with borderless contacts |
US6544880B1 (en) | 1999-06-14 | 2003-04-08 | Micron Technology, Inc. | Method of improving copper interconnects of semiconductor devices for bonding |
DE19930782A1 (de) * | 1999-07-03 | 2001-01-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum selektiven Beschichten keramischer Oberflächenbereiche |
US6440550B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-08-27 | Honeywell International Inc. | Deposition of fluorosilsesquioxane films |
US6472076B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-10-29 | Honeywell International Inc. | Deposition of organosilsesquioxane films |
US7011868B2 (en) * | 2000-03-20 | 2006-03-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Fluorine-free plasma curing process for porous low-k materials |
US6759098B2 (en) | 2000-03-20 | 2004-07-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing of MSQ-based porous low-k film materials |
US6558755B2 (en) | 2000-03-20 | 2003-05-06 | Dow Corning Corporation | Plasma curing process for porous silica thin film |
US6913796B2 (en) * | 2000-03-20 | 2005-07-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma curing process for porous low-k materials |
US6576300B1 (en) | 2000-03-20 | 2003-06-10 | Dow Corning Corporation | High modulus, low dielectric constant coatings |
US6524881B1 (en) | 2000-08-25 | 2003-02-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for marking a bare semiconductor die |
WO2002031596A1 (en) | 2000-10-12 | 2002-04-18 | University Of North Carolina At Chapel Hill | Co2-processes photoresists, polymers, and photoactive compounds for microlithography |
US6689950B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-02-10 | The Boeing Company | Paint solar cell and its fabrication |
US6756085B2 (en) * | 2001-09-14 | 2004-06-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Ultraviolet curing processes for advanced low-k materials |
US7169685B2 (en) | 2002-02-25 | 2007-01-30 | Micron Technology, Inc. | Wafer back side coating to balance stress from passivation layer on front of wafer and be used as die attach adhesive |
JP2004128195A (ja) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 保護膜の製造方法 |
KR101911196B1 (ko) | 2009-10-27 | 2018-10-24 | 실코텍 코포레이션 | 화학적 증기 증착 코팅, 물품, 및 방법 |
US9340880B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-05-17 | Silcotek Corp. | Semiconductor fabrication process |
KR101790206B1 (ko) | 2010-10-05 | 2017-10-25 | 실코텍 코포레이션 | 내마모성 코팅, 물건 및 방법 |
JP6041527B2 (ja) * | 2012-05-16 | 2016-12-07 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド |
US9975143B2 (en) | 2013-05-14 | 2018-05-22 | Silcotek Corp. | Chemical vapor deposition functionalization |
US11292924B2 (en) | 2014-04-08 | 2022-04-05 | Silcotek Corp. | Thermal chemical vapor deposition coated article and process |
US9915001B2 (en) | 2014-09-03 | 2018-03-13 | Silcotek Corp. | Chemical vapor deposition process and coated article |
US10316408B2 (en) | 2014-12-12 | 2019-06-11 | Silcotek Corp. | Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing |
WO2017040623A1 (en) | 2015-09-01 | 2017-03-09 | Silcotek Corp. | Thermal chemical vapor deposition coating |
US10323321B1 (en) | 2016-01-08 | 2019-06-18 | Silcotek Corp. | Thermal chemical vapor deposition process and coated article |
US10487403B2 (en) | 2016-12-13 | 2019-11-26 | Silcotek Corp | Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article |
WO2020252306A1 (en) | 2019-06-14 | 2020-12-17 | Silcotek Corp. | Nano-wire growth |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3575916A (en) * | 1967-12-08 | 1971-04-20 | Corning Glass Works | Impregnating and coating composition for porous ceramic insulation |
US4230773A (en) * | 1978-12-04 | 1980-10-28 | International Business Machines Corporation | Decreasing the porosity and surface roughness of ceramic substrates |
US4404153A (en) * | 1981-01-15 | 1983-09-13 | Dow Corning Corporation | Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom |
US4340619A (en) * | 1981-01-15 | 1982-07-20 | Dow Corning Corporation | Process for the preparation of poly(disilyl)silazane polymers and the polymers therefrom |
US4312970A (en) * | 1981-02-20 | 1982-01-26 | Dow Corning Corporation | Silazane polymers from {R'3 Si}2 NH and organochlorosilanes |
US4395460A (en) * | 1981-09-21 | 1983-07-26 | Dow Corning Corporation | Preparation of polysilazane polymers and the polymers therefrom |
US4397828A (en) * | 1981-11-16 | 1983-08-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Stable liquid polymeric precursor to silicon nitride and process |
CA1204527A (en) * | 1982-08-13 | 1986-05-13 | Theodore F. Retajczyk, Jr. | Polymeric films for electronic circuits |
US4540803A (en) * | 1983-11-28 | 1985-09-10 | Dow Corning Corporation | Hydrosilazane polymers from [R3 Si]2 NH and HSiCl3 |
US4543344A (en) * | 1983-11-28 | 1985-09-24 | Dow Corning Corporation | Silicon nitride-containing ceramic material prepared by pyrolysis of hydrosilazane polymers from (R3 Si)2 NH and HSiCl3 |
US4482669A (en) * | 1984-01-19 | 1984-11-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Preceramic organosilazane polymers |
US4482689A (en) * | 1984-03-12 | 1984-11-13 | Dow Corning Corporation | Process for the preparation of polymetallo(disily)silazane polymers and the polymers therefrom |
US4535007A (en) * | 1984-07-02 | 1985-08-13 | Dow Corning Corporation | Silicon nitride-containing ceramics |
JPS6197839A (ja) * | 1984-10-18 | 1986-05-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
EP0206717A3 (en) * | 1985-06-17 | 1988-08-24 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Coating compositions |
-
1986
- 1986-12-04 US US06938679 patent/US4749631B1/en not_active Expired - Lifetime
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